JPH03209838A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH03209838A
JPH03209838A JP2005499A JP549990A JPH03209838A JP H03209838 A JPH03209838 A JP H03209838A JP 2005499 A JP2005499 A JP 2005499A JP 549990 A JP549990 A JP 549990A JP H03209838 A JPH03209838 A JP H03209838A
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JP
Japan
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bonding
shaped
etching work
thereabouts
bonding pad
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Kiyoo Onodera
小野寺　清雄
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NEC Corp
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NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に電極引出し用のボンデ
ィングパッドの構造に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置のボンディングパッドは第５図＜ａ＞
、（ｂ）に示すごとく、チップ外周の平坦な領域に絶縁
膜３を介して１２０μｍｏ　程度の広さで形成されたア
ルミ等の金属層から構成されていた。そしてこのボンデ
ィングパッド２には、アルミ等からなる３０μｍφ程度
のホンディングワイヤー４を加熱、加圧しボンディング
接続していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装置におけるボンディングワイヤ
ーの接続では、約３０μｍφのボンディングワイヤー４
を機械的圧力と同時に超音波や熱を加えボンディングパ
ッド２に押しつぶす方法により圧着接続しているので、
圧着部ではワイヤー径の約２倍（６０μｍ）の幅にワイ
ヤーが押し広げられていた。これにより、ボンディング
パッド２の幅も同様の幅（６０μｍ）が必須となり、さ
らにボンディング装置の位置合せ精度を考慮すると、さ
らに約２倍（約１２０μｍ）の幅を必要としていた。
このことは、半導体装置の多端子化に伴うボンディング
ワイヤーの微細化、ボンデインクパッド面積の縮小化等
に対して大きな妨げとなっていた。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、半導体基板上に金属層からなる
ボンディングパッドを有する半導体装置において、前記
ボンディングパッドは７字型あるいはＵ字型の溝形状を
有しているものである。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
及びＡ−Ａ’線断面図であり、第２図は第１図（ａ）に
おけるＢ−Ｂ’線断面の拡大斜視図である。以下製造方
法と共に説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）及び第２図において、半導体基板
１上にあらかじめボンディングパッド２の必要とする領
域に、たとえば、ウェットエツチングとドライエツチン
グ等の等方性と異方性のエツチング加工を繰り返えし行
なう方法で、７字型の溝を幅およそ４０μｍ、深さ４０
μｍ程度に形成した後、周知の熱酸化工程により１μｍ
厚程度の絶縁膜３を形成し、さらに、半導体素子形成後
、７字溝上にアルミ等からなるボンディングパッド２を
形成する。
以下このように構成された■字溝形状のボンティングパ
ッド２に、アルミ等からなる太さ３０μｍφ程度のボン
ディングワイヤー４を従来のボンディング装置により、
加圧し押し込む方法で接続する。尚、この際超音波ある
いは熱を加えれば密着性が増し、接続の信頼性が向上で
きる。
また、ボンディングワイヤー４は縦方向に押し込まれる
ことにより、接続部での幅が広がることもなく、かつ、
接触面積は従来と同等であるため、接続強度が低下する
等の問題はない。
さらに、ボンディング装置によるボンディングワイヤー
押し込みの際、ボンディングワイヤーの丸味と７字溝の
テーパにより、左右２０μｍ程度の位置合せずれは自己
補正でき、精度の高いボンディング接続が得られる。
第３図は本発明の第２の実施例の断面図である。第３図
に示したボンディングパッド５は、第１図の７字形状の
溝に対し、Ｕ字形状としている。このＵ字形状のボンデ
ィングパッド５は異方性のドライエツチングにより容易
に形成できかつ、ボンディング接続ピッチも大幅に縮小
可能である。
第４図はこのＵ字形状のボンディングパッド５にボンデ
ィングワイヤー４を押し込み接続した場合の断面図であ
る。この第２の実施例ではボンディングパッド５がＵ字
形状になっているため、ボンディングワイヤー４が挟み
込まれる分接続強度は強面となる効果がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体装置のボンディン
グパッドを７字型あるいはＵ字型の溝形状に形成するこ
とにより、ボンディングワイヤーの押しつぶれによる横
方向の広がりを抑え、かつ、ボンディングワイヤーの丸
味とボンディングパッドの溝のテーパにより、ボンディ
ング位置合せを自己補正できるなめ、ボンディングパッ
ド面積の縮小ならびにボンディング配線ピッチの縮小が
可能となり、半導体装置の多端子化及び微細化接続を容
易にできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
及びＡ−Ａ’線断面図、第２図６よ第１図（ａ）のＢ−
Ｂ’線断面の拡大斜視図、第３図及び第４図は本発明の
第２の実施例の断面図、第５図（ａ＞、（ｂ）は従来例
の平面図及びｃ−ｃ’線断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・ポンプイングツ（・ソド
、３・・・絶縁膜、４・・・ボンディングワイヤー、５
・・・ボンディングパッド。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に金属層からなるボンディングパッドを有
    する半導体装置において、前記ボンディングパッドはＶ
    字型あるいはＵ字型の溝形状を有していることを特徴と
    する半導体装置。
JP2005499A 1990-01-12 1990-01-12 半導体装置 Pending JPH03209838A (ja)

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JPH03209838A true JPH03209838A (ja) 1991-09-12

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2790141A1 (fr) * 1999-02-22 2000-08-25 St Microelectronics Sa Circuit integre de faible encombrement
JP2011108686A (ja) * 2009-11-12 2011-06-02 Ricoh Co Ltd 半導体装置
EP2643261A4 (en) * 2010-11-22 2018-01-17 Senseair AB Method for the wafer-level integration of shape memory alloy wires

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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FR2790141A1 (fr) * 1999-02-22 2000-08-25 St Microelectronics Sa Circuit integre de faible encombrement
JP2011108686A (ja) * 2009-11-12 2011-06-02 Ricoh Co Ltd 半導体装置
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