JPH01273328A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01273328A
JPH01273328A JP63102964A JP10296488A JPH01273328A JP H01273328 A JPH01273328 A JP H01273328A JP 63102964 A JP63102964 A JP 63102964A JP 10296488 A JP10296488 A JP 10296488A JP H01273328 A JPH01273328 A JP H01273328A
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electrode pad
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金田 賢一
Kiyoshi Katsuraoka
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は半導体素子と外部リードとを超音波ワイヤボン
ディング法により金属ワイヤで接続した半導体装置に関
する。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置では、半導体素子の電極パッドと、外
部リードとを金属ワイヤで電気接続しているが、この金
属ワイヤの接続方法として超音波を利用したボンディン
グ法が用いられている。この超音波ボンディング法は、
電極パッドや外部リード上において金属ワイヤにボンデ
ィング装置のウェッジを押圧し、このウェッジに超音波
を印加することにより、金属ワイヤを押し潰して電極パ
ッドや外部リードに接続する方法である。
第5図(a)及び(b)は従来の超音波ボンディング法
により接続した状態を示し、図において11は半導体素
子、12はその電極パッド、13は金属ワイヤであり、
13aはそのボンディング部である。また、第6図(a
)及び(b)は外部リード14における金属ワイヤ13
のボンディング部13bを示している。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、上述した超音波ボンディング法により金属ワ
イヤを接続する半導体装置においては、金属ワイヤのボ
ンディング部における潰れ幅がボンディング強度と密接
な関係がある。即ち、20〜30μm程度の太さの金属
ワイヤのボンディングの潰れ幅が40t1m以下の場合
には、金属ワイヤと電極パッド又は外部リードとの接続
が不十分となり、小さい引張力で金属ワイヤが外れてし
まう。また、潰れ幅が70μm以上になると、金属ワイ
ヤのボンディングの厚さが極端に薄くなり、引張力によ
って金属ワイヤがボンディングから断線してしまう。
したがって、金属ワイヤのボンディングの幅を40〜7
0μmの範囲に管理することが好ましいが、上述した従
来の構造では、金属ワイヤ13のボンディング13a、
13bは単に平坦に押し潰された形状をしているのみで
あるため、この幅を管理する目安や基準が存在せず、幅
の管理を行うことが難しく、ボンディング強度の高い接
続を行うことが困難にあるという問題がある。
本発明はボンディングにおける幅の管理を容易に行うこ
とができ、強度の高いボンディングを実現可能とした半
導体装置を提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、半導体素子の電極パッド及び外
部リードの夫々に超音波ボンディング法により接続した
金属ワイヤのボンディング部に、ボンディングの好まし
い潰れ幅の最大、最小に対応する長短の各凸条を幅方向
に形成している。
〔作用] 上述した構成では、ボンディング部に表れる長短の凸条
を目安又は基準にしてボンディングの潰れ幅を確認でき
、ボンディング部の幅を好適に管理して半導体装置の信
顛性を向上する。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図及び第2図は本発明の第1実施例を示し、第1図
(a)及び(b)は半導体素子の電極パッドにおける金
属ワイヤのボンディング部の平面図及びその側面図、第
2図(a)及び(b)は外部リードにおける金属ワイヤ
のボンディング部の平面図及びその側面図である。
これらの図において、1は半導体素子、2はその電極パ
ッドであり、金属ワイヤ3の一端をこの電極パッド2に
超音波ボンディング法により接続している。また、4は
外部リードであり、この外部リード4に前記金属ワイヤ
3の他端を超音波ボンディング法により接続している。
そして、前記金属ワイヤ3の一端及び他端におけるボン
ディング部3a、3bは、超音波ボンディングにより押
し潰されているが、このボンディング部3a、3bには
幅方向に長短の2本の凸条5.6を形成している。長い
凸条5は70μmの長さに形成し、短い凸条6は40μ
mの母さに形成している。これらの凸条5,6は、例え
ばボンディング装置側のウェッジ先端に対応する溝を形
成しておけば、金属ワイヤのボンディングを行うことに
より自然に形成される。
したがって、この構成では、金属ワイヤ3を電極パッド
2や外部リード4に接続したときには、そのボンディン
グ部3a、3bには70μmの凸条5と40μmの凸条
6とが表れるため、これを目視等によって観察すること
ができる。そして、これらの凸条5.6を目安又は基準
としてボンディング部の潰れ幅が好ましい範囲であるか
否かを判定することができ、ボンディングの信頬性が高
い半導体装置として管理することが可能となる。
第3図及び第4図は本発明の第2実施例を示しており、
第3図(a)及び(b)は半導体素子の電極パッドにお
ける金属ワイヤのボンディング部の平面図及びその側面
図、第4図(a)及び(b)は外部リードにおける金属
ワイヤのボンディング部の平面図及びその側面図である
この実施例では、金属ワイヤ3のボンディング部3a、
3bに形成する凸条を、70μmの凸状5Aと、2本の
40μmの凸条6A、6Bとで構成している。また、2
本の凸条6A、6Bは外側の端部を夫々凸条5Aの両端
と同一直線上に位置させている。
この凸条5A、6A、6Bを利用して、金属ワイヤ3の
ボンディング部の潰れ幅を管理することは第1実施例と
同じである。また、この実施例では2本の凸条6A、6
Bの各外側端を特定していることにより、ボンディング
部3a、3bが幅方向に多少ばらついてもボンディング
部の幅の管理を確実かつ正確に行うことが可能となる。
なお、ボンディングの好ましい潰れ幅の寸法は、金属ワ
イヤの太さ等によって若干具なるため、これに対応させ
て長短の凸条の長さを適宜相違させることが好ましい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、金属ワイヤのボンディン
グ部に、ボンディングの好ましい潰れ幅の最大、最小に
対応する長短の各凸条を幅方向に形成しているので、こ
の長短の凸条を目安又は基準としてボンディング部の潰
れ幅が好ましい範囲であるか否かを判定することができ
、信頼性の高い半導体装置として構成することが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)及び(b)は本発明の第1実施例の電極パ
ッドにおける金属ワイヤのボンディングの平面図と側面
図、第2図(a)及び(b)は第1実施例の外部リード
における金属ワイヤのボンディングの平面図と側面図、
第3図(a)及び(b)は本発明の第2実施例の電極パ
ッドにおける金属ワイヤのボンディングの平面図と側面
図、第4図(a)及び(b)は第2実施例の外部リード
における金属ワイヤのボンディングの平面図と側面図、
第5図(a)及び(b)は従来構造の電極パッドにおけ
る金属ワイヤのボンディングの平面図と側面図、第6図
(a)及び(b)は従来構造の外部リードにおける金属
ワイヤのボンディングの平面図と側面図である。 1.11・・・半導体素子、2,12・・・電極パッド
、3.13−・・金属ワイヤ、  3a、3b、13a
。 13b・・・ボンディング部、4,14・・・外部リー
ド、5.5A・・・長い凸条、6.6A、6B・・・短
い凸条。 、8)  第1図 (b) (a)  第2図 (b) 5図 (b) ’11 6図 (b)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、半導体素子の電極パッド及び外部リードの夫々に金
    属ワイヤを超音波ボンディング法により接続してなる半
    導体装置において、前記金属ワイヤのボンディング部に
    は、ボンディングの好ましい潰れ幅の最大、最小に対応
    する長短の各凸条を幅方向に形成したことを特徴とする
    半導体装置。
JP63102964A 1988-04-26 1988-04-26 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0748506B2 (ja)

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JPH01273328A true JPH01273328A (ja) 1989-11-01
JPH0748506B2 JPH0748506B2 (ja) 1995-05-24

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5608855A (en) * 1991-09-09 1997-03-04 Hitachi, Ltd. Method of and system for displaying three-dimensional curve on two-dimensional display device
WO2023058110A1 (ja) * 2021-10-05 2023-04-13 三菱電機株式会社 ウェッジツール及び半導体装置の製造方法

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US5608855A (en) * 1991-09-09 1997-03-04 Hitachi, Ltd. Method of and system for displaying three-dimensional curve on two-dimensional display device
WO2023058110A1 (ja) * 2021-10-05 2023-04-13 三菱電機株式会社 ウェッジツール及び半導体装置の製造方法

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