JPH02224348A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH02224348A JPH02224348A JP1045909A JP4590989A JPH02224348A JP H02224348 A JPH02224348 A JP H02224348A JP 1045909 A JP1045909 A JP 1045909A JP 4590989 A JP4590989 A JP 4590989A JP H02224348 A JPH02224348 A JP H02224348A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
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- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、装置内部での電気的接続をワイヤボンディン
グで行う半導体装置に関する。
グで行う半導体装置に関する。
半導体装置において、半導体素子の電極と外部引出し端
子導体との接続あるいは一つの半導体素子の電極と他の
半導体素子の電極の接続を行うとき、ボンディングワイ
ヤで接続することはしばしば行われる。このようなワイ
ヤボンディングには、ワイヤとして金線あるいはアルミ
ニウム線の丸線を用い、接続する金属同志を加圧し、熱
または超音波振動あるいはその両方を与えて接合するこ
とによって行われる。
子導体との接続あるいは一つの半導体素子の電極と他の
半導体素子の電極の接続を行うとき、ボンディングワイ
ヤで接続することはしばしば行われる。このようなワイ
ヤボンディングには、ワイヤとして金線あるいはアルミ
ニウム線の丸線を用い、接続する金属同志を加圧し、熱
または超音波振動あるいはその両方を与えて接合するこ
とによって行われる。
〔発明が解決しようとする!1題〕
ボンディングワイヤと端子導体または電極との接合面積
が大きい方が大きい、接合面積を大きくするには、ボン
ディング部のつぶれ幅を広くする必要がある。このこと
を第2図(a)〜(C)を引用して説明すると、図(C
)に示す直径りの円形断面を有するボンディングワイヤ
1を図(a)に示すように被接続体2に対して押しつぶ
し、つぶれ幅WをDより大きくして接触面積を大きくす
る。しかしこのことは、図(b)に示すボンディングネ
ック部3を薄くすることになり、ボンディングネック部
3の強度が低下し、このネック部で断線してしまうこと
がある。そのためつぶれ幅を広くすることができず、接
合面積の増大、すなわち接合強度の向上には限界があっ
た。
が大きい方が大きい、接合面積を大きくするには、ボン
ディング部のつぶれ幅を広くする必要がある。このこと
を第2図(a)〜(C)を引用して説明すると、図(C
)に示す直径りの円形断面を有するボンディングワイヤ
1を図(a)に示すように被接続体2に対して押しつぶ
し、つぶれ幅WをDより大きくして接触面積を大きくす
る。しかしこのことは、図(b)に示すボンディングネ
ック部3を薄くすることになり、ボンディングネック部
3の強度が低下し、このネック部で断線してしまうこと
がある。そのためつぶれ幅を広くすることができず、接
合面積の増大、すなわち接合強度の向上には限界があっ
た。
本発明の目的は、ワイヤボンディング部の接合面積を大
きくしてもボンディングネック部での断線の生じない半
導体装置を提供することにある。
きくしてもボンディングネック部での断線の生じない半
導体装置を提供することにある。
上記の目的の達成のために、本発明の半導体装置は、装
置内のワイヤボンディングによる電気的接続に用いるボ
ンディングワイヤが断面扁平形の導線であり、被接続体
との接合面が扁平面に平行になるようにして接合された
ものとする。
置内のワイヤボンディングによる電気的接続に用いるボ
ンディングワイヤが断面扁平形の導線であり、被接続体
との接合面が扁平面に平行になるようにして接合された
ものとする。
ボンディングワイヤの断面が扁平形であるため、扁平面
に垂直方向にわずかにつぶすだけで被接続体の接合面と
の間に広い接触面積が得られる。従ってボンディングネ
ック部が薄(なるまでつぶす必要がなく、ボンディング
ネック部での断線のおそれが無くなる。
に垂直方向にわずかにつぶすだけで被接続体の接合面と
の間に広い接触面積が得られる。従ってボンディングネ
ック部が薄(なるまでつぶす必要がなく、ボンディング
ネック部での断線のおそれが無くなる。
第1図(a)〜(C)は本発明の一実施例を示し、第2
図と共通の部分には同一の符号が付されている。
図と共通の部分には同一の符号が付されている。
この実施例で用いるボンディングワイヤlは図(C)に
示すように厚さdとそれより広い幅Wを持つ扁平線であ
る。従って、このワイヤ1を図(a)に示すように被接
続体2に対して厚さ方向にわずかに押しつぶすだけで大
きいつぶれ幅Wが得られる。この場合、ボンディングネ
ック部3は変形が少ないため薄くならず、断線の起きる
ことがない。
示すように厚さdとそれより広い幅Wを持つ扁平線であ
る。従って、このワイヤ1を図(a)に示すように被接
続体2に対して厚さ方向にわずかに押しつぶすだけで大
きいつぶれ幅Wが得られる。この場合、ボンディングネ
ック部3は変形が少ないため薄くならず、断線の起きる
ことがない。
上記の実施例では、ボンディングワイヤは上。
下両面が平面であるものを用いたが、扁平に近ければ楕
円形断面をもつワイヤを用いることもできる。
円形断面をもつワイヤを用いることもできる。
本発明によれば、装置内での接続をワイヤボンディング
で行う場合のワイヤに断面扁平形の導線を用いることに
より、ボンディングのための加圧によりつぶす量が少な
くてもつぶれ幅が広くなり、ボンディングネック部が切
れやすくなるほどつぶす必要なしに接合面積を大きくで
き、接合強度が向上する。接合強度が向上することによ
り、信頼性、耐久性が向上し、寿命の改善された半導体
装置を得ることができる。
で行う場合のワイヤに断面扁平形の導線を用いることに
より、ボンディングのための加圧によりつぶす量が少な
くてもつぶれ幅が広くなり、ボンディングネック部が切
れやすくなるほどつぶす必要なしに接合面積を大きくで
き、接合強度が向上する。接合強度が向上することによ
り、信頼性、耐久性が向上し、寿命の改善された半導体
装置を得ることができる。
第1図(a)〜(C)は本発明の一実施例のワイヤボン
ディング部を示し、(萄が正面図、(ロ)が側面図、(
C)が使用したボンディングワイヤの断面図、第2図(
a)〜(C)は従来のワイヤボンディング部を示し、同
じ<(a)が正面図、(ロ)が側面図、(C)が使用し
たボンディングワイヤの断面図である。 1:ボンディングワイヤ、2:被接続体、W:つぶれ幅
。 第1図 第2図
ディング部を示し、(萄が正面図、(ロ)が側面図、(
C)が使用したボンディングワイヤの断面図、第2図(
a)〜(C)は従来のワイヤボンディング部を示し、同
じ<(a)が正面図、(ロ)が側面図、(C)が使用し
たボンディングワイヤの断面図である。 1:ボンディングワイヤ、2:被接続体、W:つぶれ幅
。 第1図 第2図
Claims (1)
- 1)装置内のワイヤボンディングによる電気的接続に用
いるボンディングワイヤが断面扁平形の導線であり、被
接続体との接合面が扁平面に平行になるように接合され
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1045909A JPH02224348A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1045909A JPH02224348A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02224348A true JPH02224348A (ja) | 1990-09-06 |
Family
ID=12732373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1045909A Pending JPH02224348A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02224348A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04118942A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-20 | Hitachi Ltd | ワイヤボンディング方法、およびその装置 |
WO2005067040A1 (en) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electrical component with bond wire |
JP2007005474A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Toyota Motor Corp | パワー半導体モジュール及びその製造方法 |
JP2009253412A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Toppan Printing Co Ltd | ワイヤアンテナを用いたrfidタグインレットの製造方法 |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP1045909A patent/JPH02224348A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04118942A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-20 | Hitachi Ltd | ワイヤボンディング方法、およびその装置 |
WO2005067040A1 (en) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electrical component with bond wire |
JP2007005474A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Toyota Motor Corp | パワー半導体モジュール及びその製造方法 |
JP4577509B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2010-11-10 | トヨタ自動車株式会社 | パワー半導体モジュール及びその製造方法 |
JP2009253412A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Toppan Printing Co Ltd | ワイヤアンテナを用いたrfidタグインレットの製造方法 |
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