JPH0320736A - フォトマスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路の製造に用いられるフォトマス
クに関するものである。

従来の技術 従来から、ウェハー上にパターンを転写するためのフォ
トマスクとして、ハードマスクが広く用いられている。

ハードマスク（以下、ハードマスクについて述べる）は
石英や低膨張ガラス等の基板上に形或されたクロムなど
の金属や金属酸化物あるいはモリブデンシリサイドなど
の金属化合物を遮光膜として用い、この遮光膜の所定部
以外を除去することによりパターンを形或したものであ
る。

パターン形戒済のマスク（ステッパー用レチクノレも含
む）は使用前に外観，パターン欠陥，素子寸法釦よびパ
ターン重ね合せ精度など多数の項目にわたる検査を行い
、パターン欠陥については必要によ９修正を行った後合
格したものだけを使用する。１た、検査中に付着したダ
ストを除圭するため検査終了後に洗浄を行い、必要に応
じてベリクル力バーを装着する。検査，修正，洗浄およ
びベリクノレ装着の作業に釦いては、マスクの装置への
セソティングやマスク保管用ケースからの出し入れ等ハ
ンドリングの回数が非常に多い。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、従来、マスクのハンドリング時にしばし
ばスパークによう遮光膜パターンの頂点部が破壊される
という問題が発生している。

破壊されたパターンの一例を第３図に示す。第３図にか
いてｅは遮光膜部（図面では遮光膜部を斜線で示す）、
７は透明部すなわち遮光膜を除去した部分（図面では透
明部を斜線なしで示す）である。８がスパークにより破
壊され消失した部分である。このようなパターン破壊は
雰囲気の湿度が低い場合に起こり易い。これは、乾燥し
た空気によりマスクやマスク保管用ケース，マスクホル
ダーあるいは衣類や手袋などが静電気を帯び易いためで
ある。

パターン破壊の起こる典型的な場所を第４図釦よび第６
図に示す。第４図の例はｘ１マスク全体を示し、ネガマ
スク（データ部が透明部となるマスク）である。９はチ
ップ１個分のパターンを示し、１０の透明部はスクライ
プラインである。このようなマスクでは１１で示したよ
うにチップのコーナ一部に連続してスパークが起こりパ
ターンが破壊される。

第６図の例はｘ５レチクμ全体を示し、ポジレチクル（
データ部が遮光膜部となるレチク／ｌ／）である。ポジ
レチクルでは１２に示すようにフレームパターンがあリ
、このフレームのコーナ一部１３にパターン破壊が起こ
る。

本発明は上記従来の問題点を解決するもので、スパーク
によるパターンコーナ一部の破壊を防止するフォトマス
クを提供するものである。

課題を解決するための手段 この目的を達或するために、本発明のフ．｝マスクは遮
光膜部の頂点から突起した形状からなり、マスクアライ
ナーによって解像されない大きさのパターンを設けてい
る。

作　　用 このフォトマスクは、遮光膜部の頂点から突起したパタ
ーンがスパークを起こし易い形状であるため、わずかの
静電気によりスパークを起こす。

しかし、この突起パターン自体が若干破壊されることは
あっても元来のパターンへの影響はない。

実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。

第１図は本発明の一実施例にかけるフォトマスクのパタ
ーンを示すものである。本実施例は第４図のマスクのパ
ターン破壊を防止するためのものである。１は個々のチ
ップの遮光膜部、２は透明部を示す。３が本発明の目的
を達或するために追加したパターンである。すなわち遮
光膜部のそれぞれの頂点から対向する頂点の方向に突起
した形状カラなり、しかも、マスクアライナーの解像度
よりも小さいパターンである。このパターンはスパーク
を起こし易いが、もともと転写されない大きさであるた
めパターンが破壊されても問題はない。このようにスパ
ークが起こる場合へは突起したパターンにスパークを起
こさせることにより、元来のパターンがスパークにより
破壊されるのを防止することができる。

第２図は本発明の他の実施例に卦けるフォトマスクのパ
ターンを示すものである。本実施例は第６図のレチクル
のパターン破壊を防止するためのものである。４はフレ
ームパターンを示し、６は本発明の目的を達戊するため
に追加したパターンテアる。スタわちフレームパターン
の各コーナーから外側に向かって突起した形状からなる
。この例も、第１図の実施例と同様の効果を有する。

なお、ここでは２つの実施例について説明したが、本発
明の突起状パターンはスパークの起こり易い任意の遮光
膜部の頂点に設けることができる。

発明の効果 本発明は、マスク乾板上に金属筐たは金属化合物からな
る遮光膜部により形或したパターンにかいて、遮光膜部
のスパークを起こし易い任意の頂侭から突起した形状か
らなりしかもマスクアライナーにより転写されない大き
さのパターンを設けて、この突起したパターンによりス
パークを起こさせて、元来のパターンが破壊されるのを
防止するフォトマスクを実現できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例にかけるフォトマスクのパタ
ーンを示す図、第２図は本発明の他の実施例におけるフ
ォトマスクのパターンを示す図、第３図は破壊されたパ
ターンの模式図、第４図はパターン破壊の起こり易い場
所を示すｘ１マスクの全体図、第５図はパターン破壊の
起こり易い場所を示すｘ６レチクルの全体図である。 １，６・・・・・・パターンの遮光膜部、２，７・・・
・・・透明部、３，５・・・・・・追加した突起パター
ン、４，１２・・・・・・フレームパターン、８・・・
・・・破壊さレタパターン、９・・・・・・チップパタ
ーン、１０・・・・・・スクライブライン、１１，１３
・・・・・・スパークの起こる場所。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. マスク乾板上に金属または金属化合物からなる遮光膜に
   よりパターンを形成したものであって、前記遮光膜部の
   任意の頂点からマスクアライナーの解像度よりも小さい
   突起した形状を設けたことを特徴とするフォトマスク。