JPH04249248A - レチクル・マスクの防塵方法 - Google Patents
レチクル・マスクの防塵方法Info
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレチクル・マスクの防塵
方法に関する。ＩＣ，ＬＳＩなどの集積回路の製造に当
たってはレチクル・マスクが使用さている。
方法に関する。ＩＣ，ＬＳＩなどの集積回路の製造に当
たってはレチクル・マスクが使用さている。
【０００２】すなわち、集積回路の製造には薄膜形成技
術や不純物注入技術と共に写真蝕刻技術（フォトリソグ
ラフィ）が使用されている。すなわち、集積回路はシリ
コン （Ｓｉ） で代表される単体半導体或いはガリウ
ム砒素（ＧａＡｓ）やインジウム燐（ＩｎＰ） で代表
される化合物半導体の単結晶基板（ 以下略してウエハ
） を用いて作られている。
術や不純物注入技術と共に写真蝕刻技術（フォトリソグ
ラフィ）が使用されている。すなわち、集積回路はシリ
コン （Ｓｉ） で代表される単体半導体或いはガリウ
ム砒素（ＧａＡｓ）やインジウム燐（ＩｎＰ） で代表
される化合物半導体の単結晶基板（ 以下略してウエハ
） を用いて作られている。
【０００３】こゝで、Ｓｉウエハを例にとると、現在は
直径６インチ（径約１５２ ｍｍ），厚さ５００ μｍ
程度のものが使用されているが、集積回路を構成する
ＶＬＳＩでも素子の大きさは高々１０ｍｍ角であり、ウ
エハ上に多数の素子をマトリックス状に形成した後、素
子の境界線に沿ってスクライブし、チップに分離して使
用されている。
直径６インチ（径約１５２ ｍｍ），厚さ５００ μｍ
程度のものが使用されているが、集積回路を構成する
ＶＬＳＩでも素子の大きさは高々１０ｍｍ角であり、ウ
エハ上に多数の素子をマトリックス状に形成した後、素
子の境界線に沿ってスクライブし、チップに分離して使
用されている。
【０００４】こゝで、ウエハ上に多数の素子をマトリッ
クス状に形成するには、例えば大きさが５インチ角で厚
さが０．０９インチの石英ガラスよりなる平坦な基板上
にクローム（Ｃｒ）蒸着膜を用いて単位チップのパター
ンを作り、これをマスクパターンとしてレジストが被覆
してある基板上に１／５ か１／１０の大きさに縮小投
影露光し、ウエハを単位チップの大きさづつ順次に移動
させながら、縮小投影露光を繰り返してパターンを選択
露光せしめ、レジストがポジ型の場合は露光部のレジス
トが分解して現像液に対して可溶性となり、またネガ型
の場合は架橋重合が行われて不溶性となることを利用し
てレジストパターンを作り、これにドライエッチングま
たはウエットエッチングを行うことにより微細パターン
が形成されている。
クス状に形成するには、例えば大きさが５インチ角で厚
さが０．０９インチの石英ガラスよりなる平坦な基板上
にクローム（Ｃｒ）蒸着膜を用いて単位チップのパター
ンを作り、これをマスクパターンとしてレジストが被覆
してある基板上に１／５ か１／１０の大きさに縮小投
影露光し、ウエハを単位チップの大きさづつ順次に移動
させながら、縮小投影露光を繰り返してパターンを選択
露光せしめ、レジストがポジ型の場合は露光部のレジス
トが分解して現像液に対して可溶性となり、またネガ型
の場合は架橋重合が行われて不溶性となることを利用し
てレジストパターンを作り、これにドライエッチングま
たはウエットエッチングを行うことにより微細パターン
が形成されている。
【０００５】
【従来の技術】先に記したようにレチクル・マスクは投
影露光を行う原板であり、そのためにマスク・パターン
はパターンの欠如がないことは勿論、異物の付着や塵埃
の付着があってはならない。
影露光を行う原板であり、そのためにマスク・パターン
はパターンの欠如がないことは勿論、異物の付着や塵埃
の付着があってはならない。
【０００６】すなわち、ＬＳＩ やＶＬＳＩにおける最
小パターン幅はサブミクロン（Ｓｕｂ−ｍｉｃｒｏｎ）
であり、そのためレチクル・マスクへの微小な塵埃の付
着が回路の短絡を生ずる危険性がある。
小パターン幅はサブミクロン（Ｓｕｂ−ｍｉｃｒｏｎ）
であり、そのためレチクル・マスクへの微小な塵埃の付
着が回路の短絡を生ずる危険性がある。
【０００７】そこで、石英ガラス基板上に形成したレチ
クル・マスクのパターンを標準パターンと比較して綿密
な光学的検査が行われている。さて、レチクル・マスク
の検査はクラス５０あるいはクラス１００ のクリーン
ルームの中に光学検査装置を設置して行っているが、そ
れでも塵埃の付着を避けることはできない。
クル・マスクのパターンを標準パターンと比較して綿密
な光学的検査が行われている。さて、レチクル・マスク
の検査はクラス５０あるいはクラス１００ のクリーン
ルームの中に光学検査装置を設置して行っているが、そ
れでも塵埃の付着を避けることはできない。
【０００８】そこで、化粧板を用いて間仕切り（Ｃｌｅ
ａｎ−ｂｏｏｔｈ） を作り、この中に光学検査装置を
設置したり、更にクリーンエアーの供給を行っているが
、クリーンエアーだけをレチクル・マスクに当てるのは
困難で、光学検査装置の可動部分にも当たることから塵
埃を発生し、これらのことから光学検査に当たって塵埃
を完全に除くことは困難である。
ａｎ−ｂｏｏｔｈ） を作り、この中に光学検査装置を
設置したり、更にクリーンエアーの供給を行っているが
、クリーンエアーだけをレチクル・マスクに当てるのは
困難で、光学検査装置の可動部分にも当たることから塵
埃を発生し、これらのことから光学検査に当たって塵埃
を完全に除くことは困難である。
【０００９】こゝで、塵埃の内、繊維などは除去し易い
が、人体が発生源である蛋白質などの塵埃は密着性が強
く一度付着すると除去が困難である。そこで、光学検査
において塵埃の付着による不良と見做されたレチクル・
マスクは、再び洗浄を行い再検査が行われている。
が、人体が発生源である蛋白質などの塵埃は密着性が強
く一度付着すると除去が困難である。そこで、光学検査
において塵埃の付着による不良と見做されたレチクル・
マスクは、再び洗浄を行い再検査が行われている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】レチクル・マスクは縮
小投影露光を行うマスク原板であるために塵埃の付着は
できるだけ避ける必要があり、従来、光学検査において
微細な導体線路間など不良となり易い位置についている
塵埃は再洗浄を行い、完全な状態にして使用しているが
、塵埃の影響は避けられない。
小投影露光を行うマスク原板であるために塵埃の付着は
できるだけ避ける必要があり、従来、光学検査において
微細な導体線路間など不良となり易い位置についている
塵埃は再洗浄を行い、完全な状態にして使用しているが
、塵埃の影響は避けられない。
【００１１】そこで、レチクル・マスクへの塵埃の付着
をなるべく少なくすることが課題である。
をなるべく少なくすることが課題である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題は半導体基板
への投影露光に使用するレチクル・マスクの光学検査に
おいて、このマスクを保持する金属製ホルダーに電圧を
印加して行うことを特徴としてレチクル・マスクの防塵
方法を構成することにより解決することができる。
への投影露光に使用するレチクル・マスクの光学検査に
おいて、このマスクを保持する金属製ホルダーに電圧を
印加して行うことを特徴としてレチクル・マスクの防塵
方法を構成することにより解決することができる。
【００１３】
【作用】レチクル・マスクは石英ガラス基板上に真空蒸
着法またはスパッタ法を用いて厚さが８００ 〜１００
０Åの厚さにＣｒ膜を形成し、これに写真蝕刻技術を用
いることによりＣｒ膜よりなる単位チップのパターンを
形成したものである。
着法またはスパッタ法を用いて厚さが８００ 〜１００
０Åの厚さにＣｒ膜を形成し、これに写真蝕刻技術を用
いることによりＣｒ膜よりなる単位チップのパターンを
形成したものである。
【００１４】このレチクル・マスクはフォトエッチング
が終わり水洗洗浄が終わった後は直ちに光学検査を行っ
て標準パターンと比較してパターンの欠けなどによる不
良検出が行われているが、塵埃が付着していると欠陥と
誤認される場合があり、またウエハへの投影露光におい
て不良品を作り易い。
が終わり水洗洗浄が終わった後は直ちに光学検査を行っ
て標準パターンと比較してパターンの欠けなどによる不
良検出が行われているが、塵埃が付着していると欠陥と
誤認される場合があり、またウエハへの投影露光におい
て不良品を作り易い。
【００１５】そのため、光学検査中においては努めて塵
埃の付着を避け、不良品の検出を行う必要がある。なお
、光学検査において良品と見做されたものはレチクル・
マスクを枠体に嵌合し、微小間隙をおいて透明樹脂膜よ
りなるペリクルを張り、塵埃の影響を防ぐ処理が採られ
ている。
埃の付着を避け、不良品の検出を行う必要がある。なお
、光学検査において良品と見做されたものはレチクル・
マスクを枠体に嵌合し、微小間隙をおいて透明樹脂膜よ
りなるペリクルを張り、塵埃の影響を防ぐ処理が採られ
ている。
【００１６】そこで、本発明は図１に示すようにレチク
ル・マスク１を保持するホルダ２の内、金属枠体部３に
電圧を印加して空気中に浮遊する塵埃を静電吸着するも
のである。
ル・マスク１を保持するホルダ２の内、金属枠体部３に
電圧を印加して空気中に浮遊する塵埃を静電吸着するも
のである。
【００１７】すなわち、ホルダ２はレチクル・マスク１
の着脱に際して欠け，割れなどの発生を防ぐために弗素
樹脂（商品名テフロン）などの樹脂枠体部４と金属枠体
部３より構成されているが、本発明はこの金属枠体部３
に電源５により電圧を印加して塵埃を静電吸着させるこ
とにより、レチクル・マスク１への塵埃の降下による付
着を抑制するものである。
の着脱に際して欠け，割れなどの発生を防ぐために弗素
樹脂（商品名テフロン）などの樹脂枠体部４と金属枠体
部３より構成されているが、本発明はこの金属枠体部３
に電源５により電圧を印加して塵埃を静電吸着させるこ
とにより、レチクル・マスク１への塵埃の降下による付
着を抑制するものである。
【００１８】なお、ホルダ２の全体を金属で形成し、こ
れに電界を印加しても勿論支障はない。
れに電界を印加しても勿論支障はない。
【００１９】
【実施例】レチクル・マスク１としては６インチ角のも
のを用い、ホルダ２を構成する樹脂枠体部４には厚さが
５ｍｍのテフロンを用い、５ｍｍの幅で形成し、またレ
チクル・マスク１が載置される段差部は３ｍｍ幅で形成
した。
のを用い、ホルダ２を構成する樹脂枠体部４には厚さが
５ｍｍのテフロンを用い、５ｍｍの幅で形成し、またレ
チクル・マスク１が載置される段差部は３ｍｍ幅で形成
した。
【００２０】また金属枠体部３はアクミニウム合金を用
い、厚さが５ｍｍで５ｃｍ幅に形成し、この樹脂枠体部
４にレチクル・マスク１を搭載した状態で電源５より金
属枠体部３に５ＫＶの正の電圧を印加した。
い、厚さが５ｍｍで５ｃｍ幅に形成し、この樹脂枠体部
４にレチクル・マスク１を搭載した状態で電源５より金
属枠体部３に５ＫＶの正の電圧を印加した。
【００２１】その結果、従来は光学検査を行うクリーン
ブース内においても、３０分経過する毎に径０．２ μ
ｍ 以上の塵埃が約２０個づつ増していたが、本発明の
実施により８個程度に減少させることができ、これによ
り塵埃の付着が約６０％減少できることが明らかになっ
た。
ブース内においても、３０分経過する毎に径０．２ μ
ｍ 以上の塵埃が約２０個づつ増していたが、本発明の
実施により８個程度に減少させることができ、これによ
り塵埃の付着が約６０％減少できることが明らかになっ
た。
【００２２】なお、印加する電圧値は５ＫＶである必要
はなく、電圧を高くするほど静電吸着には有効である。
はなく、電圧を高くするほど静電吸着には有効である。
【００２３】
【発明の効果】本発明の実施によりレチクル・マスクの
検査において塵埃の付着を減少させることが可能となり
、これにより光学検査後における塵埃洗浄を行うマスク
数を減らすことができた。
検査において塵埃の付着を減少させることが可能となり
、これにより光学検査後における塵埃洗浄を行うマスク
数を減らすことができた。
【図１】本発明に係る防塵方法を説明する断面図（Ａ）
と平面図（Ｂ）である。
と平面図（Ｂ）である。
１ レチクル・マスク
２ ホルダ
３ 金属枠体部
４ 樹脂枠体部
５ 電源
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板への投影露光に使用するレ
チクル・マスクの光学検査において、該マスクを保持す
る金属製ホルダーに電圧を印加して行うことを特徴とす
るレチクル・マスクの防塵方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1509591A JP2555783B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | レチクル・マスクの防塵方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1509591A JP2555783B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | レチクル・マスクの防塵方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04249248A true JPH04249248A (ja) | 1992-09-04 |
| JP2555783B2 JP2555783B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=11879284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1509591A Expired - Fee Related JP2555783B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | レチクル・マスクの防塵方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555783B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010061334A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 윤종용 | 포토리소그래피 공정에서 사용되는 레티클 |
| US6402886B2 (en) * | 1999-07-16 | 2002-06-11 | Micron Technology, Inc. | Use of a chemically active reticle carrier for photomask etching |
| US8624182B2 (en) | 2010-08-03 | 2014-01-07 | Ebara Corporation | Electro-optical inspection apparatus and method with dust or particle collection function |
-
1991
- 1991-02-06 JP JP1509591A patent/JP2555783B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6402886B2 (en) * | 1999-07-16 | 2002-06-11 | Micron Technology, Inc. | Use of a chemically active reticle carrier for photomask etching |
| KR20010061334A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 윤종용 | 포토리소그래피 공정에서 사용되는 레티클 |
| US8624182B2 (en) | 2010-08-03 | 2014-01-07 | Ebara Corporation | Electro-optical inspection apparatus and method with dust or particle collection function |
| US9105444B2 (en) | 2010-08-03 | 2015-08-11 | Ebara Corporation | Electro-optical inspection apparatus and method with dust or particle collection function |
| JP2016106374A (ja) * | 2010-08-03 | 2016-06-16 | 株式会社荏原製作所 | 異物付着防止機能を備えた電子線検査装置及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2555783B2 (ja) | 1996-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960709 |
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