JPH03207000A - X線光学素子保持枠 - Google Patents
X線光学素子保持枠Info
- Publication number
- JPH03207000A JPH03207000A JP2001585A JP158590A JPH03207000A JP H03207000 A JPH03207000 A JP H03207000A JP 2001585 A JP2001585 A JP 2001585A JP 158590 A JP158590 A JP 158590A JP H03207000 A JPH03207000 A JP H03207000A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- plate
- optical element
- thin film
- soft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 abstract 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 241000282465 Canis Species 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000012472 biological sample Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K7/00—Gamma- or X-ray microscopes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、そのX線光学系と同一光軸の可視光学系を備
えたX線装置に用いられて都合の良いX線光学素子保持
粋に関する。
えたX線装置に用いられて都合の良いX線光学素子保持
粋に関する。
[従来の技術コ
試料カプセルに封入した細胞等の生物試料を生かしたま
ま、光学顕微鏡をはるかに越えた高倍率で観察できる装
置として、波長2〜5nm程度の軟X線を用いたX線顕
微鏡が注目されている。
ま、光学顕微鏡をはるかに越えた高倍率で観察できる装
置として、波長2〜5nm程度の軟X線を用いたX線顕
微鏡が注目されている。
軟X線は、X線と呼ばれる波長1 pm〜10r+mの
領域の電磁波のうち、通常は、2 0 0 prQ以上
の波長を有するものとされ、波長400〜8 0 0
nmの可視光線よりも2桁以上も短い波長の電磁波であ
る。また、軟X線は、物質に反射されない一方で透過す
る物質に良く吸収され、空気中でも、急速に減衰される
。従って、軟X線を用いたX線顕微鏡では、一般的に、
軟X線の透過観察が行われ、その光路は高い真空度に保
たれ、レンズ素子としては薄膜上に形成されたフレネル
ゾーンパターンか用いられ、試料も極〈蒲い物が準備さ
れる。
領域の電磁波のうち、通常は、2 0 0 prQ以上
の波長を有するものとされ、波長400〜8 0 0
nmの可視光線よりも2桁以上も短い波長の電磁波であ
る。また、軟X線は、物質に反射されない一方で透過す
る物質に良く吸収され、空気中でも、急速に減衰される
。従って、軟X線を用いたX線顕微鏡では、一般的に、
軟X線の透過観察が行われ、その光路は高い真空度に保
たれ、レンズ素子としては薄膜上に形成されたフレネル
ゾーンパターンか用いられ、試料も極〈蒲い物が準備さ
れる。
第3図は、X線光学系1に可視光学系2を重ねて備えた
X線顕微鏡の一例の構成を示す。この顕I!鏡ては、セ
ットされた試料の観察を両方の光学系を用いて行えるか
ら、軟X線による高倍率観察に先立つ、可視光による低
倍率な予備観察や、軟X線による高解像度な観察画像に
可視光による色情報を組合せた効率的な観察が可能であ
る。
X線顕微鏡の一例の構成を示す。この顕I!鏡ては、セ
ットされた試料の観察を両方の光学系を用いて行えるか
ら、軟X線による高倍率観察に先立つ、可視光による低
倍率な予備観察や、軟X線による高解像度な観察画像に
可視光による色情報を組合せた効率的な観察が可能であ
る。
第3図において、観察試料Sは、中央のホールダHにセ
ットされる。また、X線光学系1は、大気による軟X線
の減衰を避けるために真空槽3に納められ、軟X線発生
器G、コンデンサゾーンブレートRl.対物ゾーンプレ
ートr2、撮像素子Cから構成されている。発生器Gで
発生した軟X線は、コンデンサゾーンプレートR1によ
り収束されて試料Sを透過した後に、対物ゾーンブレト
r2て収束されて撮像素子C上に結像する。ここで、各
ゾーンプレートR1、r2は、その構造上、大口径のも
のが得られず、また軟X線に対する収束効率も低いため
、軟X線のビームサイズはφ0.2mm程度であるが、
発生器Gから撮像素子Cまでの光路長は2mに達する。
ットされる。また、X線光学系1は、大気による軟X線
の減衰を避けるために真空槽3に納められ、軟X線発生
器G、コンデンサゾーンブレートRl.対物ゾーンプレ
ートr2、撮像素子Cから構成されている。発生器Gで
発生した軟X線は、コンデンサゾーンプレートR1によ
り収束されて試料Sを透過した後に、対物ゾーンブレト
r2て収束されて撮像素子C上に結像する。ここで、各
ゾーンプレートR1、r2は、その構造上、大口径のも
のが得られず、また軟X線に対する収束効率も低いため
、軟X線のビームサイズはφ0.2mm程度であるが、
発生器Gから撮像素子Cまでの光路長は2mに達する。
一方、可視光学系2は、中央に軟X線通過孔を設けたミ
ラーM1、M2を用いてX線光学系1に重ね合せられて
いて、ランブB、コンデンサレンズL1、ミラーM1、
コンデンサレンズL2、対物レンズL3、ミラーM2、
接眼レンズL4て構威される。ここて、コンデンサレン
ズL2、対物レンズL3の中央部にもミラーM1、M2
と同様に軟X線通過孔か設けられている。
ラーM1、M2を用いてX線光学系1に重ね合せられて
いて、ランブB、コンデンサレンズL1、ミラーM1、
コンデンサレンズL2、対物レンズL3、ミラーM2、
接眼レンズL4て構威される。ここて、コンデンサレン
ズL2、対物レンズL3の中央部にもミラーM1、M2
と同様に軟X線通過孔か設けられている。
可視光学系2には、軟X線に対するゾーンブレトよりも
格段に収束効率が高く、しかも犬口径な光学レンズが使
用され、ミラー等を用いることも可能であるから、X線
光学系1よりも相当自由に光学系を組立てることが可能
であり、コンデンサレンズL2、対物レンズL3のよう
な孔開きレンズの製作や使用も容易である。
格段に収束効率が高く、しかも犬口径な光学レンズが使
用され、ミラー等を用いることも可能であるから、X線
光学系1よりも相当自由に光学系を組立てることが可能
であり、コンデンサレンズL2、対物レンズL3のよう
な孔開きレンズの製作や使用も容易である。
ランプBの光は、コンデンサレンズL1で平行光となり
ミラーM1て反射され、コンデンサレンズL2で収束さ
れて試料Sを透過した後に、対物レンズL3、ミラーM
2を経て、接眼レンズL4で収束されて観察者Mに観察
像を与える。
ミラーM1て反射され、コンデンサレンズL2で収束さ
れて試料Sを透過した後に、対物レンズL3、ミラーM
2を経て、接眼レンズL4で収束されて観察者Mに観察
像を与える。
第2図は、このX線顕微鏡に用いられた対物ゾーンプレ
ートr2の構造を示す。
ートr2の構造を示す。
第2図において、基板Wは一辺14mmの正方形シリコ
ン板で、その中央部には軟X線の透過部として、薄膜N
が張られた一辺0.2+n+nの正方形の孔Pか形成さ
れ、この薄膜N上にフルネルゾーンパターンが描かれて
いる。
ン板で、その中央部には軟X線の透過部として、薄膜N
が張られた一辺0.2+n+nの正方形の孔Pか形成さ
れ、この薄膜N上にフルネルゾーンパターンが描かれて
いる。
[発明が解決しようとする課題]
第2図の対物ゾーンプレートr2は、可視光線をほとん
ど透過しないので、第3図のX線顕微鏡においては、対
物ゾーンプレートr2をスライト粋に固定して出し入れ
可能とし、可視光学系2による観察を行う際には可視光
路から退去させるようにしていたが、細い軟X線ビーム
の長い光路を有するX線光学系1においては、対物ゾー
ンプレ−l−r2の位置決めや角度調整を相当高精度に
行う必要があり、また、これの退去や復帰に係る機構は
、高真空に保たれた真空槽3内で動作する必要があるた
め、装置全体のコストが大幅に上昇した。
ど透過しないので、第3図のX線顕微鏡においては、対
物ゾーンプレートr2をスライト粋に固定して出し入れ
可能とし、可視光学系2による観察を行う際には可視光
路から退去させるようにしていたが、細い軟X線ビーム
の長い光路を有するX線光学系1においては、対物ゾー
ンプレ−l−r2の位置決めや角度調整を相当高精度に
行う必要があり、また、これの退去や復帰に係る機構は
、高真空に保たれた真空槽3内で動作する必要があるた
め、装置全体のコストが大幅に上昇した。
本発明は、第3図のX線顕微鏡において、可視光学系2
による観察を行う際にも可視光路から退去させる必要の
ない対物ゾーンプレート、詳しくはその支持粋を提供す
ることを目的とする。
による観察を行う際にも可視光路から退去させる必要の
ない対物ゾーンプレート、詳しくはその支持粋を提供す
ることを目的とする。
[課題を解決するための千段]
本発明に係るX線光学素子支持枠は、ほぼ中央部にX線
光学素子の保持部を設けたX線光学素子保持粋において
、保持部の周辺に可視光線の透過する窓を設けたもので
ある。
光学素子の保持部を設けたX線光学素子保持粋において
、保持部の周辺に可視光線の透過する窓を設けたもので
ある。
[作用]
本発明に係るX線光学素子支持枠では、X線光学素子の
保持部の周辺に可視光線の透過ヤる窓が設けられていて
、この窓を可視光線が自由に通過できるから、例えば第
3図のX線顕微鏡に位置決め、固定された状態で、X線
光学系1と可視光学系2の両方を使用できる。ここで、
X線光学素子の保持部は、第2図の対物ゾーンプレート
r2のように薄膜形成基板それ自体の一部を構威しても
良いが、別の薄膜支持体上に作威したゾーンプレートを
その薄膜支持体と共に取付ける受入れ部であっても良い
。
保持部の周辺に可視光線の透過ヤる窓が設けられていて
、この窓を可視光線が自由に通過できるから、例えば第
3図のX線顕微鏡に位置決め、固定された状態で、X線
光学系1と可視光学系2の両方を使用できる。ここで、
X線光学素子の保持部は、第2図の対物ゾーンプレート
r2のように薄膜形成基板それ自体の一部を構威しても
良いが、別の薄膜支持体上に作威したゾーンプレートを
その薄膜支持体と共に取付ける受入れ部であっても良い
。
[発明の実施例]
本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の実施例に係る対物ゾーンプレートR
2の構造を示す。本実施例は、本発明のX線光学素子支
持枠を第2図の対物ゾーンプレートr2に応用したもの
である。
2の構造を示す。本実施例は、本発明のX線光学素子支
持枠を第2図の対物ゾーンプレートr2に応用したもの
である。
第1図において、基板Wは、厚さ0.2 mm、一辺1
4m+nの正方形のシリコン板で、中央部には軟X線の
透過部として、蒲膜Nが張られた一辺0.2mmの正方
形の孔Pが形成され、この薄@N上にフルネルゾーンパ
ターンが描かれている。また、孔Pの周囲には5 mm
X 5.5 mmの可視光線の通過窓T1〜T4が形威
され、縦横の粱部K1〜K4の幅はその断面形状か台形
であるために表面と裏面で異なるか広い方の幅で言うと
0.5 mmである。
4m+nの正方形のシリコン板で、中央部には軟X線の
透過部として、蒲膜Nが張られた一辺0.2mmの正方
形の孔Pが形成され、この薄@N上にフルネルゾーンパ
ターンが描かれている。また、孔Pの周囲には5 mm
X 5.5 mmの可視光線の通過窓T1〜T4が形威
され、縦横の粱部K1〜K4の幅はその断面形状か台形
であるために表面と裏面で異なるか広い方の幅で言うと
0.5 mmである。
本実施例の対物ゾーンプレートR2は、1枚のシリコン
板上にフルネルゾーンパターン描画部と可視光線の通過
窓T1〜T4とが一体に形成されているので、フルネル
ゾーンパターン形成時の位置精度か、対物ゾーンプレー
トR2位置決め時の光学系アライメント精度にそのまま
反映されることに加えて、対物ゾーンプレートR2はX
線顕微鏡内に固定されて以後移動しないから、X線光学
系の組立てが容易てあるとともに、初期の光学系アライ
メント精度が常に維持される。
板上にフルネルゾーンパターン描画部と可視光線の通過
窓T1〜T4とが一体に形成されているので、フルネル
ゾーンパターン形成時の位置精度か、対物ゾーンプレー
トR2位置決め時の光学系アライメント精度にそのまま
反映されることに加えて、対物ゾーンプレートR2はX
線顕微鏡内に固定されて以後移動しないから、X線光学
系の組立てが容易てあるとともに、初期の光学系アライ
メント精度が常に維持される。
次に、本実施例の対物ゾーンプレートR2の製作方7去
を説明する。
を説明する。
まず、基板Wの両面に窒化シリコン(Si3N4)薄膜
を形成する。製膜方法としては、LP−CVDl去、E
CR−CVD法等の化学的手法に限らずスパッタ法等の
物理的手法でもかまわないが、軟X線透過部がたるまず
、しかも強度か十分保たれるように、膜の内部応力(引
張応力)は109〜10 ”dyn/cm2の範囲に制
御する。
を形成する。製膜方法としては、LP−CVDl去、E
CR−CVD法等の化学的手法に限らずスパッタ法等の
物理的手法でもかまわないが、軟X線透過部がたるまず
、しかも強度か十分保たれるように、膜の内部応力(引
張応力)は109〜10 ”dyn/cm2の範囲に制
御する。
次に、この窒化シリコン薄膜上にフォトレジスト層を形
成してマスク露光転写、現像、窒化シリコン薄膜のエッ
チングを行って、孔P部の片面および窓T1〜T4部の
両面の窒化シリコン薄膜を除去する。このとき、窓T1
〜丁4部の窒化シリコン薄膜は、片面のみを除去するこ
ととしても良く、その場合には、完成時のゾーンプレー
トR2の窓T1〜丁4に透明な窒化シリコン薄膜が残る
ことになる。
成してマスク露光転写、現像、窒化シリコン薄膜のエッ
チングを行って、孔P部の片面および窓T1〜T4部の
両面の窒化シリコン薄膜を除去する。このとき、窓T1
〜丁4部の窒化シリコン薄膜は、片面のみを除去するこ
ととしても良く、その場合には、完成時のゾーンプレー
トR2の窓T1〜丁4に透明な窒化シリコン薄膜が残る
ことになる。
次に、窒化シリコン薄膜を除去した部分から基板Wの湿
式エッチングを行い、孔Pおよび窓T1〜T4を形成す
る。ここで、エッチング液としては、エチレンジアミン
とビロカテコーノレと水のl毘合液、または水酸化カリ
ウム水溶液を用いると良い。基板Wとしてシリコン結晶
板(ioo)を用いることで異方性エッチングが可能で
、孔P周辺に好ましいテーバ部(テーバ面は111面)
を自動的に形成することが可能である。
式エッチングを行い、孔Pおよび窓T1〜T4を形成す
る。ここで、エッチング液としては、エチレンジアミン
とビロカテコーノレと水のl毘合液、または水酸化カリ
ウム水溶液を用いると良い。基板Wとしてシリコン結晶
板(ioo)を用いることで異方性エッチングが可能で
、孔P周辺に好ましいテーバ部(テーバ面は111面)
を自動的に形成することが可能である。
次に、孔P上に残った窒化シリコン薄UN上に金属薄膜
を形成し、この薄膜をフレネルゾーンパターン状に整形
すれは、ゾーンプレートR2が完成する。ただし、この
フレネルゾーンパターンの形成は基板Wの湿式エッチン
グ以前に行うこととしても良い。
を形成し、この薄膜をフレネルゾーンパターン状に整形
すれは、ゾーンプレートR2が完成する。ただし、この
フレネルゾーンパターンの形成は基板Wの湿式エッチン
グ以前に行うこととしても良い。
[発明の効果]
本発明に係るX線光学素子支持枠では、X線光学素子を
所定位置に保持したままでも可視光線か自由に透過てき
るから、例えば、第3図のX線顕微鏡に位置決め、固定
された状態で、X!jil光学系1と可視光学系2の両
方を使用できる。従って対物ゾーンプレートはX線顕微
鏡内に固定されたまま常に当初の位置精度を維持し、ま
た対物ゾーンプレートの退去や復帰に係る機構は、全く
不要となる。すなわち、このX線顕微鏡におけるX線光
学系の信頼性が増すとともに、製作や調整に伴うコスト
が削減され、さらにX線顕@鏡全体の小型化や操作性の
向上が容易となる。
所定位置に保持したままでも可視光線か自由に透過てき
るから、例えば、第3図のX線顕微鏡に位置決め、固定
された状態で、X!jil光学系1と可視光学系2の両
方を使用できる。従って対物ゾーンプレートはX線顕微
鏡内に固定されたまま常に当初の位置精度を維持し、ま
た対物ゾーンプレートの退去や復帰に係る機構は、全く
不要となる。すなわち、このX線顕微鏡におけるX線光
学系の信頼性が増すとともに、製作や調整に伴うコスト
が削減され、さらにX線顕@鏡全体の小型化や操作性の
向上が容易となる。
また、X線光学系と可視光学系とを同時に動作させて、
観察試料から多重的な情報を得る等、X線顕@鏡の用途
と能力の拡大をもたらす。
観察試料から多重的な情報を得る等、X線顕@鏡の用途
と能力の拡大をもたらす。
第1図は、本発明の実施例に係るX線光学素子支持枠を
説明するためのもので、対物ゾーンプレトR2の構造を
示す平面図である。 第2図は、従来のX線光学素子支持枠を説明するための
もので、対物ゾーンプレートr2の構造を示す平面図で
ある。 第3図は、X線顕微鏡の一例の構成を示す模式図である
。 [主要部分の符号の説明] P・・・孔 W・・・基板N・・一蒲膜
T1〜T4・・・窓Z2・・・対物ゾー
ンプレート
説明するためのもので、対物ゾーンプレトR2の構造を
示す平面図である。 第2図は、従来のX線光学素子支持枠を説明するための
もので、対物ゾーンプレートr2の構造を示す平面図で
ある。 第3図は、X線顕微鏡の一例の構成を示す模式図である
。 [主要部分の符号の説明] P・・・孔 W・・・基板N・・一蒲膜
T1〜T4・・・窓Z2・・・対物ゾー
ンプレート
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ほぼ中央部にX線光学素子の保持部を設けたX線光学
素子保持枠において、 前記保持部の周辺に可視光線の透過する窓を設けたこと
を特徴とするX線光学素子保持枠。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001585A JP2775949B2 (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | X線光学素子保持枠 |
US07/632,941 US5119411A (en) | 1990-01-10 | 1990-12-24 | X-ray optical apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001585A JP2775949B2 (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | X線光学素子保持枠 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03207000A true JPH03207000A (ja) | 1991-09-10 |
JP2775949B2 JP2775949B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=11505595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001585A Expired - Lifetime JP2775949B2 (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | X線光学素子保持枠 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5119411A (ja) |
JP (1) | JP2775949B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11160500A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Japan Science & Technology Corp | X線顕微鏡 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4013306A1 (de) * | 1990-04-26 | 1991-10-31 | Hoechst Ag | Optische formkoerper aus siliziumnitrid, sowie verfahren zu deren herstellung |
US5434901A (en) * | 1992-12-07 | 1995-07-18 | Olympus Optical Co., Ltd. | Soft X-ray microscope |
US5446282A (en) * | 1993-04-05 | 1995-08-29 | Nikon Corporation | Scanning photoelectron microscope |
WO1995008174A1 (de) * | 1993-09-15 | 1995-03-23 | Carl-Zeiss-Stiftung Handelnd Als Carl Zeiss | Phasenkontrast-röntgenmikroskop |
US6091796A (en) * | 1994-11-23 | 2000-07-18 | Thermotrex Corporation | Scintillator based microscope |
US5880467A (en) * | 1997-03-05 | 1999-03-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Microcalorimeter x-ray detectors with x-ray lens |
US20050041779A1 (en) * | 1999-11-24 | 2005-02-24 | Btg International Limited | X-ray zoom lens |
US20060245548A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Joseph Callerame | X-ray backscatter inspection with coincident optical beam |
US7331714B2 (en) * | 2005-09-29 | 2008-02-19 | Uchicago Argonne, Llc | Optomechanical structure for a multifunctional hard x-ray nanoprobe instrument |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS643600A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Nippon Telegraph & Telephone | Optical element and microscope using said element |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2877353A (en) * | 1954-07-14 | 1959-03-10 | Gen Electric | X-ray microscope |
US2843751A (en) * | 1956-02-06 | 1958-07-15 | American Cyanamid Co | Design, construction, and application of a device for obtaining radiographs of microscopic objects in a commercial model electron microscope |
US4317036A (en) * | 1980-03-11 | 1982-02-23 | Wang Chia Gee | Scanning X-ray microscope |
DE3642457A1 (de) * | 1986-12-12 | 1988-06-30 | Zeiss Carl Fa | Roentgen-mikroskop |
US4979203A (en) * | 1989-06-19 | 1990-12-18 | Princeton X-Ray Laser | X-ray laser microscope apparatus |
-
1990
- 1990-01-10 JP JP2001585A patent/JP2775949B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-24 US US07/632,941 patent/US5119411A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS643600A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Nippon Telegraph & Telephone | Optical element and microscope using said element |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11160500A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Japan Science & Technology Corp | X線顕微鏡 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2775949B2 (ja) | 1998-07-16 |
US5119411A (en) | 1992-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2527890B2 (ja) | マスク、その製造方法及びタ―ゲット基板をレ―ザ処理する方法 | |
TW583720B (en) | Optical illuminating system, light exposure equipment and manufacturing method of micro-devices | |
JP2007519029A (ja) | 光ガイドアレイ | |
JPH03207000A (ja) | X線光学素子保持枠 | |
TW200949459A (en) | Spatial light modulating unit, illumination optical system, aligner, and device manufacturing method | |
TW200402603A (en) | Projection optical system, exposure apparatus, and method of exposure | |
CN103019040B (zh) | 曝光装置、光掩模及微元件的制造方法及投影光学装置 | |
JP3358097B2 (ja) | X線投影露光装置 | |
JP2004186689A (ja) | レチクルに形成されたパターンをウェハに投影させる光学システム、ウェハにイメージを形成する方法及びウェハ光学素子にイメージを形成する方法 | |
JPH02138900A (ja) | 電子線透過窓 | |
JP2000146687A (ja) | Uvイメ―ジングに関するフロント照射蛍光スクリ―ン | |
JP3385740B2 (ja) | オートフォーカス顕微鏡用の挟持標本体 | |
US3442583A (en) | Mask alignment system using coherent fiber bundle | |
JPH10253841A (ja) | 結像光学装置 | |
JPH07113680B2 (ja) | 顕微鏡観察用試料容器 | |
US3624400A (en) | Apparatus for the production of high-resolution visible images of objects illuminated by or emitting infrared radiation | |
JP2004151624A (ja) | 顕微鏡液浸対物レンズ用先端光学素子 | |
JPH10135121A (ja) | 投影露光装置 | |
JPH07333399A (ja) | X線透過窓部材 | |
JPH03246861A (ja) | 透過型電子顕微鏡 | |
US6258491B1 (en) | Mask for high resolution optical lithography | |
CN218547250U (zh) | 晶圆对准装置及光刻装置 | |
JPH0786559B2 (ja) | 光学素子およびそれを用いた顕微鏡 | |
JPH09297093A (ja) | X線顕微鏡用試料セル | |
JPH08146197A (ja) | 反射鏡固定方法及び反射鏡ホルダー |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100501 Year of fee payment: 12 |