JPH03206714A - Mos半導体集積回路 - Google Patents
Mos半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH03206714A JPH03206714A JP2001820A JP182090A JPH03206714A JP H03206714 A JPH03206714 A JP H03206714A JP 2001820 A JP2001820 A JP 2001820A JP 182090 A JP182090 A JP 182090A JP H03206714 A JPH03206714 A JP H03206714A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- signal
- cmos inverter
- output terminal
- channel mos
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 241000238413 Octopus Species 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はM O 8半導体集積回路に関し、特に論理回
路の入カバッファ回路を有するMOS半導体集積回路に
関する。
路の入カバッファ回路を有するMOS半導体集積回路に
関する。
従来、MOS半導体集積回路に内Hされている論理回路
の入カバッファ回路は、第3図に示すように入力端子I
Nと、出力端子OUTと、2個のダイオードDの直列体
と、PチャンネルMOSトランジスタP及びNチャンネ
ルMOSトランジスタNとの直列体から構或されていた
。
の入カバッファ回路は、第3図に示すように入力端子I
Nと、出力端子OUTと、2個のダイオードDの直列体
と、PチャンネルMOSトランジスタP及びNチャンネ
ルMOSトランジスタNとの直列体から構或されていた
。
第4図は、第3図の入カバッファ回路の動作を示すため
の電圧波形図である。
の電圧波形図である。
第3図,第4図に釦いて、入力端子電圧波形4の様に入
力端子INに電圧が加わると、PチャンネルMOSトラ
ンジスタP hよびNチャンネルMOSトランジスタN
によるCMOSインバータは、しきい電圧VT ( 0
<vt<Vcc + VTは自然数)をしきいとし、
オン状態とオフ状態が入れ替わり、出力端子電圧波形5
となって現われ、これを入力バッファ回路の出力信号と
していた。
力端子INに電圧が加わると、PチャンネルMOSトラ
ンジスタP hよびNチャンネルMOSトランジスタN
によるCMOSインバータは、しきい電圧VT ( 0
<vt<Vcc + VTは自然数)をしきいとし、
オン状態とオフ状態が入れ替わり、出力端子電圧波形5
となって現われ、これを入力バッファ回路の出力信号と
していた。
なか、この従来では、入力端子電圧はQVから■ccま
でとしているが、VCC以上か、OV以下の電圧に対し
てはダイオードDにより制限を行う。
でとしているが、VCC以上か、OV以下の電圧に対し
てはダイオードDにより制限を行う。
前述した従来の論理回路の入カバッファ回路では、変換
可能な入力端子電圧はしきい電圧vT以上,1たはv丁
以下であり、入力振幅電圧A,BがA〈■T<Bの入力
信号に対しては動作するが,A<VT かDB<Vr
かt*ldA>V丁かつB>■Tでは動作しないという
欠点がある。
可能な入力端子電圧はしきい電圧vT以上,1たはv丁
以下であり、入力振幅電圧A,BがA〈■T<Bの入力
信号に対しては動作するが,A<VT かDB<Vr
かt*ldA>V丁かつB>■Tでは動作しないという
欠点がある。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、入力振幅電圧A
,BがAく■T<B以外でも動作するようにしたMOS
半導体集積回路を提供することにある。
,BがAく■T<B以外でも動作するようにしたMOS
半導体集積回路を提供することにある。
本発明のMOS半導体集積回路の構或ぱ、入力端子から
の入力信号を微分するキャパ冫タと、出力端子からの帰
還を行う第1のCMOSインバータと前記微分信号をし
きい電圧で変換して前記出力端子に出力する第2のCM
OSインバータとを備えていることを特徴とする。
の入力信号を微分するキャパ冫タと、出力端子からの帰
還を行う第1のCMOSインバータと前記微分信号をし
きい電圧で変換して前記出力端子に出力する第2のCM
OSインバータとを備えていることを特徴とする。
次に図面を参照しながら詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例のMOS半導体集積回路を示
す回路図である。
す回路図である。
第1図に分いて、本実施例は、入力端子工からの入力信
号を微分するキャパシタCと、PチャンネルMOSトラ
ンジスタP2,NチャンネルMOSトランジスタN2に
よる第1のCMOSインバータと、微分信号Tをしきい
電圧vT1で変換するPチャンネルMOSトランジスタ
P1,NチャンネルMOSトランジスタN1による第2
のC M OSインバータとを含み、これを出力端子O
として出力している。1たこの出力は、第1のCMO
Sインバータの入力に接続されている。
号を微分するキャパシタCと、PチャンネルMOSトラ
ンジスタP2,NチャンネルMOSトランジスタN2に
よる第1のCMOSインバータと、微分信号Tをしきい
電圧vT1で変換するPチャンネルMOSトランジスタ
P1,NチャンネルMOSトランジスタN1による第2
のC M OSインバータとを含み、これを出力端子O
として出力している。1たこの出力は、第1のCMO
Sインバータの入力に接続されている。
次に、本実施例の動作について説明する。
第2図は第1図に示す実施例の動作を示す電圧波形図で
ある。
ある。
第1図,第2図に釦いて、本実施例では、入力端子電圧
波形lの様に、入力端子Iに電圧A,Bなる入力振幅を
持つ信号が加わると、キャパシタCと第1のCMOSイ
ンバータの出力抵抗により微分され、微分信号Tは微分
信号電圧波形2の様に変化する。すると、第2のCMO
Sインバータは、しきい電圧VTIをしきいとし、遅延
時間dlをもって、出力端子Oから出力端子電圧波形3
の様に出力信号を発生する。一方、出力端子電圧波形3
は第1のC M O Sインパータの入力信号にもなっ
てかり、遅延時間d2’rもって微分信号Tに帰還して
いるので、再び入力端子電圧波形1が変化する1では、
微分君号電圧波形2と出力端子電圧波形3は安定してい
るのである。
波形lの様に、入力端子Iに電圧A,Bなる入力振幅を
持つ信号が加わると、キャパシタCと第1のCMOSイ
ンバータの出力抵抗により微分され、微分信号Tは微分
信号電圧波形2の様に変化する。すると、第2のCMO
Sインバータは、しきい電圧VTIをしきいとし、遅延
時間dlをもって、出力端子Oから出力端子電圧波形3
の様に出力信号を発生する。一方、出力端子電圧波形3
は第1のC M O Sインパータの入力信号にもなっ
てかり、遅延時間d2’rもって微分信号Tに帰還して
いるので、再び入力端子電圧波形1が変化する1では、
微分君号電圧波形2と出力端子電圧波形3は安定してい
るのである。
この様に、振@電圧範囲が、入力端子電圧波形1の様に
、A,Bとなっている場合でも、動作を行うことが出来
る。
、A,Bとなっている場合でも、動作を行うことが出来
る。
本実施例は、入力信号の微分を行い、その微分信号によ
りCMOSインバータによるラッチをトリガする。
りCMOSインバータによるラッチをトリガする。
以上、本実施例は、入力端子工からの振@電圧A,B(
A,Bは実数,A(Bとする)の入力信号を微分するキ
ャパシタCと、出力端子Oを入力とする第1のC M
O Sインバータ、そしてその微分信号Tをしきい電圧
VTI ( 0 < V’rt < Vcc +■T1
,■ccぱ自然数)で論理反転し出力端子Oから振・@
電圧o t vccの出力信号を出力する第2のCMO
Sインバータとを含み、入力信号がλ< VT +くB
であっても、B<vT1か筐たはA>VTIでも出力信
号へ変換するようになっている。
A,Bは実数,A(Bとする)の入力信号を微分するキ
ャパシタCと、出力端子Oを入力とする第1のC M
O Sインバータ、そしてその微分信号Tをしきい電圧
VTI ( 0 < V’rt < Vcc +■T1
,■ccぱ自然数)で論理反転し出力端子Oから振・@
電圧o t vccの出力信号を出力する第2のCMO
Sインバータとを含み、入力信号がλ< VT +くB
であっても、B<vT1か筐たはA>VTIでも出力信
号へ変換するようになっている。
以上説明した様に、本発明は、入力端子からの入力信号
を微分するキャパシタと出力端子からの帰還を行うCM
OSインバータ、そしてその信号をしきい電圧で変換し
出力端子から出力するCMOSインバータを接続するど
とにより、振幅電圧範囲が第2図の人力端子電圧波形1
の様にA,Bとなっている場合でも正確に動作できる効
果がある。
を微分するキャパシタと出力端子からの帰還を行うCM
OSインバータ、そしてその信号をしきい電圧で変換し
出力端子から出力するCMOSインバータを接続するど
とにより、振幅電圧範囲が第2図の人力端子電圧波形1
の様にA,Bとなっている場合でも正確に動作できる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のMOS半導体集積回路の回
路図、第2図は第1図に示す実施例の動作を示す電圧波
形図、第3図は従来の論理回路の入カバッファ回路の回
路図、第4図は第3図に示す入カバッファ回路の動作を
示す電圧波形図である。 1.4・−・・・・入力端子電圧波形、2・・・・・・
微分信号電圧波形、3,5・・・・・・出力端子電圧波
形、P1,P2,P・・・・・・PチャンネルMOSト
ランジスタ、N1,N2,N・・・・−NチャンネルM
O S }ランジスタ、C・・・・・・キャパノタ、D
・・・・・・ダイオード、■,IN・・・・・・入力端
子、O ,OUT・・・・・・出力端子。
路図、第2図は第1図に示す実施例の動作を示す電圧波
形図、第3図は従来の論理回路の入カバッファ回路の回
路図、第4図は第3図に示す入カバッファ回路の動作を
示す電圧波形図である。 1.4・−・・・・入力端子電圧波形、2・・・・・・
微分信号電圧波形、3,5・・・・・・出力端子電圧波
形、P1,P2,P・・・・・・PチャンネルMOSト
ランジスタ、N1,N2,N・・・・−NチャンネルM
O S }ランジスタ、C・・・・・・キャパノタ、D
・・・・・・ダイオード、■,IN・・・・・・入力端
子、O ,OUT・・・・・・出力端子。
Claims (1)
- 入力端子からの入力信号を微分するキャパシタと、出
力端子からの帰還を行う第1のCMOSインバータと前
記微分信号をしきい電圧で変換して前記出力端子に出力
する第2のCMOSインバータとを備えていることを特
徴とするMOS半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001820A JPH03206714A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | Mos半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001820A JPH03206714A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | Mos半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03206714A true JPH03206714A (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=11512200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001820A Pending JPH03206714A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | Mos半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03206714A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006070811A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Yasuhisa Uchida | 半導体装置及びレベルシフト回路 |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP2001820A patent/JPH03206714A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006070811A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Yasuhisa Uchida | 半導体装置及びレベルシフト回路 |
EP1833168A1 (en) * | 2004-12-28 | 2007-09-12 | Yasuhisa Uchida | Semiconductor device and level shifting circuit |
EP1833168A4 (en) * | 2004-12-28 | 2008-08-20 | Yasuhisa Uchida | SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND LEVEL SWITCHING |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2965425B1 (en) | Voltage level shifter with a low-latency voltage boost circuit | |
US6515532B2 (en) | Level shift circuit for shifting voltage levels | |
EP0239762B1 (en) | Buffer circuit | |
EP1317067B1 (en) | One-stage voltage level shift circuit and system using the same | |
JP2836412B2 (ja) | レベル変換回路 | |
KR950016000A (ko) | 씨모스(cmos) 회로와 바이폴라 회로가 혼재되어 있는 반도체 디바이스 | |
JPH03206714A (ja) | Mos半導体集積回路 | |
JPH02224414A (ja) | 信号変換器 | |
JPH0555900A (ja) | レベル変換回路 | |
US20030222701A1 (en) | Level shifter having plurality of outputs | |
US5289061A (en) | Output gate for a semiconductor IC | |
JP3967248B2 (ja) | レベルシフト回路 | |
JP2001044819A (ja) | 高電圧出力インバーター | |
JP2601978B2 (ja) | Ttl入力信号レベルを変換するためのcmosレシーバ回路 | |
JP2864949B2 (ja) | レベル変換回路 | |
JPH05284024A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS63299409A (ja) | レベル変換回路 | |
JP3578740B2 (ja) | レベル変換回路 | |
JP2858863B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH03206715A (ja) | Mos半導体集積回路 | |
JP2785576B2 (ja) | レベル変換回路 | |
JP2655912B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH04248713A (ja) | 出力回路 | |
JPH09200030A (ja) | レベル変換回路および半導体集積回路 | |
JPH03205916A (ja) | 半導体集積回路 |