JPH03206714A - Mos半導体集積回路 - Google Patents

Mos半導体集積回路

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Publication number
JPH03206714A
JPH03206714A JP2001820A JP182090A JPH03206714A JP H03206714 A JPH03206714 A JP H03206714A JP 2001820 A JP2001820 A JP 2001820A JP 182090 A JP182090 A JP 182090A JP H03206714 A JPH03206714 A JP H03206714A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
signal
cmos inverter
output terminal
channel mos
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001820A
Other languages
English (en)
Inventor
Hajime Shimada
嶋田 元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はM O 8半導体集積回路に関し、特に論理回
路の入カバッファ回路を有するMOS半導体集積回路に
関する。
〔従来の技術〕
従来、MOS半導体集積回路に内Hされている論理回路
の入カバッファ回路は、第3図に示すように入力端子I
Nと、出力端子OUTと、2個のダイオードDの直列体
と、PチャンネルMOSトランジスタP及びNチャンネ
ルMOSトランジスタNとの直列体から構或されていた
第4図は、第3図の入カバッファ回路の動作を示すため
の電圧波形図である。
第3図,第4図に釦いて、入力端子電圧波形4の様に入
力端子INに電圧が加わると、PチャンネルMOSトラ
ンジスタP hよびNチャンネルMOSトランジスタN
によるCMOSインバータは、しきい電圧VT ( 0
 <vt<Vcc + VTは自然数)をしきいとし、
オン状態とオフ状態が入れ替わり、出力端子電圧波形5
となって現われ、これを入力バッファ回路の出力信号と
していた。
なか、この従来では、入力端子電圧はQVから■ccま
でとしているが、VCC以上か、OV以下の電圧に対し
てはダイオードDにより制限を行う。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述した従来の論理回路の入カバッファ回路では、変換
可能な入力端子電圧はしきい電圧vT以上,1たはv丁
以下であり、入力振幅電圧A,BがA〈■T<Bの入力
信号に対しては動作するが,A<VT かDB<Vr 
かt*ldA>V丁かつB>■Tでは動作しないという
欠点がある。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、入力振幅電圧A
,BがAく■T<B以外でも動作するようにしたMOS
半導体集積回路を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のMOS半導体集積回路の構或ぱ、入力端子から
の入力信号を微分するキャパ冫タと、出力端子からの帰
還を行う第1のCMOSインバータと前記微分信号をし
きい電圧で変換して前記出力端子に出力する第2のCM
OSインバータとを備えていることを特徴とする。
〔実施例〕
次に図面を参照しながら詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例のMOS半導体集積回路を示
す回路図である。
第1図に分いて、本実施例は、入力端子工からの入力信
号を微分するキャパシタCと、PチャンネルMOSトラ
ンジスタP2,NチャンネルMOSトランジスタN2に
よる第1のCMOSインバータと、微分信号Tをしきい
電圧vT1で変換するPチャンネルMOSトランジスタ
P1,NチャンネルMOSトランジスタN1による第2
のC M OSインバータとを含み、これを出力端子O
として出力している。1たこの出力は、第1のCMO 
Sインバータの入力に接続されている。
次に、本実施例の動作について説明する。
第2図は第1図に示す実施例の動作を示す電圧波形図で
ある。
第1図,第2図に釦いて、本実施例では、入力端子電圧
波形lの様に、入力端子Iに電圧A,Bなる入力振幅を
持つ信号が加わると、キャパシタCと第1のCMOSイ
ンバータの出力抵抗により微分され、微分信号Tは微分
信号電圧波形2の様に変化する。すると、第2のCMO
Sインバータは、しきい電圧VTIをしきいとし、遅延
時間dlをもって、出力端子Oから出力端子電圧波形3
の様に出力信号を発生する。一方、出力端子電圧波形3
は第1のC M O Sインパータの入力信号にもなっ
てかり、遅延時間d2’rもって微分信号Tに帰還して
いるので、再び入力端子電圧波形1が変化する1では、
微分君号電圧波形2と出力端子電圧波形3は安定してい
るのである。
この様に、振@電圧範囲が、入力端子電圧波形1の様に
、A,Bとなっている場合でも、動作を行うことが出来
る。
本実施例は、入力信号の微分を行い、その微分信号によ
りCMOSインバータによるラッチをトリガする。
以上、本実施例は、入力端子工からの振@電圧A,B(
A,Bは実数,A(Bとする)の入力信号を微分するキ
ャパシタCと、出力端子Oを入力とする第1のC M 
O Sインバータ、そしてその微分信号Tをしきい電圧
VTI ( 0 < V’rt < Vcc +■T1
,■ccぱ自然数)で論理反転し出力端子Oから振・@
電圧o t vccの出力信号を出力する第2のCMO
Sインバータとを含み、入力信号がλ< VT +くB
であっても、B<vT1か筐たはA>VTIでも出力信
号へ変換するようになっている。
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明は、入力端子からの入力信号
を微分するキャパシタと出力端子からの帰還を行うCM
OSインバータ、そしてその信号をしきい電圧で変換し
出力端子から出力するCMOSインバータを接続するど
とにより、振幅電圧範囲が第2図の人力端子電圧波形1
の様にA,Bとなっている場合でも正確に動作できる効
果がある。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例のMOS半導体集積回路の回
路図、第2図は第1図に示す実施例の動作を示す電圧波
形図、第3図は従来の論理回路の入カバッファ回路の回
路図、第4図は第3図に示す入カバッファ回路の動作を
示す電圧波形図である。 1.4・−・・・・入力端子電圧波形、2・・・・・・
微分信号電圧波形、3,5・・・・・・出力端子電圧波
形、P1,P2,P・・・・・・PチャンネルMOSト
ランジスタ、N1,N2,N・・・・−NチャンネルM
O S }ランジスタ、C・・・・・・キャパノタ、D
・・・・・・ダイオード、■,IN・・・・・・入力端
子、O ,OUT・・・・・・出力端子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  入力端子からの入力信号を微分するキャパシタと、出
    力端子からの帰還を行う第1のCMOSインバータと前
    記微分信号をしきい電圧で変換して前記出力端子に出力
    する第2のCMOSインバータとを備えていることを特
    徴とするMOS半導体集積回路。
JP2001820A 1990-01-08 1990-01-08 Mos半導体集積回路 Pending JPH03206714A (ja)

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JP2001820A JPH03206714A (ja) 1990-01-08 1990-01-08 Mos半導体集積回路

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JPH03206714A true JPH03206714A (ja) 1991-09-10

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006070811A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-06 Yasuhisa Uchida 半導体装置及びレベルシフト回路

Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006070811A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-06 Yasuhisa Uchida 半導体装置及びレベルシフト回路
EP1833168A1 (en) * 2004-12-28 2007-09-12 Yasuhisa Uchida Semiconductor device and level shifting circuit
EP1833168A4 (en) * 2004-12-28 2008-08-20 Yasuhisa Uchida SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND LEVEL SWITCHING

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