JPH03200317A - マスクアライメント装置 - Google Patents
マスクアライメント装置Info
- Publication number
- JPH03200317A JPH03200317A JP1343735A JP34373589A JPH03200317A JP H03200317 A JPH03200317 A JP H03200317A JP 1343735 A JP1343735 A JP 1343735A JP 34373589 A JP34373589 A JP 34373589A JP H03200317 A JPH03200317 A JP H03200317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- mirror
- dust
- mask alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮果上■■朋分立
本発明はマスクアライメント装置に関するものであり、
更に詳しくは投影露光方式のマスクアライメント装置に
関するものである。
更に詳しくは投影露光方式のマスクアライメント装置に
関するものである。
皿来傅狡歪
半導体製造工程に用いられるマスクアライメント装置で
は、従来から知られているようにマスクとウェハーとが
平行に配置されている．従って、ウェハーが水平に設置
される装置においては、マスクも当然ウェハーと同様に
水平に設置される。
は、従来から知られているようにマスクとウェハーとが
平行に配置されている．従って、ウェハーが水平に設置
される装置においては、マスクも当然ウェハーと同様に
水平に設置される。
第２図はこのタイプのマスクアライメント装置の一例に
ついて、構成の概略を示している。この装置にはミラー
プロジェクション方式が採用されている．同図中の点線
は光源（１）からウェハー（５）に至る光線の光路を示
しており、矢印は光線の進行方向を示している。光源（
１）から発せられた平行光線は、第１ミラー（２） で
第２ミラー（３）方向に反射される．第２ミラー（３）
で反射された光線はマスク（４）に照射される。マスク
（４）にはパターンが形成されているので、ウェハー台
（６）上に載置されているウェハー（５）にマスク（４
）のパターンが投影される。
ついて、構成の概略を示している。この装置にはミラー
プロジェクション方式が採用されている．同図中の点線
は光源（１）からウェハー（５）に至る光線の光路を示
しており、矢印は光線の進行方向を示している。光源（
１）から発せられた平行光線は、第１ミラー（２） で
第２ミラー（３）方向に反射される．第２ミラー（３）
で反射された光線はマスク（４）に照射される。マスク
（４）にはパターンが形成されているので、ウェハー台
（６）上に載置されているウェハー（５）にマスク（４
）のパターンが投影される。
し ゛と る
しかし、上記したようにマスク（４）は水平に設置され
ているので、マスク（４〉上に空気中の微細な塵埃が落
下して付着してしまう．羊の結果、マスク（４）のパタ
ーンと共に塵埃がウェハー（５）に投影され、ウェハー
（５）上に面欠陥が発生するという問題がある。
ているので、マスク（４〉上に空気中の微細な塵埃が落
下して付着してしまう．羊の結果、マスク（４）のパタ
ーンと共に塵埃がウェハー（５）に投影され、ウェハー
（５）上に面欠陥が発生するという問題がある。
そこで、本発明ではマスクへの塵埃の付着に起因するウ
ェハー上の面欠陥の発生を防止することを目的とする。
ェハー上の面欠陥の発生を防止することを目的とする。
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上記目的を達成するため、本発明では光源からの光線を
マスクに照射してマスクのパターンをウェハーに投影す
る投影露光方式のマスクアライメント装置において、前
記光線が水平、方向に進む部分にマスクを鉛直に配して
いる。
マスクに照射してマスクのパターンをウェハーに投影す
る投影露光方式のマスクアライメント装置において、前
記光線が水平、方向に進む部分にマスクを鉛直に配して
いる。
また本発明は、例えばウェハーを水平に設置する構成の
ミラープロジェクション方式のマスクアライメント装置
に適用することができる。
ミラープロジェクション方式のマスクアライメント装置
に適用することができる。
止−■
このような構成によれば、光線が水平方向に進む部分に
マスクを鉛直に配しているので、マスク上には塵埃が落
下して付着することがない。その結果、塵埃がウェハー
に投影されることもない。
マスクを鉛直に配しているので、マスク上には塵埃が落
下して付着することがない。その結果、塵埃がウェハー
に投影されることもない。
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以下、本発明の実施例について図面に基づいて説明する
。尚、従来の技術において説明した部分と同一部分には
同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
。尚、従来の技術において説明した部分と同一部分には
同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
第１図は本発明の一実施例の構成を概略的に示しており
、マスク（４）の配置位置及び配置状態を除いて第２図
の従来例と同様の構成となっている。
、マスク（４）の配置位置及び配置状態を除いて第２図
の従来例と同様の構成となっている。
本実施例では、第１ミラー（２）と第２ミラー（３）と
の間が光源（１）からの光線が水平に進む部分である。
の間が光源（１）からの光線が水平に進む部分である。
従って、この部分がマスク（４）を鉛直に配することが
できる位置である。マスク（４）は鉛直に配されている
ので、空気中の塵埃の落下方向が第１ミラー（２）から
の光線が入射する面及びマスク（４）から光線が出て行
く面と平行になる。従って、これらの面に塵埃が落下し
て付着することは殆どない。
できる位置である。マスク（４）は鉛直に配されている
ので、空気中の塵埃の落下方向が第１ミラー（２）から
の光線が入射する面及びマスク（４）から光線が出て行
く面と平行になる。従って、これらの面に塵埃が落下し
て付着することは殆どない。
尚、本実施例はマスク（４）のパターンがウェハー（５
）に１＝１で等倍投影露光されるミラープロジェクショ
ン方式のマスクアライメント装置であるが、光線が水平
方向に進む位置にマスクを配しうる装置であれば縮小投
影露光方式等の装置であっても本発明を適用することが
できる。
）に１＝１で等倍投影露光されるミラープロジェクショ
ン方式のマスクアライメント装置であるが、光線が水平
方向に進む位置にマスクを配しうる装置であれば縮小投
影露光方式等の装置であっても本発明を適用することが
できる。
１皿公四果
以上説明したように本発明によれば、マスクを鉛直に配
しているのでマスクへの塵埃の付着に起因するウェハー
上の面欠陥の発生を防止することができる。
しているのでマスクへの塵埃の付着に起因するウェハー
上の面欠陥の発生を防止することができる。
また、マスクへの塵埃の付着が防止されることによって
、マスク洗浄の頻度を低減させることが可能となり、そ
れによってマスクの寿命が延長するという効果もある。
、マスク洗浄の頻度を低減させることが可能となり、そ
れによってマスクの寿命が延長するという効果もある。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図であり、第２図
は従来例の概略構成図である。 （１）−・−光源、（２）・・−第１ミラー（３）・・
・第２ミラー、（４）・・−マスク。 （５）−・ウェハー、 （６） −ウェハー台。 第 １ 口
は従来例の概略構成図である。 （１）−・−光源、（２）・・−第１ミラー（３）・・
・第２ミラー、（４）・・−マスク。 （５）−・ウェハー、 （６） −ウェハー台。 第 １ 口
Claims (2)
- （１）光源からの光線をマスクに照射してマスクのパタ
ーンをウェハーに投影する投影露光方式のマスクアライ
メント装置において、前記光線が水平方向に進む部分に
マスクを鉛直に配したことを特徴とするマスクアライメ
ント装置。 - （２）ウェハーを水平に設置する構成のミラープロジェ
クション方式であることを特徴とする第１請求項に記載
のマスクアライメント装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1343735A JPH03200317A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | マスクアライメント装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1343735A JPH03200317A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | マスクアライメント装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03200317A true JPH03200317A (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=18363846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1343735A Pending JPH03200317A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | マスクアライメント装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03200317A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117121A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | 投影型マスクアライナ |
| JPS60164325A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-27 | ペルキン・エルメール・センソール・アンシユタルト | 半導体基板にマスクを投影コピーする装置 |
| JPS61179537A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Nec Corp | Ｘ線露光装置 |
| JPS62150720A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-04 | Toshiba Corp | 放射光による表面処理装置 |
| JPS62171122A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線露光装置 |
| JPH01181420A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プロキシミテイ露光装置 |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP1343735A patent/JPH03200317A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117121A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | 投影型マスクアライナ |
| JPS60164325A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-27 | ペルキン・エルメール・センソール・アンシユタルト | 半導体基板にマスクを投影コピーする装置 |
| JPS61179537A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Nec Corp | Ｘ線露光装置 |
| JPS62150720A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-04 | Toshiba Corp | 放射光による表面処理装置 |
| JPS62171122A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線露光装置 |
| JPH01181420A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プロキシミテイ露光装置 |
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