JPS6161420A - 露光マスク上の異物検査装置 - Google Patents
露光マスク上の異物検査装置Info
- Publication number
- JPS6161420A JPS6161420A JP59183916A JP18391684A JPS6161420A JP S6161420 A JPS6161420 A JP S6161420A JP 59183916 A JP59183916 A JP 59183916A JP 18391684 A JP18391684 A JP 18391684A JP S6161420 A JPS6161420 A JP S6161420A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure mask
- laser beam
- foreign substance
- light
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、露光リスク上の異物検査装置に係υ、特に縮
小投影式露光装置に使用されるレテＺル上の遮光パター
７部を除く領域上のチリ、ホコリ等の異物のみを自動的
に検出することによシ現状の同種の装置に比し効率的に
良品レチクル金得ることが可能となフ、このバター／を
転写して得られる半導体基板上の半導体素子の良品率を
向上し得ると同時に縮小投影式露光装置の利用効率をも
向上し得る露光マスク上異物検査装置に関する。
小投影式露光装置に使用されるレテＺル上の遮光パター
７部を除く領域上のチリ、ホコリ等の異物のみを自動的
に検出することによシ現状の同種の装置に比し効率的に
良品レチクル金得ることが可能となフ、このバター／を
転写して得られる半導体基板上の半導体素子の良品率を
向上し得ると同時に縮小投影式露光装置の利用効率をも
向上し得る露光マスク上異物検査装置に関する。
最近の超高集積度半導体デバイスの製造工程Ｏ如く高解
像力ｆ、要求される位置合わせ露光装置として縮小投影
式露光装置が一般的に使用されている。この縮小投影式
露た装置く使用されるレチクルの投影像の欠陥の管理は
非常く重要なものとなっておシ、特に常時、付着の可能
性のある塵埃による欠陥は半導体基板上から得られる半
導体素子の良品率を左右する重要な要素になっていると
ともにこの管理の為に生ずる縮小投影式露光装置の利用
効率の低下は、大きな問題となシつつある。
像力ｆ、要求される位置合わせ露光装置として縮小投影
式露光装置が一般的に使用されている。この縮小投影式
露た装置く使用されるレチクルの投影像の欠陥の管理は
非常く重要なものとなっておシ、特に常時、付着の可能
性のある塵埃による欠陥は半導体基板上から得られる半
導体素子の良品率を左右する重要な要素になっていると
ともにこの管理の為に生ずる縮小投影式露光装置の利用
効率の低下は、大きな問題となシつつある。
従来、レチクル上の塵埃による欠陥の管理は、露光層に
形成される半導体基板上のホトレジスト嘩パターンによ
ってなされるか、または１．スボ。
形成される半導体基板上のホトレジスト嘩パターンによ
ってなされるか、または１．スボ。
ト・ライト等によシンチクル上を照射し目視による異物
検査を併用していた。これらの作業に要する時間、労力
は計シしれなく、ま危良品率しだいでは、更に縮小投影
式露光装置をムダに放置させることになってしまいレチ
クルの交換に伴い利用効率は極めて低いものとなってい
た。
検査を併用していた。これらの作業に要する時間、労力
は計シしれなく、ま危良品率しだいでは、更に縮小投影
式露光装置をムダに放置させることになってしまいレチ
クルの交換に伴い利用効率は極めて低いものとなってい
た。
本発明は、上述の従来の方法の持つ問題点を除去し塵埃
による欠陥を自動的に検出することを可能とし、これに
よる°作業効率の向上、及び本発明と縮小投影式露光装
置とを組合わせることによる、縮小投影式露光装置の利
用効率を大巾に改善し得る露光マスク上異物検査装置を
提供することを目的とする。
による欠陥を自動的に検出することを可能とし、これに
よる°作業効率の向上、及び本発明と縮小投影式露光装
置とを組合わせることによる、縮小投影式露光装置の利
用効率を大巾に改善し得る露光マスク上異物検査装置を
提供することを目的とする。
本発明は、前述の如く、露光マスク上のチリ。
ホコリ等の塵埃等の異物を検出する露光マスク上異物検
査装置において、露光！スフ上の塵埃を例えばレーザー
光線を露光マスクと垂直に照射し透過させ、この透過光
の塵埃等の異物による散乱光を検出することにより露光
マスク・パターンの透過領域に存在する異物のみを検出
することを特徴とする異物検出機構を具備する露光マス
ク上異物検査装置である。
査装置において、露光！スフ上の塵埃を例えばレーザー
光線を露光マスクと垂直に照射し透過させ、この透過光
の塵埃等の異物による散乱光を検出することにより露光
マスク・パターンの透過領域に存在する異物のみを検出
することを特徴とする異物検出機構を具備する露光マス
ク上異物検査装置である。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。第１図は、本発明の詳細な説明図でアタ、図中１は
、露光マスク（レチクル）、２は、遮光パターン、３は
異物、４は、レーザー光線、５は散乱光、６は元ファイ
バー、７は、ホトマルを各々示すものとする。
る。第１図は、本発明の詳細な説明図でアタ、図中１は
、露光マスク（レチクル）、２は、遮光パターン、３は
異物、４は、レーザー光線、５は散乱光、６は元ファイ
バー、７は、ホトマルを各々示すものとする。
本露光マスク上異物検査装置における異物検出は、次の
順序で行なわれる。まず、露光マスクＬは、露光マスク
ｌと平行な方向に移動し得るＸ−Ｙステージ（図示して
いない）に載置される。この露光マスクｌと垂直な方向
よシレーザーｔａｌ１４が照射され、このレーザー光線
、線４の下を露光マスクｌが、まんべんなく照射される
ようＸ−Ｙステージを走査させる。
順序で行なわれる。まず、露光マスクＬは、露光マスク
ｌと平行な方向に移動し得るＸ−Ｙステージ（図示して
いない）に載置される。この露光マスクｌと垂直な方向
よシレーザーｔａｌ１４が照射され、このレーザー光線
、線４の下を露光マスクｌが、まんべんなく照射される
ようＸ−Ｙステージを走査させる。
この時、露たマスクの遮光パターン２のない部分に存在
する異物３の場合、異物３に照射されたレーザー光線４
は散乱光５とな）、レーザー光線４と露光マスクＬの検
査面との交点に向けて配置されている複数本の光フアイ
バー６０片側の端面に照射される。更にこの光は光ファ
イバー６によシホトマル７１Ｃ導びかれ、電気信号に変
換され検出される。ｔ７を露光マスクＬＣ）遮光パター
ン２の部分に存在する異物の場合は、レーザー光線４が
遮光パターン２によ）遮断される為異物へは照射されず
検出されない。第り図の例は露光マスクのパターン面の
検査方法についての説明図であるが同様にして反対側の
面の検査も行なう。
する異物３の場合、異物３に照射されたレーザー光線４
は散乱光５とな）、レーザー光線４と露光マスクＬの検
査面との交点に向けて配置されている複数本の光フアイ
バー６０片側の端面に照射される。更にこの光は光ファ
イバー６によシホトマル７１Ｃ導びかれ、電気信号に変
換され検出される。ｔ７を露光マスクＬＣ）遮光パター
ン２の部分に存在する異物の場合は、レーザー光線４が
遮光パターン２によ）遮断される為異物へは照射されず
検出されない。第り図の例は露光マスクのパターン面の
検査方法についての説明図であるが同様にして反対側の
面の検査も行なう。
以上の様にして、露光転写像において欠陥と麦シうる露
光マスク上の露光マスクの透過領域の異物のみを検出す
ることが可能となシ、これを縮小投影式露光装置と組合
わせることにニジ、ホトレジスト被覆に形成される露光
！スフ像の品質を飛躍的に向上させ、半導体基板上よフ
得られる半導体素子の良品重金飛躍的に向上せしめるこ
とが可能となる。ま次、これによシ縮小投影式露光装置
の利用効率も飛躍的に向上せしめることが可能となる。
光マスク上の露光マスクの透過領域の異物のみを検出す
ることが可能となシ、これを縮小投影式露光装置と組合
わせることにニジ、ホトレジスト被覆に形成される露光
！スフ像の品質を飛躍的に向上させ、半導体基板上よフ
得られる半導体素子の良品重金飛躍的に向上せしめるこ
とが可能となる。ま次、これによシ縮小投影式露光装置
の利用効率も飛躍的に向上せしめることが可能となる。
従って、本発明の実用上の効果は極めて大きい。
第１図は本発明の一実施例の説明図である。
尚、図中、ｌ・・・・・・露光マスク（レチクル）、２
・・・・・・遮光パターン、３・・・・・・異物、４・
・・・・・レーザー光線、５・・・・・・散乱光、６・
・・・・・光ファイバー、７・・・・・・ホトサル、で
ある。
・・・・・・遮光パターン、３・・・・・・異物、４・
・・・・・レーザー光線、５・・・・・・散乱光、６・
・・・・・光ファイバー、７・・・・・・ホトサル、で
ある。
Claims (1)
- 露光マスクの遮光パターンを除く透過可能な領域に存
在するチリ、ホコリ等の異物のみを自動的に検出する機
能を具備することを特徴とする露光マスク上異物検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183916A JPS6161420A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 露光マスク上の異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183916A JPS6161420A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 露光マスク上の異物検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161420A true JPS6161420A (ja) | 1986-03-29 |
Family
ID=16144053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59183916A Pending JPS6161420A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 露光マスク上の異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03179543A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-05 | Nec Corp | データ等価方法および計算機システム |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP59183916A patent/JPS6161420A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03179543A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-05 | Nec Corp | データ等価方法および計算機システム |
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