JPH0336716A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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Publication number
JPH0336716A
JPH0336716A JP1172313A JP17231389A JPH0336716A JP H0336716 A JPH0336716 A JP H0336716A JP 1172313 A JP1172313 A JP 1172313A JP 17231389 A JP17231389 A JP 17231389A JP H0336716 A JPH0336716 A JP H0336716A
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JP
Japan
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pattern
reticle
half mirror
mirror
reticles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1172313A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Tsugane
津金　宏昭
Toshiaki Yokouchi
横内　俊昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH0336716A publication Critical patent/JPH0336716A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体製造装置、特に、ｉ１小投影認光装置の
レチクル光学系の構造に関する。
［発明の概要］ 本発明は、半導体製造装置、特に、’ｍ？Ｊ小投影域光
装置において、同一パターンの２枚以上のレチクルを装
着し、２枚以上のしφクルを同時に、露光することがで
きるレチクル光学系を備えることによって、縮小投影パ
ターン比較欠陥検査をせずに製品パターンの露光を可能
にさせるものである［従来の技ＷＩ］ 従来の半導体［造装置、特に、縮小投影露光装置のレチ
クル光学系は、第２図にあるように、縮小投影レンズ１
１を通して半導体基板１２、に１枚のレチクル１０しか
露光できない構造であった［発明が解決しようとする課
題］ しかし、前述第２図の構造では、１枚のレチクルしか露
光できないため、１枚のレチクル内に２チップ以上の同
一パターンを持たせ、その同一パターン周志の縮小投影
パターン比較欠陥検査をおこなわなければならないとい
う問題を有していたそこで、本発明はこのような問題点
を解決するため、同一パターンの２枚以上のレチクルを
装着し、上記２枚以上のレチクルを同時に露光すること
ができるレチクル光学系を備えることによって１枚のレ
チクルに付着した異物による欠陥を、他のレチクルから
の光で露光させることで欠陥をなくし、縮小投影パター
ン比較欠陥検査をせずに製品パターンの露光を可能にさ
せることを目的としている。
［課題を解決するための手段］ 本発明の半導体製造装置は、縮小投影露光装置において
、同一パターンの２枚以上のレチ′クルを装着し、上記
２枚以上のレチクルを同時に露光することができるレチ
クル光学系を備えたことを特徴とする。
［実施例］ 第１図は、本発明の実施例における断面図であり、１は
露光光線、２は露光光線を２つに分岐させるハーフミラ
−３は１枚目のレチクル、４はレチクル３と同一パター
ンの２枚目のレチクル、５．６は露光光線を全反射する
ミラー　７はレチクル５とレチクル４０２つのパターン
像を合成させるハーフミラ−８は縮小投影レンズ、９は
半導体基板である。
露光光線１は、ハーフミラ−２で２系統に分岐され、片
方はミラー６で全反射されレチクル４のパターンをハー
フミラ−７に作る。又、もう一方の露光光線はレチクル
３のパターンをミラー５で全反射し、上記ハーフミラ−
７に作る。上記ハーフミラ−７で合成されたパターンは
、。縮小投影レンズ８を通り、無欠陥パターンを半導体
基板９に結像することを可能にした。
半導体基板は、ガラス基板等の使用も可能である。
［発明の効果］ 以上述べたように、本発明によれば同一パターンの２枚
以上のレチクルを装着し、上記２枚以上のレチクルを同
時に露光することができるレチクル光学系を備えたこと
により、縮小投影パターン比較欠陥検査なせずに無欠陥
パターンを半導体基板に結像でき、又、その為に１チク
プレチクルの露光をも可能にする効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の主要断面図であり、第２図
は従来例の主要断面図である。 １・・・・・・・・・露光光線 ２・・・・・・・・・ハーフミラ− ３，４・・・レチクル ５．６・・・ミラー ７・・・・・・・・・ハーフミラ− ８・・・・・・・・・縮小投影レンズ ９・・・・・・・・・半導体基板 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 縮小投影露光装置において、同一パターンの２枚以上の
    レチクルを装着し、上記２枚以上のレチクルを同時に露
    光する事ができるレチクル光学系を備えた事を特徴とす
    る半導体製造装置。
JP1172313A 1989-07-04 1989-07-04 半導体製造装置 Pending JPH0336716A (ja)

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JPH0336716A true JPH0336716A (ja) 1991-02-18

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JP (1) JPH0336716A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0672795U (ja) * 1993-03-26 1994-10-11 本田技研工業株式会社 自動二輪車用リヤフォーク
EP1255164B1 (en) * 2001-05-04 2007-07-18 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0672795U (ja) * 1993-03-26 1994-10-11 本田技研工業株式会社 自動二輪車用リヤフォーク
EP1255164B1 (en) * 2001-05-04 2007-07-18 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus

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