JPS62171122A - X線露光装置 - Google Patents
X線露光装置Info
- Publication number
- JPS62171122A JPS62171122A JP61011159A JP1115986A JPS62171122A JP S62171122 A JPS62171122 A JP S62171122A JP 61011159 A JP61011159 A JP 61011159A JP 1115986 A JP1115986 A JP 1115986A JP S62171122 A JPS62171122 A JP S62171122A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超LSI等の半導体装置の1造に使用jろ微
細加工装置、特にシンクロトロン放射光を利用したX線
露光装置に関する。
細加工装置、特にシンクロトロン放射光を利用したX線
露光装置に関する。
第2図は従来のX@露光装置の一例を示す平面図、第3
図は第2図に示したX線露光装置の要部を拡大した縦断
面図である。図において、(1)は電子の加速をおこな
う線型加速器、(2)は線型加速器(1)内て設けられ
電子線を発生するフィラメント、(3)は電子を加速す
る加速電極、(4)は加速電極(3)により加速された
電子線である。(5)は蓄積リング(100)と呼ばれ
る多角形軌道に打ち込まれた電子線、(6)は電子線(
5)を走行させる空間を超高善真空に保つための真空チ
ャンバー、(7)は電子の軌道を曲げるための磁石であ
る。(8)は電子軌道から放射されたX線、(9)は露
光チャンバーである。またαOは真空用ゲートパルプ、
0℃はX線露光用マスク、(2)はシリコンウェーハ、
(至)はX線(8)が透過しやすい材料で作られた窓で
ある。
図は第2図に示したX線露光装置の要部を拡大した縦断
面図である。図において、(1)は電子の加速をおこな
う線型加速器、(2)は線型加速器(1)内て設けられ
電子線を発生するフィラメント、(3)は電子を加速す
る加速電極、(4)は加速電極(3)により加速された
電子線である。(5)は蓄積リング(100)と呼ばれ
る多角形軌道に打ち込まれた電子線、(6)は電子線(
5)を走行させる空間を超高善真空に保つための真空チ
ャンバー、(7)は電子の軌道を曲げるための磁石であ
る。(8)は電子軌道から放射されたX線、(9)は露
光チャンバーである。またαOは真空用ゲートパルプ、
0℃はX線露光用マスク、(2)はシリコンウェーハ、
(至)はX線(8)が透過しやすい材料で作られた窓で
ある。
上記のように構成された従来のX線露光装置によれば、
第2図に示すように線型加速器(1)のフィラメント(
2)より発した電子線(4)を、加速電極(3)に加え
られた電界によってQ、5GeV〜1.5 GeVとい
う高エネルギーに加速して蓄積リング(100)の多角
形軌道に打ち込む。打ち込まれた電子線(5)は、真空
チャンバー(6)で仕切られた超高真空中を進むが、軌
道面に垂直な磁界(第6図で示す矢印B方向)が加えら
れた部分ではその進行方向が曲げられろ。GeV近くに
まで加速された電子が磁場中で曲げられろと、その曲率
軌道の接線方向に、シンクロトロン放射光と呼ばれる強
力な光とX線(8)が放射される。このX線(8)を露
光用マスクアライナ−に導いて、非常に高精度のX線露
光を短時間で行なう。
第2図に示すように線型加速器(1)のフィラメント(
2)より発した電子線(4)を、加速電極(3)に加え
られた電界によってQ、5GeV〜1.5 GeVとい
う高エネルギーに加速して蓄積リング(100)の多角
形軌道に打ち込む。打ち込まれた電子線(5)は、真空
チャンバー(6)で仕切られた超高真空中を進むが、軌
道面に垂直な磁界(第6図で示す矢印B方向)が加えら
れた部分ではその進行方向が曲げられろ。GeV近くに
まで加速された電子が磁場中で曲げられろと、その曲率
軌道の接線方向に、シンクロトロン放射光と呼ばれる強
力な光とX線(8)が放射される。このX線(8)を露
光用マスクアライナ−に導いて、非常に高精度のX線露
光を短時間で行なう。
このような放射光は、磁場を加えて内部を走る電子線(
5)の向きを曲げるたびに発生するので、第2図に示し
た例では、8本のX線ビームの取り出しくビームライン
と呼ぶ〕が可能ということになる。
5)の向きを曲げるたびに発生するので、第2図に示し
た例では、8本のX線ビームの取り出しくビームライン
と呼ぶ〕が可能ということになる。
このように複数個の磁界によって、電子線(5)が全体
として閉ループとなるようにし、かつ失ったエネルギー
を補充するための加速管?適宜配量することにより、蓄
積リング(100)内を電子線(5)は原理的には永続
的に回りつづけることになる。
として閉ループとなるようにし、かつ失ったエネルギー
を補充するための加速管?適宜配量することにより、蓄
積リング(100)内を電子線(5)は原理的には永続
的に回りつづけることになる。
第3図は、磁石(7)で作られた磁界Bによって電子線
(5)が曲げられ、そこから出たX線(8)が真空を保
持するような側斜でできた窓四を通して、X線露光用マ
スク(111とX線レジストを塗布したシリコンウェハ
(2)に照射される様子を示している。真空用ゲートパ
ルプαOは、蓄積リング(100)の真空とビームライ
ン部の真空を必要に応じて遮断するために設けられ、使
用時は開となっている。蓄積リング(100)とビーム
ライン部はそれぞれP1+ PHのポンプで真空排気さ
れている。特に蓄積リング(io[l)の真空度は、残
留ガスとの衝突で電子線(5)が減衰することを防ぐ上
で重要で、1O−7Pa以上の超高真空に保たれる。
(5)が曲げられ、そこから出たX線(8)が真空を保
持するような側斜でできた窓四を通して、X線露光用マ
スク(111とX線レジストを塗布したシリコンウェハ
(2)に照射される様子を示している。真空用ゲートパ
ルプαOは、蓄積リング(100)の真空とビームライ
ン部の真空を必要に応じて遮断するために設けられ、使
用時は開となっている。蓄積リング(100)とビーム
ライン部はそれぞれP1+ PHのポンプで真空排気さ
れている。特に蓄積リング(io[l)の真空度は、残
留ガスとの衝突で電子線(5)が減衰することを防ぐ上
で重要で、1O−7Pa以上の超高真空に保たれる。
上記のように構成した従来のX線露光装置によれば、単
一の蓄積リング(100)に複数個のX線アライナ−を
付属させるようにしたので、万一蓄積リング(100)
に真空系トラブルが発生した場合には、全ての露光装置
が使えなくなってしまうという欠点があった。一般に、
超高真空の容器の一端を大気圧にしてしまった場合、再
度真空排気とベーキングによっても超高真空状態に復帰
させるには、従来装置のような大ぎな真空容積を持つ系
では少くとも数日間を要し、この間この装置を露光装置
として使用している半導体素子製造ラインは全く露光が
できない状態になってしまう。さらにまた仮にX線露光
装置が正常に作動している場合でも、蓄積リング(1(
:l(:l )内の電子線(5)は種々の理由による衝
突で徐々に減少していくため、数時間に一度づつは改め
て線型加速装置より新たな電子の注入が必要で、その間
も全ての露光装置が使えないという問題もあった。
一の蓄積リング(100)に複数個のX線アライナ−を
付属させるようにしたので、万一蓄積リング(100)
に真空系トラブルが発生した場合には、全ての露光装置
が使えなくなってしまうという欠点があった。一般に、
超高真空の容器の一端を大気圧にしてしまった場合、再
度真空排気とベーキングによっても超高真空状態に復帰
させるには、従来装置のような大ぎな真空容積を持つ系
では少くとも数日間を要し、この間この装置を露光装置
として使用している半導体素子製造ラインは全く露光が
できない状態になってしまう。さらにまた仮にX線露光
装置が正常に作動している場合でも、蓄積リング(1(
:l(:l )内の電子線(5)は種々の理由による衝
突で徐々に減少していくため、数時間に一度づつは改め
て線型加速装置より新たな電子の注入が必要で、その間
も全ての露光装置が使えないという問題もあった。
本発明は上記のような問題点を解決するためになされた
もので、ダウンタイムがほとんど無く安定に稼動丁bX
線露光装置を得ることを目的とする。
もので、ダウンタイムがほとんど無く安定に稼動丁bX
線露光装置を得ることを目的とする。
本発明は上記の目的を達成するためになされたもので、
1本のビームラインとそれに付属するマスクアライメン
ト設備一式に対して少くとも2本以上の真空排気的に独
立した蓄積リングを設けたX線露光装置を提供するもの
である。
1本のビームラインとそれに付属するマスクアライメン
ト設備一式に対して少くとも2本以上の真空排気的に独
立した蓄積リングを設けたX線露光装置を提供するもの
である。
複数の電子線を同時に蓄積リング中に回転させるように
し、一方の蓄積り/グが使用不能になった場合でももう
一方の蓄積リングからの放射光をビームラインに導き、
X線露光作業を続行する。
し、一方の蓄積り/グが使用不能になった場合でももう
一方の蓄積リングからの放射光をビームラインに導き、
X線露光作業を続行する。
[°実施例〕
第1図は本発明の実施例を示j縦断面図である。
なお第6図と同じ機能の部分には同じ記号を付し説明を
省略する。図において、(6a)、C4は蓄積リング(
I QCla )!構成jる2本の平行な真空チャンバ
ーであり、(5a)、C15はそれぞれ真空チャンバー
(6a)、C1J内を高速に回転゛する成子線である。
省略する。図において、(6a)、C4は蓄積リング(
I QCla )!構成jる2本の平行な真空チャンバ
ーであり、(5a)、C15はそれぞれ真空チャンバー
(6a)、C1J内を高速に回転゛する成子線である。
また(10.−1)、06は、それぞれ真空チャンバー
<62)、C4を真空状態に開閉する真空用ゲートバル
ブである。
<62)、C4を真空状態に開閉する真空用ゲートバル
ブである。
上記のように構成した本発明の詳細な説明すれば次の通
りである。すなわち本発明に係るX線露光装置では、完
全に真空系として独立した2つの多角形リング状の真空
チャンバー(6a)、α4内を2つの電子線(58)、
α9が蓄積されて回っていることになる。これらの電子
線(53)、C10は磁石(7)によって曲げられ、共
にシンクロトロン放射光(X線)(8a)、αηを発す
るが、そのうちの一方は真空用ゲートバルブ<1oa)
、aeによって遮断されている。第1図は、放射光叩が
真空用ゲートパルプαGによって遮断された状態7示し
ている。このように複数(本実施例では2本)の電子線
(5a)、(15を同時に回転させられるようにしたの
で、一方の蓄積リング〔たとえば(6a))が真空系の
トラブル等によって使用不能になった場合にも、直ちに
もう一方の蓄積リングL1ことえば(14)からの放射
光を真空用ゲートパルプue’v開けてビームラインに
導き、X線露光作梁ンつづけることができる。その間に
並行してトラブルを生じた側の蓄積リング(6a) ’
a’保修して再び定常的に電子ビームを高速回転させる
までに復帰させておく。
りである。すなわち本発明に係るX線露光装置では、完
全に真空系として独立した2つの多角形リング状の真空
チャンバー(6a)、α4内を2つの電子線(58)、
α9が蓄積されて回っていることになる。これらの電子
線(53)、C10は磁石(7)によって曲げられ、共
にシンクロトロン放射光(X線)(8a)、αηを発す
るが、そのうちの一方は真空用ゲートバルブ<1oa)
、aeによって遮断されている。第1図は、放射光叩が
真空用ゲートパルプαGによって遮断された状態7示し
ている。このように複数(本実施例では2本)の電子線
(5a)、(15を同時に回転させられるようにしたの
で、一方の蓄積リング〔たとえば(6a))が真空系の
トラブル等によって使用不能になった場合にも、直ちに
もう一方の蓄積リングL1ことえば(14)からの放射
光を真空用ゲートパルプue’v開けてビームラインに
導き、X線露光作梁ンつづけることができる。その間に
並行してトラブルを生じた側の蓄積リング(6a) ’
a’保修して再び定常的に電子ビームを高速回転させる
までに復帰させておく。
なお上記実施例では、2本の蓄積リングを同時に1個の
磁石で制御する場合について示したが、別々の磁石で制
御しても良いことは言うまでもない。また、蓄積リング
も2本に限られるものでなく、6本以上であっても良い
。さらに電子の注入に用いる線型加速器も、1個で2本
のリングに対して共用しても良く、別々に独立の線型加
速器を用いてもよい。
磁石で制御する場合について示したが、別々の磁石で制
御しても良いことは言うまでもない。また、蓄積リング
も2本に限られるものでなく、6本以上であっても良い
。さらに電子の注入に用いる線型加速器も、1個で2本
のリングに対して共用しても良く、別々に独立の線型加
速器を用いてもよい。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、蓄積
リングを複数個同時に作動できるようにしたので、安定
稼動のX線&元が実現されるという著しい効果がある。
リングを複数個同時に作動できるようにしたので、安定
稼動のX線&元が実現されるという著しい効果がある。
第1(!¥1は不発明の実施例を示づ一縦断面図、第2
図は従来のX線露光装置の一例を示す平面図、第3図は
第2図の要部を拡大した縦断面図である。 (1)・・・線型加速器、(7)・・・磁石、(5a)
、QS・・・電子線、(6a)、QJ)・・・真空チャ
ンバー、(1002)・・・蓄積リング。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
図は従来のX線露光装置の一例を示す平面図、第3図は
第2図の要部を拡大した縦断面図である。 (1)・・・線型加速器、(7)・・・磁石、(5a)
、QS・・・電子線、(6a)、QJ)・・・真空チャ
ンバー、(1002)・・・蓄積リング。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- (1)シンクロトロン放射光を用いてX線露光を行なう
X線露光装置において、1本のビームラインとそれに付
属するマスクアライメント設備一式に対して少くとも2
本以上の真空排気的に独立した蓄積リングを設けたこと
を特徴とするX線露光装置。 - (2)2本以上の並置した蓄積リング用真空チャンバー
中を走行する電子線を、同一の磁石によつて同時に偏向
させるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第(
1)項に記載のX線露光装置。 - (3)単一の線型加速器で複数の蓄積リングに電子を注
入できるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第
(1)項または第(2)項記載のX線露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61011159A JPH0770455B2 (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | X線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61011159A JPH0770455B2 (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | X線露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62171122A true JPS62171122A (ja) | 1987-07-28 |
JPH0770455B2 JPH0770455B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=11770252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61011159A Expired - Lifetime JPH0770455B2 (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | X線露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0770455B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63198300A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-16 | 株式会社日立製作所 | シンクロトロン放射光発生装置 |
JPH01181420A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プロキシミテイ露光装置 |
JPH03200317A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-02 | Rohm Co Ltd | マスクアライメント装置 |
-
1986
- 1986-01-23 JP JP61011159A patent/JPH0770455B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63198300A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-16 | 株式会社日立製作所 | シンクロトロン放射光発生装置 |
JPH01181420A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プロキシミテイ露光装置 |
JPH03200317A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-02 | Rohm Co Ltd | マスクアライメント装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0770455B2 (ja) | 1995-07-31 |
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