JPH03198215A - 磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気ヘッド（以下単にヘッドということがあ
る）とその製造方法に係り、特に、薄膜媒体を使用した
小型ハードディスク用浮動型の磁気ヘッドとその製造方
法に関するものである。

〔従来の技術〕

ハードディスク等の磁気記録媒体（以下媒体またはディ
スクという）と相対的に浮動する磁気ヘッドは現在広く
用いられている。

しかして、記録密度を上げるために、ヘッドの浮上量を
小さくし記録波長を短くすること、および、記録トラッ
ク幅を小さくすることが求められている。

一方、媒体は記録密度を上げるために厚さが薄くなり、
また、記録されたデータのにじみを低下させるため保磁
力の大きなものが実用化されている。

このような媒体の改良に対応して、ヘッドに用いられて
いる材料もＮｉ−Ｚｎ系フェライトから、飽和磁束密度
の高いＭｎ−Ｚｎｊｖ＋フェライトが用いられるように
なってきた。

浮動型磁気ヘッドは、−船内に媒体が停止しているとき
はヘッドが媒体面に接触しており、媒体とヘッドの相対
速度が一定になったとき、ヘッドが浮上するようになっ
た方式であるから、ヘッドの媒体対向面は、傷付きや欠
けを起こす危険を伴なっている。特に、電磁変換部に欠
けを起こすと実質的に電磁変換空隙長の増加や電磁変換
幅の減少をまねき、磁気記録再生に支障をきたす。

このため最近は、上記の欠け、すなわち結晶粒界破壊を
起こさない材料として、Ｍｎ　−Ｚｎ系フェライトの内
、単結晶フェライトが用いられている。

しかしながら、単結晶フェライトは多結晶フェライトに
比べ非常に高価であるため、磁気ヘッドの価格も非常に
高価になるという欠点を有するものである。

そこで本発明者らは、電磁変換部に欠けが生ずることな
く磁気特性が良好であり、しかも安価なＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライトからなる磁気ヘッドとして、電磁変換部を単結
晶フェライトとし、他の部分を多結晶フェライトとする
複合フェライトを用いた磁気ヘッドを開発しく特開昭５
７−１２７９１５号公報参照）、上記欠点を改良するも
のとしての効果を上げている。

一方、現在、媒体としてのハードディスクは、酸化物磁
性粉末を、アルミ合金基板に塗布したものが主流である
が、近年の高記録密度の要求に対応して、メツキ法、ス
パッタ法を使用して、磁性体を基板に密着させたハード
ディスクが使用されつつある。磁気ディスク装置は、上
記のメツキ法、スパッタ法のディスクを用いて、より小
型、ハンディ化が進み、そのディスクを駆動させるモー
タ等も薄く、低トルクのものとなってきている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のメツキ法およびスパッタ法で作られたディスク表
面は従来の塗布型のものに比べて、面精度がよく仕上げ
られており、かつ潤滑材をオーバーコートしているため
、従来あまり問題とされていなかったヘッドとディスク
面とで生ずるスティッキング現象が問題となって外でい
る。つまり、ディスク　（媒体）との対向面の面精度が
＾くなると、静止しているディスクの表面とヘッドのデ
ィスク対向面とが粘着（スティック）する、そして、こ
のヘッドとディスク閏の粘着力が過度に強くなると、装
置寿命のＣ８Ｓ　（コンタクト・スタート・アンドスト
ップ）寿命が短くなる。特に数枚のディスクが組み合わ
さった装置であれば、より問題は大きなものとなってい
る。

かかるスティッキング現象を緩和するためにヘッドのデ
ィスク対向面の面粗さがある程度粗くなるように処理す
ることが種々考えられているが、いずれも十分な効果を
あげていない。

本発明は、上記従来の問題点に鑑み、電磁変換部におけ
る磁気特性が良好でかつ安価であることに加え、ディス
クとの粘着を防止してディスクとヘッドとの間の摩擦を
低減し、Ｃ８Ｓ寿命を延長することができるヘッドとそ
の製造方法を提供することを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記目的を達成するためになされたもので、
第１番目の発明は、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトよりなる磁
気ヘッドの電磁変換部を単結晶７ヱライトとし、他の部
分を多結晶フェライトとする複合フェライトを用いた磁
気ヘッドにおいて、上記多結晶フェライトよりなる部分
の媒体対向面を、山と谷の深さの差が平均して５０〜２
００Ａの面であり、山と谷の繰り返しのピッチが平均し
て５〜２０μｍであり、かつ山と谷との閏の高さが急激
に変化する部分は結晶の粒界に沿って延在するように凹
凸付けするとともに、上記山の平均値と、上記単結晶フ
ェライトよりなる部分の媒体対向面の高さとの差が２０
〜１００Ａである面にしたことを特徴とする磁気ヘッド
であり、第２番目の発明は、上記第１番目の発明の磁気
ヘッドにおける多結晶フェライトよりなる部分の媒体対
向面が平坦な頂面の凸部と、平坦な凹底面とから主とし
て構成されていることを特徴とする磁気ヘッドであり、
また、第３番目の発明は、上記第１番目または第２番目
の発明の磁気ヘッドにおける多結晶７エライシよりなる
部分の媒体対向面の全面または一部分のうねりの平均振
幅を、触針式粗さ計による粗さ曲線で測定して５０〜３
００Ａになるように仕上げたことを特徴とする磁気ヘッ
ドである。

さらに第４番目の発明は、媒体対向面を、逆スパッタ法
を用いて所定の状態に処理することを特徴とする磁気ヘ
ッドの製造方法であり、第５番目の発明は、上記第４番
目の発明における逆スパッタ処理時に、加工変質層の除
去および表面の清浄化処理を行なうことを特徴とする磁
気ヘッドの製造方法であり、また第６番目の発明は、媒
体対向面を、ケミカル・エッチング法を用いて所定の状
態に処理することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法で
あり、第７番目の発明は、第４〜６番目の発明の内、い
ずれかの発明により処理を行なう際に、処理対象外の部
分をマスクで被い、マスクから露出した処理対象部のみ
を処理することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法であ
り、第８番目の発明は、第７番目の発明により処理する
とか、処理の途中でマスクを取り除き、マスクで被覆し
た部分と、露出した部分との間に段差を付することをＷ
徴とする磁気ヘッドの製造方法である。

〔作　用〕

以下、本発明の作用を、その構成とともに説明する。

本発明において、磁気ヘッドとしては、モノリシック型
のものでもコンポシフト型のものでも良い。

第１図はモノリシック型磁気へラド１０の一例を示す斜
視図であり、符号１で示すスライダーは２条の主ベアリ
ング面２．３をその側辺部に有している。スライダー１
の中央には細幅のベアリング面４が主ベアリング面２．
３と平行に突条様に藍設されている。該ベアリング面４
の後端部分には磁気ギャップ５を介してコア６ががラス
等により接合されている。このコア６のスライダー１と
の接合面（フロントギャップおよびバックギャップ）に
は高透磁率の合金薄膜を形成することもできる。また、
巻線窓７を通してコア６に所定ターンとなるように巻線
が施さ、れる。

しかして、上記第１図の磁気ヘッド１０は、飽和磁束密
度の＾いＭｎ−Ｚｎ系７エフイトよりなるものであるが
、その内電磁変換部、すなわちスライダー１中の二点鎖
線の位置から媒体流出ｊＩ＊での範ＢＡとコア６とを、
単結晶フェライトとし、他の部分を多結晶フェライトと
した複合フェライトよりなるものである。

そして、上記単結晶フェライトとしては、モル％で、Ｍ
ｎ０２６−３２％、Ｚｎ０１４−２１％、Ｆ　ｅｇｏ　
３５０〜５５％よりなるものが好適であり、また多結晶
フェライトとしては、モル％で、Ｍｎ０２５−３７％、
ＺｎＯ８−２３％、Ｆ　ｅ２０−５１〜５７％よりなる
ものが好適である。

上記単結晶フェライトと多結晶フェライトとを接合等に
より複合フェライトにする方法としては、例えば（１）
接合面を鏡面仕上げした後対向させ、熱間静水圧プレス
を施して圧着し接合する拡散接合法、（２）単結晶フェ
ライトの接合面上に多結晶フェライトの原料粉をのせ、
ホットプレス、焼結を行なって多結晶フェライトを圧接
する方法、（３）多結晶フェライトの一部分を溶融して
単結晶化させ複合７ヱライトにする方法、（４）ガラス
ボンディングにより接合する方法などがあり、いずれの
方法を用いてもよいが、特に（１）、（２）、（３）の
方法によると磁気的、機械的に無空隙の接合になるから
、磁気的、機械的に優れた複合フェライトが得られる。

なお、コア６とスライダー１との接合面に合金薄膜を形
成するための高透磁率の磁性合金としては、センダスト
と通称され、重量％にて、Ａｆｆｉ：２〜１０％、Ｓｉ
　：　３〜１６％、残部実質的にＦｅからなる組成のＦ
ｅ−Δ１−８ｉ　１％磁性合金、あるいは例えば、Ｃｏ
を７０〜９０ａｔ％、Ｎｂを５−２０ａｔ％、Ｚｒを２
〜１０ａｔ％を含むＣｏ　−Ｎｂ−Ｚｒ系アモルファス
合金が好適である。

第２図はコンボッブト型磁気ヘッドの一例を示す斜視図
である。

磁気ヘッド１１は、磁性スライダー１２とチップ１３と
からなり、チップ１３はスライダー１２の２本のベアリ
ング面１４．１５の一方の面１４に形成されたスリット
１６中に、プラス等でモールド固定されている。

チップ１３の一例の詳細な構造を第３図に示す。

第３図において、Ｃ形コア２０およびＩ形コア２１上に
スパッタ膜２２．２３が形成されている。Ｃ形コア２０
とＩ形コア２１とは、ギャップ２４を有するように、プ
ラス接合されている。２５はプラスを示す。また、巻線
窓２６を通してＩ形コア２１に所定ターンとなるように
巻線が施される。

しかして、上記第２図の磁気へラド１１は−、飽和磁束
密度の＾いＭｎ−Ｚｎ系フェライトよりなるものである
が、その内電磁変換部、すなわちスライダー１２中の二
点鎖線の位置から媒体流出ｊＩ＊での範囲Ａとチップ１
３とを、単結晶フェライトとし、他の部分を多結晶フェ
ライトとした複合７ヱライＦからなるものである。

そして、上記単結晶フェライトとしてはモル％でＭｎ０
２６−３２％、Ｚｎ０１４−２１％、Ｆｅ、Ｏ，ｓｏ〜
５５％のものが好適であり、また多結晶フェライトとし
ては、　モル％で、Ｍｎ０　２５〜３７％、ＺｎＯ８−
２３％、Ｆｅ２０ｓ５１〜５７％のものが好適である。

上記単結晶フェライトと多結晶フェライトとを接合によ
り複合フェライトにするには、前記第１図のモノリシッ
ク型磁気ヘッドの場合と同様の方法により複合化するこ
とができる。

次に本発明では、磁気へラド１０１．１１の多結晶フェ
ライトよりなる部分の媒体対向面であるベアリング面２
．３．４．１４．１５の表面が特定の面粗さとなるよう
に処理する。ヘッド１０．１１が正規の停止姿勢である
ときにベアリング面２．３．４．１４．１５のうち静止
状態のディスクと実際に接触するのは第１．２図でＢの
領域（ヘッド１０．１１の前縁部とｔ＆縁部に設けられ
た傾斜部Ｃ，Ｄ以外の領域）である９本発明では、これ
らの領域Ｂ、Ｃ％Ｄのすべてを上記特定の面粗さとなる
ように処理してもよいが、ＢｉＩＩ域のみを処理しても
よい。また、Ｂ領域のうちの主要部のみを処理してもよ
い。

第４図は、本発明の第１．２番目の発明におけるヘッド
のベアリング面を模式的に示す拡大断面図である。

図示のように、多結晶７ヱライトよりなる部分Ｅのベア
リング面では山２８と谷２９とが交互に現われ、かつ山
２８と谷２９との闇は高さが急激に変化する部分（崖）
３０となっている。

この崖３０の部分は結晶３１〜４１の粒界４２に沿って
延在している。山２８と谷２９との深さの差ｄの平均値
は５０〜２０ＯＡ　（好ましくは７０〜１７０Ａ）であ
り、山と谷の繰り返しのピッチｅは５〜２０μ、（好ま
しくは７〜１７μ齢）である。

また、本発明では、上記の処理により上記多結晶フェラ
イトよりなる部分Ｅの媒体対向面（ベアリング面２．３
．４．１４．１５）と単結晶フェライトよりなる部分Ｆ
の媒体対向面（ベアリング面２．３．４．１４．１５）
との段差ｆを、上記多結晶７ヱライトよりなる部分の山
２８の平均値に比し２０〜１００Ａ高くしたものである
。

このように、多結晶フェライトよりなる部分Ｅの媒体対
向面を、山２８と谷２９が適度な段差ｄを有し、かつ適
度なピッチｅで繰り返されるとともに、山２８の平均値
と、単結晶７ヱライトよりなる部分Ｆの媒体対向面との
段差ｆを２０〜１００Ａとしたことにより、ヘッドとデ
ィスクとのスティッキング（粘着）現象が防止ないし緩
和されるようになる。また、この崖３０の部分が結晶粒
界４２に沿って延在することにより、ディスクのＣ８Ｓ
損傷を防ぐものと考えられる。

すなわち、崖３０の部分が結晶粒界に沿りて延在するの
で、この崖３０の部分では実質的に単結晶粒子と同等の
強度を有するようになり、崖３０のエツジの部分がディ
スクと繰り返しく例えば数万回以上）衝突しても欠は等
を発生することがない、そして、欠けに伴なう鋭角部や
鋭角粒子の発生がないことにより、ディスクに対し損傷
を与えないようになるものと推察される。

また、本発明では、ベアリング面の大部分が平坦な凸頂
面と平坦な岡谷面とで主として構成されることにより、
ヘッドがディスク表面に着陸したり逆にディスクから離
陸したりする際のヘッドがディスク表面をひっかく現象
も確実に回避され、これによってもＣ８Ｓ特性が向上す
るものと考えられる。

ディスクとヘッドとの静止摩擦係数μ、を１゜０以下、
望ましくは０．７以下に保つことができる。この静止摩
擦係数は、静止した磁気ディスク上に磁気ヘッドをシン
バルで約８ｇ−ｆの力で押し付けておき、磁気ヘッドの
回転を開始するのに要する力（トルク）を測定して、こ
れを摩擦係数に換算した。

このようなベアリング面を構成するには、後述する逆ス
パッタ法またはケミカル・エッチング法を採用すれば良
い、なお、逆スパッタ法またはケミカル・エッチング法
によってベアリング面を処理する場合、ベアリング面ま
たはその−ＷＳ分のうねりの振幅を、触針式粗さ肚によ
るあらさ曲面で測定して５Ｏ−３０ＯＡになるように仕
上げた浮動型磁気ヘッドも本発明の目的を達成する。

逆スパッタ法は、磁気ヘッドのディスク対向面の面粗さ
を加工する場合にスパッタ装置による、逆スパッタ状態
を用いて加工する方法である０通常のスパッタが不活性
ボス、例えば、所定がス圧のＡ「　（アルゴン）がス雰
囲気の中で、高電圧をかけＡｒｆｆスをイオン化して、
ターゲット　（基板）表面に衝突させ、その際に飛び出
したターデッド粒子を他の基板上に付着させ、膜形成し
ていくのに対し、逆スパッタでは、磁気ヘッド表面に、
イオン化した不活性ボスを衝突させて、ヘッド表面の原
子を除去する。この際、ヘッドの材質としては、主とし
て多結晶材であり、小さな結晶粒から形成されている。

ヘッドを形成している多結晶材の各結晶粒は、その面方
位が異なり、イオン化したがスが衝突することで、その
表面を除去していくが、各結晶方向で原子の結合エネル
ギーに差があり、表面を除去していくに必要なエネルギ
ーも異なるため、このような除去過程で、各結晶粒ごと
に除去量に差を生じ、結果として、各粒界間で微小な高
さの段差を作るようになる。また、この加工は、原子状
態での加工で、時間によって、微小な段差から比較的大
きな段差までｉｌＪ御することが可能な手段である。

しかしながら、単結晶材よりなる部分のディスク対向面
は、上記逆スパッタ法によっては、表面が除去されない
か、除去されてもごく僅かであるため、多結晶材よりな
る部分との闇に段差が発生する。

なお、逆スパッタ処理時に、加工変質層の除去と表面の
清浄化処理が行なわれる。また、逆スパッタ時には、不
要箇所をマスクし、必要箇所のみを逆スパッタ処理して
も良い。

また、上記のようなベアリング面を構成するには、ケミ
カル・エッチング法を採用することもできる。

ケミカル・エッチング法とは、化学試薬とヘッドを構成
している材料との化学反応を利用したもので、材料は多
結晶材からなっており、各結晶粒の面方位によって、そ
の結合エネルダーが異なることから反応にも差を生じ、
結果として、各結晶粒間で微小な凹凸を形成することに
なる。

このケミカル・エッチング処理時も、不要箇所をマスク
し、必７１１−箇所のみを処理してもよい。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を詳細に説明する。

（実施例１） 電磁変換部が、Ｍｎ０２８モル％、ＺｎＯ１９モル％、
Ｆｅ２Ｏ，５３モル％よりなる単結晶材で作られ、他の
部分が、Ｍｎ０３１モル％、ＺｎＯ１６モル％、Ｆ　ｅ
ｔＯ−５３モル％よりなる多結晶材で作られた磁気ヘッ
ドを用い、そのディスク対向面を、ダイヤモンドの微細
砥粒を用いた湿式ラップで、面粗さ１０〜４０Ａに鏡面
仕上げした。

スパッタ装置としてＲ−Ｆ型のものを用いて、ターンテ
ーブルの大きさが　φ４２ｃｍ、投入電力０．５　　ｋ
Ｗ　に設定し、がスとしては、Ａｒを用いガス圧０．４
４〜０．４８Ｐｇとした。第５図にその時の逆スパッタ
時間と面粗さの関係を示した。これらの関係は、投入電
力、不活性ガスの種類、または、数種のガス構成、ガス
圧等の条件によって変化するようになるが、粗さは、や
はり時間にほぼ比例して、変化してゆき、その直線の傾
きが変わるといった関係にある。

また、この時の除去量以上の厚みのものをヘッド表面に
マスクすることで、マスクされたヘッド表面は逆スパッ
タによって除去されないで、元の状態にあり、マスクの
ない所は、逆スパッタによって除去され、ディスクとの
接触面を部分的にしたヘッドも作ることができた。

逆スパッタの途中で、このマスクを取り除くことによっ
て、スライダーのディスク対向面のスライダー面の段差
を天外＜シ、他の対向面の段差を小さくすることで、こ
れらの面間に段差が付き、スライダー面が直接にディス
クに接することを防ぐこともできる。

第６図には、ヘッドの山と谷の段差を形成した時のディ
スクとヘッドの闇に生ずる静止摩擦力の変化をＣ８Ｓの
繰り返し回数との関係で測定したものを示した。従来の
湿式ラップにて加工したのみのものは、Ｃ８Ｓ繰り返し
回数の増加とともにその摩擦力は増大し、約１万回から
、その増加量を大きく変化してかでいる。これに対し、
本発明の山と谷の段差を有したヘッドについては、その
摩擦力の増加も小さならのとなっている。このことから
、ヘッドのディスク対向面の段差は、粗（すればするほ
ど効果は大きいと考えられるが、あま９表面を粗くする
と、ヘッド、ディスクへ傷を付けるという問題が発生す
ることがあり、傷の発生がない山と谷の深さの差が上限
となる。

（実施例２） 上記１０〜４０Ａに鏡面仕上げされた浮動型ヘッドを使
用し、この浮動型磁気ヘッドを、上記と同じＲ−Ｆのマ
グネトロン型スパッタ装置内のターンテーブル（直径４
２ｃ暑）の所定の位置にセットし、投入電力を０．３〜
１．ＯｋＷ。

Ａｒ、ｆス圧０．４〜０．５Ｐａ、逆スパッタ時間１０
〜６０分と変化させ、浮動型磁気ヘッドのディスク対向
面を表面処理した。その結果、得られた本発明による浮
動型磁気ヘッドは第１図に示した通りであるが、この第
１図における主要な部分のみ逆スパッタによって表面処
理し、他の部分はマスク処理を施して、逆スパッタ時に
表面処理がされないように工夫した。

このようにして、表面処理された部分を、触針式粗さ計
により表面粗さを測定した。その結果得られた粗さ曲線
の一例を第７図に示す、粗さ曲線は周期的なうねりを示
す、そのうねりの平均波長λを、第７図に示すように連
続するビークＬ、　　Ｌ２．Ｌ、・・・・・・　Ｌ２１
　を抜外取り、Ｌｌ　〜Ｌ２１間の距離ｌを測定して、
λ＝１／２０より計算で求めた。

なお、粗さ曲線は、１０箇所、　５Ｉの距離にわたり測
定し、１０個の平均値をλとした。

また、Ｒｗａｘはいずれも０．０２０−０．０３０μ鋤
であった。

以上のようにして得られる種々の＾を有するこの浮動型
磁気ヘッドと、スパッタディスクおよびメツキディスク
とのＣ８Ｓ特性を測定したところ、山と谷の深さの差５
０〜３００Ａであれば、Ｃ８Ｓ回数が３万回以上でも静
止摩擦係数μ、は　０．７以下に保持され、スパッタお
よびメツキディスクともクラッシュされないことが確認
できた。λが３０μｍ以上になると、表面粗さＲｗａｘ
が小さくなり、静止摩擦係数μ。

が０．７以上となり通常の浮動型ヘッドと同様５千回未
満でディスクがクラッシュし、また、λ＝５μ論以下の
場合にも、１万回未満でディスクのクラッシュが起こる
ことが明らかとなった。

（実施例３．４） 実施例１において逆スパッタ処理時間を０分（比較例１
）、１０分（実施例３）、２１？　（実施例４）、３０
分（比較例２）とした、得られたベアリング面の表面粗
さ白線を第８図に示す。これらの場合の凹凸の深さＪと
ピッチｅ　（ｄＳｅの定義は第４図の通り）は第１表の
通りである。

なお、第９図に実施例１のベアリング面（処理面）の表
面の顕微鏡組織の俣弐図を示す。

（Ｃ３Ｓテスト例１） 実施例３　４、比較例１．２のヘッドを用いてＣ８Ｓテ
ストを行なった。

Ｃ８Ｓテストに用いたディスクは次の３．５インチハー
ドディスクである。

基　板ニアルミニウム 下　　地　二Ｃｒ 磁性層：Ｃｏ−Ｎｉスパッタ膜 表面層：Ｃスパッタ層　およびＣ層表面に塗布されたフ
ッ素樹脂系潤滑剤層（潤 滑剤厚さ約１０〜３０Ａ） ディスク表面粗さ　：４００〜６００ＡＣ８Ｓテスト時
のディスク駆動条件は次の通りである。

回転速度：３６００ｒｐｍ。

１回の回転時間ニアｓｅｃ 回転と回転との間の停止時間：　’３　ｓｅｃこのＣ８
Ｓテストを行ないつつ、ヘッドとディスクとの静止摩擦
係数μ、を測定した。その結果をＣ８Ｓ繰り返し回数と
ともに第１０図に示す。

第１０図より次のことが認められた。

実施例３．４では、１０万回のＣ８ｓを行なっても静止
摩擦係数μ、は約０．６以下であり、かつディスク、ヘ
ッドのいずれにも異常はない。

比較例１では、１万回のＣ８５（ａ点）でヘッドとディ
スクとの接触時に“チリチリ　“という異音が発生し、
４万回のＣ８５（ｂ点）でディスク回転始動時に時々失
敗が認められた。

比較例２では、静止摩擦係数μは低いものの、２万回の
Ｃ８５（ｃ点）でヘッド、ディスク面とも傷が発生し始
めた。

（Ｃ８Ｓテスト例２） 次のメツキディスクを用いた他は、上記テスト例　１と
同様のテストを行なった。

基　板ニアルミニウム 下　　地　：　　Ｎｉ　　−Ｐ 磁性層：Ｃｏ　−Ｎｉ 表面層　：Ｃおよび潤滑剤（テスト例１と同じ）このＣ
８Ｓテス１例の結果を第１１図に示す。

第１１図からも上記テスト例１と同様の結果が認められ
た。

（粘着テスト例） 実施例１におけるヘッドとＣ８Ｓテスト例１におけるデ
ィスクを用い、ヘッドの単結晶フェライトよりなる電磁
変換部と多結晶フェライトよりなる他の部分との段差ｆ
　（第４図参照）を変えて粘着テストを行ない、総合評
価をしだ結果を第２表に示す。

第 表 （注）○：粘着しない、 ×：粘着する（いずれも１０個中の個数）第２表かられ
かるように、多結晶フェライトよりなる部分の山と谷の
深さの差と山と谷のピッチ等を本発明の範囲にするとと
もに、単結晶７ヱライトよりなる部分と多結晶フェライ
トよりなる部分のディスク対向面の段差を本発明の範囲
にしたＮｏ、２．３のものは、ヘッドがディスクに粘着
することなく、またＣ８Ｓも良好であって総合評価とし
ても優れたものであった。

（実施例５） 実施例１と同様の複合フェライトを用いて作られ、面粗
さ１０〜４０Ａに鏡面仕上げした磁気ヘッドのディスク
対向面に、ケミカル・エッチングによる表面処理を施し
た。

エツチング条件としては、塩酸１２．５ｗｔ％溶液を８
０℃に加熱し、その溶液中に上記磁気へアトを所定時間
浸漬した。面粗さは、使用薬品の種類、濃度、溶液温度
等の条件によって変化して行くが、時間に対しては、は
ぼ比例して変化して行くといった関係にある。

ｔＪＳ１２図にはヘッドの山と谷の段差を変えた時のデ
ィスクとヘッドの開に生ずる静止摩擦力の変化をＣ８Ｓ
の繰り返し回数との関係で測定しだらのを示した。従来
の湿式ラップにて加工したのみのものは、ｃｓｓａｒ）
返し回数の増加とともにその摩擦力は増大し、約１万回
から、その増加量を大きく変化してきている。これに対
し、本発明の山と谷の段差を有したヘッドについては、
その摩擦力の増加も小さなものとなっている。このこと
から、ヘッドのディスク対６；に；ノｖ−−ｒ―ぜビ腎
？↓−１１ノー轟−Ａｌ１１７．＋ＷＩｌ１１７１ｍｌ
！Ｌｔ↓↓１ｉいと考えられるが、あまり表面を粗くす
ると、ヘッド、ディスクへ傷を付けるという問題が発生
することがあり、傷の発生がない山と谷の深さの差が上
限となる。このことは実施例１の場合と同様である。

（実施例６） 実施例５と同様にケミカル・エッチングによる表面処理
を施した磁気ヘッドの処理部分を、触針式粗さ計により
表面粗さを測定した。

その結果得られた粗さ曲線は、第７図とばは同様になっ
た。この第７図に示すように、そのうねりの平均波長λ
は連続する。

しかして、種々の連続波長λを有する本発明の磁気ヘッ
ドと、スパッタディスクおよびメツキディスクとのＣ８
Ｓ特性を測定したところ、山と谷の深さの差５０〜３０
０Ａであれば、Ｃ８Ｓ回数が３万回以上でも静止摩擦係
数μｍは０．７以下に保持され、スパッタ　およびメツ
キディスクともクラッシュされないことが確認で勉ｈ　
　１＋ＬＩつ八ｌ−−１１Ｌす４　？ｐ−ｔ　Ｌ−志冨
細入ｐｗａｘが小さくなり、静止摩擦係数μｍが０，７
以上となり通常の浮動型ヘッドと同様５千回未満でディ
スクがクラッシュし、また、λ＝５μ鐘以下の場合にも
、１万回未満でディスクのクラッシュが起こることが明
らかとなった。

（実施例７．８） 実施例５においてケミカル・エッチング処理時間を０分
（比較例３）、５秒（実施例７）、１５秒（実施例８）
、２５秒（比較例４）とした。得られたベアリング面の
表面粗さ曲線は処理時間の順に実施例３．４の比較例１
、実施例３、実施例４、比較例２に準じたものとなった
。

これらの場合の凹凸の深さＪとピッチｅ　　（Ｊ。

ｅの定義は第４図の通り）は第３表の通りである。

なお、ベアリング面（処理面）の顕微鏡組織は、第９図
に示す前記逆スパッタ処理を施した場合より細かい目の
類似した組織であった。

第 衰 （ＣＳＳテスト例３） 実施例７，８、比較例３，４のヘッドを用い、Ｃ８Ｓテ
スト例１と同様の条件でＣ８Ｓテストを行なった。

その結果、第１０図に示されるＣ８Ｓテスト例１の結果
とほぼ同様の結果が認められた。

（Ｃ３Ｓテスト例４） 前記Ｃ８Ｓテスト例２と同様のメγえディスクを用い、
前記Ｃ８Ｓテスト例１と同様の条件でＣ８Ｓテストな行
なった。

その結果、第１１図に示されるＣ８Ｓテスト例２の結果
とほぼ同様の結果が認められた。

〔発明の効果〕

上述のとおり、本発明の第１．２．３番の磁気ヘッドは
、電磁変換部に単結晶フェライトを用いたので、磁気特
性が向上するとともに安価に製造ができ、また、多結晶
フェライトよりなる部分の媒体対向面（ベアリング面）
を特定の粗さにし、かつその面と単結晶７１′ンイトよ
りなる部分の面との段差を特定の範囲にしたことにより
、媒体（ディスク）面との粘着を防止するとともシュＣ
８Ｓ特性を向上することができたものである。

また、本発明の第４．５．６．７．８番目の！！遺方法
によると、上記の優れた特長を有する磁気へラドを容易
かつ能率的に製造することができるものである。

このように、本発明により、ディスクと磁気ヘッドの開
に生ずる摩擦を低減することが可能となり、またＣ６Ｓ
による寿命を延ばすことができるため、ディスク装置の
小型、軽量、薄肉４Ｐへの鎖式ができるようになる等、
本発明は幾多の効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、浮動型磁気ヘッドの斜視図、第
３図はへラドチップの斜視図、第４図はベアリング表面
の拡大断面図、第５図、第６図、第７図、第８図、第１
０図、第１１図、および第１２図はそれぞれ測定結果を
示すグラフ、第９図はベアリング面の表面の模式的拡大
平面図である。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトよりなる磁気ヘッドの電
   磁変換部を単結晶フェライトとし、他の部分を多結晶フ
   ェライトとする複合フェライトを用いた磁気ヘッドにお
   いて、上記多結晶フェライトよりなる部分の磁気記録媒
   体対向面を、山と谷の深さの差が平均して５０〜２００
   Åの面であり、山と谷の繰り返しのピッチが平均して５
   〜２０μｍであり、かつ山と谷との間の高さが急激に変
   化する部分は結晶の粒界に沿って延在するように凹凸付
   けするとともに、上記山の平均値と、上記単結晶フェラ
   イトよりなる部分の磁気記録媒体対向面の高さとの差が
   ２０〜１００Åである面にしたことを特徴とする磁気ヘ
   ッド。
2. （２）多結晶フェライトよりなる部分の磁気記録媒体対
   向面が平坦な頂面の凸部と、平坦な凹底面とから主とし
   て構成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気
   ヘッド。
3. （３）多結晶フェライトよりなる部分の磁気記録媒体対
   向面の全面または一部分のうねりの平均振幅を、触針式
   粗さ計による粗さ曲線で測定して５０〜３００Åになる
   ように仕上げたことを特徴とする請求項１または２記載
   の磁気ヘッド。
4. （４）磁気記録媒体対向面を、逆スパッタ法を用いて所
   定の状態に処理することを特徴とする磁気ヘッドの製造
   方法。
5. （５）逆スパッタ法処理時に加工変質層の除去および表
   面の清浄化処理を行なうことを特徴とする請求項４記載
   の磁気ヘッドの製造方法。
6. （６）磁気記録媒体対向面を、ケミカル・エッチング法
   を用いて所定の状態に処理することを特徴とする磁気ヘ
   ッドの製造方法。
7. （７）処理対象外の部分をマスクで被い、マスクから露
   出した処理対象部のみを処理することを特徴とする請求
   項４〜６のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
8. （８）処理の途中でマスクを取り除き、マスクで被覆し
   た部分と、露出した部分との間に段差を付することを特
   徴とする請求項７記載の磁気ヘッドの製造方法。