JPH03197054A - サーマルヘッドアレイの製造方法 - Google Patents

サーマルヘッドアレイの製造方法

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JPH03197054A
JPH03197054A JP33516289A JP33516289A JPH03197054A JP H03197054 A JPH03197054 A JP H03197054A JP 33516289 A JP33516289 A JP 33516289A JP 33516289 A JP33516289 A JP 33516289A JP H03197054 A JPH03197054 A JP H03197054A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermal head
head array
thermal
lead conductor
power supply
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Pending
Application number
JP33516289A
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English (en)
Inventor
Takeshi Toyosawa
豊澤 武
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Graphtec Corp
Original Assignee
Graphtec Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は感熱記録装置に使用するサーマルヘッドアレ
イの製造方法、特に長尺物のサーマルヘッドアレイを製
造する方法に関するものである。
[従来の技術] 初めにこの発明により製造される交互リード方式のサー
マルヘッドアレイの構造及びその動作について説明する
。第2図はこの種のサーマルヘッドアレイの構造を説明
するための図で、図において(1)はサーマルヘッドア
レイの発熱抵抗体、(2)はシフトレジスタ、(3)は
ラッチ、(4)はドライバ (5)は直流電源、(6)
は電源切り換えスイッチ、(6a)はa相電源、(6b
)はb相電源、(7al)、(7bl)、−(7az)
、(7bz)はそれぞれ逆流阻止用ダイオードであり、
総称する場合にはダイオード(7)という、(8)は電
源側リード導体、(9)は接地側リード導体である。
なお図に示すように電源側リード導体(8)が交互にa
相電源(6a)とb相電源(6b)とに接続されるよう
な方式を交互リード方式と呼んでいる。
シフトレジスタ(2)には外部回路からデータ信号とク
ロック信号が入力され、ラッチ(3)にはシフトレジス
タ(2)のデータをラッチ(3)へ書き込む時点を制御
するラッチ信号が入力され、ドライバ(4)には対応す
るラッチ(3)の論理に従ってドライバ(4)が動作す
る時間を制御するためのストローブ信号が入力されるが
、これら信号に対する信号線をそれぞれストローブ線(
12)、ラッチ線(13)、データ線(14)、クロッ
ク線(15)で示す、また(11〉は接地に接続する接
地線で、直流電源(5)の負側端子も接地に接続されて
いる。
そしてシフトレジスタ(2)、ラッチ(3)。
ドライバ(4)の動作により、接地側配線パターン(9
)の複数のリード導体の内のどのリード導体を接地する
かを制御する。これらのシフトレジスタ(2)、ラッチ
(3)、ドライバ(4)は、通常ICで構成されており
、これらを総称して制御回路IC(10)ということと
する。
第2図に示す回路において、例えば直流電源(5)がa
相電源(6a〉に接続された状態で、接地側リード導体
(9)の内の何れかのリード導体を接地したとすれば、
電流は接地された接地側リード導体(9)に最も近いa
相電源(6a)の電源側リード導体(8〉から、当該接
地側リード導体(9)に流れ、この両リード導体に囲ま
れた発熱抵抗体(1)の部分が加熱される。
また直流電源(5)がb相電源(6b)に接続された状
態で、接地側リード導体(9)の内の何れかのリード導
体を接地したとすれば、電流は接地された接地側リード
導体(9)に最も近いb相電源(6b)の電源側リード
導体(8)から、当該接地側リード導体(9)に流れ、
この両リード導体に囲まれた発熱抵抗体の部分が加熱さ
れる。
このように接地側リード導体(9)がn本であれば、発
熱抵抗体(1)の20区画を選択加熱することができる
。また接地側リード導体(9)がn本であれば、a相電
源(6a)に接続される電源側リード導体(8)はn+
1本、b相電源(6b)に接続される電源側リード導体
(8)はn本必要になるので、発熱抵抗体(1)の両端
の電源側リード導体(8)はa相電源(6a)に接続さ
れている。
なお、どちらをa@電源とするかは別に限定されないの
で、発熱抵抗体(1)の両端にある電源側リード導体(
8)が接続される電源の方をa相電源(6a)としてい
る。
第2図に示すようなサーマルヘッドアレイを製造する従
来の製造方法は、初めにセラミック基板上に熱抵抗層を
設け、その熱抵抗層上に電源側配線パターンと接地側配
線パターンとを形成し、これらの配線パターン上に発熱
抵抗体(1)の直線を形成し、その上部に耐摩耗層を形
成する方法を取っており、通常の場合制御回路IC(1
0)も同一基板上に形成している。
[発明が解決しようとする課題] 上記のような従来のサーマルヘッドアレイの製造方法は
以上説明した通りであり、長尺物の製造においてはその
歩留まりが悪く、従って高価で信頼性が低いという問題
がある。
この問題を解決するために従来色々の試みがなされてい
るが、例えば1988年4月19日の米国特許、第4,
739.344号(Sullivan  et  al
、)(以下、単に米国特許という)においては、第1の
サーマルヘッドアレイの右端を第2のサーマルヘッドア
レイの左端と当接した状態で、共通の支持棒に装着して
使用することとしている。
然しながらこの米国特許ではその明細書に明記されてい
る通り、2本のサーマルヘッドアレイの接続部分に記録
不能領域が生じ、この記録不能領域を避けた使用に限定
せざるを得す、長尺物としての使用態様が著しく限定さ
れてしまうという問題が残る。
こめ発明はかかる課題を解決するためになされたもので
、記録不能領域の無い長尺物のサーマルヘッドアレイを
歩留まりよく製造することができるサーマルヘッドアレ
イの製造方法を提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段] この発明にかかるサーマルヘッドアレイの製造方法は、
同じようなサーマルヘッドアレイを2個作り、第1のサ
ーマルヘッドアレイの右端と第2のサーマルヘッドアレ
イの左端とを切除し、切除済みの2本のサーマルヘッド
アレイの切除端を互いに当接した状態で両サーマルヘッ
ドアレイの基板を該基板と同一の熱膨張係数を有する他
の基板により連結することとしたものである。
[作用] サーマルヘッドアレイの発熱抵抗体の両端には、a相電
源に接続される電源側リード導体が存在するので、この
リード導体より外側の部分を正確に切除しておけば、2
つのサーマルヘッドアレイをそれぞれの切除端で継ぎ合
わせて1本の長尺物のサーマルヘッドアレイを構成する
ことが可能となる。
[実施例] 以下、この発明の実施例を図面を用いて説明する。第1
図はこの発明の一実施例を示す図で、図において第2図
と同一符号は同−又は相当部分を示し、符号の冒頭のロ
ーマ字(A)は第1のサーマルヘッドアレイ、ローマ字
(B)は第2のサーマルヘッドアレイをそれぞれ示すも
のとする。
次に、この発明の製造方法について説明する。
第1工程においては、従来より公知の方法により第1の
サーマルヘッドアレイAと、この第1のサーマルヘッド
アレイAと同様な第2のサーマルヘッドアレイBとを製
造する。
次の工程では、第1のサーマルヘッドアレイAの右端の
電源側リード導体(A8z)(このリード導体はa相電
源(6a)に接続されるリード導体である〕を残し、そ
れから右の部分を切除する。
従って制御回路IC(A2.A3.A4)の右端は、リ
ード導体(A8z)よりも左にあるように予め製造して
おく。
また最右端のダイオード(A7az)は、他のダイオー
ド(7)と共にダイオードブロック(図示せず)を形成
しているが、このダイオードブロックの右端はリード導
体(A8z)よりも左にあるように予め製造しておく。
さらに必要があれば、ダイオード(A7az)から発熱
抵抗体(A1)に到るリードもリード導体(A8z)よ
り左側にあるように予め製造しておく。
以上のような配慮の下に製造された第1のサーマルヘッ
ドアレイAは、リード導体(A8z)から右方の部分を
切除した後、切削、研磨などの方法でリード導体(A8
z)から右側を実質的上零にすることができる。
次の工程では、第2のサーマルヘッドアレイBの左端の
電源側リード導体(B8a)を残し、それから左の部分
を切除する。この切除においてもリード導体(B8a)
よりも左側を同様に実質上零にすることができる。
以上のような切除工程が済んだ後、第1及び第2のサー
マルヘッドアレイを切除面で互いに当接した状態で、発
熱抵抗体(Al)、(Bl)の直線を正確に合わせ、且
つ両者の高さを正確に合わせ、両方のサーマルヘッドア
レイの基板を連結用基板(図示せず)で連結する。なお
連結用基板は、両方のサーマルヘッドアレイの基板の熱
膨張係数と同じ熱膨張係数の基板を選ぶ。
この連結工程の後に、a相電源(A6a)を(B6a)
に、b相電源(A6b)を(B6b)に、それぞれ接続
する。
さらに必要な場合には、それぞれ対応する信号線を(A
ll)−(Bll)、(A12)−(B12)、(A1
3)−(813)、(A14)−(B14)のように接
続する。そしてこの接続が終わった後、連結用基板を放
熱板に装着し、記録装置への組み立てを行う。
なお制御回路IC(10)やダイオードアレイ等は連結
工程の後で形成しても良い。
このようにして製造することにより、記録不能領域の無
い長尺物のサーマルヘッドアレイを製造することが可能
となる。
[発明の効果] この発明は以上説明したように、交互リード方式である
ため分解能が高く、且つ熱による接合部のずれ等の発生
を防止し、記録不能領域の無い長尺物のサーマルヘッド
アレイを歩留まりよく製造することができるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す図、第2図はサーマ
ルヘッドアレイの構造及びその動作を説明するための図
。 1・・・発熱抵抗体、6a・・・a相電源、6b・・・
b相電源、8・・・電源側リード導体、9・・・接地側
リード導体、10・・・制御回路IC,A・・・第1の
サーマルヘッドアレイ、B・第2のサーマルヘッドアレ
イ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 感熱記録紙に接触し、この感熱記録紙との間の相対運動
    の方向に対し直角な方向に発熱体である複数のサーマル
    ヘッドが配列されるサーマルヘッドアレイを製造するサ
    ーマルヘッドアレイの製造方法において、 基板上に熱抵抗層を形成し、その熱抵抗層上に上記複数
    のサーマルヘッドの配列を構成すべき直線状の発熱抵抗
    体と、電源側配線パターン及び接地側配線パターンを形
    成し、さらにその上部に耐摩耗層を形成し、上記電源側
    配線パターンは上記発熱抵抗体にその長さ方向の互いに
    等間隔な各点に接続される複数本の電源側リード導体に
    より形成し、この複数本のリード導体を1本おきに交互
    にa相電源に接続されるa相リード導体とb相電源に接
    続されるb相リード導体とに区分し、上記発熱抵抗体の
    両端のリード導体は共にa相リード導体となるように形
    成し、上記接地側配線パターンは上記電源側リード導体
    が上記発熱抵抗体に接続される各接続点の中間の各点に
    おいて上記発熱抵抗体に接続される各接地側リード導体
    から形成されるようにして第1のサーマルヘッドアレイ
    を製造する工程、 第1のサーマルヘッドアレイと同様な工程により第2の
    サーマルヘッドアレイを製造する工程、上記第1のサー
    マルヘッドアレイの終端(仮に右端とする)のa相リー
    ド導体よりも外側(すなわち右側)の部分を当該第1の
    サーマルヘッドアレイから切除する切除工程、 上記第2のサーマルヘッドアレイの始端(すなわち左端
    )のa相リード導体よりも外側(すなわち左側)の部分
    を当該第2のサーマルヘッドアレイから切除する切除工
    程、 切除工程を終了した第1のサーマルヘッドアレイの右端
    と切除工程を終了した第2のサーマルヘッドアレイの左
    端とを当接し、両方のサーマルヘッドアレイの発熱抵抗
    体の直線を合致させその高さを同一にし、両方のサーマ
    ルヘッドアレイの基板と熱膨張係数の同一な基板により
    上記両方のサーマルヘッドアレイの基板を連結する連結
    工程、この連結工程の後、両方のサーマルヘッドアレイ
    のa相電源とb相電源とをそれぞれ接続する工程、 を備えたことを特徴とするサーマルヘッドアレイの製造
    方法。
JP33516289A 1989-12-26 1989-12-26 サーマルヘッドアレイの製造方法 Pending JPH03197054A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011004476A1 (de) 2010-02-23 2011-08-25 DENSO CORPORATION, Aichi-pref. Halbleitereinrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE102011004476A1 (de) 2010-02-23 2011-08-25 DENSO CORPORATION, Aichi-pref. Halbleitereinrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung

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