JPH0547820A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

Info

Publication number
JPH0547820A
JPH0547820A JP3205222A JP20522291A JPH0547820A JP H0547820 A JPH0547820 A JP H0547820A JP 3205222 A JP3205222 A JP 3205222A JP 20522291 A JP20522291 A JP 20522291A JP H0547820 A JPH0547820 A JP H0547820A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
wire
wire bonding
pads
pitch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3205222A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Anasako
健一 穴迫
Rokuro Honma
六郎 本間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP3205222A priority Critical patent/JPH0547820A/ja
Publication of JPH0547820A publication Critical patent/JPH0547820A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ドライバＩＣの出力パッドと給電導体とのワ
イヤボンディングによる接続をボンディングワイヤの軌
跡を斜行部も加え、給電導体のピッチを発熱抵抗体のピ
ッチと同等にするとともに、給電導体のピッチを従来の
ピッチに比して広くする。 【構成】 ドライバＩＣ６のボンディングパッド１０と
給電導体２０のボンディングパッド２１のそれぞれのパ
ッドの配列ピッチが異なるパッド間のワイヤボンディン
グ方法において、ドライバＩＣ６のボンディングパッド
１０への第１のボンデイングを行い、その後、ボンデイ
ングワイヤ３０を前記パッド１０とボンディングパッド
２１との配列方向とは直交する方向に傾斜した斜行部３
２を形成し、その後、ボンディングワイヤ３０を、給電
導体２０のボンデイングパッド２１に第２のボンデイン
グを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サーマルヘッド用ドラ
イバＩＣと回路パターンとの電気的接続を得るワイヤボ
ンディング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、以下に示すようなものがあった。図３はかかる
従来のサーマルヘッドを示す平面図、図４は従来のサー
マルヘッド用ドライバＩＣの出力パッドと給電導体をワ
イヤボンディングにより接続した配線の平面図である。
【０００３】図３に示すように、サーマルヘッドは、一
般に絶縁基板１の片面に発熱抵抗体２、給電導体３、共
通給電導体４、信号端子５等のパターンを形成し、ドラ
イバＩＣ６を搭載してそのドライバＩＣ６の出力パッド
（図示せず）と給電導体３及び信号端子５をワイヤボン
ディングにより電気的に接続した構造をしている。この
ような構造のサーマルヘッドにおいて、発熱抵抗体２
は、一定のピッチで多数個一列に配列されており、例え
ば８ドット／ｍｍ Ａ４版サーマルヘッドでは、ピッチ
０．１２５ｍｍ、発熱抵抗体数１７２８個となる。
【０００４】しかし、図４に示すように、この様な発熱
抵抗体２を通電するドライバＩＣ６の出力パッド１０の
配列ピッチは、ＩＣ毎の配列マージン１１（ｌ1 は１ｍ
ｍ）及びドライバＩＣ６の端から出力パッド端までの寸
法余裕度１２（ｌ2 ）等により、発熱抵抗体２の配列ピ
ッチよりも小さくなる。従って、給電導体３と出力パッ
ド１０とをワイヤボンディングするため、出力パッド１
０と対応する給電導体３の配列ピッチを小さく絞り込ん
で、ワイヤボンディング部１３が出力パッド１０と同一
ピッチになるようパターンを形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
配線構造では給電導体３のワイヤボンディング部１３は
パターン配列密度として、発熱抵抗体２のパターン配列
密度よりも小さくなる。従って、パターン形成用ホトリ
ソマスクの製作がより高価となり、パターン欠陥の確率
も大きくなる。さらに、パターン形成工程においてもホ
トリソによるパターン欠陥が増え、その点検工数、レー
ザによるパターン修正工数も増大する等の問題点があっ
た。これは、給電導体３と発熱抵抗体２の接続部からワ
イヤボンディング部までストレートに形成できないこと
による欠点であると言える。
【０００６】本発明は、以上述べた給電導体が、発熱抵
抗体の接続部からワイヤボンディング部までストレート
に形成できないために生じるパターン形成用ホトリソマ
スクが高価となること、及びパターン形成工程における
パターン点検工数、レーザ修正工数が増大するという問
題点を除去し、ドライバＩＣの出力パッドと給電導体と
のワイヤボンディングによる接続をボンディングワイヤ
の軌跡を斜行部も加え、給電導体のピッチを発熱抵抗体
のピッチと同等にするとともに、給電導体のピッチを従
来のピッチに比して広くとれるワイヤボンディング方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ドライバＩＣのボンディングパッドと回
路パターンのボンディングパッドのそれぞれのパッドの
配列ピッチが異なるパッド間のワイヤボンディング方法
において、ドライバＩＣの第１のボンディングを行い、
その後、ボンディングワイヤを前記パッドの配列方向と
は直交する方向に傾斜した斜行部を形成し、その後、ボ
ンディングワイヤを、回路パターンのボンディング部に
第２のボンディングを行うようにしたものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、上記のように、ドライバＩＣ
のボンディングパッドと回路パターンのボンディングパ
ッドのそれぞれのパッドの配列ピッチが異なるパッド間
のワイヤボンディング方法において、ワイヤ軌跡を制御
し、ワイヤの形状を前記パッドの配列方向とは直交する
方向に傾斜した斜行部を形成する。つまり、図１におけ
るＸ方向に傾斜した斜行部を形成し、ドライバＩＣのボ
ンディングパッドと回路パターンのボンディングパッド
のピッチの差異をマッチングさせることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すサ
ーマルヘッド用ドライバＩＣの出力パッドと給電導体を
ワイヤボンディングにより接続した配線の平面図、図２
はそのワイヤボンディング状態を示す図である。
【００１０】図に示すように、サーマルヘッド用ドライ
バＩＣ６の出力パッド１０から給電導体２０のワイヤボ
ンディング部２１までをＸ方向にも曲げたワイヤ３０に
て接続する。給電導体２０のワイヤボンディング部２１
は発熱体ピッチと同じに配列されている。出力パッド１
０のピッチは発熱体ピッチよりも小さなピッチとなって
いる。
【００１１】サーマルヘッド用ドライバＩＣ６は直線上
に出力パッド１０が配置されており、また、ワイヤボン
ディング部２１も出力パッド１０と平行に配置されてい
る。前記直線上出力パッド１０から直線に対して垂直方
向にワイヤ３０が出され、また、ワイヤボンディング部
２１に入る際も直線に対して垂直方向となるように接続
する。その際、ワイヤ３０はピッチに合うように２カ所
で曲げられる。つまり、図２に示すように、まず、サー
マルヘッド用ドライバＩＣ６の出力パッド１０にワイヤ
ボンディングツール（図示なし）により、ワイヤ３０を
第１のボンディングを行い、次に、ワイヤボンディング
ツールにより、ワイヤ３０を繰り出し、位置に至る
と、リバースモーションをかける。すると、ワイヤ３０
は、一旦点線に示すように、戻されて、実際は実線のよ
うに、ワイヤ３０の立ち上げ部３１が曲げられる。
【００１２】そこで、図１に示すように、ワイヤ３０を
Ｙ方向から傾斜したＸ方向に繰り出し、位置に至ると
リバースモーション（リバース制御）をかける。する
と、ワイヤ３０は、位置と位置間において、Ｘ方向
に傾斜した斜行部３２を形成することができる。更に、
位置からワイヤ３０をＹ方向に沿って繰り出し、リバ
ースモーションをかけて、ワイヤ３０をＹ方向に曲げ
て、給電導体２０のワイヤボンディング部２１に第２の
ワイヤボンディングを行う。
【００１３】このようにワイヤボンディングを行うこと
により、サーマルヘッド用ドライバＩＣ６の出力パッド
１０と給電導体２０のワイヤボンディング部２１間をワ
イヤ３０により、Ｘ方向に傾斜した斜行部３２を形成す
る。つまり、Ｘ方向にオフセット状に折曲した配線を行
うことができる。ここで、上記したリバース制御自身は
現行技術である。即ち、この手法を利用して、ワイヤボ
ンディングツールにより、リバースモーションをかけ、
ワイヤ３０に２箇所曲げ加工を施す。図２における破線
はボンディング装置の軌跡を示しており、実際のワイヤ
３０は実線に示すような形状になる。
【００１４】なお、上記実施例においては、サーマルヘ
ッド用ドライバＩＣ６の出力パッド１０と給電導体２０
のワイヤボンディング部２１間のワイヤボンディングに
ついて述べたが、その他のドライバＩＣの出力パッドと
回路パターンとの接続に適用するようにしてもよい。ま
た、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これら
を本発明の範囲から排除するものではない。
【００１５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）ドライバＩＣの出力パッドのピッチの如何にかか
わらず、ワイヤボンディングすべき回路パターンのワイ
ヤボンディング部のピッチを設定することができる。例
えば、発熱抵抗体のパターン配列密度と、給電導体のワ
イヤボンディング部のパターン密度とを同じにすること
ができる。換言すれば、ワイヤボンディング部におい
て、ドライバＩＣの出力パッドのピッチと、回路パター
ンのピッチとの差異を適切にマッチングさせることがで
きる。
【００１６】（２）回路パターンのピッチを広くとるこ
とができ、基板パターンの修正が容易になる。 （３）回路パターンのピッチを広くとることができ、ホ
トリソマスクの製作が安価となる。 また、本発明は、他のＩＣの実装部品に転用することが
できる。
【００１７】更に、他ピンのＩＣと他の基板をワイヤボ
ンディング法によって接続する際、基板側のボンディン
グ部をＩＣのパッドピッチと同ピッチに設計しなければ
ならなかった。そのことにより、基板の配線パターンを
絞り込んで細線にしたり、パターンが複雑になったりす
るが、本方法を適用することにより、配線パターンが単
純な形状となし、しかも広いピッチのパターンとするこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示すサーマルヘッド用ドライ
バＩＣの出力パッドと給電導体をワイヤボンディングに
より接続した配線の平面図である。
【図２】本発明の実施例を示すワイヤボンディング状態
を示す図である。
【図３】従来のサーマルヘッドを示す平面図である。
【図４】従来のサーマルヘッド用ドライバＩＣの出力パ
ッドと給電導体をワイヤボンディングにより接続した配
線の平面図である。
【符号の説明】
６ サーマルヘッド用ドライバＩＣ １０ 出力パッド ２０ 給電導体 ２１ 給電導体のワイヤボンディング部 ３０ ワイヤ ３２ 斜行部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ドライバＩＣのボンディングパッドと回
    路パターンのボンディングパッドのそれぞれのパッドの
    配列ピッチが異なるパッド間のワイヤボンディング方法
    において、 （ａ）ドライバＩＣのボンディングパッドへの第１のボ
    ンディングを行い、 （ｂ）その後、ボンディングワイヤを前記パッドの配列
    方向とは直交する方向に傾斜した斜行部を形成し、 （ｃ）その後、ボンディングワイヤを、回路パターンの
    ボンディング部に第２のボンディングを行うことを特徴
    とするワイヤボンディング方法。
JP3205222A 1991-08-15 1991-08-15 ワイヤボンデイング方法 Withdrawn JPH0547820A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3205222A JPH0547820A (ja) 1991-08-15 1991-08-15 ワイヤボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3205222A JPH0547820A (ja) 1991-08-15 1991-08-15 ワイヤボンデイング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0547820A true JPH0547820A (ja) 1993-02-26

Family

ID=16503437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3205222A Withdrawn JPH0547820A (ja) 1991-08-15 1991-08-15 ワイヤボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0547820A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007073937A (ja) * 2005-08-12 2007-03-22 Kaijo Corp ボンディングワイヤのループ形状及びそのループ形状を備えた半導体装置並びにボンディング方法
JP2007194470A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Kaijo Corp ボンディングワイヤのループ形状及びそのループ形状を備えた半導体装置並びにボンディング方法
JP2009071046A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Nec Electronics Corp 半導体装置、その製造方法及びワイヤボンディング方法
JP2014022641A (ja) * 2012-07-20 2014-02-03 Denso Corp 電子装置の製造方法
CN116372414A (zh) * 2023-06-06 2023-07-04 赛晶亚太半导体科技(北京)有限公司 一种用于st产品的相邻两门极与金属线连接方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007073937A (ja) * 2005-08-12 2007-03-22 Kaijo Corp ボンディングワイヤのループ形状及びそのループ形状を備えた半導体装置並びにボンディング方法
JP2007194470A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Kaijo Corp ボンディングワイヤのループ形状及びそのループ形状を備えた半導体装置並びにボンディング方法
JP2009071046A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Nec Electronics Corp 半導体装置、その製造方法及びワイヤボンディング方法
JP2014022641A (ja) * 2012-07-20 2014-02-03 Denso Corp 電子装置の製造方法
CN116372414A (zh) * 2023-06-06 2023-07-04 赛晶亚太半导体科技(北京)有限公司 一种用于st产品的相邻两门极与金属线连接方法
CN116372414B (zh) * 2023-06-06 2023-08-11 赛晶亚太半导体科技(北京)有限公司 一种用于st产品的相邻两门极与金属线连接方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0197393B1 (en) A method of reducing cross talk noise sensitivity in a printed circuit
JPH0547820A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH06291428A (ja) 回路基板
US6611280B1 (en) Flexible cable, flexible cable mount method, semiconductor device with flexible cable, led array head with flexible cable, image forming apparatus with such led array head
EP0751568A2 (en) Light-emitting device assembly and method of fabricating same
JPS6221559A (ja) サ−マルヘツド
JPS6129276B2 (ja)
JPS6222794B2 (ja)
JP3234003B2 (ja) サーマルヘッド
JPS5978867A (ja) ダイレクト・ドライブ形サ−マルヘツド
JPS5845974A (ja) サ−マルヘツド
JPH10138542A (ja) サーマルヘッド
JPH0547993A (ja) ウエーハ集積回路とその配線方法
JP2824849B2 (ja) サーマルヘッドアレイ
JPH08318639A (ja) 発光素子アセンブリ及びその製造方法
JP3200924B2 (ja) マルチビーム半導体レーザ装置
JPH0632932B2 (ja) サーマルヘッドの製造方法
JP2603136B2 (ja) サーマルヘッド
JPS62187047A (ja) 多針電極静電記録ヘツド
JPH0444435B2 (ja)
JPH05102223A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001191572A (ja) サーマルヘッド
JPS6226317B2 (ja)
JPS6124468A (ja) サ−マルヘツド
JPH078214Y2 (ja) Ｌｅｄアレイプリントヘッド

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19981112