JP2734051B2 - 感熱記録ヘッド - Google Patents

感熱記録ヘッド

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JP2734051B2 JP1380689A JP1380689A JP2734051B2 JP 2734051 B2 JP2734051 B2 JP 2734051B2 JP 1380689 A JP1380689 A JP 1380689A JP 1380689 A JP1380689 A JP 1380689A JP 2734051 B2 JP2734051 B2 JP 2734051B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は,発熱素子を一列に並べた感熱記録ヘッドの
高密度化及び低価格化に有用な記録ヘッドの構成方法に
関する。
従来の技術 感熱記録方式は (a)発色型感熱記録紙を用いるファクシミリ (b)熱溶融型若しは昇華型転写紙と受像紙を用いる単
色プリンタ,多色またはフルカラープリンタ 等に応用されている. 現在の感熱記録方式を更に発展させるための課題は (1)高密度記録 (2)記録ヘッドの低価格化 (3)高速記録 の3つである。
第8図に,従来から、最も多く使われている半導体IC
搭載型記録ヘッドの記録方式を示す。
同図に示すように、現在の半導体IC搭載型記録ヘッド
は、一列に並べた(18個の)発熱素子の隣接する素子毎
(6個)に複数の群(3群)に分割して群毎の記録を繰
り返して1ラインの記録を完了する。
第8図の1つの正方形は1つの記録ドットに対応し,
正方形の中の数字は発熱体の加熱のための分割方法と加
熱(=記録)順序を示す. 第9図は,第8図の記録方式の半導体IC搭載型記録ヘ
ッドの発熱体部の構成を示すもので 1:発熱素子 10:発熱素子を選択加熱するための半導体装置 34:半導体装置30の出力トランジスタ 50:発熱素子加熱電源 である。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、第9図に示すように、発熱素子1と半
導体装置30の出力トランジスタ34は電気的に1:1に接続
することが必要であり、従来の記録ヘッドの高密度化
は、この接続密度の技術的限界により決められている。
本発明の第1の目的は、(1)及び(2)の課題を解
決することである。
本発明の第2の目的は、本発明による記録ヘッドを用
いた簡略記録により記録時間の短縮する方法を提供する
ことである。
本発明の第3の目的は、本発明の記録ヘッドに適した
半導体ICを提供することである。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するため本発明は、半導体装置の出力
トランジスタを常に発熱素子の加熱に関与するようにし
て、半導体装置の数を(1/分割記録数に)低減する。こ
の半導体装置の数の削減により,上記のの接続密度の技
術的限界により高密度の感熱記録ヘッドの製造が可能に
する. 作用 この半導体装置の数の削減は、記録ヘッドの価格低減
に役立つ。
更に、この記録ヘッドを用いた簡略化記録により記録
時間の短縮が可能になる。
実施例 第2図は、本発明の記録方式を示すもので、最初に左
から数えて1,4,7,10,13,16個目の記録を行い,引き続き
同様な分割記録を2回繰り返すして1ラインの記録を終
了する. この記録は (1)隣接するN個(3個)の発熱体より順次に各1個
の発熱素子を選択して、発熱体をN個の群に分解する手
段 (2)各群の発熱体を同時に加熱する手段 により実施することができる。
第1図は、本発明による記録ヘッドの発熱部の具体的
構成を示す。第2図において 1 :発熱素子 2 :発熱素子に直列に接続した三端子素子 3a〜3c:分割記録する発熱素子選択用端子 4a〜4f:選択された発熱要素を画信号に従って加熱する
半導体装置の出力回路接続用端子 6 :加熱電源接続用端子 である. 端子4a〜4fには発熱素子を記録信号に従って選択・加
熱するための半導体装置の出力回路(トランジスタ)の
一端が接続され,端子6と出力トランジスタの他端に発
熱素子加熱用電源が接続される. 端子3a〜3bに入力される分割記録する発熱素子群選択
信号と,この分割記録用信号と同期して半導体装置に入
力される発熱素子加熱パルス信号により (a)選択された発熱素子群の加熱 (b)発熱素子群の選択順序の変更 を行うことにより第2図の分割記録が行われる. (実施例1) 第3図は、本発明の記録ヘッドの回路構成例であり 100:記録ヘッドの全体 1:発熱素子 2:分解記録する発熱素子群選択用のスイッチング機能
をもつ3端子素子 30:半導体IC 40:半導体IC用電源 50:抵抗体加熱用電源 である. 第3図の半導体ICは,従来の半導体IC搭載型記録ヘッ
ド用の最も基本的な回路構成のICであり 31:記録信号転送用シフトレジスタ 32:記録信号を一時的に蓄積するラッチ回路 33:ラッチ回路の記録信号を出力するゲート回路 34:記録信号出力用トランジスタ から成り 31a,b:記録信号入力及び出力用端子 31c:記録信号転送用クロック信号入力端子 32a:記録信号をラッチ回路32に移すためのラッチ信号入
力端子 33a:ラッチ回路32の記録信号を出力するためのゲート信
号入力端子 34a:発熱素子接続用端子 35:発熱素子加熱用電源接続端子 36,37:半導体IC用電源接続端子 である. 3個の出力トランジスタ34を持つ2つの半導体IC30の
各端子,18個の抵抗体1,及び18個の三端子素子2を図示
したように接続し記録ヘッドとしての端子101a,101c〜1
08a,b,cを形成する. この記録ヘッドは,一列に並べた抵抗体の右から数え
て,1,4,7,10,13,16番目の発熱素子用の記録信号を端子1
01aに入力し,端子101bのクロック信号により6個のシ
フトレジスタ回路31の中でこの記録信号を順次転送し,
端子102のラッチ信号により転送した記録信号を6個の
ラッチ回路32に一時的に蓄積する. 次に,端子108aに印加される信号により最初に分割記
録する発熱素子群が選択され,この発熱素子群選択用信
号と同期して端子103に入力される加熱パルス(ゲー
ト)信号により,6個のトランジスタはラッチ回路に蓄積
された最初の記録信号に対応して導通し,導通したトラ
ンジスタに接続された発熱素子が端子104,105に接続さ
れた加熱電源50により加熱される. この加熱期間に端子101aに入力される,右から数えて
2,5,8,11,14,17番目の発熱素子用の次の記録信号が同様
にして6個のシフトレジスタ回路31の中で順次転送さ
れ,端子108bの発熱素子群選択用信号と端子103の加熱
パルス信号により次の分割記録が継続的に行われる.尚
106,107:半導体IC電源用端子である. 以上の説明から判るように,本実施例の記録ヘッドは
記録信号の入力順序が異なること以外は,従来の半導体
IC搭載型記録ヘッドと同様に動作させることができる. 前述したように,感熱記録方式において半導体IC搭載
型記録ヘッドが主流になったのは,記録ヘッドの全抵抗
体数の多少に関係なく1ライン記録時間=分割記録回数
×抵抗体加熱パルス幅とすことができることが大きな理
由にである. 従って,分割記録数を極端に多くすることは実用的で
はないが,通常記録品質の均一化及び発熱素子の寿命の
点から,加熱パルス幅の3〜5倍の期間,発熱素子を冷
却することが必要であり、分割記録回数N=3〜5の感
熱記録が行われている. 本実施例の記録ヘッドは,従来の半導体IC搭載型記録
ヘッドと比較すると, 抵抗体に三端子素子を附加することにより抵抗体加熱用
駆動(出力)回路数及び三端子素子と出力回路の接続密
度を分割記録回数分の1に低減することにより 1.高密度記録用ヘッドの製造 2.記録ヘッドのコスト低減 を可能にする点に特徴がある. このような特徴を持つ本実施例の記録ヘッドを具体的
に製造するには (a)発熱素子にアモルファス・シリコン薄膜による電
界効果型トランジスタを三端子素子として附加し,発熱
素子と薄膜トランジスタの高密度結線を薄膜形成工程及
びそのパタニーング工程で行うことにより第1図に示す
発熱部を形成し (b)従来の実装技術を用いて三端子素子と半導体ICを
接続することにより,第3図の記録ヘッドを製造するこ
とができる. (実施例2) 第2の実施例は三端子素子の出力抵抗を発熱要素とす
る記録ヘッドである。
アモルファス・シリコン薄膜による薄膜トランジスタ
は実施例1の三端子素子として適しているが,この素子
の出力抵抗を発熱素子とすることにより,記録ヘッドの
製造工程を簡略化することができる. この記録ヘッドの回路構成は,発熱素子1が三端子素
子2の出力抵抗と理解すれば、第3図と同じである. 本実施例においては、発熱素子1の形成が不要であ
り,製造工程が実施例1よりも簡単になる. また実施例1においては,不要な電力消費を小さくす
るため,三端子素子の出力抵抗を発熱素子の10分の1以
下にすることが要求される.これに対して,本実施例で
は三端子素子の出力抵抗=発熱素子であることにより三
端子素子の製造が容易になる. このように,本実施例の記録ヘッドは実施例1よりも
製造が容易になる点に特徴がある. (実施例3) 第3の実施例は、記録信号の出力順序を変換する機能
をもつ半導体ICを用いた記録ヘッドである。
実施例1,2の記録ヘッドでは,記録信号を第2図の分
割記録順序で送る必要がある. 本実施例では発熱素子の配列順序で送られる記録信号
第2図の分割記録順序に変換して出力する半導体装置
(IC)およびこの半導体ICを用いた記録ヘッドについて
述べる. 第4図(a)(b)に,本発明による三端子素子の出
力抵抗を発熱素子とする半導体IC及び記録ヘッドの回路
例を示す. 第4(a)図において 60:半導体ICの全体であり,シフトレジスタ61,ラッチ
回路62,ゲート回路63,出力トランジスタ64等の機能は第
5図の半導体ICと同じであるが,記録信号の順序を変換
して出力するために,シフトレジスタ61,ラッチ回路62,
ゲート回路63の数は9個になっている.この半導体ICは
a)端子61aに入力される記録信号を端子61cのクロック
信号により9個のシフトレジスタ61を接続する太い線の
向きに転送し端子61bに次の半導体ICに出力する機能と
b)端子62aの信号によりこの記録信号を9個のラッチ
回路62に移し端子63a,b,cに順次入力される信号により
ラッチ回路62の記録信号を3個づつ端子64aより出力す
る機能を持っている. 上記の動作を判りやすくするために,第6図(a)の
ラッチ回路62の中に一時的に蓄積された9個の抵抗体加
熱用記録信号の,端子61aへの入力順番を数字で記入し
た.尚端子65:出力抵抗加熱用電源接続端子、端子66,6
7:半導体IC用電源接続端子である. 第4図(b)は,18個の出力抵抗を発熱素子とする三
端子素子2と,2個の半導体IC60を用いた記録ヘッドの回
路構成を示すものであり、200:記録ヘッドの全体、2:ス
イッチング機能を有する3端子素子、2a:3端子素子の出
力抵抗による発熱素子である. この記録ヘッドは端子201aに三端子素子の配列順序で
入力された記録信号を端子201cのクロック信号により18
個のシフトレジスタ61の中で順次転送し端子202の信号
によりこの記録信号を18個のラッチ回路62に移し端子20
3a,b,cに順次入力される信号によりラッチ回路62に移さ
れた記録信号をゲート回路63より6個づつ出力し端子20
4,205に接続された加熱用電源50により導通したトラン
ジスタ64に接続されている三端子素子の出力抵抗2aの発
熱により記録を行うと共に端子201aに次の記録信号を入
力し,継続的に記録を行う. 第6図(B)の端子208a,b,cは 1)分割記録用三端子素子の選択 2)ラッチ回路に蓄積された記録信号の出力 の2つの役割を持つように回路を構成しているが,トラ
ンジスタ34と三端子素子2のスイッチング特性の差が問
題になる場合は,出力抵抗加熱用パルスを遅延するよう
な回路構成にする. 以上の説明から判るように,半導体ICの回路構成を変
更することにより,従来の半導体IC搭載型記録ヘッド動
作用の外部回路を用いて本発明による分割記録を行う,
記録ヘッドを製造することができる. (実施例4) 本実施例では,TAB方式(Tape−Automated−Bonding)
により半導体ICを実装した本発明記録ヘッドについて述
べる. 第5図は第4図(b)の回路方式の記録ヘッドの具体
的製造方法を説明するための図である. 第5(a)図において、300:記録ヘッドの全体であ
り、70:半導体ICを形成したシリコン・チップ、310:発
熱体基板、320:多層配線用基板、330:金属製ヘッド基台
である. 第5図(b)は半導体ICの外観で、71:半導体ICを形
成したシリコン・チップには,TAB方式のILB技術(Inner
−Lead−Bonding)により、74:ポリイミド樹脂のフィル
ムの上に保持される。72,73:直線状およびL型状のリー
ド線群が半導体ICの記録信号の出力端子,及び半導体IC
の動作のための他の端子に接続される. 第5図(b)においては,9本の直線状リード線を1つ
の半導体IC71に接続しているが,これは記録ヘッドの外
観を実際のヘッドに似せるためで,第4図(b)の記録
ヘッドではこの直線状リード線は3本になる. また,第5(c)図に示すようにプリント基板320の
上には300H:記録ヘッド端子を持つ321,322:多層配線用
導体が形成される.多層配線用導体322は,一つの半導
体ICの記録信号出力端子が他の半導体ICの記録信号入力
端子に接続されるように階段状に形成している. 多層配線用基板320と共に金属製ヘッド基台330の上に
接着・保持される発熱体基板310の上には301:三端子素
子、301X:三端子素子の一方の端子を全共通接続した1
本のリード、301Y:隣接する3つの三端子素子の他方端
子を接続した複数本のリード、302abc:三端子素子のス
イッチング信号入力端子を3本おきに共通接続した3本
のリードが形成されている. 3本のスイッチング信号入力端子用リード302a,b,c
上に形成されるリード301X,301Yは、309:誘電体層及び
アモルファス・シリコン層の2層から成る薄膜により電
気的に絶縁されている.また図を判りやすくするため,3
個の三端子素子を301として図示するとともに,感熱記
録紙との接触摩耗から保護するための耐摩耗層は図示し
ていない. 半導体ICの直線状及びL型状リード群は,TAB方式のOL
B技術(Outer−Lead−Bonding)により (a)直線状リード群72の他端を,隣接する3つの三端
子素子のスイッチング端子の共通接続リード301Yに (b)L型状のリード群73の他端を,プリント基板上の
多層配線用導体321,322に接続される. また、OLB技術と,ポリイミド樹脂のフィルム305の上
に保持される4本の直線状リード線により (c)三端子素子のスイッチング素子の全共通接続リー
ド301X及び3本のスイッチング信号入力端子302a,b,c
プリント基板上の多層配線用導体321に接続することに
より記録ヘッドの電気的結線が完了する. 以上の説明から判るように,本発明による記録ヘッド
は,第3図の発熱部以外は,従来技術により製造するこ
とができる. また,本実施例を参考として,半導体ICの実装技術と
して現在最も多用されているワイヤボンディング技術,
或はこれ以外の実装技術を用いて記録ヘッドを製造する
こともできる. このように,本発明の記録ヘッドは,従来技術を活用
して記録ヘッドを製造できることが一つの特徴である. (実施例5) 第5の実施例は発熱体の配列方向の記録密度を粗にす
る記録速度の向上方法である。
本発明による通常の記録においては,発熱体の配列密
度を(分割記録回数分の1に)均一に粗にした記録を分
割記録する回数だけ繰り返して1ラインの記録を行う。
この分割記録方式により1ラインの記録=1回の分割
記録とする記録速度の向上のための新規の簡略記録を行
うことができる. 第6図(a)〜(c)に,3つの記録パターンを示す.
図の1つの四角は1つの記録ドットに対応する. 第6図(a)は,通常の(最も精細な)記録による記
録ドットの分布を示す図である.第2図で述べたよう
に,本発明記録ヘッドによる通常の記録は,最初の1ラ
インを図の四角形の中に記入した番号の順序に従って記
録することを繰り返して記録を行う. 従来の記録ヘッドでは、発熱体の配列順序通りに発熱
体を分割記録回数分の1に分割して1ラインの記録を行
う.このため、記録紙の送り方向に対して複数ラインの
記録情報を1ラインの記録で代表させることを繰り返し
簡略記録により記録速度を向上する方式が用いられてい
る。
第6図(b)は,従来の簡略記録,即ち,3ライン分の
記録情報を1ラインの記録で表示しその記録時間を3分
の1に短縮した記録によるドットの分布で,1及び4ライ
ンの記録ドットを図示している. 本発明による記録ヘッドを用いることにより,従来の
分割記録方式では不可能な簡略化記録方法が可能であ
り,この記録方法による記録ドットの分布を第6図
(c)に示す. 第6図(c)は,1ライン目の記録を1番目の,2ライン
目の記録を2番目の,3ライン目の記録を3番目の分割記
録で代表させて,記録時間を9分の1に短縮した記録に
よるパターンで,1〜6ラインの記録ドットが示されてい
る. 第6図(c)のこの簡略化記録方法は,記録面の主走
査方向(発熱体の配列方向)及び副走査方向(記録紙の
送り方向)の両方向の情報を均一に簡略化できる点に特
徴がある。例えば 16ドット/mmの4分割記録用ヘッドを用いて 4,8,16ドット/mm の記録を行うことができる. この簡略記録方式の特徴は,その記録時間を 8ドット/mmの場合:1/2×1/2=1/4 4ドット/mmの場合:1/4×1/4=1/16 に短縮できることである. 従来の分割記録方式では副走査方向の記録密度の削減
だけで記録時間を短縮しているため,16分の1の記録時
間の短縮は記録画質の劣化が極端になり実用的ではな
い.これに対して,上記の16ドット/mmのヘッドによる
4ドット/mmの簡略化記録では,記録画像の全体的な濃
度の低下を防ぐために,1ドット当りの記録エネルギーを
大きくして記録ドットサイズを大きくなるようにすれば
実用的な記録を行うことができる. このような簡略化記録方法は,ファクシミリの短時間
送信あるいは高密度記録ヘッドを用いたカラー画像プリ
ンタの試験印刷等の記録において有用な方法となる. (実施例6) 第6の実施例は端面型記録ヘッドの記録密度の向上に
関するものである。
感熱記録方式は,単色のハードコピーだけではなく,
転写型(ワックス型及び昇華型)記録紙を用いた多色ま
たはフル・カラープリンタにも採用されている. これらのカラー画像の記録のためのプリンタの機構部
の列を第7図(a),(b)に示す. この図において、400A,B:プリンタ機構の全体、401:
転写紙供給用ドラム、402:転写紙巻取り用ドラム、403:
転写紙、404:受像紙送り用ドラム、405:受像紙、500,60
0:記録ヘッドである. 第7図(a),(b)に示す機構部は,ドラム404に
巻き付けられた受像紙405と受像紙に圧接された記録ヘ
ッド500または600の間を受像紙405の長さ毎に転写層の
色を換えた転写紙403を通過させ,受像紙上に色の異な
る3〜4回の熱転写記録を行うことによりカラー画像記
録を行う. この2つのプリンタ機構部を比較すると長方形状の基
板の端面(厚さ方向を含む面)に発熱体を形成した端面
型記録ヘッド600を用いた第7図(b)の機構部のほう
がプリンタの設計がしやすいことが知られている. しかし,この記録ヘッドは発熱要素のリード線を基板
の両面に延長して形成する必要があり,このリード線の
パターン形成の困難さから記録密度の向上が難しくまた
製造部留まりの向上に多くの努力を必要とする. 本発明はこの端面型記録ヘッドの記録密度及び製造歩
留まりの向上に有用である. 第7図(c)に,本発明による出力抵抗を発熱要素と
するスイッチング素子を用いた端面型記録ヘッドの端面
部分の構造を示す. この図において、600A:記録ヘッドの全体、601:発熱
要素形成用基板であり,この基板601の端面に第3図の
発熱部を形成し,基板601の一方の側面には、601X:スイ
ッチング素子のスイッチング端子を全共通接続したリー
ドが,他方の側面に601Y:隣接する3個のスイッチング
素子のスイッチング端子を共通接続したリード、602:1
列に形成されたスイッチング素子のスイッチング信号入
力端子を3素子毎に共通接続したリードが延長・形成さ
れている. この図から判るように,本発明による端面型記録ヘッ
ドは高密度の配線部を基板の端面の中央部に形成し端面
部から基板平面部へリード線密度を粗とすることがで
き,上記の2つの課題:記録ヘッドの記録密度及び製造
歩留まりの向上を解決するために有用な方法である. 発明の効果 以上説明したように,本発明は一列に並べた発熱素子
を隣接する発熱素子が異なる群に属するように複数個の
群に分割し,各群毎に加熱を繰り返して記録を行う記録
方式を採用することにより (1)記録信号に従って発熱素子を選択加熱する駆動回
路及びこの駆動回路と発熱素子とのリード線接続密度を
低減し,従来技術では困難な16ドット/mm以上の高密度
記録ヘッドを製造することができる。
(2)発熱要素の選択・加熱に必要な駆動回路数を低減
し,記録ヘッドを低価格化することができる。
(3)発熱素子及び駆動回路を薄膜回路形成技術で形成
する記録ヘッドの駆動回路数を削減し,記録ヘッドの製
造歩留まりの向上とヘッド価格を低減することができ
る。
(4)発熱要素の配列密度よりも密度の粗い記録を行う
ことにより記録時間を短縮する簡略化記録ができる。
(5)カラー画像の記録に好適な端面型記録ヘッドの記
録密度を向上することができる。
(6)発熱用抵抗体にスイッチング素子を附加した新規
な記録ヘッドを提供する。
(7)出力抵抗を発熱要素とする三端子素子を用いた新
規な記録ヘッドを提供する (8)記録信号の入力順序を本発明の分解記録記録方式
に適した記録順序に変更する半導体ICの構成方法を提供
する 等により感熱記録方式の関連技術の向上に寄与するもの
である. 更に,上記の目的を達成するため (9)記録ヘッドの具体的構成法を例示し,従来技術に
よる本発明記録ヘッドの構成方法及び製造方法を明確化
した. これらの効果により,本発明は今後の感熱記録方式の
発展に役立ち,工業的に大きな価値がある.
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明記録ヘッドの発熱部の構成を説明するた
め図、 第2図は本発明の記録方法を説明するための記録パター
ンを示す図 第3図は(1)従来の半導体IC搭載型記録ヘッド用の半
導体ICを用いた本発明記録ヘッドの回路、及び(2)本
発明による3端子素子の出力抵抗を発熱素子とする記録
ヘッドの回路の構成図 第4図は(a)記録信号の転送順序を変換する機能を持
つ半導体ICの回路の例を示す図、 (b)(a)の半導体ICを用いた本発明記録ヘッドの他
の回路の例を示す図、 第5図は半導体ICをTAB方式により実装した本発明記録
ヘッドの具体的構造例を説明するための (a)記録ヘッドの全体図 (b)ポリイミド樹脂のフィルムの上に保持される直線
状およびL型状の2つのリード線群を接続した半導体IC
の外観図 (c)多層配線用導体(リード線)を形成したプリント
基板の図 第6図は本発明記録ヘッドによる記録時間の短縮方法を
説明するための記録ドット・パターンを示す図で、 (a)通常の記録パターン、 (b)副走査方向(記録紙の走行方向)の密度を粗にし
た従来の簡略化記録方法による記録パターン、 (c)主走査方向(発熱要素の配列方向)と副走査方向
の密度を均一に粗にした記録方法による記録パターン、 第7図は,画像記録用プリンタの記録部の構成を簡単に
するための方法を説明するための図で (a)平面型記録ヘッドを用いたカラー画像記録用プリ
ンタの記録部 (b)端面型記録ヘッドを用いたカラー画像記録用プリ
ンタの記録部 (c)本発明による端面型記録ヘッドの高密度化のため
の発熱部近傍の構造を示す図、 第8図は、従来の半導体IC搭載型記録ヘッドの分割記録
方法を説明するための図、 第9図は、従来の半導体IC搭載型記録ヘッドの記録部を
示す図 である. 2……スイッチング機能を有する3端子素子 3a〜3c……発熱素子選択用端子 4a〜4f……半導体ICの出力トランジスタの接続端子 30,60……半導体IC 31,61……1ビットのシフトレジスタ 32,62……1ビットのラッチ回路 33,63……ラッチ回路の記録信号を出力する1ビットの
ゲート回路 34,64……出力トランジスタ 70……半導体ICを形成したシリコン・チップ 300……半導体IC搭載型記録ヘッドの外観 310……発熱体基板 320……多層配線用基板 330……金属製ヘッド基台 500……平面型記録ヘッド 600……端面型記録ヘッド 600A……端面型記録ヘッドの発熱部の外観

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】略一列に並べたN×M個の発熱素子と、1
    個または複数個の半導体装置を有する感熱記録ヘッドに
    おいて (a)前記発熱素子の各一端を共通に接続して、記録ヘ
    ッドの第1の電源端子とし、 (b)発熱素子と同数の3端子スイッチング素子の第1
    の各端子を前記発熱素子の各他端に接続し、 (c)隣接する前記N個のスイッチング素子の第2の端
    子を各々共通に接続してM個の端子を形成し、このM個
    の端子に前記該半導体装置の各出力トランジスタの一方
    の端子を各々接続し、 (d)前記該半導体装置の出力トランジスタの第2の端
    子を共通に接続して記録ヘッドの第2の電源端子とし、 (e)前記の隣接するN個のスイッチング素子のM個の
    群から順次に第3のスイッチング用端子を各1本ずつ順
    次選択・共通に接続してN本の分割記録用端子を形成
    し、 (f)前記N本の分割記録用端子に順次印加される分割
    記録用信号と前記出力トランジスタの第3の端子に印加
    される記録信号により、M個の発熱素子を同時に加熱す
    る操作をN回繰り返して全発熱素子の一回の記録操作を
    行う ように構成したことを特徴とする感熱記録ヘッド。
  2. 【請求項2】スイッチング素子の出力抵抗を発熱素子と
    する請求項1に記載の感熱記録ヘッド。
  3. 【請求項3】略一列に並べた複数個の発熱素子を持つ感
    熱記録ヘッドを用いて、隣接するN個の前記発熱素子よ
    り各一個の該素子を選択することにより前記発熱素子を
    N個の群にわけ、各群を順次選択する選択手段と、選択
    された前記各群の素子を記録信号に従って加熱する加熱
    手段とを備え、前記選択手段による一つの群の選択と、
    前記加熱手段により加熱された発熱素子の加熱による記
    録を一ラインの記録とみなして簡略化した記録を行な
    い、かつ該簡略化した1ラインの記録のための前記N個
    の群の選択順番を順次変更することにより該発熱素子の
    配列密度より粗い記録を行うことを特徴とする感熱記録
    方法。
  4. 【請求項4】複数個の発熱素子の加熱を行う感熱記録ヘ
    ッド用の半導体装置において、 (A)該発熱素子の配列順序で入力される記録信号を該
    装置内部で順次転送し、その信号を他の該装置に出力す
    る機能 (B)該装置内の1ラインの該記録信号の転写が完了し
    た段階で、 (a)該転送された1ラインの該信号を該信号をその入
    力順番が となるN個の群に分割し (b)該N個に分割された該信号群を順次選択し、同時
    に出力する機能 (C)該(B)の動作期間中に次の記録信号を転送する
    機能 を有する感熱記録ヘッド用半導体装置。
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