JPH03196587A - 電極分割型半導体レーザ - Google Patents
電極分割型半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH03196587A JPH03196587A JP1337869A JP33786989A JPH03196587A JP H03196587 A JPH03196587 A JP H03196587A JP 1337869 A JP1337869 A JP 1337869A JP 33786989 A JP33786989 A JP 33786989A JP H03196587 A JPH03196587 A JP H03196587A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varied
- injection current
- electrode
- current ratio
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明に、コヒーレント元通信等の光通信に用いる電極
分割量半導体レーザの駆動方法に関するものである。
分割量半導体レーザの駆動方法に関するものである。
第８図は工Ｅｚ発行のＫｌｅｃｔｒＯｎｉｃａ Ｌａｔ
ｔｅｒｓＶｏＬ、 ８１４ Ｎｕ １１． ｇ１３ｒ
ｃＬＯＱｔｏｂｅｒ１ｇＢ６ノ目５８頁に示されている
磁極分割量単一波長レーザの断面図を示す。図において
、…は間近格子、１２１は尤カイト層、＋３１ ＃：ｊ
活性層、１４＋Ｈ分割電極、ｕＩＪはＤＦＢレーザを示
す、ＤＦＢレーザは活性層（３１の近傍に１０１折格子
１１１を設けることにより、このｉ口Ｊ折格子Ｉｌ＋の
周期で決まる波長の光をブラッグ反射させて、単一波長
発振１に得ている。電極を分割して各領域への注入電流
を変えることにより屈折率を変化させ、発振波長をシフ
トさせるチューナプルＬＤとして利用される。
ｔｅｒｓＶｏＬ、 ８１４ Ｎｕ １１． ｇ１３ｒ
ｃＬＯＱｔｏｂｅｒ１ｇＢ６ノ目５８頁に示されている
磁極分割量単一波長レーザの断面図を示す。図において
、…は間近格子、１２１は尤カイト層、＋３１ ＃：ｊ
活性層、１４＋Ｈ分割電極、ｕＩＪはＤＦＢレーザを示
す、ＤＦＢレーザは活性層（３１の近傍に１０１折格子
１１１を設けることにより、このｉ口Ｊ折格子Ｉｌ＋の
周期で決まる波長の光をブラッグ反射させて、単一波長
発振１に得ている。電極を分割して各領域への注入電流
を変えることにより屈折率を変化させ、発振波長をシフ
トさせるチューナプルＬＤとして利用される。
各領域への注入電流比を変える方法として、外部抵抗Ｒ
１、１２１６１によって、注入電流比を変えている。こ
のタイプの電極分割ＤＩＦＢレーザは、注入Ｘ流比を変
えることにより、（不拘−注入ンによって、内部の電界
分布を様々の形に変えることができる。この電界分布の
非線形性は、出力光にも影響を及ぼし、出力光に非線形
を生じさせる。
１、１２１６１によって、注入電流比を変えている。こ
のタイプの電極分割ＤＩＦＢレーザは、注入Ｘ流比を変
えることにより、（不拘−注入ンによって、内部の電界
分布を様々の形に変えることができる。この電界分布の
非線形性は、出力光にも影響を及ぼし、出力光に非線形
を生じさせる。
半導体レーザは注入ｔａｔ変化させるだけで、変調が可
能である。
能である。
変調方式にはデジタル変調とアナログ変調がある。０Ａ
ＴＶなどアナログ変調の場合、出力光の非線形が高調波
歪の原因となる。従って、電界分布が均一となるように
注入電流比を変えることにより、低歪半導体レーザが得
られる。
ＴＶなどアナログ変調の場合、出力光の非線形が高調波
歪の原因となる。従って、電界分布が均一となるように
注入電流比を変えることにより、低歪半導体レーザが得
られる。
このように、電極分割ＬＤｉ不均不法−注入きることに
より、均一注入に比べ様々な特性（波長可変、ＦＭ変調
特性の改善、高調波歪の改善など）が期待できる。
より、均一注入に比べ様々な特性（波長可変、ＦＭ変調
特性の改善、高調波歪の改善など）が期待できる。
従来の電極分割量半導体レーザは以上のように構成され
ていたので、外部に外付抵抗（固定）を設けることによ
って注入′１！１電流比えていたが、最適条件下でＬＤ
を駆動するには抵抗比を直接にえることによって注入ｘ
ｉ比を変えなければならないという問題点があった。
ていたので、外部に外付抵抗（固定）を設けることによ
って注入′１！１電流比えていたが、最適条件下でＬＤ
を駆動するには抵抗比を直接にえることによって注入ｘ
ｉ比を変えなければならないという問題点があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためＫなさ／′
したもので、直接抵抗比を変えることなく出力特性をモ
ニタしながら外部入力（１＋ＩＩえば電圧など）全変化
させることにより、間接的に抵抗比を変えて、注入電流
比を変えることのできる電極分割量レーザを得ることを
目的とする。
したもので、直接抵抗比を変えることなく出力特性をモ
ニタしながら外部入力（１＋ＩＩえば電圧など）全変化
させることにより、間接的に抵抗比を変えて、注入電流
比を変えることのできる電極分割量レーザを得ることを
目的とする。
本発明に係る電極分割量半導体レーザは、少なくとも独
立な電極の１′）Ｋダイオードもしくはトランジスタ等
の機能素子から成る自動抵抗制御回路を設けたものであ
る。
立な電極の１′）Ｋダイオードもしくはトランジスタ等
の機能素子から成る自動抵抗制御回路を設けたものであ
る。
本発明におけろ自動抵抗制御回路は％ａ能素子で構成さ
れているのでｔｔ比出力モニタしながらダイオードの印
加電圧を変化させることにより、間接的に抵抗比が変わ
り、その結果、Ｒ。
れているのでｔｔ比出力モニタしながらダイオードの印
加電圧を変化させることにより、間接的に抵抗比が変わ
り、その結果、Ｒ。
入電流比を変えることができ、最適条件下でＬＤを駆動
させることが可能となる。
させることが可能となる。
以下、本発明の一実施ｇｐＩＪｋ図について説明する。
第１図は本発明の一実ＩＭ例を示す電極分割量半導体レ
ーザの断面図である。図において、１１１は回折格子、
２１は光ガイド層、１３１は活性層、４１に分割電極、
１６）は均一電極、（６）は抵抗、１．ＩＩＩはＤ？Ｂ
レーザ、Ｑ１１Ｖｉトランジスタ、ダイオードなどの機
能素子、固は制の回路である。
ーザの断面図である。図において、１１１は回折格子、
２１は光ガイド層、１３１は活性層、４１に分割電極、
１６）は均一電極、（６）は抵抗、１．ＩＩＩはＤ？Ｂ
レーザ、Ｑ１１Ｖｉトランジスタ、ダイオードなどの機
能素子、固は制の回路である。
次に動作について説明する。動作は前記従来のものと同
じく活性層１３）の近傍Ｋ ＬＣＩ］折格子＋１１倉設
けることによって、ＦＯ１折格子１１１の周期で決管る
波長の光をブラッグ反射させて、単一波長発振？得てい
る。分−電極１４１ ＶＣ均一に電流？注入した場合、
ｐ側、ｎ＠両電極が均一電極なＬＤと同じである。例え
ば、波長＝Ｊ変を行なう場合、分割電極１４）によって
注入磁流比を変える。
じく活性層１３）の近傍Ｋ ＬＣＩ］折格子＋１１倉設
けることによって、ＦＯ１折格子１１１の周期で決管る
波長の光をブラッグ反射させて、単一波長発振？得てい
る。分−電極１４１ ＶＣ均一に電流？注入した場合、
ｐ側、ｎ＠両電極が均一電極なＬＤと同じである。例え
ば、波長＝Ｊ変を行なう場合、分割電極１４）によって
注入磁流比を変える。
注入キャリア密度の変化によりプラズマ効果により屈折
率が変化する。これに伴ない等価的にグレーティングピ
ッチが幼き１発蛋波長を変化きせることができる。この
注入？！電流比変えるのに、尤出力として屹娠波長をモ
ニタしながら制御回路ｊによって１機能素子−例えばダ
イオードの印加電圧を変えることにより間接的に抵抗値
を変え、注入−流比を変えることができる。
率が変化する。これに伴ない等価的にグレーティングピ
ッチが幼き１発蛋波長を変化きせることができる。この
注入？！電流比変えるのに、尤出力として屹娠波長をモ
ニタしながら制御回路ｊによって１機能素子−例えばダ
イオードの印加電圧を変えることにより間接的に抵抗値
を変え、注入−流比を変えることができる。
また、Ｃ！ＡＴＶなどのアナログ変調の場合、出力とし
て高調波歪をモニタしなから印加電圧を変えることによ
って、注入電流比を変えることにより最適条件下で使用
することができる。
て高調波歪をモニタしなから印加電圧を変えることによ
って、注入電流比を変えることにより最適条件下で使用
することができる。
なお、上記実施例でＦｉ電極を２分割した場合を≠した
が、８分割磁極、さらに位相シフト頗４゜ 域を有するＤＦＢレーザ、ＤＢＲＶ−ザの４合でもよい
。また、機能素子ｉＬＤ渠積化してもよい。
が、８分割磁極、さらに位相シフト頗４゜ 域を有するＤＦＢレーザ、ＤＢＲＶ−ザの４合でもよい
。また、機能素子ｉＬＤ渠積化してもよい。
以上のように本発明によれば％［他分割量半導体レーザ
の少なくとも独立な電極の一部に。
の少なくとも独立な電極の一部に。
機能素子及び制−回路から成る自動抵抗制御回路を設け
ることにより、出力をモニタしながら電圧１ＩＩｌａを
することにより間接的に抵抗を変えて、注入電流を変化
させることができ、かつ。
ることにより、出力をモニタしながら電圧１ＩＩｌａを
することにより間接的に抵抗を変えて、注入電流を変化
させることができ、かつ。
最適条件下でＬＤｉ駆動させることが可能である。
第１図は本発明の一実施例である砥極分割製半導体レー
ザの断面図％第８図は従来の電極分割量半導体レーザを
示す断面図である。図において、＋ｌ＋は回折格子、１
！１は光ガイド層、ｔｉｌｌは活性層１，４）は分割電
極１．５）は均一電極、１６）は抵抗、ｔｌｌｌＦｉＤ
ＦＢレーザ、３Ｄは機能素子、−は制御回路を示す。 なお。 図中、 同一符号は同− 又は相当部分 を示す。
ザの断面図％第８図は従来の電極分割量半導体レーザを
示す断面図である。図において、＋ｌ＋は回折格子、１
！１は光ガイド層、ｔｉｌｌは活性層１，４）は分割電
極１．５）は均一電極、１６）は抵抗、ｔｌｌｌＦｉＤ
ＦＢレーザ、３Ｄは機能素子、−は制御回路を示す。 なお。 図中、 同一符号は同− 又は相当部分 を示す。
Claims (1)
- 電極分割量半導体レーザにおいて、少なくとも独立な電
極の１つに自動抵抗制御回路を設けたことを特徴とする
電極分割型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337869A JPH03196587A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 電極分割型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337869A JPH03196587A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 電極分割型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03196587A true JPH03196587A (ja) | 1991-08-28 |
Family
ID=18312755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1337869A Pending JPH03196587A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 電極分割型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03196587A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006098427A1 (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | Anritsu Corporation | 波長可変半導体レーザ素子及びその製造方法並びにそれを用いるガス検知装置 |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP1337869A patent/JPH03196587A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006098427A1 (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | Anritsu Corporation | 波長可変半導体レーザ素子及びその製造方法並びにそれを用いるガス検知装置 |
| KR100799782B1 (ko) * | 2005-03-17 | 2008-01-31 | 안리츠 코포레이션 | 파장 가변 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법과 그를 이용하는 가스 검지 장치 |
| US7620078B2 (en) | 2005-03-17 | 2009-11-17 | Anritsu Corporation | Tunable semiconductor laser device, manufacturing method therefor, and gas detector using therewith |
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