JPH0642577B2 - 多電極分布帰還型半導体レーザの駆動方法 - Google Patents
多電極分布帰還型半導体レーザの駆動方法Info
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- JPH0642577B2 JPH0642577B2 JP60133345A JP13334585A JPH0642577B2 JP H0642577 B2 JPH0642577 B2 JP H0642577B2 JP 60133345 A JP60133345 A JP 60133345A JP 13334585 A JP13334585 A JP 13334585A JP H0642577 B2 JPH0642577 B2 JP H0642577B2
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、安定した単一縦モードで発振し得る多電極
分布帰還型半導体レーザの駆動方法に関する。
分布帰還型半導体レーザの駆動方法に関する。
「従来の技術」 分布帰還型半導体レーザは、共振器内に形成された回折
格子の波長選択性によって、発振縦モードの選択が可能
であるが、回折格子の共鳴波長をはさむ２つの縦モード
で発振する可能性がある欠点を有している。そこで、従
来分布帰還型半導体レーザを縦モードで発振させるため
に、レーザ端面からの反射を利用する方法が用いられた
が、端面位置により特性が大きく変化するため歩どまり
が悪く、また、集積化が困難である等の欠点があった。
さらに、波長多重通信やコヒーレント通信等の光源とし
ては、発振波長可変のレーザの必要性が高くなってきて
いるが、分布帰還型のレーザでは、内部の回折格子によ
って発振波長が決定されるため、波長が固定されてしま
うという欠点があった。
格子の波長選択性によって、発振縦モードの選択が可能
であるが、回折格子の共鳴波長をはさむ２つの縦モード
で発振する可能性がある欠点を有している。そこで、従
来分布帰還型半導体レーザを縦モードで発振させるため
に、レーザ端面からの反射を利用する方法が用いられた
が、端面位置により特性が大きく変化するため歩どまり
が悪く、また、集積化が困難である等の欠点があった。
さらに、波長多重通信やコヒーレント通信等の光源とし
ては、発振波長可変のレーザの必要性が高くなってきて
いるが、分布帰還型のレーザでは、内部の回折格子によ
って発振波長が決定されるため、波長が固定されてしま
うという欠点があった。
また、位相シフト型回折格子を用いて単一縦モード化を
図った例があるが、回折格子の加工技術が難しく、再現
性に問題があった。
図った例があるが、回折格子の加工技術が難しく、再現
性に問題があった。
一方、光通信用光源として半導体レーザを用いる場合
は、注入電流を変調すれば、直接に振幅変調が可能とな
るが、半導体レーザの直接変調においては、活性層内部
のキャリア密度の変化によって光強度を変化させている
ため、屈折率のキャリア密度依存性により屈折率が変化
し、このために、発振周波数の変動（チャーピング効
果）が生じる問題があった。この場合、光ファイバ通信
においては、光の周波数が変動すると光ファイバの周波
数分散により光パルスが変形し、伝送特性が著しく劣化
するという問題が生じる。
は、注入電流を変調すれば、直接に振幅変調が可能とな
るが、半導体レーザの直接変調においては、活性層内部
のキャリア密度の変化によって光強度を変化させている
ため、屈折率のキャリア密度依存性により屈折率が変化
し、このために、発振周波数の変動（チャーピング効
果）が生じる問題があった。この場合、光ファイバ通信
においては、光の周波数が変動すると光ファイバの周波
数分散により光パルスが変形し、伝送特性が著しく劣化
するという問題が生じる。
また、将来の光通信システムとして注目されているコヒ
ーレント通信システムでは、光の周波数や位相を変化さ
せるための変調方法が必要とされている。そこで、一例
としては半導体レーザの直接変調に伴う周波数変動を利
用して、周波数変調を行う方法が研究されているが、こ
の場合には、振幅も同時に変化してしまうという欠点が
あった。
ーレント通信システムでは、光の周波数や位相を変化さ
せるための変調方法が必要とされている。そこで、一例
としては半導体レーザの直接変調に伴う周波数変動を利
用して、周波数変調を行う方法が研究されているが、こ
の場合には、振幅も同時に変化してしまうという欠点が
あった。
そして、これらの欠点を解決するレーザとして第３図に
示す半導体レーザが開発された。
示す半導体レーザが開発された。
第３図において、１はｎ型InP基板、２は１，５μｍ帯I
nGaAsP活性層、３は１，３μｍ帯InGaAsP光導波路、４
は光導波路３の一部に形成された回折格子、５はＰ型In
Pクラッド層、６は回折格子４の上方に形成された注入
電極、７は平坦な導波部分に形成された制御電極、８は
ヘキ開により形成された反射面である。
nGaAsP活性層、３は１，３μｍ帯InGaAsP光導波路、４
は光導波路３の一部に形成された回折格子、５はＰ型In
Pクラッド層、６は回折格子４の上方に形成された注入
電極、７は平坦な導波部分に形成された制御電極、８は
ヘキ開により形成された反射面である。
第３図に示す構成においては、注入電極６へ電流を注入
して、回折格子４による分布帰還でレザー作用をさせ
る。そして、反射面８からの反射光によって、単一モー
ドで発振させることができる。また、制御電極７への電
流注入によって導波路の屈折率が変化し、これにより、
反射面８からの反射光の位相が変化する。すなわち、制
御電極７への電流注入量調整により、安定な単一モード
発振および発振波長制御が可能となる。
して、回折格子４による分布帰還でレザー作用をさせ
る。そして、反射面８からの反射光によって、単一モー
ドで発振させることができる。また、制御電極７への電
流注入によって導波路の屈折率が変化し、これにより、
反射面８からの反射光の位相が変化する。すなわち、制
御電極７への電流注入量調整により、安定な単一モード
発振および発振波長制御が可能となる。
また、この図に示す半導体レーザを駆動するには、注入
電極６にコンデンサを介して振幅変調信号を供給し、こ
れによって振幅変調を行い、かつ、制御電極７に制御電
流を供給し、これにより、振幅変調によって生じた発振
周波数変動を抑制する。以上により、周波数変動を抑制
した振幅変調を行う。
電極６にコンデンサを介して振幅変調信号を供給し、こ
れによって振幅変調を行い、かつ、制御電極７に制御電
流を供給し、これにより、振幅変調によって生じた発振
周波数変動を抑制する。以上により、周波数変動を抑制
した振幅変調を行う。
「発明が解決しようとする問題点」 ところで、第３図に示す半導体レーザを駆動する場合、
注入電極６に振幅変調信号を供給して振幅変調を行なっ
ているので、振幅変調と周波数変調とを独立に制御する
ことができないという欠点があった。
注入電極６に振幅変調信号を供給して振幅変調を行なっ
ているので、振幅変調と周波数変調とを独立に制御する
ことができないという欠点があった。
この発明は、上述した問題点を解決するためになされた
もので、振幅変調と周波数変調とを独立に制御すること
ができる多電極分布帰還型半導体レーザの駆動方法を提
供することを目的としている。
もので、振幅変調と周波数変調とを独立に制御すること
ができる多電極分布帰還型半導体レーザの駆動方法を提
供することを目的としている。
「問題点を解決するための手段」 この発明は、上記問題点を解決するために、共振器全体
に回折格子を有し、かつ、互いに独立に電流注入量を調
整する３個以上の電極を光軸方向に沿って設ける構成
か、あるいは、共振器全体に回折格子を有し、かつ、互
いに独立に電流注入量を調整する２個以上の電極を光軸
方向に沿って設けるとともに、１つの端面を反射面とし
て構成の多電極分布帰還型半導体レーザを用い、 前記電極のうち、少なくとも２個の電極に変調電流を供
給し、各電極におけるそれぞれの変調電流の振幅および
位相を制御し、周波数チャーピングを抑制した振幅変調
および振幅変調成分を抑制した周波数変調を行うように
している。
に回折格子を有し、かつ、互いに独立に電流注入量を調
整する３個以上の電極を光軸方向に沿って設ける構成
か、あるいは、共振器全体に回折格子を有し、かつ、互
いに独立に電流注入量を調整する２個以上の電極を光軸
方向に沿って設けるとともに、１つの端面を反射面とし
て構成の多電極分布帰還型半導体レーザを用い、 前記電極のうち、少なくとも２個の電極に変調電流を供
給し、各電極におけるそれぞれの変調電流の振幅および
位相を制御し、周波数チャーピングを抑制した振幅変調
および振幅変調成分を抑制した周波数変調を行うように
している。
「作用」 この発明に係る多電極分布帰還型半導体レーザの駆動方
法では、各電極の電流注入量を互いに独立に調整するこ
とにより、共振器内部の軸方向のキャリア密度分布が変
化し該軸方向の屈折率分布が変化する。これより、単一
縦モードのレーザ光が発振される。
法では、各電極の電流注入量を互いに独立に調整するこ
とにより、共振器内部の軸方向のキャリア密度分布が変
化し該軸方向の屈折率分布が変化する。これより、単一
縦モードのレーザ光が発振される。
また、各電極への注入電流の振幅および位相を各電極に
おけるそれぞれの変調電流の振幅および位相を制御する
ことにより、出射するレーザ光の振幅変調と周波数変調
とが独立に制御される。
おけるそれぞれの変調電流の振幅および位相を制御する
ことにより、出射するレーザ光の振幅変調と周波数変調
とが独立に制御される。
「実施例」 以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図は、この発明の第１の実施例の多電極分布帰還型
半導体レーザの駆動方法が適用される素子（多電極分布
帰還型半導体レーザ）の構成を示す断面図である。な
お、この図において、第３図の各部と対応する部分には
同一の符号を付し、その説明を省略する。
半導体レーザの駆動方法が適用される素子（多電極分布
帰還型半導体レーザ）の構成を示す断面図である。な
お、この図において、第３図の各部と対応する部分には
同一の符号を付し、その説明を省略する。
第１図において、１０は共振器全体に渡って設けられて
いる回折格子であり、１１，１２，１３は軸方向に分離
して設けられている注入電極である。この場合、素子の
全長は５００μｍ、電極１１，１２，１３の長さは各々
１６０μｍ、電極間隔は１０μｍに設定されている。ま
た、１４はエッチングによって形成された斜端面であ
り、１５はＡＲコーティングを施した光出射端面であ
る。
いる回折格子であり、１１，１２，１３は軸方向に分離
して設けられている注入電極である。この場合、素子の
全長は５００μｍ、電極１１，１２，１３の長さは各々
１６０μｍ、電極間隔は１０μｍに設定されている。ま
た、１４はエッチングによって形成された斜端面であ
り、１５はＡＲコーティングを施した光出射端面であ
る。
上記構成によれば、各電極１１，１２，１３への電流注
入量を変化させて共振器内部にキャリア密度の分布を作
ると、キャリア密度による屈折率の変化によって共振器
方向に屈折率の分布ができる。そして、この屈折率の分
布により、回折格子の光学的なピッチが共振器方向に変
化し、この結果、電子ビーム露光等で間隔が変化する回
折格子を形成するのと同様の効果が得られる。
入量を変化させて共振器内部にキャリア密度の分布を作
ると、キャリア密度による屈折率の変化によって共振器
方向に屈折率の分布ができる。そして、この屈折率の分
布により、回折格子の光学的なピッチが共振器方向に変
化し、この結果、電子ビーム露光等で間隔が変化する回
折格子を形成するのと同様の効果が得られる。
したがって、第１図に示す共振器を動作させるには、各
電極への電流注入量Ｉ１，Ｉ２（直流）を調整し、素子
が安定な単一発振モードとなるようにする。
電極への電流注入量Ｉ１，Ｉ２（直流）を調整し、素子
が安定な単一発振モードとなるようにする。
たとえば、素子長５００μｍの場合についての計算結果
では、中央部分のキャリア密度を両端部分に比べて１０
％増減させれば、λ／４シフト回折格子と同様な効果が
得られることが判った。
では、中央部分のキャリア密度を両端部分に比べて１０
％増減させれば、λ／４シフト回折格子と同様な効果が
得られることが判った。
また、屈折率の分布は、各電極１１，１２，１３への電
流注入量を変化させることにより容易に調整可能であ
り、この結果、屈折率分布を変えてモード選択およびモ
ード波長の変化が可能となる。
流注入量を変化させることにより容易に調整可能であ
り、この結果、屈折率分布を変えてモード選択およびモ
ード波長の変化が可能となる。
さらに、第１図に示す素子においては、中央の電極１２
への注入量を増加させることで回折格子のブラッグ波長
の長波長側、同電極１２への注入量を減少させることで
短波長側の縦モードが選択でき、かつ、選択されたモー
ドで安定な単一モード発振が得られることが観測され
た。また、注入電流量の微少な変化によって各縦モード
の波長を数Åの範囲で可変できることが観測された。
への注入量を増加させることで回折格子のブラッグ波長
の長波長側、同電極１２への注入量を減少させることで
短波長側の縦モードが選択でき、かつ、選択されたモー
ドで安定な単一モード発振が得られることが観測され
た。また、注入電流量の微少な変化によって各縦モード
の波長を数Åの範囲で可変できることが観測された。
なお、この素子においては、注入電極を分割した簡単な
構造で、位相シフト回折格子と同様な効果が得られ、ま
た、回折格子１０が全体に均一に形成されているため、
作成が容易であるとともに、第３図に示す従来素子のよ
うに、回折格子と導波路の接続部分での反射がない利点
がある。また、反射面が不要であるため集積化が容易で
あるという利点がある。
構造で、位相シフト回折格子と同様な効果が得られ、ま
た、回折格子１０が全体に均一に形成されているため、
作成が容易であるとともに、第３図に示す従来素子のよ
うに、回折格子と導波路の接続部分での反射がない利点
がある。また、反射面が不要であるため集積化が容易で
あるという利点がある。
次に、第１図に示す素子を用いる変調方法について説明
する。
する。
まず、第１図に示す変調信号源２０から出力される変調
信号をコンデンサを介して電極１３に供給するととも
に、位相調整器２１，可変減衰器２２を順次介して電極
１２に供給する。そして、電極１２へ供給される変調信
号に対し、位相変調器２１によって位相を調整するとと
もに、可変減衰器２２によって振幅を調整する。
信号をコンデンサを介して電極１３に供給するととも
に、位相調整器２１，可変減衰器２２を順次介して電極
１２に供給する。そして、電極１２へ供給される変調信
号に対し、位相変調器２１によって位相を調整するとと
もに、可変減衰器２２によって振幅を調整する。
そして、この場合の変調原理は以下の通りである。すな
わち、多電極型の半導体レーザを用いて共振器方向に不
均一な変調を行うと、共振器方向にキャリア密度の不均
一ができる。この場合、屈折率はキャリア密度に依存性
するから、キャリア密度が不均一になると、屈折率が共
振器方向に変化した状態となる。そして、屈折率の変化
のために、回折格子の共鳴周波数が場所によって異なる
ようになり、レーザのしきい値および発振周波数は変調
につれて変化する。この変化はキャリア密度の分布によ
って決定されるから、その変化量は注入電極の位置によ
って異なってくる。
わち、多電極型の半導体レーザを用いて共振器方向に不
均一な変調を行うと、共振器方向にキャリア密度の不均
一ができる。この場合、屈折率はキャリア密度に依存性
するから、キャリア密度が不均一になると、屈折率が共
振器方向に変化した状態となる。そして、屈折率の変化
のために、回折格子の共鳴周波数が場所によって異なる
ようになり、レーザのしきい値および発振周波数は変調
につれて変化する。この変化はキャリア密度の分布によ
って決定されるから、その変化量は注入電極の位置によ
って異なってくる。
したがって、２以上の電極を用いて変調電流の振幅およ
び位相を調整すれば、振幅と周波数とを独立に調整し得
ることが判る。そして、この実施例においては、位相調
整器２１と可変減衰器２２とを調整することにより、周
波数変動を抑制した振幅変調または、振幅変動を抑制し
た周波数変動を行う。
び位相を調整すれば、振幅と周波数とを独立に調整し得
ることが判る。そして、この実施例においては、位相調
整器２１と可変減衰器２２とを調整することにより、周
波数変動を抑制した振幅変調または、振幅変動を抑制し
た周波数変動を行う。
次に、実験結果を示す。まず、１GHzの正弦波で変調し
た場合の実験結果の一例を示す。電極１３に約３０mAp
−ｐ、電極１２に約２０mAp−Ｐの同位相電流を加えた
場合、光出力は約５０％の変調度となり、この時の周波
数変動は２GHz以下であった。この周波数変動範囲は、
従来の分布帰還型レーザを同一の変調度で変調した場合
の変動範囲化１０GHz以上）に比べて１／５以下の変動
範囲であり、この実施例における周波数変動の抑制効果
が高いことが判る。
た場合の実験結果の一例を示す。電極１３に約３０mAp
−ｐ、電極１２に約２０mAp−Ｐの同位相電流を加えた
場合、光出力は約５０％の変調度となり、この時の周波
数変動は２GHz以下であった。この周波数変動範囲は、
従来の分布帰還型レーザを同一の変調度で変調した場合
の変動範囲化１０GHz以上）に比べて１／５以下の変動
範囲であり、この実施例における周波数変動の抑制効果
が高いことが判る。
次に、電極１３に約１５mAp−ｐ、電極１２に約２０mAp
−ｐの逆位相の変調電流を加えた場合、１０GHzの周波
数変調がかかり、この時の振幅変動率は１％以下であっ
た。このようにこの場合においては、振幅の変動がほぼ
抑制され、半導体レーザの直接変調で初めて完全なＦＭ
変調が得られた。
−ｐの逆位相の変調電流を加えた場合、１０GHzの周波
数変調がかかり、この時の振幅変動率は１％以下であっ
た。このようにこの場合においては、振幅の変動がほぼ
抑制され、半導体レーザの直接変調で初めて完全なＦＭ
変調が得られた。
第２図は、この発明の第２の実施例の多電極分布帰還型
半導体レーザの駆動方法が適用される素子（多電極分布
帰還型半導体レーザ）の構成を示す断面図である。な
お、この図において第１図の各部と対応する部分には、
同一の符号を付しその説明を省略する。
半導体レーザの駆動方法が適用される素子（多電極分布
帰還型半導体レーザ）の構成を示す断面図である。な
お、この図において第１図の各部と対応する部分には、
同一の符号を付しその説明を省略する。
図に示すようにこの実施例における素子の形状は、ほぼ
直方体状になっており、また、図に示す３０は無反射コ
ーティングを施した出射端面、３１は絶縁膜上に金コー
ティングを施した高反射率端面、３２，３３は注入電極
である。
直方体状になっており、また、図に示す３０は無反射コ
ーティングを施した出射端面、３１は絶縁膜上に金コー
ティングを施した高反射率端面、３２，３３は注入電極
である。
この実施例における単一モード化は、高反射率端面３１
からの反射によって達成されており、動作原理その他に
ついては、前述した第１の実施例と同様になっている。
からの反射によって達成されており、動作原理その他に
ついては、前述した第１の実施例と同様になっている。
また、この実施例における変調方法も、第１の実施例の
場合と全く同様に行うことができる。すなわち、注入電
極３２，３３に対しコンデンサを介して変調信号電流を
供給し、かつ、この変調信号電流の振幅と位相とを制御
して出力光の振幅変動あるいは周波数変動を抑制すれば
よい。
場合と全く同様に行うことができる。すなわち、注入電
極３２，３３に対しコンデンサを介して変調信号電流を
供給し、かつ、この変調信号電流の振幅と位相とを制御
して出力光の振幅変動あるいは周波数変動を抑制すれば
よい。
「発明の効果」 以上説明したように、この発明によれば、共振器全体に
回折格子を有し、かつ、互いに独立に電流注入量を調整
する３個以上の電極を光軸方向に沿って設ける構成か、
あるいは、共振器全体に回折格子を有し、かつ、互いに
独立に電流注入量を調整する２個以上の電極を光軸方向
に沿って設けるとともに、１つの端面を反射面とした構
成の多電極分布帰還型半導体レーザの各電極の電流注入
量を互いに独立に調整するようにしたので、共振器内部
の軸方向のキャリア密度分布が変化させて該軸方向の屈
折率分布を変化させることにより、安定した単一縦モー
ドのレーザ光を発振させることができる。
回折格子を有し、かつ、互いに独立に電流注入量を調整
する３個以上の電極を光軸方向に沿って設ける構成か、
あるいは、共振器全体に回折格子を有し、かつ、互いに
独立に電流注入量を調整する２個以上の電極を光軸方向
に沿って設けるとともに、１つの端面を反射面とした構
成の多電極分布帰還型半導体レーザの各電極の電流注入
量を互いに独立に調整するようにしたので、共振器内部
の軸方向のキャリア密度分布が変化させて該軸方向の屈
折率分布を変化させることにより、安定した単一縦モー
ドのレーザ光を発振させることができる。
また、前記各電極におけるそれぞれの変調電流の振幅お
よび位相を制御するようにしたので、出力光の振幅と位
相とを別個に制御することができ、周波数変動を抑制し
た振幅変調および振幅変動を抑制した周波数変調を行う
ことができる利点が得られる。
よび位相を制御するようにしたので、出力光の振幅と位
相とを別個に制御することができ、周波数変動を抑制し
た振幅変調および振幅変動を抑制した周波数変調を行う
ことができる利点が得られる。
第１図は、この発明の第１の実施例の多電極分布帰還型
半導体レーザの駆動方法が適用される素子の構成を示す
断面図、第２図は、この発明の第２の実施例の多電極分
布帰還型半導体レーザの駆動方法が適用される素子の構
成を示す断面図、第３図は従来の半導体レーザの構成を
示す断面図である。 １０……回折格子、１１，１２，１３，３２，３３……
注入電極（電極）、３１……高反射率端面（反射面）。
半導体レーザの駆動方法が適用される素子の構成を示す
断面図、第２図は、この発明の第２の実施例の多電極分
布帰還型半導体レーザの駆動方法が適用される素子の構
成を示す断面図、第３図は従来の半導体レーザの構成を
示す断面図である。 １０……回折格子、１１，１２，１３，３２，３３……
注入電極（電極）、３１……高反射率端面（反射面）。
Claims (4)
- 【請求項１】共振器全体に回折格子を有し、かつ、互い
に独立に電流注入量を調整する３個以上の電極を光軸方
向に沿って設けた多電極分布帰還型半導体レーザを用
い、 前記電極のうち、少なくとも２個の電極に変調電流を供
給し、各電極におけるそれぞれの変調電流の振幅および
位相を制御し、周波数チャーピングを抑制した振幅変調
を行うことを特徴とする多電極分布帰還型半導体レーザ
の駆動方法。 - 【請求項２】共振器全体に回折格子を有し、かつ、互い
に独立に電流注入量を調整する３個以上の電極を光軸方
向に沿って設けた多電極分布帰還型半導体レーザを用
い、 前記電極のうち、少なくとも２個の電極に変調電流を供
給し、各電極におけるそれぞれの変調電流の振幅および
位相を制御し、振幅変調成分を抑制した周波数変調を行
うことを特徴とする多電極分布帰還型半導体レーザの駆
動方法。 - 【請求項３】共振器全体に回折格子を有し、かつ、互い
に独立に電流注入量を調整する２個以上の電極を光軸方
向に沿って設けるとともに、１つの端面を反射面とした
多電極分布帰還型半導体レーザを用い、 前記電極のうち、少なくとも２個の電極に変調電流を供
給し、各電極におけるそれぞれの変調電流の振幅および
位相を制御し、周波数チャーピングを抑制した振幅変調
を行うことを特徴とする多電極分布帰還型半導体レーザ
の駆動方法。 - 【請求項４】共振器全体に回折格子を有し、かつ、互い
に独立に電流注入量を調整する２個以上の電極を光軸方
向に沿って設けるとともに、１つの端面を反射面とした
多電極分布帰還型半導体レーザを用い、 前記電極のうち、少なくとも２個の電極に変調電流を供
給し、各電極におけるそれぞれの変調電流の振幅および
位相を制御し、振幅変調成分を抑制した周波数変調を行
うことを特徴とする多電極分布帰還型半導体レーザの駆
動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60133345A JPH0642577B2 (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 多電極分布帰還型半導体レーザの駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60133345A JPH0642577B2 (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 多電極分布帰還型半導体レーザの駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61290789A JPS61290789A (ja) | 1986-12-20 |
| JPH0642577B2 true JPH0642577B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=15102547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60133345A Expired - Lifetime JPH0642577B2 (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 多電極分布帰還型半導体レーザの駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642577B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0656908B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1994-07-27 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換素子 |
| JP2533355B2 (ja) * | 1988-03-11 | 1996-09-11 | 国際電信電話株式会社 | 分布帰還形半導体レ―ザ装置およびその電流注入方法 |
| JP2751558B2 (ja) * | 1990-04-13 | 1998-05-18 | 日本電気株式会社 | 集積型光半導体装置およびその駆動方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513976Y2 (ja) * | 1975-01-17 | 1980-03-29 | ||
| JPS5878488A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 分布帰還形半導体レーザの駆動方法 |
-
1985
- 1985-06-19 JP JP60133345A patent/JPH0642577B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61290789A (ja) | 1986-12-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |