JPH03192548A - 光情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光情報記録媒体に関し、さらに詳細には形状
変化が少なく、衝撃に強い光情報記録媒体およびその製
造方法に関する。

［従来の技術］ 従来、光情報記録媒体は、記録膜に空気中の酸素、水分
等により非常に酸化され易い記録材料を用いているため
、通常はその記録膜を空気中の酸素、水分等から遮蔽す
る目的で保護膜等で挟み込む構造が採用されていた。か
かる構造を採用することにより、光情報記録媒体の耐久
性は向上したが、透明基板にポリカーボネート樹脂等の
透明樹脂を用いた場合には、透明樹脂基板が空気中の水
分を吸湿し、その結果光情報記録媒体が変形することが
あった。かかる課題を解決するため、記録膜を形成して
いない基板面に無機酸化物等の防湿膜を形成することが
検討されていた。（例えば、特開昭５９−４８８３８号
公報、特開昭６２−２７５３３８号公報等） ［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記の特開昭５９−４８８３８号公報、特開昭
６２−２７５３３８号公報等に記載された方法によれば
、記録膜を形成していない基板面に無機酸化物等の防湿
膜を形成していない光情報記録媒体に比べて、その変形
を小さくすることはできるが、いまだ実用に供するには
不十分であった。

さらに、長期使用中に防湿膜にクランク等が発生したり
、防湿膜と基板間に剥離が生じたりして、変形が大きく
なったり、記録再生特性が劣化したりすることがあった
。

本発明は、以上のような従来技術の課題を解決し、実使
用時における温湿度等の環境変化によって変形を生じる
ことのない光情報記録媒体を提供することを目的とする
。

［課題を解決するための手段］ 本発明の要旨は、透明樹脂基板上に少なくとも記録膜を
設けてなる光情報記録媒体において、前記透明樹脂基板
の全面に二酸化ケイ素の被膜を形成し、かつ全面に二酸
化ケイ素の被膜を形成した透明樹脂基板の記録膜を設け
ていない面に透明な無機酸化物からなる防湿膜を形成す
ることを特徴とする光情報記録媒体およびその製造方法
に存在する。

以下、本発明の構成について、詳細に説明する。

本発明において「透明」とは、記録膜に情報を記録する
ための光の波長に対して透明であれば十分である。

（防湿膜） 透明な防湿膜を形成する材料としては、例えば、酸化ケ
イ素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化タングステン、酸化タンタル
、酸化イツトリウム、酸化ビスマス、酸化セリウム、酸
化ユーロピウム、酸化ハフニウム、酸化インジウム、酸
化ランタン、酸化モリブデン、酸化サマリウム、酸化ア
ンチモン、酸化スカンジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸
化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化アルミニウム等
々が挙げられる。また、これらのうち２種類以上の混合
物により形成してもよい。

また、透明な防湿膜の形成方法は、蒸着法、イオンブレ
ーティング法、スパッタリング法、プラズマ重合法、プ
ラズマＣＶＤ法等が挙げられるが、これらの方法に限定
されるものではなく、基板上に均一に製膜できる方法で
あればよい。

（記録膜） 本発明においては、透明樹脂基板上に形成される記録膜
の種類を特に限定するものではない。従来使用されてい
た記録膜はすべて使用可能である。

例えば、光磁気記録媒体の場合であれば、従来記録膜と
してはＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＴｂＣｏ、ＤｙＦｅ、
ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＢ１．ＧｄＴｂ
Ｆｅ等が使用されてい、たが、これらはすべて本発明の
光情報記録媒体でも使用可能である。また、複数層形成
されたタイプのものであってもよい、さらに、両面記録
型であってもよい。

（層構造） なお、本発明は光情報記録媒体の層構造を特に限定する
ものではなく、保護膜や反射膜等、記録膜以外の層を設
けてもよいことはもちろんである。

さらに、記録膜側どうしを貼り合わせたサンドインチ構
造のものであってもよい。

（透明樹脂基板） 本発明においては、透明樹脂基板の材料を特に限定する
ものではない０例えば、ポリカーボネート樹脂基板等、
従来光情報記録媒体の基板として使用されていたものは
すべて使用可能である。

（二酸化ケイ素の被膜の形成方法） 本発明においては、透明樹脂基板の両面に二酸化ケイ素
の被膜を形成させる。

二酸化ケイ素の被膜の形成方法としては、蒸着法、スパ
ッタ法、ＣＶＤ法、液相成長法等通常の薄膜形成技術を
使用することができる。なかでも、二酸化ケイ素の過飽
和状態のケイフッ化水素酸溶液中に透明樹脂基板を浸漬
し、二酸化ケイ素の被膜を析出させる析出法が作業が簡
単で、しかも均−で緻密な被膜を形成することができる
ため特に好ましい。

この析出法については、特開昭６１−１２７３４号公報
に詳細に開示されている公知の方法が適用できる。二酸
化ケイ素の過飽和状態のケイフッ化水素酸溶液とは、ケ
イフッ化水素酸溶液に二酸化ケイ素（シリカゲル、エア
ロジル、シリカガラス、その他二酸化ケイ素含有物等）
を溶解させたのち、水または試薬（ホウ酸、塩化アルミ
ニウム等）を添加し、二酸化ケイ素の過飽和状態とした
ものである。この処理液に透明樹脂基板を接触させれば
よい。接触は、透明樹脂基板を処理液中に浸漬するか、
透明樹脂基板表面に処理液を流下させる等の方法がある
が、均一な被膜を形成するためには浸漬法が好ましい。

処理液中のケイフッ化水素酸の濃度は、１〜２モル／ｌ
が好ましく、特に２モル／ｌより濃いケイフッ化水素酸
水溶液に二酸化ケイ素を飽和させたのち、水で希釈して
１〜２上２モルの濃度としたものが、被膜形成速度が速
く、効率よく被覆が行なえるので好ましい。過飽和状態
とするためにホウ酸を添加する場合の添加量は、処理液
中のケイフッ化水素酸１モルに対してｌＸｌ０−”〜４
０×１０１モル、好ましくは１．２Ｘ１０−”〜１０×
１０１モルの範囲であることが、速く均質な被膜を形成
する上で望ましい。

透明樹脂基板を処理液に浸漬している間に、連続的にホ
ウ酸水溶液を添加混合し、また、処理液を循環させ、フ
ィルターでろ過することが、均質な被膜を効率よく得る
ために好ましい。二酸化ケイ素の供給源としてシリカゲ
ルを使用する場合には、孔径１．５μｍ以下のフィルタ
ーが、その他シリカガラス等を用いた場合には、孔径１
０μｍ以下のフィルターが好ましい。

また、処理液を浸漬槽に入れて、透明樹脂基板と接触さ
せる場合には、浸漬中の成形体表面において、処理液が
層流となって流れるようにすることが、むらのない均質
な被膜を形成するために好ましい。

二酸化ケイ素の被膜の膜厚は、特に限定されず、適宜定
めることができるが、通常数１ｏｏλ〜数１０００人程
度で表面改質の目的を達成することができる。

本発明においては、透明樹脂基板と二酸化ケイ素の被膜
との密着性は、特に問題ないが１、透明樹脂基板と二酸
化ケイ素の被膜との密着性をさらに強固なものにするた
めに、前もって透明樹脂基板の表面に密着性を向上させ
るためのプライマー層を形成したり、基板表面処理をし
たりしてもよい。　プライマ層に用いる材料や表面処理
方法は特に限定されるものではない。

例えば、プライマー層としては、下記式［１］で示され
る有機ケイ素化合物が挙げられる。

（Ｒ’）、５ｉ（Ｒ”）４−［１］ （式中、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水素基、メタクリロ
キシ基、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、イソシ
アノ基、フッ素または塩素を有する有機基から選ばれ、
Ｒ２はアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、塩素原
子から選ばれ、互いに同一または相異なっていてもよく
、ｎはＯ〜４の整数を示す。） 上記式［１］で示される有機化合物の具体例としては、
トリメチルメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン
、メチルトリメトキシシラン、テトラエトキシシラン、
フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ
−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（
β−アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、Ｎ−ビス−（β−ヒドロキシエチル−γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（β−アミノエチ
ル）−Ｔ−アミノプロピル（メチル）ジメトキシシラン
、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカ
プトプロピルトリメトキシシラン、３，３．３−トリフ
ルオロプロピルトリメトキシシラン、γ−グリドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシ
クロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、メチルトリ
クロロシラン、ジメチルクロロシラン、トリメチルクロ
ロシラン、テトラクロロシラン等を挙げることができる
。

または、ケイ素化合物が下記式［２］で示される有機ケ
イ素化合物が挙げられる。

Ｒ，、Ｓ　ｉ　（ＯＯＲ’）、　　　　　［２］（式中
、Ｒは互いに同一または相異なっていてもよく、炭素数
１〜６の炭化水素基、ビニル基、メタクリロキシ基、エ
ポキシ基、アミノ基、メルカプト基、フッ素または塩素
を有する有機基を示し、Ｒ゛は互いに同一または相異な
っていてもよく、アルキル基、アシル基またはアリール
アルキル基を示し、ｍは１〜４の整数を示す。） 上記式［２］で示される有機化合物の具体例としては、
ビニルトリス（ｔ−ブチルパーオキシ）シラン、ビニル
トリス（キュメンバーオキシ）シラン、ビニルトリス（
アセチルパーオキシ）シラン、ビニルトリス（ベンゾイ
ルパーオキシ）シラン、ビニルトリス（ラウロイルパー
オキシ）シラン、Ｔ−グリシドキシプロピルトリス（ｔ
−ブチルパーオキシ）シラン、γ−グリシドキシプロビ
ルトリス（ｔ−キュメンバーオキシ）シラン、γ−グリ
シドキシプロピルトリス（ｔ−アセチルパーオキシ）シ
ラン、γ−グリシドキシプロピルトリス（ｔ−ラウロイ
ルパーオキシ）シラン、Ｔ−グリシドキシプロピルトリ
ス（ｔ−ベンゾイルパーオキシ）シラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルトリス（ｔ−ブチルパーオキシ）シラン
、γ−メタクリロキシプロピルトリス（ｔ−キュメンバ
ーオキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリス
（Ｌ−アセチルパーオキシ）シラン、γ−メタクリロキ
シプロピルトリス（ｔ−ラウロイルパーオキシ）シラン
、γ−メタクリロキシプロピルトリス（ｔ−ベンゾイル
パーオキシ）シラン等を挙げることができる。

または、ケイ素化合物が下記式［３］で示される有機ケ
イ素化合物が挙げられる。

（Ｒ’）ｎ Ｈｚ　　Ｃ＝ＣＨＳ　ｉ　　（ＯＲ”　）３−−　　　
［３］（式中、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水素基、Ｒ２
はアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アセトキシ
基から選ばれ、互いに同一または相異なっていでもよく
、ｎは０〜３の整数を示す、）上記式［３］で示される
有機化合物の具体例としては、トリエトキシ（ビニル）
シラン、トリメトキシ（ビニル）シラン、エトキシ（ジ
メチル）ビニルシラン、ジメトキシ（メチル）ビニルシ
ラン、ジェトキシ（メチル）ビニルシラン、ジメトキシ
（アセトキシ）ビニルシラン、トリプトキシ（ビニル）
シラン、トリアセトキシ（ビニル）シラン、トリス（β
−メトキシエトキシ）ビニルシラン等を挙げることがで
きる。

または、ケイ素化合物が下記式［４］で示される有機ケ
イ素化合物が挙げられる。

（Ｒ’）ｎ （式中、Ｒ１は水素原子またはメチル基、Ｒ２は炭素数
１〜５の（−ＣＨ，−）基、Ｒ３はアルコキシ基、アル
コキシアルコキシ基、アセトキシ基から選ばれ、互いに
同一または相異なっていてもよく、Ｒ４は炭素数１〜６
の炭化水素基であり、ｎは０〜３の整数を示す、） 上記式［４］で示される有機化合物の具体例としては、
γ−メタクリロキシプロピル（トリメトキシ）シラン、
Ｔ−メタクリロキシプロピル（ジメトキシ）シラン、γ
−メタクリロキシプロピル（トリエトキシ）シラン、Ｔ
−メタクリロキシプロピル（ジェトキシ）メチルシラン
等を挙げることができる。

または、ケイ素化合物が下記式［５］で示される有機ケ
イ素化合物が挙げられる。

（式中、Ｒ′、Ｒｔは同種または異種のアルコキシ基、
アルコキシアルコキシ基または塩素原子で、Ｒ３、Ｒ４
は置換または非置換の一価の炭化水素基であり、Ａは二
価の炭化水素基、酸素原子または硫黄原子を含有する二
価の有機基から選ばれ、ｍおよびｎは１〜３の整数を示
す。） 上記式［５］で示される有機化合物の具体例としては、
１．１．３．３−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメ
チルジシラン、ヘキサメチルジシロキサン等を挙げるこ
とができる。

これらの有機ケイ素化合物は、それぞれ単独で、あるい
は複数組み合わせて用いることができる。

また、プライマ層を形成する化合物の他の例として、少
なくとも１つのアミノ基を有する化合物、例えば脂肪族
第１アミン、脂肪族第２アミン、脂肪族第３アミン、脂
肪族不飽和アミン、脂環式アミン、芳香族アミン、アミ
ノアルコール等が挙げられる。

これら少なくとも１つのアミノ基を有する化合物の具体
的例としては、例えば、メチルアミン、ジメチルアミン
、エチルアミン、ジエチルアミン、イソプロピルアミン
、プロピルアミン、ジプロピルアミン、ブチルアミン、
ジイソプロピルアミン、イソブチルアミン、５ｅｃ−ブ
チルアミン、ｔｅｒ　ｔ−ブチルアミン、ジブチルアミ
ン、ジイソブチルアミン、ペンチルアミン、ジイソチル
アミン、２−エチルヘキシルアミン、アリルアミン、ア
ニリン、トルイジン、シクロヘキシルアミン、エチレン
ジアミン、プロピレンジアミン、ジエチレントリアミン
、１．６−ヘキサジアミン、■、３−プロパンジアミン
等脂肪族アミンや芳香族アミン、脂環式アミン等を挙げ
ることができる。また、アミノアルコールとしては、異
なった炭素原子に第１アミノ基もしくは第２７ミノ基と
水酸基を有する化合物であって、具体的には、モノエタ
ノールアミン、２−アミノプロパン−１−オール、１−
アミノプロパン−２−オール、３−アミノプロパン−１
−オール、１−アミノブタン−２−オール、２−アミツ
プタンー２−オール、ジェタノールアミン、Ｎ−エチル
エタノールアミン等を挙げることができる。これらのア
ミノ基を有する化合物は、１種または２種以上を使用す
ることができる。

前記有機ケイ素化合物あるいは少なくとも１つのアミノ
基を有する化合物からなるプライマー層は、有機溶剤等
に溶解した溶液をそのまま透明樹脂基板上に塗布したり
、透明樹脂基板をその溶液中に浸漬すればよい。さらに
、本発明においては、通常用いられるプラズマ重合法に
より、前記化合物のプラズマ重合膜を形成してもよい。

また、本発明においては、前記透明樹脂基板の表面を酸
性溶液で処理して、その表面改質をおこなってもよく、
かかる酸性溶液としては、例えば、モノクロロ酢酸、ジ
クロロ酢酸、酢酸、ギ酸、プロピオン酸、アセト酢酸、
トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、塩酸、硫酸、リン
酸、硫酸クロム酸、クロム酸等の酸を、メタノール、エ
タノール等のアルコール類や水等の溶媒に溶解した溶液
が挙げられる。

また、本発明においては、前記透明樹脂基板の表面をプ
ラズマ処理等の表面改質処理をおこなってもよく、かか
る処理を行なうことにより、前記プライマー層を形成し
た場合と同様二酸化ケイ素の被膜と透明樹脂基板との密
着性をさらに向上することができる。

［作用］ 本発明によれば、その表面を二酸化ケイ素の被膜で被覆
した透明樹脂基板を用い、さらに記録膜が形成されてい
ない面に無機酸化物からなる防湿膜を形成したので、該
透明樹脂基板の吸湿を著しく小さ（することができるた
め、光情報記録媒体の形状変化を長期にわたって大幅に
小さくすることができる。また、透明樹脂基板の表面が
緻密な二酸化ケイ素の被膜で被覆されているので、大幅
な耐擦傷性効果を付与することができる。

また、本発明において、前記に例示したような有機ケイ
素化合物やアミノ化合物からなるプライマー層を介在さ
せてその表面を二酸化ケイ素の被膜で被覆した透明樹脂
基板を用いれば、二酸化ケイ素の被膜と透明樹脂基板と
の間の密着性をさらに向上させることができるため、高
温高湿の環境下でも長期にわたって形状変化や耐擦傷性
のみならず、記録・再生特性がすぐれた光磁気記録媒体
を提供することができる。

［実施例］ 以下、本発明について実施例を挙げてさらに詳細に説明
するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものは
ない。

実施例１ ポリカーボネート樹脂からなる透明樹脂基板（直径１３
０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）の両面に、ビニルトリス（ベ
ンゾイルパーオキシ）シランのｎ−ヘキサン溶液（濃度
１重量％）をスピンコーターで塗布し、次いで６０°Ｃ
の熱風にて３分間の加熱乾燥を行なった。乾燥後のビニ
ルトリス（ベンゾイルパーオキシ）シランの膜厚は約４
０人であった。このプライマー処理を行なった透明樹脂
基板の全面に、特開昭６１−１２７３４号公報に記載さ
れているのと同様の二酸化ケイ素の被膜製造装置を用い
て、二酸化ケイ素の被膜を析出させた。

すなわち、二酸化ケイ素の被膜製造装置は、外槽と内槽
からなる浸漬槽を有し、内槽と外槽の間には水が満たし
である。この水は温度が３５°Ｃとなるようにヒーター
で加熱され、かつ温度分布が均一になるように攪拌機で
攪拌されている。内槽は前部、中部、後部からなり各部
には工業用シリカゲル粉末を二酸化ケイ素の供給源とし
て、二酸化ケイ素を溶解、飽和させた２、０モル／２の
濃度のケイフッ化水素酸水溶液を水を用いて倍に希釈し
た３１の反応液を満たしである。ここで、循環ポンプを
作動させ内槽後部の反応液を一定量ずつ放出してフィル
ターでろ過し、内槽前部へ戻す処理液循環を開始した。

その後、０．５モル／ｌのホウ酸水溶液を連続的に内槽
後部に滴下して１０時間保持した。この状態で反応液は
適度な二酸化ケイ素過飽和度を有する処理液となった。

ここでフィルターの絶対除去率を１．５μｍおよび処理
液循環量を２４０ｍｊ！／分（処理液全量が約３２であ
るので、循環量は８％／分である）に調整した そして、前記透明樹脂基板を内槽中部に垂直に浸漬し、
前記条件（０，５モル／Ｉ！、のホウ酸水溶液を０．２
ｍ１．／分で添加し、８％／分の循環を行い、１．５μ
ｍのフィルターでろ過する）で３時間保持した。

得られた二酸化ケイ素被覆層の膜厚は約９００人であっ
た。

かくして得られた二酸化ケイ素被覆透明樹脂基板の上に
、誘電体層（Ｓ　ｉＡ／！ＯＮ）／記録層（ＴｂＦｅＣ
ｏ）／保護層（Ｓ　１ＡｌＯＮ）をこの順にスパッタリ
ング法で積層して光磁気記録層を形成した。

次いで、記録膜を形成した面の反対面にＳｉＯ２をスパ
ッタ法にて３０００人の膜厚となるように形成し、光磁
気記録媒体を作成した。

実施例２ Ｔ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン３５０部
、水分散コロイダルシリカ１４部、蒸留水９部および１
．２規定塩酸水溶液３部を混合し、８０°Ｃで４時間還
流後、５７部の溶媒を溜出温度８０〜９０°Ｃで溜出し
た。このようにして得られたコロイダルシリカを含むＴ
−グリシドキシプロビルトリメトキシシランの加水分解
物溶液６６部にエチルセロソルブ１００部および硬化触
媒、フローコントロール剤を少量添加し塗料とした。こ
の塗料溶液中にポリカーボネート樹脂からなる透明樹脂
基板（直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）を１０秒間浸
漬し、次いで１２０°Ｃの熱風乾燥炉で３０分間処理し
た。このようにしてブライマー層を形成したポリカーボ
ネート樹脂基板に実施例１と同様にして光磁気記録媒体
を作成した。

実施例３ 防湿膜の材料として、ｋｉｔ　Ｏｘ　　（膜厚３０００
人）を用いた以外は、実施例１と同様にして光磁気記録
媒体を作成した。

実施例４ 防湿膜の材料として、Ｚｒ０ｚ　　（膜厚３０００人）
を用いた以外は、実施例１と同様にして光磁気記録媒体
を作成した。

実施例５ 防湿膜として、酸化シリコンターゲット上に酸化チタン
チップを置き、スパッタリング法で、酸化チタンと酸化
ケイ素の複合膜を形成した。形成された膜をＥＳＣＡ分
析した結果その組成は略下記の通りであった。

Ｓｉ：Ｔｉ：０＝２：１：６ 防湿膜組成以外は、実施例１と同様にして光磁気記録媒
体を作成した。

実施例６ 防湿膜トシテ、Ｓ　ｉ　Ｏｘ　、Ａｄｚ　Ｏｓ　、Ｍｇ
　Ｏをモル比が５＝３：３となるように混合した後、１
４００°Ｃの電気炉で加熱溶融し、固化させたものを蒸
着材料とし防湿膜を形成した。

防湿膜組成以外は、実施例２と同様にして光磁気記録媒
体を作成した。

実施例７ 防湿膜として、Ｓ　ｉＯ，、Ａｌ２Ｏ，、ＭｇＯのモル
比が１：３：２となるように形成し、それ以外は実施例
２と同様にして光磁気記録媒体を作成した。

実施例８ 防湿膜として、Ｓ　ｆｏｘ　、Ａ１．Ｏ，、ＭｇＯのモ
ル比が８：２：２となるように形成し、それ以外は実施
例６と同様にして光磁気記録媒体を作成した。

比較例１ 比較のために、実施例１において防湿膜を形成していな
い光磁気記録媒体を比較例１とした。

比較例２ その表面に二酸化ケイ素の被膜を形成していない透明樹
脂基板を用いて、実施例１と同様にして記録膜、保護膜
、防湿膜を形成した光磁気記録媒体を作成した。

比較例３ その表面に二酸化ケイ素の被膜を形成していない透明樹
脂基板を用いて、実施例１と同様にして記録膜、保護膜
を形成した光磁気記録媒体を作成した。

以上の実施例１〜８、比較例１〜３の各光磁気記録媒体
について、信号特性、機械特性を評価し、さらに耐久性
を調べるため８０°Ｃ１９０％ＲＨの環境下で３週間（
５００時間）放置し、取り出した後の信号特性、機械特
性を評価した。

その結果を表１に示した。

（以下、余白） 表１ ※値はいずれも３週間後の値で示した。

※Ｃ／Ｎは初期値をＯとし、３週間後の変化量で示した
。

※Ｂ、Ｅ、Ｒは初期値をＯとし、３週間後に何倍になっ
たかで示した。

※機械特性は初期値を０とし、３週間後の変化量で示し
、記録膜側か凹になる向きのソリを＋（プラス）で示し
た。

表１から明らかのように、本発明の光情報記録媒体は、
従来方法に比べすぐれた耐久性を示た。

また、実施例１で用いたビニルトリス（ベンゾイルパー
オキシ）シラン以外に、例えばトリメトキシ（ビニル）
シランをアルゴンガスを導入したガラス製ペルジャー中
にて、プラズマ重合させた透明樹脂基板、モノエタノー
ルアミンのイソブタノール溶液を塗布乾燥した透明樹脂
基板、モノクロロ酢酸のイソプロピル溶液で浸漬処理し
た透明樹脂基板等について、実施例１と同様の光磁気記
録媒体を作成して、同様の評価を実施したところ、実施
例１とほぼ同じ結果を得ることができた。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、その表面を二酸
化ケイ素の被膜で被覆した透明樹脂基板を用い、さらに
記録膜を形成していない面に透明な無機物質からなる防
湿膜を形成したので、形状変化が少なく、衝撃に強く、
長期安定性がすぐれた光情報記録媒体を提供することが
できるという効果を奏することができる。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明樹脂基板上に少なくとも記録膜を設けてなる
   光情報記録媒体において、前記透明樹脂基板の全面に二
   酸化ケイ素の被膜を形成し、かつ全面に二酸化ケイ素の
   被膜を形成した透明樹脂基板の記録膜を設けていない面
   に透明な無機酸化物からなる防湿膜を形成することを特
   徴とする光情報記録媒体。
2. （２）前記防湿膜が下記式で示される組成からなること
   を特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体。 ＳｉＯ＿２：Ａｌ＿２Ｏ＿３：ＭＯ ＝２〜９：１〜５：１〜５ （式中、Ｍはアルカリ土類金属を示し、比はモル比を示
   す。）
3. （３）前記透明樹脂基板を二酸化ケイ素の過飽和状態の
   ケイフッ化水素酸溶液中に浸漬し、前記透明樹脂基板の
   全面に二酸化ケイ素の被膜を析出させることを特徴とす
   る請求項１または２記載の光情報記録媒体の製造方法。