JPH0319224A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0319224A JPH0319224A JP15346389A JP15346389A JPH0319224A JP H0319224 A JPH0319224 A JP H0319224A JP 15346389 A JP15346389 A JP 15346389A JP 15346389 A JP15346389 A JP 15346389A JP H0319224 A JPH0319224 A JP H0319224A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造方法、詳しくは、■コンタ
クト開口部の段差の小さい半導体装置の製造方法に関す
るものである。
クト開口部の段差の小さい半導体装置の製造方法に関す
るものである。
従来の技術
近年、半導体装置の高集積化に伴い、コンタクト開口部
のアスペクト比（コンタクト開口部の深さａと、コンタ
クト開口径ｂの比ａ／ｂ）が大きくなり、上部配線の断
線がな〈信頼性のあるコンタクトを形成することが困難
になってきてｂｐ、コンタクト開口部のアスペクト比を
下げることが重要な問題となっている。
のアスペクト比（コンタクト開口部の深さａと、コンタ
クト開口径ｂの比ａ／ｂ）が大きくなり、上部配線の断
線がな〈信頼性のあるコンタクトを形成することが困難
になってきてｂｐ、コンタクト開口部のアスペクト比を
下げることが重要な問題となっている。
以下、従来の半導体装置の製造方法の一例を示す。第３
図は従来の半導体装置の製造方法により形戒される、コ
ンタクト開口部の断面図であう、１はｐ型半導体基板、
２は半導体基板１の表面に選択的に形成されたフィール
ド絶縁膜、３はフィールド絶縁膜２を含む半導体基板１
の表面全域に気相成長法により形成された酸化シリコン
膜による層間絶縁膜（１）、４は半導体基板１の表面に
選択的に形戊された、たとえば、ヒ素を高濃度に含むｎ
＋拡散層、５は層間絶縁膜（１）３の表面全域に気相或
長法により形成された、ホウ素．リンを含む酸化シリコ
ン膜による層間絶縁膜（１）、６はコンタクト開口部を
開口した７才トレジスト、７は等方性エッチング法によ
９形成されたコンタクト開口部（１）、８は異方性エッ
チング法により形戒されたコンタクト開口部（２）であ
る。
図は従来の半導体装置の製造方法により形戒される、コ
ンタクト開口部の断面図であう、１はｐ型半導体基板、
２は半導体基板１の表面に選択的に形成されたフィール
ド絶縁膜、３はフィールド絶縁膜２を含む半導体基板１
の表面全域に気相成長法により形成された酸化シリコン
膜による層間絶縁膜（１）、４は半導体基板１の表面に
選択的に形戊された、たとえば、ヒ素を高濃度に含むｎ
＋拡散層、５は層間絶縁膜（１）３の表面全域に気相或
長法により形成された、ホウ素．リンを含む酸化シリコ
ン膜による層間絶縁膜（１）、６はコンタクト開口部を
開口した７才トレジスト、７は等方性エッチング法によ
９形成されたコンタクト開口部（１）、８は異方性エッ
チング法により形戒されたコンタクト開口部（２）であ
る。
以上のよりに構或された半導体装置の製造方法では、選
択的に、フィールド絶縁膜２，ｎ＋拡散層４が形戒され
たｐ型半導体基板１の表面全域に層間絶縁膜（１）３及
び層間絶縁膜一）５が琳戊され（第３図ａ）、熱処理に
より平坦化され（第３図ｂ）、フォトレジスト６を介し
、コンタクト開口部（１）７が形成され（第３図Ｃ）、
さらにコンタクト開口部Ｇ２）８が形成され（第３図ｄ
）、フォトレジストを除去（第３図ｅ）する。その結果
、コンタクト開口部（１）７のエッチング量はコンタク
ト開口部（２）８のアスペクト比を下げる効果をもち、
上部配線と断線のない信頼性のあるコンタクトを形成す
ることができる。
択的に、フィールド絶縁膜２，ｎ＋拡散層４が形戒され
たｐ型半導体基板１の表面全域に層間絶縁膜（１）３及
び層間絶縁膜一）５が琳戊され（第３図ａ）、熱処理に
より平坦化され（第３図ｂ）、フォトレジスト６を介し
、コンタクト開口部（１）７が形成され（第３図Ｃ）、
さらにコンタクト開口部Ｇ２）８が形成され（第３図ｄ
）、フォトレジストを除去（第３図ｅ）する。その結果
、コンタクト開口部（１）７のエッチング量はコンタク
ト開口部（２）８のアスペクト比を下げる効果をもち、
上部配線と断線のない信頼性のあるコンタクトを形成す
ることができる。
以上、従来の半導体装置の製造方法の一例を示したが、
他の製造方法も、一回のフォトリソグラフィー工程と、
等方性エッチングと異方性エソチングの組合せによって
コンタクト開口部のアスペクト比を下げる方法がとられ
ている。
他の製造方法も、一回のフォトリソグラフィー工程と、
等方性エッチングと異方性エソチングの組合せによって
コンタクト開口部のアスペクト比を下げる方法がとられ
ている。
発明が解決しよりとする課題
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法では、
一回のフォトリソグラフィー工程と、等方性エノチング
と、異方性エノチングの組合せによシ、コンタクト開口
部を形成するため、等方性エッチングによるコンタクト
開口部（１）７の径は、コンタクト開口部の周辺全領域
に同程度に広がるため、上部配線幅等の制約をうけ、等
方性エッチング量が制限され、アスペクト比を下げるに
は、限界があるという問題があった。
一回のフォトリソグラフィー工程と、等方性エノチング
と、異方性エノチングの組合せによシ、コンタクト開口
部を形成するため、等方性エッチングによるコンタクト
開口部（１）７の径は、コンタクト開口部の周辺全領域
に同程度に広がるため、上部配線幅等の制約をうけ、等
方性エッチング量が制限され、アスペクト比を下げるに
は、限界があるという問題があった。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、コンタ
クト開口部の周辺領域の任意の部分のみ、アスペクト比
を下げることができる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
クト開口部の周辺領域の任意の部分のみ、アスペクト比
を下げることができる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達或するために、本発明の半導体装置の製造
方法は、半導体基板表面に作り込まれた素子上部全面に
層間絶縁膜を推積する工程と、目的とするコンタクト開
口径より大口径のコンタクト開口部を形戊する工程と、
熱処理による平坦化の工程と、目的のコンタクト開口径
のコンタクト口を異方性エッチングによ９形成する工程
を備えている。
方法は、半導体基板表面に作り込まれた素子上部全面に
層間絶縁膜を推積する工程と、目的とするコンタクト開
口径より大口径のコンタクト開口部を形戊する工程と、
熱処理による平坦化の工程と、目的のコンタクト開口径
のコンタクト口を異方性エッチングによ９形成する工程
を備えている。
作 用
この製造方法によると、コンタクト開口部の周辺領域の
段差は、目的とするコンタクト開口径より大口径のコン
タクト開口部を形成する工程によ９制御でき、コンタク
ト開口部の周辺領域の任意の部分のみ、コンタクト開口
部の段差を小さくし、アスベクト比を下げることができ
る。たとえば、上部配線方向のみコンタクト開口部のア
スベクト比を下げることが可能となる。
段差は、目的とするコンタクト開口径より大口径のコン
タクト開口部を形成する工程によ９制御でき、コンタク
ト開口部の周辺領域の任意の部分のみ、コンタクト開口
部の段差を小さくし、アスベクト比を下げることができ
る。たとえば、上部配線方向のみコンタクト開口部のア
スベクト比を下げることが可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。第１図は本発明の一実施例にかける半導体装
置の断面図である。選択的にフィールド絶縁膜２と、ヒ
素を高濃度に注入（５×１０１５ｃＩ１１−２）シ活性
化されたｎ＋拡散層４が形成されたｐ型半導体基板１上
に、気相或長法により酸化シリコン膜を３ ０ ０ ｎ
ｍ推積し、層間絶縁膜（１）を形戊する（第１図ａ）
。さらに３μｍのコンタクト開口径をもつフォトレジス
ト８をマスクとし、酸化シリコン膜を２ ５ ０ ｎ
ｍエッチングし、コンタクト開口部（１）を形成する（
第１図ｂ）。フォトレジスト８を除去し、気相戊長法に
より、ホウ素，リンを含む酸化シリコン膜３ ０ ０
ｎ ｍを推積し、層間絶縁膜■６を形成し（第１図Ｃ）
、さらに９００℃．３０分の熱処理を施し、層間絶縁膜
（１）６を平坦化し、段差部の角を取る（第１図ｄ）。
説明する。第１図は本発明の一実施例にかける半導体装
置の断面図である。選択的にフィールド絶縁膜２と、ヒ
素を高濃度に注入（５×１０１５ｃＩ１１−２）シ活性
化されたｎ＋拡散層４が形成されたｐ型半導体基板１上
に、気相或長法により酸化シリコン膜を３ ０ ０ ｎ
ｍ推積し、層間絶縁膜（１）を形戊する（第１図ａ）
。さらに３μｍのコンタクト開口径をもつフォトレジス
ト８をマスクとし、酸化シリコン膜を２ ５ ０ ｎ
ｍエッチングし、コンタクト開口部（１）を形成する（
第１図ｂ）。フォトレジスト８を除去し、気相戊長法に
より、ホウ素，リンを含む酸化シリコン膜３ ０ ０
ｎ ｍを推積し、層間絶縁膜■６を形成し（第１図Ｃ）
、さらに９００℃．３０分の熱処理を施し、層間絶縁膜
（１）６を平坦化し、段差部の角を取る（第１図ｄ）。
１ μｍコンタクト開口径をもつフォトレジストをマス
クとし、異方性ドライエッチング法により約３ ５ ０
ｎ ｍの酸化シリコン膜をエッチングし、フォトレジ
ストを除去することによシ、コンタクト開口部（謁７を
形成する（第１図ｅ）。
クとし、異方性ドライエッチング法により約３ ５ ０
ｎ ｍの酸化シリコン膜をエッチングし、フォトレジ
ストを除去することによシ、コンタクト開口部（謁７を
形成する（第１図ｅ）。
以上のよりに形成されたコンタクト開口部（２７は、コ
ンタクト開口部Ｏ）６のエッチング膜厚分段差が減少し
コンタクト開口部のアスペクト比が減少する。さらに、
以上のよりな本実施例によれば、コンタクト開口部＠７
のアスペクト比を下げる効果をもつ、コンタクト開口部
（１）５は、フォトレジスト８の開口部により任意の形
状に決定できるので、コンタクト開口部＠７の周辺領域
の任意の部分のみ段差を小さくし、アスベクト比を下げ
ることが可能となる。
ンタクト開口部Ｏ）６のエッチング膜厚分段差が減少し
コンタクト開口部のアスペクト比が減少する。さらに、
以上のよりな本実施例によれば、コンタクト開口部＠７
のアスペクト比を下げる効果をもつ、コンタクト開口部
（１）５は、フォトレジスト８の開口部により任意の形
状に決定できるので、コンタクト開口部＠７の周辺領域
の任意の部分のみ段差を小さくし、アスベクト比を下げ
ることが可能となる。
以下本発明の第２の実施例について図面を参照しながら
説明する。第２図は本発明の第２の実施例を示す半導体
装置の断面図である。選択的にフィールド絶縁膜２とヒ
素を高濃度に注入（６×１ ｏ１５ａｓ−２） ｊ，活
性化されたｎ＋拡散層４が形成されたｐ型半導体基板１
・上に、気相戒長法により酸化シリコン膜を１５０ｎｍ
推積し層間絶縁膜（１）３を形成する（第２図ａ）。さ
らに気相或長法により，ホウ素，リンを含む酸化シリコ
ン膜を４５０ｎｍ堆積し、層間絶縁膜＠）５を形成し（
第２図ｂ）、３μｍのコンタクト開口径をもつフォトレ
ジストをマスクとし、酸化シリコン膜を３ ０ ０ ｎ
ｍエッチングし、コンタクト開口部（１）６を形成す
る（第２図Ｃ）。さらに９００゜Ｃ，３０分の熱処理を
施し、層間絶縁膜（２５を平坦化し、段差部の角を取る
（第２図ｄ）。１μｍのコンタクト開口径をもつフォト
レジストをマスクとし、異方性ドライエソチング法によ
り、コンタクト開口部（２）７を形戒し、フォトレジス
トを除去する（第２図ｅ）。
説明する。第２図は本発明の第２の実施例を示す半導体
装置の断面図である。選択的にフィールド絶縁膜２とヒ
素を高濃度に注入（６×１ ｏ１５ａｓ−２） ｊ，活
性化されたｎ＋拡散層４が形成されたｐ型半導体基板１
・上に、気相戒長法により酸化シリコン膜を１５０ｎｍ
推積し層間絶縁膜（１）３を形成する（第２図ａ）。さ
らに気相或長法により，ホウ素，リンを含む酸化シリコ
ン膜を４５０ｎｍ堆積し、層間絶縁膜＠）５を形成し（
第２図ｂ）、３μｍのコンタクト開口径をもつフォトレ
ジストをマスクとし、酸化シリコン膜を３ ０ ０ ｎ
ｍエッチングし、コンタクト開口部（１）６を形成す
る（第２図Ｃ）。さらに９００゜Ｃ，３０分の熱処理を
施し、層間絶縁膜（２５を平坦化し、段差部の角を取る
（第２図ｄ）。１μｍのコンタクト開口径をもつフォト
レジストをマスクとし、異方性ドライエソチング法によ
り、コンタクト開口部（２）７を形戒し、フォトレジス
トを除去する（第２図ｅ）。
以上のよりに形成されたコンタクト開口部■）７は、コ
ンタクト開口部（１）６のエッチング膜厚分、段差が減
少しコンタクト開口部の７スベクト比が減少する。さら
に、以上のよりな本実施例によれば、コンタクト開口部
Ｃ２）７のアスベクト比を下げる効果をもつ。コンタク
ト開口部（１）６は、フォトレジストの開口部により任
意の形状に決定できるので、コンタクト開口部（２）７
の周辺領域の任意の部分のみ段差を小さくし、アスベク
ト比を下げることが可能となる。
ンタクト開口部（１）６のエッチング膜厚分、段差が減
少しコンタクト開口部の７スベクト比が減少する。さら
に、以上のよりな本実施例によれば、コンタクト開口部
Ｃ２）７のアスベクト比を下げる効果をもつ。コンタク
ト開口部（１）６は、フォトレジストの開口部により任
意の形状に決定できるので、コンタクト開口部（２）７
の周辺領域の任意の部分のみ段差を小さくし、アスベク
ト比を下げることが可能となる。
第１の実施例は、層間絶縁膜（１）にコンタクト開口部
（１）を開口するが、第２の実施例は、層間絶縁膜（２
）にコンタクト開口部（１）を開口するという点が異な
る。
（１）を開口するが、第２の実施例は、層間絶縁膜（２
）にコンタクト開口部（１）を開口するという点が異な
る。
なか、第１．第２の実施例にかいて、コンタクト開口径
（１）は３μｍ．コンタクト開口径Ｇ２）は１μｍとし
たが、目的に応じた組合せを選択してよい。
（１）は３μｍ．コンタクト開口径Ｇ２）は１μｍとし
たが、目的に応じた組合せを選択してよい。
筐た、第１．第２の実施例にかいて、層間絶縁膜＠）と
層間絶縁膜（１）の膜厚及び膜厚比は任意に選定でき、
コンタクト開口部６）のエッチング膜厚も、目的に応じ
た膜厚をエッチングしてよい。
層間絶縁膜（１）の膜厚及び膜厚比は任意に選定でき、
コンタクト開口部６）のエッチング膜厚も、目的に応じ
た膜厚をエッチングしてよい。
１た、第１．第２の実施例にかいて、ｐ型半導体基板上
のｎ＋拡散層上のコンタクト開口部について示したが、
ｐ＋拡散層上についても、さらには、ｎ型半導体基板上
のｎ＋，ｐ＋拡散層上のコンタクト開口部についても応
用できる。
のｎ＋拡散層上のコンタクト開口部について示したが、
ｐ＋拡散層上についても、さらには、ｎ型半導体基板上
のｎ＋，ｐ＋拡散層上のコンタクト開口部についても応
用できる。
発明の効果
以上のよりに本発明は、半導体基板表面に作シ込まれた
素子上部全面に、層間絶縁膜を推積する工程と目的とす
るコンタクト開口径よシ大口径のコンタクト開口部を形
成する工程と、熱処理による平坦化の工程と、目的とす
るコンタクト開口径のコンタクト開口部を形成する工程
を備えていることによシ、コンタクト開口部の周辺領域
の任意の部分の段差を小さくし、コンタクト開口部のア
スペクト比を小さくすることができ、断線のない信頼性
ある上部配線が形成できる、優れた半導体装置の製造方
法を実現できるものである。
素子上部全面に、層間絶縁膜を推積する工程と目的とす
るコンタクト開口径よシ大口径のコンタクト開口部を形
成する工程と、熱処理による平坦化の工程と、目的とす
るコンタクト開口径のコンタクト開口部を形成する工程
を備えていることによシ、コンタクト開口部の周辺領域
の任意の部分の段差を小さくし、コンタクト開口部のア
スペクト比を小さくすることができ、断線のない信頼性
ある上部配線が形成できる、優れた半導体装置の製造方
法を実現できるものである。
第１図は本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法の断面図、第２図は本発明の第２の実施例に釦け
る半導体装置の製造方法の断面図、第３図は従来の半導
体装置の製造方法の断面図である。 １・・・・・・ｐ型半導体基板、２・・・・・・フィー
ルド絶縁膜、３・・・・・・層間絶縁膜（１）、４・・
・・・・ｎ＋拡散層、６・・・・・・コンタクト開口部
（１）、６・・・・・・層間絶縁膜ｅ）、７・・・●・
・コンタクト開口部（１）、８・！・・・・フォトレジ
スト。
造方法の断面図、第２図は本発明の第２の実施例に釦け
る半導体装置の製造方法の断面図、第３図は従来の半導
体装置の製造方法の断面図である。 １・・・・・・ｐ型半導体基板、２・・・・・・フィー
ルド絶縁膜、３・・・・・・層間絶縁膜（１）、４・・
・・・・ｎ＋拡散層、６・・・・・・コンタクト開口部
（１）、６・・・・・・層間絶縁膜ｅ）、７・・・●・
・コンタクト開口部（１）、８・！・・・・フォトレジ
スト。
Claims (2)
- （１）半導体基板表面に作り込まれた素子と、層間絶縁
膜を介し、上部配線と接続するためのコンタクト開口部
を形成する際に、半導体基板表面に作り込まれた素子上
に、気相成長法により絶縁膜が形成され、目的とするコ
ンタクト開口径より大口径のコンタクト開口部が形成さ
れ、気相成長法により、ほう素、リンを含む酸化シリコ
ン膜が形成され、熱処理により平坦化され、目的のコン
タクト開口径のコンタクト口が異方性エッチング法によ
り形成され、上部配線を推積することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - （２）半導体基板表面に作り込まれた素子と、層間絶縁
膜を介し、上部配線と接続するためのコンタクト開口部
を形成する際に、半導体基板表面に作り込まれた素子上
に、気相成長法により絶縁膜が形成され、気相成長法に
より、ほう素、リンを含む酸化シリコン膜が形成され、
目的とするコンタクト開口径より大口径のコンタクト開
口部が形成され、熱処理により平坦化され、目的のコン
タクト開口径のコンタクト口が異方性エッチング法によ
り形成され、上部配線を推積することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15346389A JPH0319224A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15346389A JPH0319224A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319224A true JPH0319224A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15563115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15346389A Pending JPH0319224A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5618111A (en) * | 1993-06-28 | 1997-04-08 | Dowbrands L.P. | Flexible thermoplastic containers having visual pattern thereon |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP15346389A patent/JPH0319224A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5618111A (en) * | 1993-06-28 | 1997-04-08 | Dowbrands L.P. | Flexible thermoplastic containers having visual pattern thereon |
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