JPH03183612A - 炭化珪素シートの製造法 - Google Patents
炭化珪素シートの製造法Info
- Publication number
- JPH03183612A JPH03183612A JP1319980A JP31998089A JPH03183612A JP H03183612 A JPH03183612 A JP H03183612A JP 1319980 A JP1319980 A JP 1319980A JP 31998089 A JP31998089 A JP 31998089A JP H03183612 A JPH03183612 A JP H03183612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sheet
- silicon carbide
- thickness
- graphite
- sio2
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 44
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 16
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N alpha-Phenylquinoline Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=N1 FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920001558 organosilicon polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000013535 sea water Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上のＩＩＩ用分野〕
本発明は、半導体ウェハーの切断や、その他の超精密切
断に使用される炭化珪素ブレード及び、耐酸化性を有し
た面状発熱体などに用いられる炭化珪素シート及びその
製造法に関するものである。
断に使用される炭化珪素ブレード及び、耐酸化性を有し
た面状発熱体などに用いられる炭化珪素シート及びその
製造法に関するものである。
［従来の技術］
従来、切断用のブレードは、金属製あるいは、繊維強化
プラスチツク複合材を支持材とし、切断部分には通常、
ダイヤモンドの砥粒を金属に埋め込んだり、樹脂で固め
たものが使用されている。
プラスチツク複合材を支持材とし、切断部分には通常、
ダイヤモンドの砥粒を金属に埋め込んだり、樹脂で固め
たものが使用されている。
薄い切断ブレードにはダイヤモンドの外、炭化珪素製の
ものがあるが、研削して薄くすることは難しいので、−
Ｍ的には厚さ２００ｕｍ程度のものが蒸着法でつくられ
ている。蒸着法は黒鉛基材に酸化珪素と炭素とを高温、
減圧下で反応させ、発生するガス（主としてＳｉＯ）を
基材に導き、そこで膜状炭化珪素として析出させる方法
である。その他有機珪素ポリマーのシートを焼成して炭
化珪素を主成分とするシートも提案されている（特開平
１−２４９６６０） 。
ものがあるが、研削して薄くすることは難しいので、−
Ｍ的には厚さ２００ｕｍ程度のものが蒸着法でつくられ
ている。蒸着法は黒鉛基材に酸化珪素と炭素とを高温、
減圧下で反応させ、発生するガス（主としてＳｉＯ）を
基材に導き、そこで膜状炭化珪素として析出させる方法
である。その他有機珪素ポリマーのシートを焼成して炭
化珪素を主成分とするシートも提案されている（特開平
１−２４９６６０） 。
［発明が解決しようとする課題１
ダイヤモンド砥粒を用いるブレードでは厚さは５０ｕｍ
程度が限度であり、半導体ウェハーの切断や超精密切断
には不向きであり、また高価でもある。
程度が限度であり、半導体ウェハーの切断や超精密切断
には不向きであり、また高価でもある。
蒸着法による炭化珪素ブレードは厚さ２００μｍ程度の
ものは製造可能であるが、それよりも薄く、特にＩ００
ｕｍ以下のようにすると、炭化珪素とμ″、鉛との熱膨
張率の差異から、炭化珪素に生じた残留歪のため、黒鉛
除夫後に炭化珪素シー トに反りが生じるなどの問題が
あって、そのような薄いシートは従来つくられていない
。またこの蒸着法によるものは極めて緻密となり、かえ
って切断・［Ｉ４能には都合が悪く、さらに結晶が独立
し、粒界がはっきりしているので、引張り強度は弱い。
ものは製造可能であるが、それよりも薄く、特にＩ００
ｕｍ以下のようにすると、炭化珪素とμ″、鉛との熱膨
張率の差異から、炭化珪素に生じた残留歪のため、黒鉛
除夫後に炭化珪素シー トに反りが生じるなどの問題が
あって、そのような薄いシートは従来つくられていない
。またこの蒸着法によるものは極めて緻密となり、かえ
って切断・［Ｉ４能には都合が悪く、さらに結晶が独立
し、粒界がはっきりしているので、引張り強度は弱い。
前記特開平１−２４９６６０の方法では厚さ５０１１ｍ
稈度まで薄くすることが可能であるが、かなりの量の炭
素と二酸化珪素がシート中に残り、用途が限定される。
稈度まで薄くすることが可能であるが、かなりの量の炭
素と二酸化珪素がシート中に残り、用途が限定される。
本発明の目的は実用的に炭化珪素からなり、反りがなく
、切断性能に優れた極めて薄い炭化珪素シートを提供す
ることにある。
、切断性能に優れた極めて薄い炭化珪素シートを提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段１
蒸着法による炭化珪素は反りの問題や切断性能の問題が
あることに鑑み、極めて薄く、かつ気孔のある炭素質（
黒鉛を含む）シートを用い、これを蒸着法により全体を
炭化珪素化することにより、これらの問題が解決できる
ことを見出し、本発明に至ったものである。
あることに鑑み、極めて薄く、かつ気孔のある炭素質（
黒鉛を含む）シートを用い、これを蒸着法により全体を
炭化珪素化することにより、これらの問題が解決できる
ことを見出し、本発明に至ったものである。
即ち、本発明は厚さが５〜１００μｍ、密度が理論値の
５０〜９５％、引張り強度が１５ｋｇｆ ／ ｍ ｍ″
以上ある炭化珪素シー１〜、及びその製造法は有機質シ
ートを焼成した炭素質あるいは黒鉛質シートを基材とし
、これを蒸着法で炭化珪素化してシートにする方法であ
る。
５０〜９５％、引張り強度が１５ｋｇｆ ／ ｍ ｍ″
以上ある炭化珪素シー１〜、及びその製造法は有機質シ
ートを焼成した炭素質あるいは黒鉛質シートを基材とし
、これを蒸着法で炭化珪素化してシートにする方法であ
る。
炭化Ｆｌ素シートは５ｕｍ未満だと強度が弱く、実用化
が難しく、また１００μｍを超えるものは切断ブレード
としては価値が低い。このシートの密度は理論値の５０
〜９５％であり、適度な気孔があるので切断の性能がよ
く、引張り強度も＋５ｋｇｆ ／ｍｌＴ１２以上あるの
で問題はない。
が難しく、また１００μｍを超えるものは切断ブレード
としては価値が低い。このシートの密度は理論値の５０
〜９５％であり、適度な気孔があるので切断の性能がよ
く、引張り強度も＋５ｋｇｆ ／ｍｌＴ１２以上あるの
で問題はない。
このシートの製造法は先ず有機質シー１へを焼成して炭
素質あるいは黒鉛質のシー１−をつくる。このシートは
適度な気孔をもったものとなる。４−ｆ機宜シー１へは
紙、あるいはポリカブ１〜ン、ポリキノリン、ＰＯＤ（
ポリオキサジアゾール）などの比較的炭化率の高い樹脂
のシート、フィルムなどが使用でき、その厚さは７〜１
５０μｍが適当である。この焼成はＡｒガスやＮ２ガス
、あるいは真空中などの非酸化性雰囲気中で８００℃以
上で行なう。
素質あるいは黒鉛質のシー１−をつくる。このシートは
適度な気孔をもったものとなる。４−ｆ機宜シー１へは
紙、あるいはポリカブ１〜ン、ポリキノリン、ＰＯＤ（
ポリオキサジアゾール）などの比較的炭化率の高い樹脂
のシート、フィルムなどが使用でき、その厚さは７〜１
５０μｍが適当である。この焼成はＡｒガスやＮ２ガス
、あるいは真空中などの非酸化性雰囲気中で８００℃以
上で行なう。
この温度が黒鉛化以上であれば黒鉛質シー［・どなる。
シートは焼成中収縮しやすいので（面積で約５０％収縮
）、反りやうねりがないように焼成する必要がある。こ
のためには、あらかじめ表面を仕上げた黒鉛材や平滑な
黒鉛シート等で有機質シトを挾み、焼成するのがよい。
）、反りやうねりがないように焼成する必要がある。こ
のためには、あらかじめ表面を仕上げた黒鉛材や平滑な
黒鉛シート等で有機質シトを挾み、焼成するのがよい。
昇温速度は特に限定されないが、８００℃位まではｌＯ
℃／分より遅い速度で焼成すれば目的にあった気孔をも
つ炭素質あるいは黒鉛質のシートが得られる。このシー
トの厚みはほぼ５〜１００４１ｍである。
℃／分より遅い速度で焼成すれば目的にあった気孔をも
つ炭素質あるいは黒鉛質のシートが得られる。このシー
トの厚みはほぼ５〜１００４１ｍである。
このようにして得られた炭素質あるいは黒鉛質シー刊・
を基材とし、炭化珪素化すれば所望の炭化■素シートが
得られる。その方法は、従来から行なわれている炭素と
ＳｌＯガスとの反応による炭化珪素化法で実現可能で
ある。
を基材とし、炭化珪素化すれば所望の炭化■素シートが
得られる。その方法は、従来から行なわれている炭素と
ＳｌＯガスとの反応による炭化珪素化法で実現可能で
ある。
具体的には炭素または黒鉛と二酸化珪素（Ｓｉｎ□）の
混合物、あるいは珪素と二酸化珪素を加熱して発生ずる
ＳｉＯガスを用いればよい。その他Ｓｉを蒸発させ、そ
の蒸気を炭素あるいは黒鉛質シートと反応させてＳｉＣ
とすることも可能である。
混合物、あるいは珪素と二酸化珪素を加熱して発生ずる
ＳｉＯガスを用いればよい。その他Ｓｉを蒸発させ、そ
の蒸気を炭素あるいは黒鉛質シートと反応させてＳｉＣ
とすることも可能である。
本発明の場合、基材となる炭素あるいは７Ｆ、 ｆＱシ
ート全体を炭化珪素化する必要がある。その方法は、例
えば図１に示したような反応容器１の底部に二酸化珪素
と黒鉛の粉末をｌ：１に混合した原料２を収納した黒鉛
容器３を置き、これより間隔を置いて、炭素質あるいは
黒鉛質シート４を目皿状の支持台５上に□く。次いで上
記反応容器内を ＋００Ｔｏｒｒ程度に減圧し、ヒータ
ー６でｌ ７ ［１０から１９００℃程度に加熱しＳｉ
Ｏガスと反応させると、炭化珪素シートが得られる。
ート全体を炭化珪素化する必要がある。その方法は、例
えば図１に示したような反応容器１の底部に二酸化珪素
と黒鉛の粉末をｌ：１に混合した原料２を収納した黒鉛
容器３を置き、これより間隔を置いて、炭素質あるいは
黒鉛質シート４を目皿状の支持台５上に□く。次いで上
記反応容器内を ＋００Ｔｏｒｒ程度に減圧し、ヒータ
ー６でｌ ７ ［１０から１９００℃程度に加熱しＳｉ
Ｏガスと反応させると、炭化珪素シートが得られる。
このような方法を用いることで、５から １００１１ｍ
の厚みを持つ炭化珪素よりなるシーＩ・の作製が可能に
なった。この方〆去で作製したシートの密度は理論値の
５０〜９５％、引張り強度が１５ｋｇｆ ／ｍｒｎ２以
上であり、２５ｋｇｆ ／ ｍ ｒｎ’程度まで可能な
ので周速度６０００ｍ ／分の高速回転に耐えるブレー
ドとすることができる。
の厚みを持つ炭化珪素よりなるシーＩ・の作製が可能に
なった。この方〆去で作製したシートの密度は理論値の
５０〜９５％、引張り強度が１５ｋｇｆ ／ｍｒｎ２以
上であり、２５ｋｇｆ ／ ｍ ｒｎ’程度まで可能な
ので周速度６０００ｍ ／分の高速回転に耐えるブレー
ドとすることができる。
なお、本発明で得られた、炭化珪素シー１−は、その比
抵抗は０．１〜ｌＯΩ・ｃｌｌｌであり、放電加工も可
能であり、放電加工用の電極としての使用も可能である
。
抵抗は０．１〜ｌＯΩ・ｃｌｌｌであり、放電加工も可
能であり、放電加工用の電極としての使用も可能である
。
［実施例ｊ
実施例１
１１み約３５Ｉｉｍのポリ２．６−（４−フェニルキノ
リン）フィルムを、平面性Ｅげした黒鉛板にはさみ、真
空下で５℃／分の昇温速度で１０００℃に加熱し、炭素
質シートを得た。厚みは、約３０ｕｍであった。この炭
素質シートを二、酸化珪素粉末と黒ｇ＋＞粉床からなる
ＳｉＯ発生部から約５０ｍｍ離したところに置き、 １
００Ｔｏｒｒ、 １８５０℃で１峙間加熱し、Ｓ１０ガ
スと接触させ厚み３０ａｍの炭化珪素シートを１１Ｐた
。
リン）フィルムを、平面性Ｅげした黒鉛板にはさみ、真
空下で５℃／分の昇温速度で１０００℃に加熱し、炭素
質シートを得た。厚みは、約３０ｕｍであった。この炭
素質シートを二、酸化珪素粉末と黒ｇ＋＞粉床からなる
ＳｉＯ発生部から約５０ｍｍ離したところに置き、 １
００Ｔｏｒｒ、 １８５０℃で１峙間加熱し、Ｓ１０ガ
スと接触させ厚み３０ａｍの炭化珪素シートを１１Ｐた
。
実施例２
ポリ２．６− （４−フェニルキノリン）を蟻酸に溶か
し、石英ガラスに塗布し、乾燥させた。乾燥後そのまま
上に石英ガラスをのせ、真空下で５℃／分の昇温速度で
８００℃に加熱し、炭素質シートを得た。厚みは、約８
ｕｍであった。この炭素質シーｉ−を、実施例１と同様
にＳｉＯガスと接触させ厚み７ｇｍの炭化珪素シートを
得た。
し、石英ガラスに塗布し、乾燥させた。乾燥後そのまま
上に石英ガラスをのせ、真空下で５℃／分の昇温速度で
８００℃に加熱し、炭素質シートを得た。厚みは、約８
ｕｍであった。この炭素質シーｉ−を、実施例１と同様
にＳｉＯガスと接触させ厚み７ｇｍの炭化珪素シートを
得た。
実施例３
厚み２５μｍのポリカプトンフィルムを５０ｍ＋ｎに切
断し平面仕上げした黒鉛板にはさみ、実施例１と同様に
炭素化、炭化珪素化して２１ｔＬｍの炭化珪素シートを
得た。
断し平面仕上げした黒鉛板にはさみ、実施例１と同様に
炭素化、炭化珪素化して２１ｔＬｍの炭化珪素シートを
得た。
実施例４
厚み４５７１ｍ及び９ＤＩ１ｍの市販のリンター紙をそ
れぞれ、平面性−Ｌげした黒鉛板にはさみ、真空下で１
０℃／分の昇温速度で１０００℃に加熱し炭素質シート
を得た。このシートを実施例１と同様に炭化珪素化して
３５ＬＬｍと７１ａｍの炭化珪素シートを得た。
れぞれ、平面性−Ｌげした黒鉛板にはさみ、真空下で１
０℃／分の昇温速度で１０００℃に加熱し炭素質シート
を得た。このシートを実施例１と同様に炭化珪素化して
３５ＬＬｍと７１ａｍの炭化珪素シートを得た。
［比較例］
黒鉛成形体上に実施例１と同様の方法で炭化珪素膜を５
０１Ｌｍ蒸着し、黒鉛を酸化除去し炭化珪素膜を得た。
０１Ｌｍ蒸着し、黒鉛を酸化除去し炭化珪素膜を得た。
これらのシートについて、強度と、密度及び反りを調べ
た結果を表１に示す。表より従来の化学気相蒸着法で得
られた物と同程度の強度を持ち、反りのない炭化珪素シ
ートが得られた。なお、比較例のものは密度がほぼ理論
値であるのに拘らず引張り強度が弱いのは納品が独立し
、粒界がはっきりしているためと思われる。
た結果を表１に示す。表より従来の化学気相蒸着法で得
られた物と同程度の強度を持ち、反りのない炭化珪素シ
ートが得られた。なお、比較例のものは密度がほぼ理論
値であるのに拘らず引張り強度が弱いのは納品が独立し
、粒界がはっきりしているためと思われる。
表 １
試？４
厚み
引張り強度
密度
（理論値に
対する％）
反りの
程度
実施例１
〃 ２
ノ１３
〃 ４
ツノ
比較例
○はガラス板上に置いたとき反り認められず。
×はガラス板上に置いたとき５０ｕＩＩ＋程度の反りが
認められた。
認められた。
（切断試験）
３０ｍｍφｍｍ−ドを用い周速度３０００ｍ ／分（約
３０．０００ｒｐｍ ） 、切断速度１ｍ／分で、シリ
コンウェハーに深さ ２０１１ｕｍの溝切を行なった。
３０．０００ｒｐｍ ） 、切断速度１ｍ／分で、シリ
コンウェハーに深さ ２０１１ｕｍの溝切を行なった。
この時、シリコンウェハーの溝が１８０μｍの深さ（ブ
レード□が２０ａ ｍ摩耗〉になったところで、切断距
離の比較を行なった。結果を表２に石ず。
レード□が２０ａ ｍ摩耗〉になったところで、切断距
離の比較を行なった。結果を表２に石ず。
表 ２
傘）切断抵抗が高く、破壊した。
以上のように、比較例に記した密度の高い炭化珪素に比
べ、密度の低い炭化珪素を用いることで、切断能力が向
上することを確認した。
べ、密度の低い炭化珪素を用いることで、切断能力が向
上することを確認した。
［発明の効果］
以上説明したように、比較的入手しやすい材料で、今ま
で得られていない厚みの薄い炭化珪素シートの作製が可
能になった。このシートは、半導体回路切断用や超精密
切断用のブレード、面状発熱体等に利用できる。なお、
使用形状への加工は、放電加工またはレーザー加工が可
能である。
で得られていない厚みの薄い炭化珪素シートの作製が可
能になった。このシートは、半導体回路切断用や超精密
切断用のブレード、面状発熱体等に利用できる。なお、
使用形状への加工は、放電加工またはレーザー加工が可
能である。
第１図は、炭素質シートを炭化珪素化するための反応装
置の概略断面図である。 ｌ・・・・・・反応容器、２・・−・・炭素と二酸化珪
素の混合粉末、３・・−・・−容器、４・・・・・・炭
素質シート、５・・・・・・支持金、６−・・・・・シ
ート。
置の概略断面図である。 ｌ・・・・・・反応容器、２・・−・・炭素と二酸化珪
素の混合粉末、３・・−・・−容器、４・・・・・・炭
素質シート、５・・・・・・支持金、６−・・・・・シ
ート。
Claims (2)
- （１）厚さが５〜１００μｍ、密度が理論値の５０〜９
５％、引張り強度が１５ｋｇｆ／ｍｍ＾２以上である炭
化珪素シート。 - （２）有機質シートを焼成した炭素質あるいは黒鉛質の
シートを基材とし、これを炭化珪素化することを特徴と
する炭化珪素シートの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319980A JP2763942B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 炭化珪素シートの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319980A JP2763942B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 炭化珪素シートの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183612A true JPH03183612A (ja) | 1991-08-09 |
| JP2763942B2 JP2763942B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=18116400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1319980A Expired - Fee Related JP2763942B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 炭化珪素シートの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2763942B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001071253A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-21 | Sulzer Chemtech Ag | 形状加工された薄片を分離するための方法 |
| CN1152422C (zh) * | 2002-04-25 | 2004-06-02 | 张彩根 | 制造晶片用的碳化硅舟的切割制造方法 |
| CN108658077A (zh) * | 2018-05-08 | 2018-10-16 | 浙江工业大学之江学院 | 激光辐照+溶胶凝胶复合制备纳米SiC颗粒的方法 |
| JP2023504618A (ja) * | 2019-12-05 | 2023-02-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 固体ヒータ及び製造の方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131061A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-23 | Teijin Ltd | シリコンカーバイドシートの製造法 |
| JPH01249660A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-04 | Teijin Ltd | 炭火珪素系シート及びその製造法 |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP1319980A patent/JP2763942B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131061A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-23 | Teijin Ltd | シリコンカーバイドシートの製造法 |
| JPH01249660A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-04 | Teijin Ltd | 炭火珪素系シート及びその製造法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001071253A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-21 | Sulzer Chemtech Ag | 形状加工された薄片を分離するための方法 |
| JP4515608B2 (ja) * | 1999-08-25 | 2010-08-04 | ズルツァー・ケムテック・アクチェンゲゼルシャフト | 形状加工された薄片を分離するための方法及び同方法を行うための設備 |
| CN1152422C (zh) * | 2002-04-25 | 2004-06-02 | 张彩根 | 制造晶片用的碳化硅舟的切割制造方法 |
| CN108658077A (zh) * | 2018-05-08 | 2018-10-16 | 浙江工业大学之江学院 | 激光辐照+溶胶凝胶复合制备纳米SiC颗粒的方法 |
| CN108658077B (zh) * | 2018-05-08 | 2021-08-17 | 浙江工业大学之江学院 | 激光辐照+溶胶凝胶复合制备纳米SiC颗粒的方法 |
| JP2023504618A (ja) * | 2019-12-05 | 2023-02-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 固体ヒータ及び製造の方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2763942B2 (ja) | 1998-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109824374B (zh) | 在碳碳复合保温材料表面制备高性能碳化硅涂层的方法 | |
| JP5861016B1 (ja) | ムライト焼結体、その製法及び複合基板 | |
| TW202413743A (zh) | 使用得自聚合物之高純度碳化矽之氣相沉積設備與技術 | |
| US11198648B2 (en) | Cordierite-based sintered body, method for producing the same, and composite substrate | |
| US6217969B1 (en) | Sputtering target disk | |
| JP4490304B2 (ja) | サセプタ | |
| JPH03183612A (ja) | 炭化珪素シートの製造法 | |
| CN105506735A (zh) | 一种多晶硅铸锭用碳材料结构件及其制备方法 | |
| KR100419811B1 (ko) | 피복 다이아몬드, 그의 제조방법 및 그의 복합재료 | |
| JPH1017382A (ja) | 炭化珪素成形体の製造方法 | |
| JP4382919B2 (ja) | シリコン含浸炭化珪素セラミックス部材の製造方法 | |
| CN111278792A (zh) | 取向陶瓷烧结体的制法以及平坦片材 | |
| JP4619036B2 (ja) | 炭素複合部材 | |
| JP4274833B2 (ja) | 多結晶シリコン鋳造用部材 | |
| JPH1179843A (ja) | 炭化ケイ素構造体の製造方法および該製造方法による炭化ケイ素構造体 | |
| JPH1179847A (ja) | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 | |
| JP3938218B2 (ja) | 多孔質炭化珪素成形体 | |
| JP2000288916A (ja) | 研磨処理用治具 | |
| KR102495165B1 (ko) | 탄화규소 분말 제조방법 | |
| JPH10182232A (ja) | 炭化ケイ素成形体の製造方法 | |
| JPH046166A (ja) | 高靭性セラミックスの製造方法 | |
| JP2001073139A (ja) | 炭化ケイ素質成形体の製造方法 | |
| JP4002325B2 (ja) | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 | |
| KR101943896B1 (ko) | 실리콘 잉곳 제조용 컨테이너, 그 제조방법, 및 결정질 실리콘 잉곳의 제조방법 | |
| JP3803148B2 (ja) | 積層部材の再生使用方法およびこれに使用する積層部材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |