JPH03183046A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03183046A JPH03183046A JP32175589A JP32175589A JPH03183046A JP H03183046 A JPH03183046 A JP H03183046A JP 32175589 A JP32175589 A JP 32175589A JP 32175589 A JP32175589 A JP 32175589A JP H03183046 A JPH03183046 A JP H03183046A
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- Japan
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- film
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- optical recording
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は書き換え可能な光磁気ディスクのような記録媒
体に関するものであり、特にptとC。
体に関するものであり、特にptとC。
を積層する光磁気記録媒体に関する。
(ロ)従来の技術
P t / Co積層膜はJAPANESE JOU
RNAL OF APPLIED PHYSIC5゜V
o 1.28.NO,4,APRIL、1989.L6
59〜L660に掲載されているように第2図に示すよ
うなP t (4)とCo(5)をガラス基板(6)上
に積層する構造に於て、膜厚数100Å以下の超薄膜領
域で垂直磁化膜になり、積層周期や膜厚の条件を変える
事とによってカー回転角や保磁力等の磁気特性が変わっ
てくる。
RNAL OF APPLIED PHYSIC5゜V
o 1.28.NO,4,APRIL、1989.L6
59〜L660に掲載されているように第2図に示すよ
うなP t (4)とCo(5)をガラス基板(6)上
に積層する構造に於て、膜厚数100Å以下の超薄膜領
域で垂直磁化膜になり、積層周期や膜厚の条件を変える
事とによってカー回転角や保磁力等の磁気特性が変わっ
てくる。
又、基板の種類によってもその特性は変わり、第3図(
a)に示すようにガラス基板上では垂直磁化膜となるが
、樹脂系基板、この場合に於てポリカーボネート基板上
では同図(b)に示すように垂直磁化膜とならない。図
中、縦軸はカー回転角、横軸は印加磁場である。
a)に示すようにガラス基板上では垂直磁化膜となるが
、樹脂系基板、この場合に於てポリカーボネート基板上
では同図(b)に示すように垂直磁化膜とならない。図
中、縦軸はカー回転角、横軸は印加磁場である。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
ところで、P t / Co積層膜はガラス基板上に成
膜する場合に於ては、従来例のような効果を得る事がで
きるがポリカーボネート基板やアクリル基板などの樹脂
系の基板上に成膜した場合、pt/ Co積層膜は垂直
磁化膜に戒らず、光磁気ディスクとして用いる場合、そ
の主たる基板であるポリカーボネート基板に直接成膜し
ても光磁気ディスクとして戊り立たない。又、ガラス基
板上におけるP t / Co積層膜に於ても、保磁力
が数1000eと小さく、光磁気ディスクとして用いる
場合、ビットの安定性や高密度化といった点で充分な特
性を得る事ができない。
膜する場合に於ては、従来例のような効果を得る事がで
きるがポリカーボネート基板やアクリル基板などの樹脂
系の基板上に成膜した場合、pt/ Co積層膜は垂直
磁化膜に戒らず、光磁気ディスクとして用いる場合、そ
の主たる基板であるポリカーボネート基板に直接成膜し
ても光磁気ディスクとして戊り立たない。又、ガラス基
板上におけるP t / Co積層膜に於ても、保磁力
が数1000eと小さく、光磁気ディスクとして用いる
場合、ビットの安定性や高密度化といった点で充分な特
性を得る事ができない。
(ニ)問題点を解決するための手段
そこで、本発明に於いて、P t / Co積層膜と基
板との間に下地層として誘電体層や金属薄膜を設ける構
成とすることを特徴とする。
板との間に下地層として誘電体層や金属薄膜を設ける構
成とすることを特徴とする。
(ホ)作用
樹脂系の基板表面を誘電体や金属性元素で覆うことによ
ってP t / Co積層膜は垂直磁化膜となりガラス
基板上でのP t / Co積層膜と同様の効果を得る
事ができる。又、特に下地層として金属薄膜を用いた場
合に於て、基板にかかわらず保磁力を増大させる事がで
きる。
ってP t / Co積層膜は垂直磁化膜となりガラス
基板上でのP t / Co積層膜と同様の効果を得る
事ができる。又、特に下地層として金属薄膜を用いた場
合に於て、基板にかかわらず保磁力を増大させる事がで
きる。
(へ)実施例
第1図は本発明に係わる光磁気記録媒体の構成図を示し
ており、例えば基板テーブル上にポリカーボネート基板
(3)を取り付け、マグネトロンスパッタリングにより
誘電体膜である5iN(2)を100人の膜厚で底膜し
、次にPt17人/ Co 5人の周期で9層に積層し
た全厚200人のP t / Co積層膜(1)を底膜
した構成となっている。本t**における磁気光学効果
を第4図に示す。ガラス基板上での磁気光学効果と同様
の効果即ち垂直磁化膜が得られる。誘電体としてSiN
の他にSin、ZnS、5i02,5iA1ONなども
同様の効果を得る事ができる。
ており、例えば基板テーブル上にポリカーボネート基板
(3)を取り付け、マグネトロンスパッタリングにより
誘電体膜である5iN(2)を100人の膜厚で底膜し
、次にPt17人/ Co 5人の周期で9層に積層し
た全厚200人のP t / Co積層膜(1)を底膜
した構成となっている。本t**における磁気光学効果
を第4図に示す。ガラス基板上での磁気光学効果と同様
の効果即ち垂直磁化膜が得られる。誘電体としてSiN
の他にSin、ZnS、5i02,5iA1ONなども
同様の効果を得る事ができる。
又、同様に第1図に示す構造に於て、誘電体層を金属薄
膜層に置き換えても垂直磁化膜を得る事ができる。第5
図に金属薄膜層として500人の膜厚のAgを用いた場
合の磁気光学効果を示す。
膜層に置き換えても垂直磁化膜を得る事ができる。第5
図に金属薄膜層として500人の膜厚のAgを用いた場
合の磁気光学効果を示す。
この場合に於ては、保磁力がIKOeと従来のPt /
Co積層膜の保磁力である4 000eと比べて増大
する。金属薄膜元素としてMg、AI、Si、Ti、V
、Cr、Mn、Fe、Co、Ni+Cu、Zn、Ga、
Ge、As、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru
、Rh、Pb、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、
Hf、Ta、W、Re、Os、I r、Pt、Au、T
i。
Co積層膜の保磁力である4 000eと比べて増大
する。金属薄膜元素としてMg、AI、Si、Ti、V
、Cr、Mn、Fe、Co、Ni+Cu、Zn、Ga、
Ge、As、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru
、Rh、Pb、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、
Hf、Ta、W、Re、Os、I r、Pt、Au、T
i。
Pb、Biのいずれかの元g%用いる事によって同様の
効果を得る事ができる。
効果を得る事ができる。
(ト)発明の効果
以上、本発明に依れば樹脂系の基板上においてもP t
/ Co積層膜を垂直磁化膜にする事ができ、実際に
光磁気ディスクとして用いる場合に於て、最ら光磁気デ
ィスク基板として優れているポリカーボネート基板を用
いる事ができる。又、保磁力を増大させる事ができるた
め、最小ビット径を小さくする事ができ、高密度記録に
関しての特性を向上させる事ができる。
/ Co積層膜を垂直磁化膜にする事ができ、実際に
光磁気ディスクとして用いる場合に於て、最ら光磁気デ
ィスク基板として優れているポリカーボネート基板を用
いる事ができる。又、保磁力を増大させる事ができるた
め、最小ビット径を小さくする事ができ、高密度記録に
関しての特性を向上させる事ができる。
第1図は本発明の一実施例を示す光磁気記録媒体の構成
図、第2図は従来のP t / Co積層膜の構成図、
* 3 em(a )(b )(!ffl米)P t
/Co M層膜の光磁気特性図、第4図と第55Aは本
発明に係わる光学磁気特性図である。 (1〉・・・P t / Co積層膜 (2)・・・誘電体膜又は金属薄膜、(3)・・・樹脂
基板(4)・・・Pt膜、(5)・・・Co膜。 (6)・・・ガラス基板。
図、第2図は従来のP t / Co積層膜の構成図、
* 3 em(a )(b )(!ffl米)P t
/Co M層膜の光磁気特性図、第4図と第55Aは本
発明に係わる光学磁気特性図である。 (1〉・・・P t / Co積層膜 (2)・・・誘電体膜又は金属薄膜、(3)・・・樹脂
基板(4)・・・Pt膜、(5)・・・Co膜。 (6)・・・ガラス基板。
Claims (3)
- (1)PtとCoを積層する構造の光磁気記録媒体に於
て、Pt/Co積層膜と基板との間に下地層を設ける事
を特徴とする光磁気記録媒体。 - (2)前記基板に樹脂系基板を用いる事を特徴とする請
求項(1)記載の光磁気記録媒体。 - (3)前記下地層に金属薄膜を用いる事を特徴とする請
求項(1)記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32175589A JPH03183046A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32175589A JPH03183046A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03183046A true JPH03183046A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18136087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32175589A Pending JPH03183046A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03183046A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01169757A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-05 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH01251356A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-10-06 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH0256752A (ja) * | 1987-08-26 | 1990-02-26 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP32175589A patent/JPH03183046A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0256752A (ja) * | 1987-08-26 | 1990-02-26 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH01169757A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-05 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH01251356A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-10-06 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
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