JPH03180077A - ホトカプラ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、発光素子と受光素子を含む集積回路からなる
ホトカプラに関する。

〔従来の技術〕

従来のホトカプラは、第３図に示すように、発光素子１
と受光素子２を対向配置し、素子間に透明エポキシ樹脂
３を充填し、全体を黒色エポキシ樹脂４で封入した構造
になっている。このホトカプラの受光素子２は第２図に
示すように光電変換部１１と、光電変換部で得られた電
気信号を増幅や波形整形等の処理を行う信号処理部１２
とから成り、光電変換部の受光面前方に透明な導電膜１
３を設けて、同相信号除去比（ＣＭＲＲ）の改善が設け
られている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のホトカプラは、第３図に示すように発光
素子と受光素子とがある距離を置いて配置されている為
、この部分で寄生コンデンサが形成されてしまいこの寄
生コンデンサが入力側（発光素子側〉から入った電気的
ノイズを出力側（受光素子側）に伝達してしまい、信号
処理部の増幅等を施す集積回路により、さらにノイズが
増幅される為出力が誤動作するという不具合が生ずる。

このためホトカプラのＣＭＲＲを高めることが出来ない
。

本発明はこのような問題点を解決し、ＣＭＲＲの優れた
ホトカプラを得ることを特徴としている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のホトカプラは、光電変換部と当該光電変換部か
らの電気信号を処理する信号処理部とを同一基板上に有
する受光素子と、入力電気信号に応じて発光する発光素
子とを対向配置して成るホトカプラにおいて、前記光電
変換部の受光面に透明導電膜を備え前記信号処理部上に
、端部が前記透明導電膜の端部とオーバーラツプした導
電膜を備え、さらに、前記透明導電膜及び導電膜が前記
基板に接続されていることを特徴とする構成になってい
る。

ｒ実施例〕 第１図に本発明のホトカプラの受光素子の断面図を示す
。

発光素子と受光素子を対向配置し、樹脂で封入する点は
従来と同じなので、全体を示す図は省略し、本発明の本
質的な部分である受光素子のみを示した。また、受光素
子が光電変換部１１と信号処理１２とから成る点も従来
と変らない。

光電変換部１１の表面に酸化膜１５を介してポリシリコ
ンで成る透明導電膜１３を設け、さらに、透明導電膜１
３を窒化ＪＩ１１６で被覆し、その上に眉間絶縁膜１７
を形成している。層間絶縁膜１７には光電変換部１１を
除く領域、すなわち、信号処理部１２上に遮光も兼ねた
導電膜としてアルミニウム膜１８が形成されている。こ
のアルミニウム膜１８の端部と透明導電膜１３の端部は
、第１図のＡ部で示すように、オーバーラツプしている
。また、透明導電膜１３とアルミニウム膜１８は基板１
９に接続（図示省略）されて最低電位（グランド電位〉
になるようになっている。

尚、発光素子、光電変換部、信号処理部等の構造や配置
等は従来と変らないので説明は省略した。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明のホトカプラは受光素子の受
光面側（発光素子に対向した面〉が導電膜で覆われてい
るのでホトカプラの受光素子全体がシールドされ、ＣＭ
ＲＲの改善が出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるホトカプラの受光素子の断面図、
第２図、第３図は従来のホトカプラの受光素子及びホト
カプラの断面図である。 １・・・発光素子、２・・・受光素子、３・・・透明エ
ポキシ樹脂、４・・・黒色エポキシ樹脂、１１・・・光
電変換部、１２・・・信号処理部、１３・・・透明導電
膜、１８・・・アルミニウム膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　光電変換部と当該光電変換部からの電気信号を処理す
   る信号処理部とを同一基板上に有する受光素子と、入力
   電気信号に応じて発光する発光素子とを対向配置して成
   るホトカプラにおいて、前記光電変換部の受光面に透明
   導電膜を備え前記信号処理部上に、端部が前記透明導電
   膜の端部とオーバーラップした導電膜を備え、さらに、
   前記透明導電膜及び導電膜が前記基板に接続されている
   ことを特徴とするホトカプラ。