JPH0730132A - 受光モジュールの構造 - Google Patents
受光モジュールの構造Info
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- JPH0730132A JPH0730132A JP5170224A JP17022493A JPH0730132A JP H0730132 A JPH0730132 A JP H0730132A JP 5170224 A JP5170224 A JP 5170224A JP 17022493 A JP17022493 A JP 17022493A JP H0730132 A JPH0730132 A JP H0730132A
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装工事を簡単にできる受光モジュールの構
造を提供すること。 【構成】 受光モジュールの構造は、ＡＤＰ素子１と、
前置ＡｍｐＩＣチップ３と、パッケージ５と、ガラス７
と、フレームグランド用シャーシ９と、セラミンクリン
グ１０とを具備している。また、パッケージ５のランド
１１の上には、前置ＡｍｐＩＣチップ３の裏面を固定し
ている。これにより前置ＡｍｐＩＣチップ３はパッケー
ジ５に導通する。また、パッケージ５は、その周囲を絶
縁体を介在させてフレームグランド用シャーシ９内に配
置・固定されている。ＡＤＰ素子１は、パッケージ５内
に収納されている。パッケージ５の一端面にはガラス７
が配設されており、その他端面からリード端子１５が突
出している。このような構造の受光モジュールは、ガラ
ス７の面に光ファイバ１７を当接して使用される。
造を提供すること。 【構成】 受光モジュールの構造は、ＡＤＰ素子１と、
前置ＡｍｐＩＣチップ３と、パッケージ５と、ガラス７
と、フレームグランド用シャーシ９と、セラミンクリン
グ１０とを具備している。また、パッケージ５のランド
１１の上には、前置ＡｍｐＩＣチップ３の裏面を固定し
ている。これにより前置ＡｍｐＩＣチップ３はパッケー
ジ５に導通する。また、パッケージ５は、その周囲を絶
縁体を介在させてフレームグランド用シャーシ９内に配
置・固定されている。ＡＤＰ素子１は、パッケージ５内
に収納されている。パッケージ５の一端面にはガラス７
が配設されており、その他端面からリード端子１５が突
出している。このような構造の受光モジュールは、ガラ
ス７の面に光ファイバ１７を当接して使用される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信等に使用される
光受信部の受光モジュールの構造の改良に関する。
光受信部の受光モジュールの構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の受光モジュールは、大別
すると、図２に示すように、アバランシェフォトダイオ
ード素子（ＡＤＰ素子）１０１と、前置増幅器集積回路
チップ（前置ＡｍｐＩＣチップ）１０３と、パッケージ
１０５と、ガラス１０７と、フレームグランド用シャー
シ１０９とを具備したものが一般的である。ここで、パ
ッケージ１０５は、金属でもって中空円筒形状に形成さ
れており、かつ軸方向の一端面が閉じた構造をしてい
る。パッケージ１０５には、光電変換をするＡＤＰ素子
１０１と、マイクロチップコンデンサ１１１を介してパ
ッケージ１０５のケースアース上に実装されている前置
ＡｍｐＩＣチップ１０３とが収納されている。ＡＤＰ素
子１０１と前置ＡｍｐＩＣチップ１０３は、ボンディン
グワイヤ１１３で接続されている。また、パッケージ１
０５の軸方向他端面にはガラス１０７が配設されてい
る。パッケージ１０５の一端面側には、リード端子１１
５が配設されている。そして、この受光モジュールは、
パッケージ１０５をシャーシ１０９に嵌合した状態で、
受光モジュールのガラス１０７の面に光ファイバ１１７
を配置して使用されるものである。
すると、図２に示すように、アバランシェフォトダイオ
ード素子（ＡＤＰ素子）１０１と、前置増幅器集積回路
チップ（前置ＡｍｐＩＣチップ）１０３と、パッケージ
１０５と、ガラス１０７と、フレームグランド用シャー
シ１０９とを具備したものが一般的である。ここで、パ
ッケージ１０５は、金属でもって中空円筒形状に形成さ
れており、かつ軸方向の一端面が閉じた構造をしてい
る。パッケージ１０５には、光電変換をするＡＤＰ素子
１０１と、マイクロチップコンデンサ１１１を介してパ
ッケージ１０５のケースアース上に実装されている前置
ＡｍｐＩＣチップ１０３とが収納されている。ＡＤＰ素
子１０１と前置ＡｍｐＩＣチップ１０３は、ボンディン
グワイヤ１１３で接続されている。また、パッケージ１
０５の軸方向他端面にはガラス１０７が配設されてい
る。パッケージ１０５の一端面側には、リード端子１１
５が配設されている。そして、この受光モジュールは、
パッケージ１０５をシャーシ１０９に嵌合した状態で、
受光モジュールのガラス１０７の面に光ファイバ１１７
を配置して使用されるものである。
【０００３】また、受光モジュールは、前置ＡｍｐＩＣ
チップ１０３の裏面のサブが負電源と導通している場合
には、マイクロチップコンデンサ１１１を介して交流的
に接地させている。
チップ１０３の裏面のサブが負電源と導通している場合
には、マイクロチップコンデンサ１１１を介して交流的
に接地させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の受光
モジュールにあっては、マイクロチップコンデンサ１１
１を実装してから、前置ＡｍｐＩＣチップ１０３を実装
しているため、マイクロチップコンデンサ１１１の実装
精度（位置、水平度）により、次工程における前置Ａｍ
ｐＩＣチップ１０３の実装工程作業時間が大きく左右さ
れてしまうことになる。特に、マイクロチップコンデン
サの水平度が確保できない場合は、ワイヤボンデング工
事に支障をきたすことがある。
モジュールにあっては、マイクロチップコンデンサ１１
１を実装してから、前置ＡｍｐＩＣチップ１０３を実装
しているため、マイクロチップコンデンサ１１１の実装
精度（位置、水平度）により、次工程における前置Ａｍ
ｐＩＣチップ１０３の実装工程作業時間が大きく左右さ
れてしまうことになる。特に、マイクロチップコンデン
サの水平度が確保できない場合は、ワイヤボンデング工
事に支障をきたすことがある。
【０００５】そこで、本発明の目的は、実装工程の作業
時間を短縮できる受光モジュールの構造を提供すること
にある。
時間を短縮できる受光モジュールの構造を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の受光モジ
ュールの構造は、光電変換するアバランシェフォトダイ
オード素子およびこの素子からの電気信号を増幅する前
置増幅器集積回路チップを収納した金属性の同軸型パッ
ケージと、このパッケージの軸方向端面に設けたガラス
と、このパッケージを収納するフレームグランド用シャ
ーシとを備えた受光モジュールにおいて、前置増幅器集
積回路チップの裏面を上記パケージに導通させて配置
し、かつパッケージの周囲にフローティング用セラミッ
クリングを介在させてフレームグランド用シャーシ内に
配置したことを特徴とするものである。
ュールの構造は、光電変換するアバランシェフォトダイ
オード素子およびこの素子からの電気信号を増幅する前
置増幅器集積回路チップを収納した金属性の同軸型パッ
ケージと、このパッケージの軸方向端面に設けたガラス
と、このパッケージを収納するフレームグランド用シャ
ーシとを備えた受光モジュールにおいて、前置増幅器集
積回路チップの裏面を上記パケージに導通させて配置
し、かつパッケージの周囲にフローティング用セラミッ
クリングを介在させてフレームグランド用シャーシ内に
配置したことを特徴とするものである。
【０００７】すなわち請求項１記載の受光モジュールの
構造では、パッケージが絶縁体を介してフレームグラン
ド用シャーシ内に配置されているため、パッケージとシ
ャーシとが電気的に絶縁され、かつパッケージとシャー
シとの間に発生する静電容量分で交流的に接地されるこ
とになり、前置増幅器集積回路チップをパッケージに配
置する際にマイクロチップコンデンサが不要になる。し
たがって、マイクロチップコンデンサを実装する工程が
不要になり、かつマイクロチップコンデンサの実装精度
による次工程の前置増幅器集積回路チップの実装作業の
困難が解消されることになる。
構造では、パッケージが絶縁体を介してフレームグラン
ド用シャーシ内に配置されているため、パッケージとシ
ャーシとが電気的に絶縁され、かつパッケージとシャー
シとの間に発生する静電容量分で交流的に接地されるこ
とになり、前置増幅器集積回路チップをパッケージに配
置する際にマイクロチップコンデンサが不要になる。し
たがって、マイクロチップコンデンサを実装する工程が
不要になり、かつマイクロチップコンデンサの実装精度
による次工程の前置増幅器集積回路チップの実装作業の
困難が解消されることになる。
【０００８】請求項２記載のパッケージは、その底から
一定の高さの金属製ランドを形成し、かつこの金属性ラ
ンド上に前置増幅器集積回路チップを配置できる構造と
している。
一定の高さの金属製ランドを形成し、かつこの金属性ラ
ンド上に前置増幅器集積回路チップを配置できる構造と
している。
【０００９】すなわち請求項２記載のパッケージによれ
ば、パッケージの底から一定高さのランドが形成し、こ
のランドに前置増幅器集積回路チップを実装することに
より、アバランシェフォトダイオード素子の実装高さほ
ぼ同一にし、これによりボンディングワイヤ作業が簡単
になる。
ば、パッケージの底から一定高さのランドが形成し、こ
のランドに前置増幅器集積回路チップを実装することに
より、アバランシェフォトダイオード素子の実装高さほ
ぼ同一にし、これによりボンディングワイヤ作業が簡単
になる。
【００１０】請求項３記載の絶縁体は、セラミックリン
グで構成したことを特徴とするものである。
グで構成したことを特徴とするものである。
【００１１】すなわち請求項３記載の絶縁体は、セラミ
ックリングで構成してあるため、パッケージとシャーシ
とを確実に固定できることになる。
ックリングで構成してあるため、パッケージとシャーシ
とを確実に固定できることになる。
【００１２】
【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。
【００１３】図１は、本発明の受光モジュールの構造の
一実施例を示す断面図である。この図に示す受光モジュ
ールの構造は、大別すると、ＡＤＰ素子１と、前置Ａｍ
ｐＩＣチップ３と、パッケージ５と、ガラス７と、フレ
ームグランド用シャーシ９と、絶縁体のセラミンクリン
グ１０とを具備したものが一般的である。
一実施例を示す断面図である。この図に示す受光モジュ
ールの構造は、大別すると、ＡＤＰ素子１と、前置Ａｍ
ｐＩＣチップ３と、パッケージ５と、ガラス７と、フレ
ームグランド用シャーシ９と、絶縁体のセラミンクリン
グ１０とを具備したものが一般的である。
【００１４】さらに詳細に構造の説明すると、パッケー
ジ５は金属でもって中空円筒形状に形成されており、か
つ軸方向の一端面が閉じた構造をしている。パッケージ
５は、その底から一定高さであって、前置ＡｍｐＩＣチ
ップ３の平面投影面積よりやや大きな面積に形成したラ
ンド１１を設けている。ランド１１の高さは、前置Ａｍ
ｐＩＣチップ３を実装した際に、ＡＤＰ素子１の実装高
さと前置ＡｍｐＩＣチップ３の実装高さがほぼ同一にな
る程度に選択されている。
ジ５は金属でもって中空円筒形状に形成されており、か
つ軸方向の一端面が閉じた構造をしている。パッケージ
５は、その底から一定高さであって、前置ＡｍｐＩＣチ
ップ３の平面投影面積よりやや大きな面積に形成したラ
ンド１１を設けている。ランド１１の高さは、前置Ａｍ
ｐＩＣチップ３を実装した際に、ＡＤＰ素子１の実装高
さと前置ＡｍｐＩＣチップ３の実装高さがほぼ同一にな
る程度に選択されている。
【００１５】パッケージ５には、光電変換をするＡＤＰ
素子１が実装されるともに、前置ＡｍｐＩＣチップ３を
ランド１１上に実装され、収納されている。このように
実装された後、ＡＤＰ素子１と前置ＡｍｐＩＣチップ３
とは、ボンディングワイヤ１３で接続されている。ま
た、パッケージ５の軸方向他端面には、ガラス７が配設
されている。パッケージ５の一端面側には、リード端子
１５が配設されている。そして、この受光モジュール
は、パッケージ５を絶縁体のセラミンクリング１０を介
してシャーシ９に嵌合して完成する。受光モジュールの
構造において、ガラス７の面に光ファイバ１７を配置す
ることにより使用されるものである。
素子１が実装されるともに、前置ＡｍｐＩＣチップ３を
ランド１１上に実装され、収納されている。このように
実装された後、ＡＤＰ素子１と前置ＡｍｐＩＣチップ３
とは、ボンディングワイヤ１３で接続されている。ま
た、パッケージ５の軸方向他端面には、ガラス７が配設
されている。パッケージ５の一端面側には、リード端子
１５が配設されている。そして、この受光モジュール
は、パッケージ５を絶縁体のセラミンクリング１０を介
してシャーシ９に嵌合して完成する。受光モジュールの
構造において、ガラス７の面に光ファイバ１７を配置す
ることにより使用されるものである。
【００１６】このような受光モジュールの動作を簡単に
説明する。光ファイバ１７から出力された光信号は、同
軸形の金属パッケージ５の上面ガラス７を経て、ＡＤＰ
素子１に達する。受光された光信号はＡＤＰ素子１にて
電気信号に変換される。その電気信号は、ボンディング
ワイヤ１３を介して前置ＡｍｐＩＣチップ３に入力され
る。電気信号は、前置ＡｍｐＩＣチップ３で増幅されて
リード端子１５を介して次段の回路に伝達される。
説明する。光ファイバ１７から出力された光信号は、同
軸形の金属パッケージ５の上面ガラス７を経て、ＡＤＰ
素子１に達する。受光された光信号はＡＤＰ素子１にて
電気信号に変換される。その電気信号は、ボンディング
ワイヤ１３を介して前置ＡｍｐＩＣチップ３に入力され
る。電気信号は、前置ＡｍｐＩＣチップ３で増幅されて
リード端子１５を介して次段の回路に伝達される。
【００１７】次に、受光モジュールの構造の作用を説明
する。前置ＡｍｐＩＣチップ３の裏面のサブは、パッケ
ージ５のケースと導通している。ここで、前置ＡｍｐＩ
Ｃチップ３が負電源で使用されており、かつその裏面の
サブが負電源と導通しているものとする。また、金属パ
ッケージ５も負電源に帯電しているものとする。
する。前置ＡｍｐＩＣチップ３の裏面のサブは、パッケ
ージ５のケースと導通している。ここで、前置ＡｍｐＩ
Ｃチップ３が負電源で使用されており、かつその裏面の
サブが負電源と導通しているものとする。また、金属パ
ッケージ５も負電源に帯電しているものとする。
【００１８】一方、金属パッケージ５の外周はセラミン
クリング１０の内周面と接触しており、覆われている。
また、セラミンクリング１０の外周は、フレームグラン
ド用金属シャーシ９と接触されている。したがって、セ
ラミンクリング１０は、負電源に帯電した金属パッケー
ジ５とフレームグランド用シャーシ９との間に機械的に
接触されて固定されていることになるので、交流接地用
のコンデンサを形成することになる。
クリング１０の内周面と接触しており、覆われている。
また、セラミンクリング１０の外周は、フレームグラン
ド用金属シャーシ９と接触されている。したがって、セ
ラミンクリング１０は、負電源に帯電した金属パッケー
ジ５とフレームグランド用シャーシ９との間に機械的に
接触されて固定されていることになるので、交流接地用
のコンデンサを形成することになる。
【００１９】したがって、この金属パッケージ５と金属
のフレームグランド用シャーシ９との間に形成されたコ
ンデンサで交流的に接地されたことになるが、直流的に
は絶縁状態にあることになる。これにより、従来、パッ
ケージ５に前置ＡｍｐＩＣチップ３を実装する際に必要
であったマイクロチップコンデンサを省略でき、マイク
ロチップコンデンサの実装精度で次工程の前置ＡｍｐＩ
Ｃチップの実装工事が大変になるということがなくなる
ことになる。
のフレームグランド用シャーシ９との間に形成されたコ
ンデンサで交流的に接地されたことになるが、直流的に
は絶縁状態にあることになる。これにより、従来、パッ
ケージ５に前置ＡｍｐＩＣチップ３を実装する際に必要
であったマイクロチップコンデンサを省略でき、マイク
ロチップコンデンサの実装精度で次工程の前置ＡｍｐＩ
Ｃチップの実装工事が大変になるということがなくなる
ことになる。
【００２０】本発明は、ＰＩＮ型フォトダイオードなど
他の受光素子にも適用できることはいうまでもない。
他の受光素子にも適用できることはいうまでもない。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
による受光モジュールの構造によれば、パッケージに前
置ＡｍｐＩＣチップを直接実装するので、従来のように
マイクロチップコンデンサを実装する必要がなく、前置
ＡｍｐＩＣチップの実装工事が簡単になり、かつ低コス
ト化が可能になる効果がある。
による受光モジュールの構造によれば、パッケージに前
置ＡｍｐＩＣチップを直接実装するので、従来のように
マイクロチップコンデンサを実装する必要がなく、前置
ＡｍｐＩＣチップの実装工事が簡単になり、かつ低コス
ト化が可能になる効果がある。
【００２２】請求項２記載の発明によれば、パッケージ
の底から一定高さに形成されたランド上に前置ＡｍｐＩ
Ｃチップを実装するので、ボンディングワイヤ作業が簡
単になる。
の底から一定高さに形成されたランド上に前置ＡｍｐＩ
Ｃチップを実装するので、ボンディングワイヤ作業が簡
単になる。
【００２３】請求項３記載の発明によれば、パッケージ
とフレームグランド用シャーシとの間にセラミックリン
グを介在させてあるため、パッケージとシャーシとを確
実に固定できるとともに、パッケージとシャーシとでコ
ンデンサを形成させて交流的に接地できるという効果が
ある。
とフレームグランド用シャーシとの間にセラミックリン
グを介在させてあるため、パッケージとシャーシとを確
実に固定できるとともに、パッケージとシャーシとでコ
ンデンサを形成させて交流的に接地できるという効果が
ある。
【図１】本発明の受光モジュールの構造の一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】従来の受光モジュールの構造を示す断面図であ
る。
る。
１ ＡＤＰ素子 ３ 前置ＡｍｐＩＣチップ ５ パッケージ ７ ガラス ９ フレームグランド用シャーシ １０ セラミンクリング １１ ランド １３ ボンディングワイヤ １５ リード端子 １７ 光ファイバ
Claims (3)
- 【請求項１】 光電変換するアバランシェフォトダイオ
ード素子およびこの素子からの電気信号を増幅する前置
増幅器集積回路チップを収納した金属性の同軸型パッケ
ージと、このパッケージの軸方向端面に設けたガラス
と、このパッケージを収納するフレームグランド用シャ
ーシとを備えた受光モジュールにおいて、 前置増幅器集積回路チップの裏面を上記パッケージに導
通させて配置し、かつパッケージの周囲に絶縁体を介在
させてフレームグランド用シャーシ内に配置したことを
特徴とする受光モジュールの構造。 - 【請求項２】 前記パッケージは、その底から一定の高
さの金属製ランドを形成し、かつこの金属性ランド上に
前置増幅器集積回路チップを配置できる構造としてなる
ことを特徴とする請求項１記載の受光モジュールの構
造。 - 【請求項３】 前記絶縁体は、セラミックリングで構成
したことを特徴とする請求項１記載の受光モジュールの
構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5170224A JP2526493B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 受光モジュ―ルの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5170224A JP2526493B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 受光モジュ―ルの構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730132A true JPH0730132A (ja) | 1995-01-31 |
| JP2526493B2 JP2526493B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=15900973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5170224A Expired - Lifetime JP2526493B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 受光モジュ―ルの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2526493B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007003141A1 (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Wuhan Telecommunication Devices Co., Ltd. | Coaxial opto-electronic device having small form factor insulating structure |
| JP2007124473A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Yokogawa Electric Corp | 光通信装置 |
| WO2020088011A1 (zh) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 光接收次模块及光模块 |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP5170224A patent/JP2526493B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007003141A1 (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Wuhan Telecommunication Devices Co., Ltd. | Coaxial opto-electronic device having small form factor insulating structure |
| JP2008545258A (ja) * | 2005-07-05 | 2008-12-11 | ウーハン テレコミュニケーション ディバイス カンパニー、 リミテッド | 小型フォームファクタ絶縁構造を有する同軸光電デバイス |
| JP2007124473A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Yokogawa Electric Corp | 光通信装置 |
| WO2020088011A1 (zh) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 光接收次模块及光模块 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2526493B2 (ja) | 1996-08-21 |
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