JPH03177002A - 残留磁束密度及び保磁力の高いストロンチウムフェライト磁石の製造方法 - Google Patents
残留磁束密度及び保磁力の高いストロンチウムフェライト磁石の製造方法Info
- Publication number
- JPH03177002A JPH03177002A JP1315348A JP31534889A JPH03177002A JP H03177002 A JPH03177002 A JP H03177002A JP 1315348 A JP1315348 A JP 1315348A JP 31534889 A JP31534889 A JP 31534889A JP H03177002 A JPH03177002 A JP H03177002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- strontium ferrite
- cao
- moles
- ratio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 22
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 21
- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 15
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 34
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 19
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 26
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 13
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 206010016275 Fear Diseases 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はストロンチウムフェライト磁石の製造方法に関
するものである。
するものである。
〈従来の技術〉
従来モータ等の回転機器の励磁は巻線型の電磁石で行っ
ていたが省エネルギーの立場から永久磁石を使用するこ
とが多くなってきた０回転機器の励磁用永久＆１石とし
ては電機子に流れる過大な電流によって大きな反ｉｆｆ
界力報！石に作用するので保磁力（ｉｌｌｃ）の高い材
料が望まれ、ストロンチウムフェライト磁石がよく用い
られている。
ていたが省エネルギーの立場から永久磁石を使用するこ
とが多くなってきた０回転機器の励磁用永久＆１石とし
ては電機子に流れる過大な電流によって大きな反ｉｆｆ
界力報！石に作用するので保磁力（ｉｌｌｃ）の高い材
料が望まれ、ストロンチウムフェライト磁石がよく用い
られている。
しかしながらこの種のストロンチウムフェライト磁石の
磁気特性は残留磁束密度（Ｂｒ）が４００００以上の場
合は保磁力（ｉｌｌｃ）が４０００ Ｏｅ未満であり、
逆に１ｌｌｃが４０００ Ｏｅ以上の場合は［ｌｒが４
０００ Ｇ未満のものが多くＢｒ及び１ｌｌｃ共に４０
００を超えるものを得ることは極めて困難であった。
磁気特性は残留磁束密度（Ｂｒ）が４００００以上の場
合は保磁力（ｉｌｌｃ）が４０００ Ｏｅ未満であり、
逆に１ｌｌｃが４０００ Ｏｅ以上の場合は［ｌｒが４
０００ Ｇ未満のものが多くＢｒ及び１ｌｌｃ共に４０
００を超えるものを得ることは極めて困難であった。
保磁力を改善するには単磁区結晶粒子（ストロンチウム
フェライトの臨界直径は０．９６ｍ）の存在率を高くす
ればよく、そのため本焼成の前段階である仮焼組織で結
晶粒度のバラツキを小さくかつ微細粒子を構成しておく
ことが重要と考えられる。
フェライトの臨界直径は０．９６ｍ）の存在率を高くす
ればよく、そのため本焼成の前段階である仮焼組織で結
晶粒度のバラツキを小さくかつ微細粒子を構成しておく
ことが重要と考えられる。
ところが従来、仮焼温度は１３００℃程度としてできる
だけ結晶粒を粗大化し、単結晶に近いものを得るように
心がけられていたので、仮焼温度が高く、仮焼体の結晶
粒度のバラツキは異常に大きいものとなっていた。
だけ結晶粒を粗大化し、単結晶に近いものを得るように
心がけられていたので、仮焼温度が高く、仮焼体の結晶
粒度のバラツキは異常に大きいものとなっていた。
一方ストロンチウムフェライト磁石を製造する場合にＳ
ｒＯとＦｅ□０．のモル数の比ｎを、幾分ＳｒＯ過剰に
する（ｎ＜６）方がよいことが経験的に知られており、
特開昭４９−７２６９５号公報にも開示されている。
ｒＯとＦｅ□０．のモル数の比ｎを、幾分ＳｒＯ過剰に
する（ｎ＜６）方がよいことが経験的に知られており、
特開昭４９−７２６９５号公報にも開示されている。
しかし過剰ＳｒＯは結晶粒の成長を促進させるため、単
磁区結晶粒子の存在率を高めることができず、磁気特性
は満足いくものではなかった。
磁区結晶粒子の存在率を高めることができず、磁気特性
は満足いくものではなかった。
また、ストロンチウムフェライト磁石は焼成温度を高め
るにつれて焼成密度の向上と結晶粒の成長により残留磁
束密度は向上するが保磁力は著しく低下する。そこで粒
成長抑制添加物を多く含有させれば保磁力は４０００
Ｏｅ以上に高めることはできるが、この場合には非磁性
組成の増加、結晶配向度の低下等により、残留磁束密度
が低下する。
るにつれて焼成密度の向上と結晶粒の成長により残留磁
束密度は向上するが保磁力は著しく低下する。そこで粒
成長抑制添加物を多く含有させれば保磁力は４０００
Ｏｅ以上に高めることはできるが、この場合には非磁性
組成の増加、結晶配向度の低下等により、残留磁束密度
が低下する。
〈発明が解決しようとするｎｕ＞
本発明の目的は、これら従来技術の欠点を改良し、安定
してＢｒ≧４０００（Ｇ）、 １ｌｌｃ＞４０００ （
Ｏｅ）の磁気特性を得ることができるストロンチウムフ
ェライト磁石の製造方法を提供することである。
してＢｒ≧４０００（Ｇ）、 １ｌｌｃ＞４０００ （
Ｏｅ）の磁気特性を得ることができるストロンチウムフ
ェライト磁石の製造方法を提供することである。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、酸化鉄と炭酸ストロンチウムを混合し、仮焼
した後、該仮焼物を粉砕し、しかる後磁場中成形して得
られる成形体を焼成しストロンチウムフェライＬ１１石
を製造する方法において、炭酸ストロンヂウム１モルに
対しＦｅ、Ｏ，を５．５〜５．８モルおよびＳｉＯ２を
Ｘモル、ただし、Ｆｅ、Ｏ，のモル数と（１−ｘ）モル
の比が６となる＆ｌｌ威比で混合し、１０００〜１１７
０℃の温度で仮焼した後、該仮焼物を粉砕し、次いで該
仮焼粉にさらに重量比でＳｉＯ２を０．５１〜０．６５
％、ＣａＯを０．３５〜０．４９％かッＣａＯ／ＳｔＯ
＊カ０．６〜０．８ ＃よび必要に応じ”ＩＡＩ、Ｏ，
を０．２％以下となるように添加した後、磁場中成形し
、これを下記の焼成温度（Ｔｓ）で焼成することを特徴
とする残留磁束密度及び保磁力の高いストロンチウムフ
ェライト磁石の製造方法である。
した後、該仮焼物を粉砕し、しかる後磁場中成形して得
られる成形体を焼成しストロンチウムフェライＬ１１石
を製造する方法において、炭酸ストロンヂウム１モルに
対しＦｅ、Ｏ，を５．５〜５．８モルおよびＳｉＯ２を
Ｘモル、ただし、Ｆｅ、Ｏ，のモル数と（１−ｘ）モル
の比が６となる＆ｌｌ威比で混合し、１０００〜１１７
０℃の温度で仮焼した後、該仮焼物を粉砕し、次いで該
仮焼粉にさらに重量比でＳｉＯ２を０．５１〜０．６５
％、ＣａＯを０．３５〜０．４９％かッＣａＯ／ＳｔＯ
＊カ０．６〜０．８ ＃よび必要に応じ”ＩＡＩ、Ｏ，
を０．２％以下となるように添加した後、磁場中成形し
、これを下記の焼成温度（Ｔｓ）で焼成することを特徴
とする残留磁束密度及び保磁力の高いストロンチウムフ
ェライト磁石の製造方法である。
Ｔｚ ＝ （３０Ａ １３） ／ｎ＋１１００ （Ａ
）＋１６７０ （”Ｃ） 但し、Ｔ１は仮焼温度（”Ｃ）、 ＡはＭ２Ｏ，含有量（ｗｔ％）である。
）＋１６７０ （”Ｃ） 但し、Ｔ１は仮焼温度（”Ｃ）、 ＡはＭ２Ｏ，含有量（ｗｔ％）である。
〈作 用〉
ストロンチウムフェライトの組成比、即ちｎ値はＳｒＯ
とＦｅ２Ｏ３のモル数の比で化学Ｉｔ論的にはｎ＝６で
あり、ｎ＜（ｉの場合にはＳｒＯが過剰となり、フェラ
イト化反応を促進し、結晶粒の粗大化作用があることが
知られている。一方ｎ＞（ｉの場合にはＦｅ、０３が過
剰となり残留磁束密度が低下する。
とＦｅ２Ｏ３のモル数の比で化学Ｉｔ論的にはｎ＝６で
あり、ｎ＜（ｉの場合にはＳｒＯが過剰となり、フェラ
イト化反応を促進し、結晶粒の粗大化作用があることが
知られている。一方ｎ＞（ｉの場合にはＦｅ、０３が過
剰となり残留磁束密度が低下する。
本発明ではｎ値が５．５未満では過剰ＳｒＯが多く、過
剰ＳｒＯと当モルのＳｉＯ□量を仮焼前に添加するため
仮焼組織が微細になりすぎる。一方ｎ値が５．８を超え
ると過剰ＳｒＯと当モルのＳｉＯ□量が少なく、従って
仮焼前に少量のＳｉＯ□を添加しても仮焼組織が比較的
大きく、粒度のバラツキも大きくなり、Ｓ：Ｏｔの仮焼
前添加効果が小さくなる。
剰ＳｒＯと当モルのＳｉＯ□量を仮焼前に添加するため
仮焼組織が微細になりすぎる。一方ｎ値が５．８を超え
ると過剰ＳｒＯと当モルのＳｉＯ□量が少なく、従って
仮焼前に少量のＳｉＯ□を添加しても仮焼組織が比較的
大きく、粒度のバラツキも大きくなり、Ｓ：Ｏｔの仮焼
前添加効果が小さくなる。
仮焼温度に関しては１０００−１１７０℃というように
従来に較べて低温の仮焼温度を採用することにより、ま
たＳｉｎ、の仮焼前添加との複合効果により仮焼、ｔｕ
ｉａは１〜２μ＋１１の微細粒子となり、結晶粒度のバ
ラツキも小さい、その結果、粉砕工程で既に単磁区結晶
粒子の存在率を高めるのに寄与している。
従来に較べて低温の仮焼温度を採用することにより、ま
たＳｉｎ、の仮焼前添加との複合効果により仮焼、ｔｕ
ｉａは１〜２μ＋１１の微細粒子となり、結晶粒度のバ
ラツキも小さい、その結果、粉砕工程で既に単磁区結晶
粒子の存在率を高めるのに寄与している。
次に添加物に関して述べる。
従来からＳｉＯ□の添加効果としては結晶粒のＩＩＩ大
化を抑制し、保６ｉｌ力の高い！ｆｉ石が得られること
が知られている。Ａｌｘ（ｈ もＳｉＯ２と同様な作用
効果が認められているが、５ｉＯｚよりも結晶粒粗大化
の抑制作用が小さい、一方ＣａＯはＳｉＯ□やＡ１１０
３とは異なり、フェライト化反応を促進し、結晶粒の粗
大化及び高密度化する作用のあることが知られてい本発
明者らは添加物と仮焼温度（ＴＩ）及び焼成温度（Ｔｓ
）等、数多くの因子を含めた実験を重ね検討した結果、
残留磁束密度、Ｂｒ≧４０００（Ｃ；）及び保磁力、１
ｌｌｃ≧４０００ （Ｏｅ）を同時に満足する高Ｂｒ、
高ｉＨｃのストロンチウムフェライト磁石の製造方法を
発見した。
化を抑制し、保６ｉｌ力の高い！ｆｉ石が得られること
が知られている。Ａｌｘ（ｈ もＳｉＯ２と同様な作用
効果が認められているが、５ｉＯｚよりも結晶粒粗大化
の抑制作用が小さい、一方ＣａＯはＳｉＯ□やＡ１１０
３とは異なり、フェライト化反応を促進し、結晶粒の粗
大化及び高密度化する作用のあることが知られてい本発
明者らは添加物と仮焼温度（ＴＩ）及び焼成温度（Ｔｓ
）等、数多くの因子を含めた実験を重ね検討した結果、
残留磁束密度、Ｂｒ≧４０００（Ｃ；）及び保磁力、１
ｌｌｃ≧４０００ （Ｏｅ）を同時に満足する高Ｂｒ、
高ｉＨｃのストロンチウムフェライト磁石の製造方法を
発見した。
次に本発明における添加物の添加量、Ｃａｂ／ＳｉＪ比
及び仮焼温度（ＴＩ）、焼成温度（Ｔｓ）の限定理由を
以下に説明する。
及び仮焼温度（ＴＩ）、焼成温度（Ｔｓ）の限定理由を
以下に説明する。
ｎ（直：前述したようにｎ値が５．５未満では仮焼前に
添加する５ｌｏｔ量が多いために仮焼組織が微細になり
すぎる。ｎ値が５．８を超えるとＳｉＯ２の仮焼前添加
量が少なく、仮焼組織が比較的大きく粒度のバラツキも
大きくなり、ＳｉＯ２の仮焼前添加効果が小さくなる。
添加する５ｌｏｔ量が多いために仮焼組織が微細になり
すぎる。ｎ値が５．８を超えるとＳｉＯ２の仮焼前添加
量が少なく、仮焼組織が比較的大きく粒度のバラツキも
大きくなり、ＳｉＯ２の仮焼前添加効果が小さくなる。
従って、本発明では、炭酸ストロンチウム１モルに対し
て、Ｆｅ！Ｏｓを５，５〜５．８モルおよびＳｉＯ２を
Ｘモル、ただし、Ｆｅａｒｓのモル数と（１−ｒ）モル
の比が６となる＆［ｌ酸比に限定した。
て、Ｆｅ！Ｏｓを５，５〜５．８モルおよびＳｉＯ２を
Ｘモル、ただし、Ｆｅａｒｓのモル数と（１−ｒ）モル
の比が６となる＆［ｌ酸比に限定した。
仮焼温度（Ｔｓ） ： １０００℃未満ではストロンチ
ウムフェライトの反応が十分でなく、１１７０℃を超え
ると仮焼組織が比較的大きく、粒度のバラツキも大きく
なりＳｉＯ□の仮焼前添加効果が小さくなるため仮焼温
度は１０００〜１１７０℃とした。
ウムフェライトの反応が十分でなく、１１７０℃を超え
ると仮焼組織が比較的大きく、粒度のバラツキも大きく
なりＳｉＯ□の仮焼前添加効果が小さくなるため仮焼温
度は１０００〜１１７０℃とした。
仮焼粉にさらに添加するＳｉＯ２，ＣａＯ及びＡｌｔＯ
ｓの限定理由を説明する。
ｓの限定理由を説明する。
Ｓｉｎ、 ： ０．５１％未満では保磁力が低くなり、
０．６５％を超えると残留磁束密度が低くなり好ましく
ないので、０．５１〜０．６５％の範囲に限定される。
０．６５％を超えると残留磁束密度が低くなり好ましく
ないので、０．５１〜０．６５％の範囲に限定される。
ＣａＯ： ０．３５％未満では保磁力は高くなるが残留
Ｉｆｆ束密度は低い、一方０．４９％を超えると焼結性
が促進され、結晶粒の粗大化が起こり、保磁力が低下す
るので好ましくない、従ってＣａＯは０．３５〜０．４
９％の範囲に限定される。
Ｉｆｆ束密度は低い、一方０．４９％を超えると焼結性
が促進され、結晶粒の粗大化が起こり、保磁力が低下す
るので好ましくない、従ってＣａＯは０．３５〜０．４
９％の範囲に限定される。
ＡｌｔＯｓ ：０．２０％を超えると焼成時の粒成長
が抑制され保磁力は高くなるが残留磁束密度が低くなり
目標特性が得られず好ましくない、従ってＡｈＯ，は０
．２０％以下に限定され、添加量ゼロの場合も本発明の
範囲に含まれる。
が抑制され保磁力は高くなるが残留磁束密度が低くなり
目標特性が得られず好ましくない、従ってＡｈＯ，は０
．２０％以下に限定され、添加量ゼロの場合も本発明の
範囲に含まれる。
Ｃａｂ／５ｉｆｔ比＝０．６未満では保磁力は高くなる
が残留磁束密度が低くなり好ましくない、一方０．８を
超えると結晶粒の粗大化が起こり、保磁力が著しく低下
するので好ましくない、従ってＣａＯ／ｓｉｏ、比は０
．６〜０．８とした。
が残留磁束密度が低くなり好ましくない、一方０．８を
超えると結晶粒の粗大化が起こり、保磁力が著しく低下
するので好ましくない、従ってＣａＯ／ｓｉｏ、比は０
．６〜０．８とした。
焼成温度（１ｇ）：仮焼温度（Ｔｓ）とＡｆ ｔ Ｏｓ
含有１（ｗｔ％）で一義的に下式で与えられる。
含有１（ｗｔ％）で一義的に下式で与えられる。
Ｔｓ＝（３０・Ａ−１３）へ十１１００（Ａ）＋ １６
７０ （℃） 但し、ＡはＮｔＯｓ （ｗｔ％）添加量であり、Ａ＝
０のときは、 Ｔｓ−−１３八十１６７０（”Ｃ） となる。
７０ （℃） 但し、ＡはＮｔＯｓ （ｗｔ％）添加量であり、Ａ＝
０のときは、 Ｔｓ−−１３八十１６７０（”Ｃ） となる。
焼成温度（Ｔｓ）の限定理由については、次の実施例１
及び２で説明する。
及び２で説明する。
なお磁場中成形は、磁場が強い程良く、５ＫＯｅ以上が
好適であり、成形圧力は５００〜１５００ｋｇ／ｃ＋１
程度が好適である。
好適であり、成形圧力は５００〜１５００ｋｇ／ｃ＋１
程度が好適である。
また、仮焼物の粉砕は粗粉砕、微粉砕と行われるが粗粉
砕はアトマイザ−などで１〜３μ程度に粉砕し、微粉砕
ではアトライター、振動ボールミルなどで０．７〜０．
９μ程度に粉砕することが望ｊしい。
砕はアトマイザ−などで１〜３μ程度に粉砕し、微粉砕
ではアトライター、振動ボールミルなどで０．７〜０．
９μ程度に粉砕することが望ｊしい。
〈実施例〉
実施例１
炭酸ストロンチウム１モルに対してＰｅｔＯｓ４５．６
５モルの割合で秤量した基本組成の原料にＳｉＯ’！−
０，０５２モルの割合で添加後、ヘンシェルミキサーで
混合した。混合粉をベレット状にして９８０℃１＋０７
℃，１１３３℃，１１５０℃５１１Ｇ７℃および１２０
０℃の温度で仮焼した。この時ｎ ＝５．６５の基本組
成の罪科のままＳｉｎ、を添加せず１１６７℃で仮焼し
たものを比較材とした。これら仮焼ベレットをアトマイ
ザ−を用いてＩＩＩ・中粉砕した。次いでアトライター
にて第１表に示す添加物を添加し、４０％スラリー状で
混合、微粉砕を施した。微粉砕後の平均粒径（ｄ）を０
８μ巾とした後、スラリーを遠心分離機にかけ（４０％
→６０％スラリー）７ＫＯｅの磁界中でＩｔ／ｃＪの圧
力下で成形した。成形体は自然乾燥した後、】２］０〜
］２７０℃の温度範囲で１時間の焼成を施した。得られ
た焼結体の磁気特性を第１表に示した。第１表から焼成
温度（Ｔｓ）と磁気特性（Ｂｒ、 １ｌｌｃ）の関係を
求め、第１図に示した。第１図から明らかなように焼成
温度の上昇につれてＢｒは増加し、ｉＨｃは減少傾向を
示す０図からＢｒ≧４０００（Ｇ）、１ｔｌｃ≧４００
０ （Ｏｅ）を同時に満足する条件は焼成温度と仮焼温
度に関係することが判明した。ところが仮焼温度が９８
０℃、１２００℃の材料および仮焼前にＳｉ０ｇ無添加
のもの（仮焼は１１６７℃処ＦＰ）は８「≧４０００（
Ｇ）、 １ｌｌｃ≧４０００ （Ｏｅ）を同時に満足す
る焼成条件は得られない、磁気特性、 Ｂｒ≧４０００（Ｇ）、１ｌｌｃ≧４０００ （Ｏｅ）
を同時に満足するＴｓとＴｓの関係を第２図に示す、
ＡｊｔＯｘ＝０．２％の場合、ｒｓ ＝−１９八十１８
９０が得られた。
５モルの割合で秤量した基本組成の原料にＳｉＯ’！−
０，０５２モルの割合で添加後、ヘンシェルミキサーで
混合した。混合粉をベレット状にして９８０℃１＋０７
℃，１１３３℃，１１５０℃５１１Ｇ７℃および１２０
０℃の温度で仮焼した。この時ｎ ＝５．６５の基本組
成の罪科のままＳｉｎ、を添加せず１１６７℃で仮焼し
たものを比較材とした。これら仮焼ベレットをアトマイ
ザ−を用いてＩＩＩ・中粉砕した。次いでアトライター
にて第１表に示す添加物を添加し、４０％スラリー状で
混合、微粉砕を施した。微粉砕後の平均粒径（ｄ）を０
８μ巾とした後、スラリーを遠心分離機にかけ（４０％
→６０％スラリー）７ＫＯｅの磁界中でＩｔ／ｃＪの圧
力下で成形した。成形体は自然乾燥した後、】２］０〜
］２７０℃の温度範囲で１時間の焼成を施した。得られ
た焼結体の磁気特性を第１表に示した。第１表から焼成
温度（Ｔｓ）と磁気特性（Ｂｒ、 １ｌｌｃ）の関係を
求め、第１図に示した。第１図から明らかなように焼成
温度の上昇につれてＢｒは増加し、ｉＨｃは減少傾向を
示す０図からＢｒ≧４０００（Ｇ）、１ｔｌｃ≧４００
０ （Ｏｅ）を同時に満足する条件は焼成温度と仮焼温
度に関係することが判明した。ところが仮焼温度が９８
０℃、１２００℃の材料および仮焼前にＳｉ０ｇ無添加
のもの（仮焼は１１６７℃処ＦＰ）は８「≧４０００（
Ｇ）、 １ｌｌｃ≧４０００ （Ｏｅ）を同時に満足す
る焼成条件は得られない、磁気特性、 Ｂｒ≧４０００（Ｇ）、１ｌｌｃ≧４０００ （Ｏｅ）
を同時に満足するＴｓとＴｓの関係を第２図に示す、
ＡｊｔＯｘ＝０．２％の場合、ｒｓ ＝−１９八十１８
９０が得られた。
実施例２
実施例１で用いた仮焼ベレットの一部（試料Ｎ（Ｌ２．
３．４．５）をアトマイザ−で粗・中粉砕し、次いでア
トライターにてＡｌｔＣｈ −０，１および０．３％添
加（Ｓｔｏｔｓ ＣａＯの添加量は実施例１と同し）し
、倣む）枠抜は実施例１と同様に処理して焼成温度と磁
気特性（Ｂｒ、１Ｈｃ）の関係を調べた。結果を第３図
に示す。第３図から明らかなようにＭ２Ｏ。
３．４．５）をアトマイザ−で粗・中粉砕し、次いでア
トライターにてＡｌｔＣｈ −０，１および０．３％添
加（Ｓｔｏｔｓ ＣａＯの添加量は実施例１と同し）し
、倣む）枠抜は実施例１と同様に処理して焼成温度と磁
気特性（Ｂｒ、１Ｈｃ）の関係を調べた。結果を第３図
に示す。第３図から明らかなようにＭ２Ｏ。
含有景が０．２％を超えると（八１ｘｃｈ＝ ０．３％
）ｆｌｌｃは著しく高くなるがＢｒは４０００（Ｇ）に
満たない。
）ｆｌｌｃは著しく高くなるがＢｒは４０００（Ｇ）に
満たない。
従ってＢｒ＞４０００ （Ｇ）、 ｉＨｃ＞４０００
（Ｏｅ）を同時に満足する焼成温度は得られない、実施
例１と同様の方法で［ｌｒ≧４０００（Ｇ）、ｉ！ｌｃ
≧４０００ （Ｏｅ）を同時に満足するＴ１とＴｓの関
係を求めた。その結果を第２図に併せて示した。
（Ｏｅ）を同時に満足する焼成温度は得られない、実施
例１と同様の方法で［ｌｒ≧４０００（Ｇ）、ｉ！ｌｃ
≧４０００ （Ｏｅ）を同時に満足するＴ１とＴｓの関
係を求めた。その結果を第２図に併せて示した。
Ａｌｔｏｓ想添加の場合、
ＴＳ ＝−１３バ＋１６７０、
八１ｘ（ｈ ＝ ０．１％の場合、
Ｔｓ＝−１６バ→−１７８０
が得られた。
以上の結果より次式が得られた。
↑、 ＝ （＝３０− Ａ−１３）に＋１１００ （Ａ
） ＋１６７０Ａ ： Ａｈ（：ｈ （ｗｔ％） Ｏ≦八へ０．２ 但し、Ｔ１は仮焼温度（℃）、ΔはＡｌｔＣｈ （ｗ
ｔ％）である。
） ＋１６７０Ａ ： Ａｈ（：ｈ （ｗｔ％） Ｏ≦八へ０．２ 但し、Ｔ１は仮焼温度（℃）、ΔはＡｌｔＣｈ （ｗ
ｔ％）である。
実施例３
炭酸ストロンチウム１モルに対してＦｅ２Ｏ３ヲ５．４
０．５．５０．５，６５．５．８０．５．８５および５
．９０モルの割合で秤量した後、ｎ値の小さい順にＳｉ
Ｏ２をそれぞれ０．０９０．０．０７Ｂ、０．０５２．
０．０３０Ｓ０．０２３および０．０１６モルの＆Ｉｌ
威比になるように添加し、ヘンシェルミキサーで混合し
た。混合粉をベレット状にして１１３３℃の温度で仮焼
した。仮焼ベレットは実施例１と同様の方法で粉砕、混
合、成形した後、焼成して磁気特性を調べた。添加物条
件と焼結体の磁気特性の結果を第２表に示す。
０．５．５０．５，６５．５．８０．５．８５および５
．９０モルの割合で秤量した後、ｎ値の小さい順にＳｉ
Ｏ２をそれぞれ０．０９０．０．０７Ｂ、０．０５２．
０．０３０Ｓ０．０２３および０．０１６モルの＆Ｉｌ
威比になるように添加し、ヘンシェルミキサーで混合し
た。混合粉をベレット状にして１１３３℃の温度で仮焼
した。仮焼ベレットは実施例１と同様の方法で粉砕、混
合、成形した後、焼成して磁気特性を調べた。添加物条
件と焼結体の磁気特性の結果を第２表に示す。
第２表に示したようにｎ値が５．５０未満でも或いはｎ
値が５．８を超えてもＢｒ≧４０００（Ｇ）、１ｌｌｃ
≧４０００ （Ｏｅ）を同時に満足する条件は得られな
いことが判る。
値が５．８を超えてもＢｒ≧４０００（Ｇ）、１ｌｌｃ
≧４０００ （Ｏｅ）を同時に満足する条件は得られな
いことが判る。
一方ｎ値が本発明の範囲にあっても、Ｃａｂ１ＳｉＯ□
比が０．６未満、或いは０．８を超えると目標特性が得
られない。
比が０．６未満、或いは０．８を超えると目標特性が得
られない。
〈発明の効果〉
本発明によって、Ｂｒが４０００（Ｃ；）以上で、かつ
１ｌｌｃが４０００ （Ｏｅ）以上を兼ね備えた、特に
カーモーター用磁石として好適な高Ｂｒ、高１１１ｃの
ストロンチウＪ、フェライ目１１石を容易に得ることが
でき、省エネルギー等の点でその及ぼず効果は大きい。
１ｌｌｃが４０００ （Ｏｅ）以上を兼ね備えた、特に
カーモーター用磁石として好適な高Ｂｒ、高１１１ｃの
ストロンチウＪ、フェライ目１１石を容易に得ることが
でき、省エネルギー等の点でその及ぼず効果は大きい。
第１図は焼成温度と磁気特性（ｆｉｒ、１ｌｌｃ）の関
係において仮焼温度の依存性を示す図、第２図はＲｒ≧
４０００（Ｇ）、１ｌｌｃ≧４０００ （Ｏｅ）を同時
に満足する仮焼温度（Ｔｓ）と焼成温度（Ｔｓ）の関係
をＡｌｚＣｈ含有量にて層別した図、第３図は焼成温度
とＬ１！気特性の関係においてＡｌｔＯｚ含有量別に仮
焼温度の依存性を示す図である。 特許出廓人 川崎製鉄株式会社 弔 図 ΔＩＦＬＩＵ 第 図 仮暁星度Ｔ ／℃ 第 図 焼成温度Ｔ ｓ ／ ’（
係において仮焼温度の依存性を示す図、第２図はＲｒ≧
４０００（Ｇ）、１ｌｌｃ≧４０００ （Ｏｅ）を同時
に満足する仮焼温度（Ｔｓ）と焼成温度（Ｔｓ）の関係
をＡｌｚＣｈ含有量にて層別した図、第３図は焼成温度
とＬ１！気特性の関係においてＡｌｔＯｚ含有量別に仮
焼温度の依存性を示す図である。 特許出廓人 川崎製鉄株式会社 弔 図 ΔＩＦＬＩＵ 第 図 仮暁星度Ｔ ／℃ 第 図 焼成温度Ｔ ｓ ／ ’（
Claims (2)
- １．酸化鉄と炭酸ストロンチウムを混合し、仮焼した後
、該仮焼物を粉砕し、しかる後磁場中成形して得られる
成形体を焼成しストロンチウムフェライト磁石を製造す
る方法において、炭酸ストロンチウム１モルに対しＦｅ
＿２Ｏ＿３を５．５〜５．８モルおよびＳｉＯ＿２をｘ
モル、ただし、Ｆｅ＿２Ｏ＿３のモル数と（１−ｘ）モ
ルの比が６となる組成比で混合し、１０００〜１１７０
℃の温度で仮焼した後、該仮焼物を粉砕し、次いで該仮
焼粉にさらに重量比でＳｉＯ＿２を０．５１〜０．６５
％、ＣａＯを０．３５〜０．４９％かつＣａＯ／ＳｉＯ
＿２が０．６〜０．８となるように添加した後、磁場中
成形し、これを下記の焼成温度（Ｔ＿ｓ）で焼成するこ
とを特徴とする残留磁束密度及び保磁力の高いストロン
チウムフェライト磁石の製造方法。 Ｔ＿ｓ＝−１３√Ｔ＿１＋１６７０（℃） 但し、Ｔ＿１は仮焼温度（℃）である。 - ２．酸化鉄と炭酸ストロンチウムを混合し、仮焼した後
、該仮焼物を粉砕し、しかる後磁場中成形して得られる
成形体を焼成しストロンチウムフェライト磁石を製造す
る方法において、炭酸ストロンチウム１モルに対しＦｅ
＿２Ｏ＿３を５．５〜５．８モルおよびＳｉＯ＿２をｘ
モル、ただし、Ｆｅ＿２Ｏ＿３のモル数と（１−ｘ）モ
ルの比が６となる組成比で混合し、１０００〜１１７０
℃の温度で仮焼した後、該仮焼物を粉砕し、次いで該仮
焼粉にさらに重量比でＳｉＯ＿２を０．５１〜０．６５
％、ＣａＯを０．３５〜０．４９％およびＡｌ＿２Ｏ＿
３を０．２％以下、かつＣａＯ／ＳｉＯ＿２が０．６〜
０．８となるように添加した後、磁場中成形し、これを
下記の焼成温度（Ｔ＿ｓ）で焼成することを特徴とする
残留磁束密度及び保磁力の高いストロンチウムフェライ
ト磁石の製造方法。 Ｔ＿ｓ＝（−３０Ａ−１３）√Ｔ＿１＋１１００（Ａ）
＋１６７０（℃） 但し、Ｔ＿１は仮焼温度（℃）、 ＡはＡｌ＿２Ｏ＿３含有量（ｗｔ％）である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315348A JPH03177002A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 残留磁束密度及び保磁力の高いストロンチウムフェライト磁石の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315348A JPH03177002A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 残留磁束密度及び保磁力の高いストロンチウムフェライト磁石の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177002A true JPH03177002A (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=18064334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1315348A Pending JPH03177002A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 残留磁束密度及び保磁力の高いストロンチウムフェライト磁石の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03177002A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020016254A (ko) * | 2000-08-25 | 2002-03-04 | 신현준 | 페라이트 영구자석의 제조방법 |
| CN113248246A (zh) * | 2021-06-19 | 2021-08-13 | 上海龙磁电子科技有限公司 | 一种高磁锶铁氧体、其制备方法及应用 |
-
1989
- 1989-12-06 JP JP1315348A patent/JPH03177002A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020016254A (ko) * | 2000-08-25 | 2002-03-04 | 신현준 | 페라이트 영구자석의 제조방법 |
| CN113248246A (zh) * | 2021-06-19 | 2021-08-13 | 上海龙磁电子科技有限公司 | 一种高磁锶铁氧体、其制备方法及应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2922864B2 (ja) | フェライト磁石およびその製造方法 | |
| JP7275740B2 (ja) | フェライト焼結磁石及びこれを備える回転電気機械 | |
| JP7268440B2 (ja) | フェライト焼結磁石及びこれを備える回転電気機械 | |
| WO1999034376A1 (fr) | Aimant en ferrite et son procede de production | |
| JP7275739B2 (ja) | フェライト焼結磁石及びこれを備える回転電気機械 | |
| US20070009767A1 (en) | Ferrite magnetic material and method for producing hexagonal w type ferrite magnetic material | |
| JP7358758B2 (ja) | フェライト焼結磁石及びこれを備える回転電気機械 | |
| JP3506174B2 (ja) | フェライト磁石及びその粉末の製造方法 | |
| JP2001052912A (ja) | フェライト磁石材料およびそれを用いた焼結磁石ならびにボンド磁石 | |
| KR20020026346A (ko) | Ｍ형 헥사페라이트 분말 또는 케이크의 제조 방법 | |
| JPH03177002A (ja) | 残留磁束密度及び保磁力の高いストロンチウムフェライト磁石の製造方法 | |
| JPH0766027A (ja) | ストロンチウムフェライト磁石の製造方法 | |
| JPH11307331A (ja) | フェライト磁石 | |
| JP2908631B2 (ja) | フェライト磁石の製造方法 | |
| JPH01112705A (ja) | 酸化物永久磁石の製造方法 | |
| JP2007031203A (ja) | Ｗ型フェライト磁石の製造方法 | |
| JPH0438807A (ja) | 残留磁束密度および保磁力の高いストロンチウムフェライト磁石の製造方法 | |
| JPH0661029A (ja) | 酸化物永久磁石の製造方法 | |
| JPH06333724A (ja) | 微細結晶粒を有するフェライト焼結体およびその製造方法 | |
| JPH0653020A (ja) | 酸化物永久磁石 | |
| JPS6050324B2 (ja) | 酸化物永久磁石の製造方法 | |
| JP2000173812A (ja) | 異方性フェライト磁石の製造方法 | |
| JPH0757917A (ja) | ストロンチウムフェライト焼結磁石の製造方法 | |
| JP2006001752A (ja) | フェライト磁性材料の製造方法 | |
| JPS5913306A (ja) | 異方性ストロンチウムフェライト磁石の製造方法 |