JPH0316953A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPH0316953A JPH0316953A JP1151823A JP15182389A JPH0316953A JP H0316953 A JPH0316953 A JP H0316953A JP 1151823 A JP1151823 A JP 1151823A JP 15182389 A JP15182389 A JP 15182389A JP H0316953 A JPH0316953 A JP H0316953A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電特性を示す磁器組或物に関するものであり
、磁器コンデンサーなどに用いられる。
、磁器コンデンサーなどに用いられる。
従来の技術
従来のチタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウ本の磁
器組成物は高誘電率で誘電率の温度特性が良いという反
直tanδの温度特性或いは同波数特性では必ずしも良
いとはいえな賎 又焼或温度にしてi 1300〜1
500℃と高く、燃料費やチップコンデンサーの場合内
部電極として高融点の貴金属のptやPdを使用するた
めコスト的に必ずしも経済的なものでない。例えばチタ
ン酸バリウムでは1350℃の焼或温度で見掛けの誘電
率が3000程度のものを得ることは容易である。 し
かし低温焼或を行・おうとする場合に(よ 焼結性の問
題があり1100℃でも十分ではな賎 なお低温で焼或
を行うには一旦1300〜1500℃で焼或した後、微
粉砕してBi2O3やPbO等の低融点物質を添加して
焼戒する等の方法が考えられる力交 この方法では燃料
費の節約には結びつかず誘電率の低下やtanδの増大
をもたらす等の問題があった しかも半導体型であるチ
タン酸ストロンチウムでは上記の方法では再酸化の問題
があり、又誘電率の低下やtanδの増大をもたらす等
の問題があっ九 ヂタン酸鉛系を主体とした磁器組成物
では焼戒温度が900℃と低く見掛けの誘電率が数千程
度と高いものもある力丈 その温度特性やjanδ等に
問題があった 又超伝導体であるBaPbO. 75B
i0. 2503を主体とした磁器組或物は抵抗値が低
く常温では数十mΩ程度であり、コンデンザーとはなり
えない。
器組成物は高誘電率で誘電率の温度特性が良いという反
直tanδの温度特性或いは同波数特性では必ずしも良
いとはいえな賎 又焼或温度にしてi 1300〜1
500℃と高く、燃料費やチップコンデンサーの場合内
部電極として高融点の貴金属のptやPdを使用するた
めコスト的に必ずしも経済的なものでない。例えばチタ
ン酸バリウムでは1350℃の焼或温度で見掛けの誘電
率が3000程度のものを得ることは容易である。 し
かし低温焼或を行・おうとする場合に(よ 焼結性の問
題があり1100℃でも十分ではな賎 なお低温で焼或
を行うには一旦1300〜1500℃で焼或した後、微
粉砕してBi2O3やPbO等の低融点物質を添加して
焼戒する等の方法が考えられる力交 この方法では燃料
費の節約には結びつかず誘電率の低下やtanδの増大
をもたらす等の問題があった しかも半導体型であるチ
タン酸ストロンチウムでは上記の方法では再酸化の問題
があり、又誘電率の低下やtanδの増大をもたらす等
の問題があっ九 ヂタン酸鉛系を主体とした磁器組成物
では焼戒温度が900℃と低く見掛けの誘電率が数千程
度と高いものもある力丈 その温度特性やjanδ等に
問題があった 又超伝導体であるBaPbO. 75B
i0. 2503を主体とした磁器組或物は抵抗値が低
く常温では数十mΩ程度であり、コンデンザーとはなり
えない。
発明が解決しようとする課題
上述のように 従来のチタン酸バリウムやチタン酸スト
ロンチウムの磁器組或物では焼或温度が1300〜15
00℃と高く、燃料費や内部電極材料として使用するP
t, Pd等の高価な貴金属を使用するためコスト的
に割高となでいるという問題があった焼成温度を下げて
やればAg等の低コストのものが内部電極として使用で
きるために燃料費や材料費の点で大幅なコストダウンと
なる力交 上記従来例ではこれが困難であっ九 他のチ
タン酸鉛系の磁器組成物は焼或温度が900℃と低いが
誘電率の温度特性やjanδ等に問題があった 本発明ではBaPbO. 75Bi0. 2503の置
換系としてBapbの一部を他の酸化物で置換してBa
v Pbw Biy MzOX系(v+ w+ y+
z= 1, Mは金属)とし,上記問題点を解決しよ
うとするものである。
ロンチウムの磁器組或物では焼或温度が1300〜15
00℃と高く、燃料費や内部電極材料として使用するP
t, Pd等の高価な貴金属を使用するためコスト的
に割高となでいるという問題があった焼成温度を下げて
やればAg等の低コストのものが内部電極として使用で
きるために燃料費や材料費の点で大幅なコストダウンと
なる力交 上記従来例ではこれが困難であっ九 他のチ
タン酸鉛系の磁器組成物は焼或温度が900℃と低いが
誘電率の温度特性やjanδ等に問題があった 本発明ではBaPbO. 75Bi0. 2503の置
換系としてBapbの一部を他の酸化物で置換してBa
v Pbw Biy MzOX系(v+ w+ y+
z= 1, Mは金属)とし,上記問題点を解決しよ
うとするものである。
課題を解決するための手段
本発明はBi2Oa − BaO − PbO − S
rO−SnO2系を組或とする磁器組或物”’Q.
Bias3を10〜33.3モル% BaOをO−35
モル% PbOをO〜50モル% Sn02を16.7
〜33.3モル% トータルで100モル%の配合とす
ることを特徴とする磁器組或物に係るものである。
rO−SnO2系を組或とする磁器組或物”’Q.
Bias3を10〜33.3モル% BaOをO−35
モル% PbOをO〜50モル% Sn02を16.7
〜33.3モル% トータルで100モル%の配合とす
ることを特徴とする磁器組或物に係るものである。
又本発明はBi2Os − SrO−PbO−STl0
2系を組或とし,その配合でそれぞれBi2O3を10
〜33.3モル% SrOをO−35モル% pboを
0〜50モル% SnO2を16.7−33.3モル%
トータルで100モル%の配合とすることを特徴とす
る磁器組底物に係るものである。
2系を組或とし,その配合でそれぞれBi2O3を10
〜33.3モル% SrOをO−35モル% pboを
0〜50モル% SnO2を16.7−33.3モル%
トータルで100モル%の配合とすることを特徴とす
る磁器組底物に係るものである。
更に本発明はBi2Oa − BaO−SrO − P
bO − Sna2系を組或としその配合でそれぞれB
i2Osを10〜33.3モル% BaOをO−50モ
ル% SrOを0〜50モル% pboを0〜50モル
% STl02を16.7−33.3モル% トータル
で100モル%の配合とすることを特徴とする磁器組或
物に係るものである。
bO − Sna2系を組或としその配合でそれぞれB
i2Osを10〜33.3モル% BaOをO−50モ
ル% SrOを0〜50モル% pboを0〜50モル
% STl02を16.7−33.3モル% トータル
で100モル%の配合とすることを特徴とする磁器組或
物に係るものである。
作用
本発明は上記のような割合でビスマス酸化物を添加する
ことにより、低温焼或を可能とし 良好な誘電特性を有
する磁器組成物を得ることができる。
ことにより、低温焼或を可能とし 良好な誘電特性を有
する磁器組成物を得ることができる。
実施例
(実施例1)
Bi2O325モル%
STl02 25モル%BaO
25モル%PbO
25モル%上記配合で680℃で2時間焼戊すること
により誘電率80の焼或体を得た 収縮率は15%であ
り, jan62%であった 絶縁抵抗値は2OMΩ
一amより犬であった 又tanδが小さく実用的であ
った(実施例2) Bi2O333. 3モル% Sna216.7モル% B.a0 25モル%PbO
25モル%上記配合で650℃で2時
間焼或することにより誘電率80の焼戒体を得tラ
収縮率は16%であり, tanδは40%であった
絶縁抵抗値は2OMΩ一〇mより犬であっ?Q,
tanδが大きく実用的でなかっ九(実施例3) Bi2O333. 3モル% 81102 16. 7モル%Ba
O 50モル%pbo
oモル% 上記配合で850℃で2時間焼或することにより誘電率
500の焼或体を得た 収縮率は18%であり,tan
δは35%であった 絶縁抵抗値は2OMΩ−cmより
大であっf; tanδが大きく実用的でなかった(
実施例4) Bi2Os 33. 3モル%Sn
O216.7モル% BaO Oモル% PbO 50モル%上記配合で8
00℃で2時間焼或することにより誘電率40の焼或体
を得た 収縮率は18%であり, tanδは1%で
あっtも 絶縁抵抗値は2OMΩ一cmより犬であっ
九tanδが小さく実用的でありtも(実施例5) BipOs 10モル%SnO2’
40モル% Ba00モル% PbO 50モル%上記配合で90
0℃で2時間焼戒することにより誘電率l5の焼戊体を
得た 収縮率は0%であり, tanδは0.6%で
あった 絶縁抵抗値は2OMΩ一cmより大であっtも
誘電率が小さく実用的でなかった(実施例6) Bi2Ch 10モル%STl02
40モル%BaO
50モル%pbo oモル% 上記配合で950℃で2時間焼威することにより誘電率
12Oの焼或体を得た 収縮率は15%であり,tan
δは37%であった 絶縁抵抗値は1.7MΩ一cmよ
り犬であっt,. tanδが大きく実用的な組或で
なかつtも (実施例7) Bi2Os 5モル%Sn0245モ
ル% BaO Oモル% PbO 50モル%上記配合で95
0℃で2時間焼或することにより誘電率15の焼戒体を
得1, 収縮率は15%であり, tanδは5%
であっ氾 絶縁抵抗値は2OMΩ−cmより犬であった
誘電率が小さく実用的な組或でなかつtも (実施例8) Bi2Ch 16. 7モル%811
02 ’ 33.3モル%BaO
25モル%PbO
’25モル%上記配合で800℃で2時間焼或す
ることにより誘電率12Oの焼戒体を得池 収縮率は2
O%であり,tanδは1.0%で遭った 絶縁抵抗値
は2OMΩ−cmより犬であっ?.:,, tanδ
が小さく実用的な組成であっtも (実施例9) Bi2O3 l6,7モル%Snap
33. 3モル%BaO
10モル%PbO
40モル%上記配合で92O℃で2時間焼戊すること
により誘電率40の焼或体を得1, 収縮率は10%
であり, tanδは2%であった 絶縁抵抗値は2
OMΩ一cmより犬であつt:., tanδが小さ
く実用的な組成であった(実施例10) Bi2O3 16. 7モル%Sn
Oe 33. 3モル%Ba0
40モル%Pb0
10モル%上記配合で800℃で2時間焼戒すること
により誘電率12Oの焼或体を得た 収縮率は2O%で
あり,tanδは2O%であった 絶縁抵抗値は5,8
MΩ−cmより犬であっf:6tanδが大きく実用的
な組成でなかった (実施例11) Bi2O3 25モル%SnOs
25モル%BaO
4 0モル%Pb0 10
モル%上記配合で800℃で2時間焼戊することにより
誘電率70の焼或体を得1, 収縮率は2O%であり
, tanδは30%でありtも 絶縁抵抗値は2
OMΩ一cmより犬であっf; tar1δが大きく
実用的な組或でなかった (実施例12) Bii(h 25モル%SnO22
5モル% BaO 10モル%PbO40モル
% −Q− 10− 上記配合で700℃で2時間Ja戊することにより誘電
率65の焼戊体を得tラ 収縮率は18%であり,
tanδは1.2%であった 絶縁抵抗値は2OMΩ
一cmより大であっf, tanδが小さく実用的な
組或であった (実施例13) Bi2O325モル% SnOa 25モル%Ba0
35モル%PbO
1 5モル%上記配合で700℃で2時間焼或すること
により誘電率60の焼戒体を得た 収縮率は17%であ
り, tanδは1.3%であった 絶縁抵抗値は2
OMΩ一cmより犬であっt:. tanδが小さく
実用的な組或であった (実施例14) Bi2Os 25モル%Snap
25モル%BaO
1 5モル%PbO 35モル
%上記配合で700℃で2時間焼戊することにより誘電
率70の焼戒体を得た 収縮率は18%であり, t
anδは12であっy= 絶縁抵抗値は12MΩ一c
mより大であっ7’.:Q tanδが大きく実用的
な組或でなかっtも(実施例15) Bi2O325モル% Sn0225モル% Sr0 25モル%PbO
25モル%上記配合で680℃で2時
間焼戒することにより誘電率80の焼或体を得た 収縮
率は21%であり, tanδは1%であった 絶縁
抵抗値は2OMΩ−Cmより犬であつf; tanδ
が小さく実用的な組或であつ九(実施例16) Bi2Oa 25モル%SnO225
モル% BaO 2Oモル%Sr0
5モル% PbO 25モル%上記配合で6
80℃で2時間焼或することにより誘11 12− 電率12Oの焼戒体を得た 収縮率は2O%であり,t
anδは1%であっ九 絶縁抵抗値は2OMΩ一cmよ
り犬であっ。f2 tanδが小さく実用的な組成で
あった(実施例17) Bi2O325モル% SnO225モル% Ba0 1 0モル%Sr0
25モル%PbO15モル%。
25モル%PbO
25モル%上記配合で680℃で2時間焼戊すること
により誘電率80の焼或体を得た 収縮率は15%であ
り, jan62%であった 絶縁抵抗値は2OMΩ
一amより犬であった 又tanδが小さく実用的であ
った(実施例2) Bi2O333. 3モル% Sna216.7モル% B.a0 25モル%PbO
25モル%上記配合で650℃で2時
間焼或することにより誘電率80の焼戒体を得tラ
収縮率は16%であり, tanδは40%であった
絶縁抵抗値は2OMΩ一〇mより犬であっ?Q,
tanδが大きく実用的でなかっ九(実施例3) Bi2O333. 3モル% 81102 16. 7モル%Ba
O 50モル%pbo
oモル% 上記配合で850℃で2時間焼或することにより誘電率
500の焼或体を得た 収縮率は18%であり,tan
δは35%であった 絶縁抵抗値は2OMΩ−cmより
大であっf; tanδが大きく実用的でなかった(
実施例4) Bi2Os 33. 3モル%Sn
O216.7モル% BaO Oモル% PbO 50モル%上記配合で8
00℃で2時間焼或することにより誘電率40の焼或体
を得た 収縮率は18%であり, tanδは1%で
あっtも 絶縁抵抗値は2OMΩ一cmより犬であっ
九tanδが小さく実用的でありtも(実施例5) BipOs 10モル%SnO2’
40モル% Ba00モル% PbO 50モル%上記配合で90
0℃で2時間焼戒することにより誘電率l5の焼戊体を
得た 収縮率は0%であり, tanδは0.6%で
あった 絶縁抵抗値は2OMΩ一cmより大であっtも
誘電率が小さく実用的でなかった(実施例6) Bi2Ch 10モル%STl02
40モル%BaO
50モル%pbo oモル% 上記配合で950℃で2時間焼威することにより誘電率
12Oの焼或体を得た 収縮率は15%であり,tan
δは37%であった 絶縁抵抗値は1.7MΩ一cmよ
り犬であっt,. tanδが大きく実用的な組或で
なかつtも (実施例7) Bi2Os 5モル%Sn0245モ
ル% BaO Oモル% PbO 50モル%上記配合で95
0℃で2時間焼或することにより誘電率15の焼戒体を
得1, 収縮率は15%であり, tanδは5%
であっ氾 絶縁抵抗値は2OMΩ−cmより犬であった
誘電率が小さく実用的な組或でなかつtも (実施例8) Bi2Ch 16. 7モル%811
02 ’ 33.3モル%BaO
25モル%PbO
’25モル%上記配合で800℃で2時間焼或す
ることにより誘電率12Oの焼戒体を得池 収縮率は2
O%であり,tanδは1.0%で遭った 絶縁抵抗値
は2OMΩ−cmより犬であっ?.:,, tanδ
が小さく実用的な組成であっtも (実施例9) Bi2O3 l6,7モル%Snap
33. 3モル%BaO
10モル%PbO
40モル%上記配合で92O℃で2時間焼戊すること
により誘電率40の焼或体を得1, 収縮率は10%
であり, tanδは2%であった 絶縁抵抗値は2
OMΩ一cmより犬であつt:., tanδが小さ
く実用的な組成であった(実施例10) Bi2O3 16. 7モル%Sn
Oe 33. 3モル%Ba0
40モル%Pb0
10モル%上記配合で800℃で2時間焼戒すること
により誘電率12Oの焼或体を得た 収縮率は2O%で
あり,tanδは2O%であった 絶縁抵抗値は5,8
MΩ−cmより犬であっf:6tanδが大きく実用的
な組成でなかった (実施例11) Bi2O3 25モル%SnOs
25モル%BaO
4 0モル%Pb0 10
モル%上記配合で800℃で2時間焼戊することにより
誘電率70の焼或体を得1, 収縮率は2O%であり
, tanδは30%でありtも 絶縁抵抗値は2
OMΩ一cmより犬であっf; tar1δが大きく
実用的な組或でなかった (実施例12) Bii(h 25モル%SnO22
5モル% BaO 10モル%PbO40モル
% −Q− 10− 上記配合で700℃で2時間Ja戊することにより誘電
率65の焼戊体を得tラ 収縮率は18%であり,
tanδは1.2%であった 絶縁抵抗値は2OMΩ
一cmより大であっf, tanδが小さく実用的な
組或であった (実施例13) Bi2O325モル% SnOa 25モル%Ba0
35モル%PbO
1 5モル%上記配合で700℃で2時間焼或すること
により誘電率60の焼戒体を得た 収縮率は17%であ
り, tanδは1.3%であった 絶縁抵抗値は2
OMΩ一cmより犬であっt:. tanδが小さく
実用的な組或であった (実施例14) Bi2Os 25モル%Snap
25モル%BaO
1 5モル%PbO 35モル
%上記配合で700℃で2時間焼戊することにより誘電
率70の焼戒体を得た 収縮率は18%であり, t
anδは12であっy= 絶縁抵抗値は12MΩ一c
mより大であっ7’.:Q tanδが大きく実用的
な組或でなかっtも(実施例15) Bi2O325モル% Sn0225モル% Sr0 25モル%PbO
25モル%上記配合で680℃で2時
間焼戒することにより誘電率80の焼或体を得た 収縮
率は21%であり, tanδは1%であった 絶縁
抵抗値は2OMΩ−Cmより犬であつf; tanδ
が小さく実用的な組或であつ九(実施例16) Bi2Oa 25モル%SnO225
モル% BaO 2Oモル%Sr0
5モル% PbO 25モル%上記配合で6
80℃で2時間焼或することにより誘11 12− 電率12Oの焼戒体を得た 収縮率は2O%であり,t
anδは1%であっ九 絶縁抵抗値は2OMΩ一cmよ
り犬であっ。f2 tanδが小さく実用的な組成で
あった(実施例17) Bi2O325モル% SnO225モル% Ba0 1 0モル%Sr0
25モル%PbO15モル%。
上記配合で750℃で2時間焼或することにより誘電率
45の焼或体を得た 収縮率は18%であり, ta
nδは9%であっ氾 絶縁抵抗値は2OMΩ一cmより
犬であっf。tanδが小さく実用的な組或であった(
実施例18) Bi2O340. 0モル% ST102 10. 0モル%Ba
0 25モル%Pb0
25モル%上記配合で700℃で2時間焼
戒することにより誘電率40の焼戒体を得九 収縮率は
10%であり, tanδは35%であっtも 絶
縁抵抗値はIMΩ一cmより犬であっ池tanδが大き
く実用的な組成でなかつ池 代表的な誘電率一温度特性曲線を第1図に示す。
45の焼或体を得た 収縮率は18%であり, ta
nδは9%であっ氾 絶縁抵抗値は2OMΩ一cmより
犬であっf。tanδが小さく実用的な組或であった(
実施例18) Bi2O340. 0モル% ST102 10. 0モル%Ba
0 25モル%Pb0
25モル%上記配合で700℃で2時間焼
戒することにより誘電率40の焼戒体を得九 収縮率は
10%であり, tanδは35%であっtも 絶
縁抵抗値はIMΩ一cmより犬であっ池tanδが大き
く実用的な組成でなかつ池 代表的な誘電率一温度特性曲線を第1図に示す。
又誘電率一周波数特性曲線を第2図に示′?l;発明の
効果 以上のように本発明品はBj2O3を添加することによ
り従来品に比して低温で低温焼或することが可能となっ
tラ このため内部電極材料費及び焼或費等で2O%
のコストダウンが可能となっ?, 又温度特性の良好
なものが得ることが可能となっ7”−o
効果 以上のように本発明品はBj2O3を添加することによ
り従来品に比して低温で低温焼或することが可能となっ
tラ このため内部電極材料費及び焼或費等で2O%
のコストダウンが可能となっ?, 又温度特性の良好
なものが得ることが可能となっ7”−o
第1図は誘電率一温度特性曲線を示す阻 第2図は誘電
率一周波数特性曲線を示す図である。
率一周波数特性曲線を示す図である。
Claims (3)
- (1)Bi_2O_3−BaO−PbO−SnO_2系
を組成とし、その配合でそれぞれBi_2O_3を10
〜33.3モル%BaOを0〜35モル%PbOを0〜
50モル%SnO_2を16.7〜33.3モル%トー
タルで100モル%の配合とすることを特徴とする磁器
組成物。 - (2)Bi_2O_3−SrO−PbO−SnO_2系
を組成とし、その配合でそれぞれBi_2O_3を10
〜33.3モル%SrOを0〜35モル%PbOをO〜
50モル%SnO_2を16.7〜33.3モル%トー
タルで100モル%の配合とすることを特徴とする磁器
組成物。 - (3)Bi_2O_3−Ba_O−Sr_O−Pb_O
−SnO_2系を組成としその配合でそれぞれBi_2
O_3を10〜33.3モル%BaOを0〜50モル%
SrOを0〜50モル%PbOを0〜50モル%SnO
_2を16.7〜33.3モル%トータルで100モル
%の配合とすることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1151823A JPH0316953A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1151823A JPH0316953A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0316953A true JPH0316953A (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=15527097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1151823A Pending JPH0316953A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0316953A (ja) |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP1151823A patent/JPH0316953A/ja active Pending
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