JP2502726B2 - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JP2502726B2 JP2502726B2 JP1031763A JP3176389A JP2502726B2 JP 2502726 B2 JP2502726 B2 JP 2502726B2 JP 1031763 A JP1031763 A JP 1031763A JP 3176389 A JP3176389 A JP 3176389A JP 2502726 B2 JP2502726 B2 JP 2502726B2
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁器コンデンサーに用いられる誘電特性を示
す磁器組成物に関するものである。
す磁器組成物に関するものである。
従来の技術 従来チタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムは高
誘電率で温度特性等も非常に良いが、反面焼成温度が13
00〜1500℃と高く燃料費やPt,Pd等の高価な貴金属を使
用するためにコスト的に必ずしも経済的なものといえな
かった。又低温焼結を行うとしても焼結性の問題があり
1100℃では十分とは言えなかった。例えばチタン酸バリ
ウムでは1350℃の焼成温度では見かけの誘電率は3000程
度のものを得ることは容易である。やむなく低温で焼成
を行うには一旦1300〜1500℃で焼成した後微粉砕してBi
2O3やPbO等の低融点物質を添加して焼成する等の方法が
ある。しかしこの方法では燃料費の節約に結びつかない
などのの問題があった。
誘電率で温度特性等も非常に良いが、反面焼成温度が13
00〜1500℃と高く燃料費やPt,Pd等の高価な貴金属を使
用するためにコスト的に必ずしも経済的なものといえな
かった。又低温焼結を行うとしても焼結性の問題があり
1100℃では十分とは言えなかった。例えばチタン酸バリ
ウムでは1350℃の焼成温度では見かけの誘電率は3000程
度のものを得ることは容易である。やむなく低温で焼成
を行うには一旦1300〜1500℃で焼成した後微粉砕してBi
2O3やPbO等の低融点物質を添加して焼成する等の方法が
ある。しかしこの方法では燃料費の節約に結びつかない
などのの問題があった。
又半導体型チタン酸ストロンチウムコンデンサーでは
上記の方法では再酸化の問題があり十分使用に耐えるも
のではなかった。チタン酸鉛系を主体としたものでは焼
成温度も900℃と低く見かけの誘電率が数千程度と高い
ものもあるが、温度特性や鉛が比較的飛びやすく管理が
むつかしい等の問題点があった。
上記の方法では再酸化の問題があり十分使用に耐えるも
のではなかった。チタン酸鉛系を主体としたものでは焼
成温度も900℃と低く見かけの誘電率が数千程度と高い
ものもあるが、温度特性や鉛が比較的飛びやすく管理が
むつかしい等の問題点があった。
又超伝導体であるBaOb0.75Bi0.25O3は抵抗値が低く常
温では数十ｍΩ程度であり、コンデンサーとはなり得な
い。
温では数十ｍΩ程度であり、コンデンサーとはなり得な
い。
発明が解決しようとする課題 従来のチタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムは
焼成温度が1300〜1500℃と高く燃料費や電極材料として
使用するPt,Pd等の高価な貴金属を使用するためにコス
ト的に割高なものとなっている。一方、焼成温度を下げ
てやればAg等の低コストのものが電極材料として使用で
きるために燃料費や材料費の点で大幅なコストダウンと
なるが、焼結性の問題があった。他のチタン酸鉛系も焼
成温度は900℃と低いが温度特性で大きな問題があっ
た。
焼成温度が1300〜1500℃と高く燃料費や電極材料として
使用するPt,Pd等の高価な貴金属を使用するためにコス
ト的に割高なものとなっている。一方、焼成温度を下げ
てやればAg等の低コストのものが電極材料として使用で
きるために燃料費や材料費の点で大幅なコストダウンと
なるが、焼結性の問題があった。他のチタン酸鉛系も焼
成温度は900℃と低いが温度特性で大きな問題があっ
た。
本発明は低温焼成が可能で、tanδの良好な磁器組成
物を提供しようとするものである。
物を提供しようとするものである。
課題を解決するための手段 本発明はBi2O3-BaO-PbO-TiO2系を組成とする磁器コン
デンサーに用いられる磁器組成物において、Bi2O3を16.
7〜33.3モル％,BaOを10〜35モル％,PbOを10〜40モル
％，TiO2を16.7〜33.3モル％,SrOを５〜25モル％、トー
タルで100モル％の配合としたものである。この際BaOと
SrOは、いずれか一方のみ、またはBaOとSrOを併用した
ものである。
デンサーに用いられる磁器組成物において、Bi2O3を16.
7〜33.3モル％,BaOを10〜35モル％,PbOを10〜40モル
％，TiO2を16.7〜33.3モル％,SrOを５〜25モル％、トー
タルで100モル％の配合としたものである。この際BaOと
SrOは、いずれか一方のみ、またはBaOとSrOを併用した
ものである。
作用 本発明はビスマス酸化物の層状構造を利用することに
より、誘電特性を得ようとするもので、80℃〜1100℃で
焼成することができ、所望の磁器コンデンサーを得るこ
とが可能となる。
より、誘電特性を得ようとするもので、80℃〜1100℃で
焼成することができ、所望の磁器コンデンサーを得るこ
とが可能となる。
実施例 以下本発明の実施例を説明する。
実施例１ Bi2O3 25モル％ BaO 25モル％ TiO2 25モル％ PbO 25モル％ 上記の配合で円形板状に成形し、1000℃で２時間焼成
することにより誘電率50の焼成体を得た。収縮率18.4％
であった。tanδは１％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞
で、実用的な組成であった。第１図に磁器組成物の構成
を、第２図に温度−焼成曲線を示す。なお、第１図にお
いて、１は誘電体本体、２はAg-Pd電極である。
することにより誘電率50の焼成体を得た。収縮率18.4％
であった。tanδは１％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞
で、実用的な組成であった。第１図に磁器組成物の構成
を、第２図に温度−焼成曲線を示す。なお、第１図にお
いて、１は誘電体本体、２はAg-Pd電極である。
実施例２ Bi0O3 33.3モル％ TiO2 16.7モル％ BaO 25モル％ PbO 25モル％ 上記の配合で1000℃で２時間焼成することにより誘電
率40の焼成体を得た。収縮率は16％であった。tanδは
２％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので、実
用的な組成であった。
率40の焼成体を得た。収縮率は16％であった。tanδは
２％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので、実
用的な組成であった。
比較例１ Bi2O3 33.3モル％ TiO2 16.7モル％ BaO 50モル％ PbO 00モル％ 上記の配合で850℃で２時間焼成することにより誘電
率300の焼成体を得た。収縮率は17％であり、tanδは60
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったが実用的な
組成でなかった。
率300の焼成体を得た。収縮率は17％であり、tanδは60
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったが実用的な
組成でなかった。
比較例２ Bi2O3 10.0モル％ BaO 50モル％ TiO2 40.0モル％ PbO 00モル％ 上記の配合で800℃で２時間焼成することにより誘電
率350の焼成体を得た。収縮率は18％であり、tanδは60
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったが、実用的
な組成ではなかった。
率350の焼成体を得た。収縮率は18％であり、tanδは60
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったが、実用的
な組成ではなかった。
実施例３ Bi2O3 16.7モル％ TiO2 33.3モル％ PbO 25モル％ BaO 25モル％ 上記の配合で950℃で２時間焼成することにより誘電
率40の焼成体を得た。収縮率は15％であった。tanδは
２％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので、実
用的な組成であった。
率40の焼成体を得た。収縮率は15％であった。tanδは
２％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので、実
用的な組成であった。
実施例４ Bi2O3 16.7モル％ TiO2 33.3モル％ PbO 40モル％ BaO 10モル％ 上記の配合で950℃で２時間焼成することにより誘電
率70の焼成体を得た。収縮率は17％であった。tanδは
２％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので、実
用的な組成であった。
率70の焼成体を得た。収縮率は17％であった。tanδは
２％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので、実
用的な組成であった。
比較例３ Bi2O3 16.7モル％ TiO2 33.3モル％ PbO 10モル％ BaO 40モル％ 上記の配合で850℃で２時間焼成することにより誘電
率450の焼成体を得た。収縮率は20％であった。tanδは
40％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったが、実用
的な組成でなかった。
率450の焼成体を得た。収縮率は20％であった。tanδは
40％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったが、実用
的な組成でなかった。
比較例４ Bi2O3 25.0モル％ TiO2 25.0モル％ PbO 10モル％ BaO 40モル％ 上記の配合で850℃で２時間焼成することにより誘電
率300の焼成体を得た。収縮率は17％であった。tanδは
35％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったが、実用
的な組成でなかった。
率300の焼成体を得た。収縮率は17％であった。tanδは
35％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったが、実用
的な組成でなかった。
実施例５ Bi2O3 25.0モル％ TiO2 25.0モル％ PbO 40モル％ BaO 10モル％ 上記の配合で850℃で２時間焼成することにより誘電
率70の焼成体を得た。収縮率は15％であった。tanδは
２％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので実用
的な組成であった。
率70の焼成体を得た。収縮率は15％であった。tanδは
２％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので実用
的な組成であった。
実施例６ Bi2O3 25モル％ PbO 35モル％ BaO 15モル％ TiO2 25モル％ 上記の配合で850℃で２時間焼成することにより誘電
率90の焼成体を得た。収縮率は20％であり、tanδは２
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので実用的
な組成であった。
率90の焼成体を得た。収縮率は20％であり、tanδは２
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので実用的
な組成であった。
実施例７ Bi2O3 25モル％ PbO 15モル％ BaO 35モル％ TiO2 25モル％ 上記の配合で900℃で２時間焼成することにより誘電
率90の焼成体を得た。収縮率は12％であり、tanδは２
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので実用的
な組成であった。
率90の焼成体を得た。収縮率は12％であり、tanδは２
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので実用的
な組成であった。
比較例５ Bi2O3 25モル％ SrO 25モル％ TiO2 25モル％ PbO 15モル％ 上記の配合で900℃で２時間焼成することにより誘電
率70の焼成体を得た。収縮率は16％であり、tanδは２
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったが、収縮率
の点より実用的な組成ではなかった。
率70の焼成体を得た。収縮率は16％であり、tanδは２
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったが、収縮率
の点より実用的な組成ではなかった。
実施例８ Bi2O3 25モル％ SrO 5モル％ BaO 20モル％ TiO2 25モル％ PbO 25モル％ 上記の配合で1000℃で２時間焼成することにより誘電
率70の焼成体を得た。収縮率は12％であり、tanδは２
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので実用的
な組成であった。
率70の焼成体を得た。収縮率は12％であり、tanδは２
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったので実用的
な組成であった。
比較例６ Bi2O3 25モル％ SrO 25モル％ BaO 10モル％ TiO2 25モル％ PbO 15モル％ 上記の配合で850℃で２時間焼成することにより誘電
率95の焼成体を得た。収縮率は15％であり、tanδは２
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったが、収縮率
の点より実用的な組成ではなかった。
率95の焼成体を得た。収縮率は15％であり、tanδは２
％であった。絶縁抵抗値は20MΩ＞であったが、収縮率
の点より実用的な組成ではなかった。
発明の効果 以上のように本発明は従来品に比して、Bi2O3系を中
心とした層状構造をとる誘電体で低温焼成することが可
能となった。このため電極材料費及び焼成費等で大幅な
コストダウンが可能となった。又温度特性の良好なもの
を得ることが可能となった。
心とした層状構造をとる誘電体で低温焼成することが可
能となった。このため電極材料費及び焼成費等で大幅な
コストダウンが可能となった。又温度特性の良好なもの
を得ることが可能となった。
第１図は本発明の磁器組成物の構成図、第２図は焼成温
度−容量曲線を示す図である。
度−容量曲線を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 釘宮 公一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−242953（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−56066（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−30900（ＪＰ，Ａ) 特公 昭55−45516（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】Bi2O3を16.7〜33.3モル％、BaOを10〜35モ
ル％、PbOを10〜40モル％、TiO2を16.7〜33.3モル％、
トータルで100モル％の配合とすることを特徴とする磁
器組成物。 - 【請求項２】Bi2O3を16.7〜33.3モル％、SrOを５〜10モ
ル％、BaOを10〜35モル％、PbOを10〜40モル％、TiO2を
16.7〜33.3モル％、トータルで100モル％の配合とする
ことを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1031763A JP2502726B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1031763A JP2502726B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02212359A JPH02212359A (ja) | 1990-08-23 |
| JP2502726B2 true JP2502726B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=12340073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1031763A Expired - Lifetime JP2502726B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502726B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5241880B2 (ja) * | 1972-07-11 | 1977-10-20 | ||
| JPS5832032B2 (ja) * | 1978-09-22 | 1983-07-09 | 三菱電機株式会社 | ろう付方法 |
| FR2439171A1 (fr) * | 1978-10-18 | 1980-05-16 | Thomson Csf | Ceramique dielectrique a basse temperature de frittage et son application a la fabrication de composants electroniques |
| JPS61242953A (ja) * | 1985-04-20 | 1986-10-29 | 株式会社豊田中央研究所 | チタン酸バリウム系焼結体の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1031763A patent/JP2502726B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02212359A (ja) | 1990-08-23 |
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