JPH02212359A - 磁器組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁器コンデンサーに用いられる誘電特性を示す
磁器組成物に関するものである。

従来の技術 従来チタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムは高誘
電率で温度特性等も非常に良いが、反面焼成温度が１３
ｏＯ〜１５００’Ｃと高く燃料費やＰｔ　、Ｐｄ等の高
価な貴金属を使用するためにコスト的に必ず゛しも経済
的なものといえなかった。

又低温焼結を行うとしても焼結性の問題が１１１００°
Ｃでは十分とは言えなかった。例えばチタン酸バリウム
では１３６０℃の焼成温度では見かけの誘電率は３００
０程度のものを得ることは容易である。やむなく低温で
焼成を行、うには−旦１３００〜１６００℃で焼成した
後微粉砕してＢｉ２Ｏ３やＰｂｏ等の低融点物質を添加
して焼成する等・の方法がある。しかしこの方法では燃
料費の節約に結びつかず、又誘電率が数十から数百程度
にダウンする等の問題があった。

又半導体型チタン酸ストロンチウムコンデンサ−では上
記の方法では再酸化の問題があり十分使用に耐えるもの
ではなかった。チタン酸鉛系を主体としたものでは焼成
温度も９００°Ｃと低く見かけの誘電率が数千程度と高
いものもあるが、温度特性や鉛が比較的飛びやすく管理
がむつかしい等の問題点があった。

又超伝導体であるＢ　ａ　Ｐ　ｂｏ　、　ｙｓ　Ｂ　１
０．２　ｓ　Ｏｓは抵抗値が低く常温では数＋ｍΩ程度
であり、コンデンサーとはなり得ない。

発明が解決しようとする課題 従来のチタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムは焼
成温度が１３００〜１６００℃と高く燃料費や電極材料
として使用するＰｔ、Ｐｄ等の高価な貴金属を使用する
ためにコスト的に割高なものとなっている。一方、焼成
温度を下げてやればＡｑ等の低コストのものが電極材料
として使用できるために燃料費や材料費の点で大幅なコ
ストダウンとなるが、焼結性の問題があった。他のチタ
ン酸鉛系も焼成温度は９００’Ｃと低いが温度特性で大
きな問題があった。

本発明は低温焼成が可能で、温度特性の良好な磁器組成
物を提供しようとするものである。

課題を解決するための手段 本発明はＢｔ２０３−ＢａＯ−ＰｂＯ−ＴｉＯ２系を組
成とする磁器コンデンサーに用いられる磁器組成物にお
いて、Ｂｉ２Ｏ３を１６．７〜３３．３モルチ。

ＢａＯを１０〜３５−Ｅ：／Ｌ／％、ｐｂｏを１０〜４
０モル％　、　Ｔ　１０２を１６．７〜３３．３モル％
　、　ＳｒＯを５〜２６モル％，トータルで１００モル
チの配合としたものである。この際ＢａＯとＳｒＯは、
いずれか一方のみ、またはＢａＯとＳｒＯを併用したも
のである。

作　　　用 本発明はビスマス酸化物の層状構造を利用することによ
り、誘電特性を得ようとするもので、８０°Ｃ〜１１ｏ
Ｏ°Ｃで焼成することができ、所望の磁器コンデンサー
を得ることが可能となる。

実施例 以下本発明の詳細な説明する。

実施例１ ＢｉＯ２５モルチ ＢａＯ２５モルチ ＴｉＯ２２５モルチ ＰｂＯ２５モルチ 上記の配合で円形板状に成形し、１０００′Ｃで２時間
焼成することにより誘電率６０の焼成体を得た。収縮率
１８．４チであった。ｔａｎδは１チであった。絶縁抵
抗値は２０ＭΩ〉で、実用的な組成であった。第１図に
磁器組成物の構成を、第２図に温度−焼成曲線を示す。

なお、第１図において、１は誘電体本体、２はＡＣＪ−
Ｐｄ電極である。

実施例２ ＢｉＯＯ３３３，３＋１ニル％ Ｔ　１０２　　　　　　　　１　ｅ　−７モルチＢａＯ
２５モル％ ＰｂＯ２５モルチ 上記の配合で１０００’Ｃで２時間焼成することによシ
誘電率４０の焼成体を得た。収縮率は１６チであった。

ｔａｎδは２チであった。絶縁抵抗値は２０ＭΩ〉であ
ったので、実用的な組成であった。

比較例１ Ｂｉ　Ｏ３３，３モル％ ＴｉＯ２１ｅ　−７モルチ ＢａＯ５０モルチ ｐｂｏ　　　　ｏｏモルチ 上記の配合で８５０’Ｃで２時間焼成することにより誘
電率３ｏｏの焼成体を得た。収縮率は１７チであシ、ｔ
ａｎδは６０％であった。絶縁抵抗値は２０ＭΩ〉であ
ったが実用的な組成でなかった。

比較例２ Ｂ　ｉＯ１ｏ　、　Ｏ−１：　ｔｖ　％ＢａＯ５０モル
チ ＴｉＯ４０，０モル％ ＰｂＯｏｏモルチ 上記の配合でＢａＯ°Ｃで２時間焼成することにより誘
電率３５０の焼成体を得た。収縮率は１８チであシ、ｔ
ａｎδは６０チであった。絶縁抵抗値は２０ＭΩ〉であ
ったが、実用的な組成ではなかった。

実施例３ Ｂｉ　Ｏ１６，７モルチ ＴｉＯ３ｓ、３モｔｖ％ ＰｂＯ２５モルチ ＢａＯ２５モルチ 上記の配合で９５０°Ｃで２時間焼成することにより誘
電率４ｏの焼成体を得た。収縮率は１６％であった。ｔ
ａｎδは２チであった。絶縁抵抗値は２０ＭΩ〉であっ
たので、実用的な組成であった。

実施例４ ＢｉＯ１６，７モルチ Ｔ　ｚ　Ｏ２３３−３モル％ Ｐｂｏ　　　　　４０モルチ ＢａＯ１０モルチ 上記の配合で９５０°Ｃで２時間焼成することによシ誘
電率７０の焼成体を得た。収縮率は１７チであった。ｔ
ａｎδは２チであった。絶縁抵抗値は２０ＭΩ〉であっ
たので、実用的な組成であった。

比較例３ Ｂｉ　Ｏ１６，７モル％ ７１０２　　３３．３モルチ ＰｂＯ１０モルチ ＢａＯ４０モルチ 上記の配合で８５０°Ｃで２時間焼成することによシ誘
電率４５０の焼成体を得た。収縮率は２゜チであった。

ｔａｎδは４ｏチであった。絶縁抵抗値は２０ＭΩ〉で
あったが、実用的な組成でなかった。

比較例４ Ｂ１２０３２６．０モルチ ＴｉＯ２２５，０モルチ ′Ｐｂ０　　　　　１ｏモルチ Ｂａ０　　４ｏモ／Ｌ／％ 上記の配合で８．５０’Ｃで２時間焼成することにより
誘電率３００の焼成体を得た。収縮率は１７チであった
。ｔａｎδは３６チであった。絶縁抵抗値は２０．ＭΩ
〉であったが、実用的な組成でなかった。

実施例６ Ｂｉ　　　Ｏ２ｓ、ｏモ１ｖｑｂ ’ｌ’ｉｏ　　　　２５．０モルチ ＰｂＯ４０モルチ Ｂａｏ　　　１ｏ−Ｅ：ｌｖ％ 上記の配合で８６０°Ｃで２時間焼成することによシ誘
電率７０の焼成体を得た。収縮率は１５％であった。ｔ
ａｎ　Ｊは２チであった。絶縁抵抗値は２０ＭΩ〉であ
ったので実用的な組成であった。

実施例６ Ｂｔ２０３２５モルチ ＰｂＯ３５モルチ ＢａＯ１５モルチ ＴｉＯ２５モルチ 上記の配合で８６０°Ｃで２時間焼成することによシ誘
電率９０の焼成体を得た。収縮率は２０％であり、ｔａ
ｎδは２チであった。絶縁抵抗値は２０ＭＱ）であった
ので実用的な組成であった。

実施例７ ＰｂＯ ＢａＯ ＴｉＯ３ ２６モｌし％ １６モルチ ３６モルチ ２６モルチ 上記の配合で９００℃で２時間焼成することにより誘電
率９ｏの焼成体を得た。収縮率は１２％であり、ｔａｎ
δは２チであった。絶縁抵抗値は２０ＭΩ〉であったの
で実用的な組成であった。

実施例８ Ｂ１２０３２５モルチ Ｓｒ０　　　２５モルチ Ｔｔｏ２　２ｓ　モｗ％ ＰｂＯ２５モル％ 上記の配合で９００’Ｃで２時間焼成することによシ誘
電率７０の焼成体を得た。収縮率は１６チであシ、ｔａ
ｎδは２％であった。絶縁抵抗値は２０ＭΩ〉であった
ので、実用的な組成であった。

実施例９ １２ｏ３ ｒＯ ＢａＯ ２６モルチ ５モルチ ２ｏモルチ ２６モルチ ２６モル％ Ｐｂ。

上記の配合で１０００’Ｃで２時間焼成することによシ
誘電率７ｏの焼成体を得た。収縮率は１２チであシ、ｔ
ａｎδは２％であった。絶縁抵抗値は２０ＭΩ〉であっ
たので実用的６な組成であった。

実施例１゜ ”２０３　　　　　２５モル俤 Ｓｒ０　　　　２５モルチ Ｂａ０　　　　１０モルチ Ｔ　ｚ　０２　　　　　　　２　５　モｗ　％Ｐｂｏ　
　　　　　　　１６モルチ 上記の配合で８５０’Ｃで２時間焼成することによシ誘
電率９６の焼成体を得た。収縮率は１５チであシ、ｔａ
ｎδは２チであった。絶縁抵抗値は２０ＭΩ〉であった
ので実用的な組成であった。

発明の効果 以上のように本発明は従来品に比して、Ｂｉ２Ｏ３系を
中心とした層状構造をとる誘電体で低温焼成することが
可能となった。このため電極材料費及び焼成費等で大幅
なコストダウンが可能となった。

又温度特性の良好なものを得ることが可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁器組成物の構成図、第２図は焼成温
度−容量曲線を示す図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）　Ｂｉ＿２Ｏ＿３を１６．７〜３３．３モル％，
   ＢａＯを１０〜３５モル％，ＰｂＯを１０〜４０モル％
   ，ＴｉＯ＿２を１６．７〜３３．３モル％，トータルで
   １００モル％の配合とすることを特徴とする磁器組成物
   。
2. （２）　Ｂｉ＿２Ｏ＿３を１６．７〜３３．３モル％，
   ＳｒＯを５〜２５モル％，ＰｂＯを１０〜４０モル％，
   ＴｉＯ＿２を１６．７〜３３．３モル％，トータルで１
   ００モル％の配合とすることを特徴とする磁器組成物。
3. （３）　Ｂｉ＿２Ｏ＿３を１６．７〜３３．３モル％，
   ＳｒＯを６〜２６モル％，ＢａＯを１０〜３５モル％　
   ，ＰｂＯを１０〜４０モル％，ＴｉＯ＿２を１６．７〜
   ３３．３モル％，トータルで１００モル％の配合とする
   ことを特徴とする磁器組成物。