JPH02293378A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPH02293378A JPH02293378A JP1112878A JP11287889A JPH02293378A JP H02293378 A JPH02293378 A JP H02293378A JP 1112878 A JP1112878 A JP 1112878A JP 11287889 A JP11287889 A JP 11287889A JP H02293378 A JPH02293378 A JP H02293378A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[a業上の利用分野]
本発明は高誘電率磁器組成物に係り、特に耐電圧が大き
くかつ誘電率の温度特性に優れしかも焼結温度の低い高
誘電率磁器組成物に関するものである。
くかつ誘電率の温度特性に優れしかも焼結温度の低い高
誘電率磁器組成物に関するものである。
[従来の技術]
従来、高誘電率磁器組成物としては、チタン酸バリウム
(BaTiOa)を主体とする組成物が一般に使用され
ている.即ち、B a T i O 3を基体とし、こ
れにキュリー点を室温付近に移動させるシフター剤と容
量温度特性を改善するデブレッサ剤、さらに焼結促進剤
、還元防止剤などを加えた組成とするのが一般的である
. シフター剤としては、BaSnOs BaZrO3,CaZrOs .CaSnOa .Sr
TiO3 PbTiO3.La20zCeo2などが用
いられ、デプレッサ剤としては、CaTiO,,MgT
iOa,Bi2(SnOs)s, Bi 2 (T
iOs)3NiSnOs.MgZrO3.MgSnO3
などが用いられている.また焼結促進剤としては、AI
t20s.SiOz,ZnO,CeO2.B2 03
,Nba Os ,W03などが用いられ、還元防止剤
としては、Mn02 ,Fe2O3,CuOなどが用い
られている. しかしながら、チタン酸バリウムを主成分とする組成物
は、焼結温度が1300〜1400℃の高温であるため
、焼成コストが高く、特にこれを積層コンデンサに利用
する場合には、内部電極として、Pd,Pt等の高価な
高融点貴金属を用いなければならず、コンデンサのコス
ト低減の大きな障害になっていた. このため、従来より、積層コンデンサの内部電極として
、安価な銀を主成分とする電極を使用することができ、
積層コンデンサの製造コストを低減し得る、低温焼結が
可能な誘電体材料の出現が要望されていた. そこで、焼結温度が低く、しかも誘電率の温度特性に優
れた磁器組成物として、pbo,La20s.MO,Z
r02.Ti02よりrt ル主成分組成を(1−X−
Y)PbOZTi02と表わしたときに(ただしMはB
aとSrの一方又は双方である。)、o.06≦X≦0
.30、0.03≦Y≦0.48、0.20≦Z≦0.
50を満足する主成分組成物に、pbwo4とPb(M
g 2W 2)Osで表わされる組成との一方又は
双方よりなる添加物を主成分に対し、重量で1〜40重
量%(ただしP b W O 4は主成分の15it量
%以下、Pb(Mg 2w 2)o,は主成分の4
0Ii量%以下である.)含有して成る高誘電率磁器組
成物、或いは、この組成物に含まれる全pbのうち5モ
ル%以下をAgで置換したもの、或いはこの組成物に含
まれる全pbのうち6モル%以下をBiで置換したもの
、或いはこの組成物に含まれる全pbのうち5モル%以
下をAgで置換し6モル%以下をBiで置換したものが
提案され、本出願人より先に特許出願された(特開昭6
3−98904号). [発明が解決しようとする課題] 特開昭63−98904号に開示される高説電率磁器組
成物によれば、低温焼結性、認電率の温度特性が改善さ
れた磁器組成物が提供されるが、耐電圧が未だ十分なも
のとはいえず、より耐電圧の大きい高誘電率磁器組成物
の出現が望まれていた。
(BaTiOa)を主体とする組成物が一般に使用され
ている.即ち、B a T i O 3を基体とし、こ
れにキュリー点を室温付近に移動させるシフター剤と容
量温度特性を改善するデブレッサ剤、さらに焼結促進剤
、還元防止剤などを加えた組成とするのが一般的である
. シフター剤としては、BaSnOs BaZrO3,CaZrOs .CaSnOa .Sr
TiO3 PbTiO3.La20zCeo2などが用
いられ、デプレッサ剤としては、CaTiO,,MgT
iOa,Bi2(SnOs)s, Bi 2 (T
iOs)3NiSnOs.MgZrO3.MgSnO3
などが用いられている.また焼結促進剤としては、AI
t20s.SiOz,ZnO,CeO2.B2 03
,Nba Os ,W03などが用いられ、還元防止剤
としては、Mn02 ,Fe2O3,CuOなどが用い
られている. しかしながら、チタン酸バリウムを主成分とする組成物
は、焼結温度が1300〜1400℃の高温であるため
、焼成コストが高く、特にこれを積層コンデンサに利用
する場合には、内部電極として、Pd,Pt等の高価な
高融点貴金属を用いなければならず、コンデンサのコス
ト低減の大きな障害になっていた. このため、従来より、積層コンデンサの内部電極として
、安価な銀を主成分とする電極を使用することができ、
積層コンデンサの製造コストを低減し得る、低温焼結が
可能な誘電体材料の出現が要望されていた. そこで、焼結温度が低く、しかも誘電率の温度特性に優
れた磁器組成物として、pbo,La20s.MO,Z
r02.Ti02よりrt ル主成分組成を(1−X−
Y)PbOZTi02と表わしたときに(ただしMはB
aとSrの一方又は双方である。)、o.06≦X≦0
.30、0.03≦Y≦0.48、0.20≦Z≦0.
50を満足する主成分組成物に、pbwo4とPb(M
g 2W 2)Osで表わされる組成との一方又は
双方よりなる添加物を主成分に対し、重量で1〜40重
量%(ただしP b W O 4は主成分の15it量
%以下、Pb(Mg 2w 2)o,は主成分の4
0Ii量%以下である.)含有して成る高誘電率磁器組
成物、或いは、この組成物に含まれる全pbのうち5モ
ル%以下をAgで置換したもの、或いはこの組成物に含
まれる全pbのうち6モル%以下をBiで置換したもの
、或いはこの組成物に含まれる全pbのうち5モル%以
下をAgで置換し6モル%以下をBiで置換したものが
提案され、本出願人より先に特許出願された(特開昭6
3−98904号). [発明が解決しようとする課題] 特開昭63−98904号に開示される高説電率磁器組
成物によれば、低温焼結性、認電率の温度特性が改善さ
れた磁器組成物が提供されるが、耐電圧が未だ十分なも
のとはいえず、より耐電圧の大きい高誘電率磁器組成物
の出現が望まれていた。
本発明は上記従来の問題点を解決し、焼結温度が低く、
誘電率の温度特性に優れ、しかも耐電圧の大きな高誘電
率磁器組成物を提供することを目的とする. [課題を解決するための手段及び作用]請求項(1)の
高誘電率磁器組成物は、PbO,Law 03 .MO
.ZrO2及びTi02を含む組成物であって、下記一
般式で示される組成の主成分と、1〜8重量%のP b
W O 4と、0.05〜1.5重量%のGe02と
を含むことを特徴とする。
誘電率の温度特性に優れ、しかも耐電圧の大きな高誘電
率磁器組成物を提供することを目的とする. [課題を解決するための手段及び作用]請求項(1)の
高誘電率磁器組成物は、PbO,Law 03 .MO
.ZrO2及びTi02を含む組成物であって、下記一
般式で示される組成の主成分と、1〜8重量%のP b
W O 4と、0.05〜1.5重量%のGe02と
を含むことを特徴とする。
(1−x−y)PbO −−La203 ・yMo ・
(1−z)Zr02 ・ zTi02請求項(2)の
高話電率磁器組成物は、請求項(1)の高誘電率磁器組
成物において、更に0.2重量%以下のSiO2を含む
ことを特徴とする。
(1−z)Zr02 ・ zTi02請求項(2)の
高話電率磁器組成物は、請求項(1)の高誘電率磁器組
成物において、更に0.2重量%以下のSiO2を含む
ことを特徴とする。
請求項(3)の高誘電率磁器組成物は、請求項(1)又
は(2)の高誘電率磁器組成物において、含有されるp
bの5モル%以下をAgで置換したことを特徴とする. 以下に本発明を詳細に説明する. 本発明の高誘電率磁器組成物は、pbo,La20x
,MO,Z r02 ,T i 02よりなる組成物を
下記一般式(1) ( 1 − z ) Z r O 2 ・z T
i O 2 − ( I )(ただし、MはBaとS
rの一方又は双方)で表わした時、 0.06≦X≦0.30 0.03≦y≦0.48 0.20≦2≦0.50 なる主成分と、1〜8重量%のP b W O 4と0
.05〜1.5重量%のGeO2とを含むものである。
は(2)の高誘電率磁器組成物において、含有されるp
bの5モル%以下をAgで置換したことを特徴とする. 以下に本発明を詳細に説明する. 本発明の高誘電率磁器組成物は、pbo,La20x
,MO,Z r02 ,T i 02よりなる組成物を
下記一般式(1) ( 1 − z ) Z r O 2 ・z T
i O 2 − ( I )(ただし、MはBaとS
rの一方又は双方)で表わした時、 0.06≦X≦0.30 0.03≦y≦0.48 0.20≦2≦0.50 なる主成分と、1〜8重量%のP b W O 4と0
.05〜1.5重量%のGeO2とを含むものである。
以下に、本発明の高誘電率磁器組成物の組成比の限定理
由について説明する。
由について説明する。
前記(1)式中、Xが0.06未満であると得られる組
成物の誘電率の温度特性が悪化し、Xが0.30を超え
ると8電率が低下し好ましくない.このため、Xは0.
06以上0.30以下の範囲とする。
成物の誘電率の温度特性が悪化し、Xが0.30を超え
ると8電率が低下し好ましくない.このため、Xは0.
06以上0.30以下の範囲とする。
また、(I)式中、yが0.03未満或いは0.48を
超える場合には、得られる組成物の誘電率の温度特性が
悪化する。このため、yは0.03以上0.48以下の
範囲とする。
超える場合には、得られる組成物の誘電率の温度特性が
悪化する。このため、yは0.03以上0.48以下の
範囲とする。
更に(I)式中、Zが0.20未満或いは0.50を超
える場合には、得られる組成物の誘電率の温度特性が悪
化する。このため、2は0.20以上0.50以下の範
囲とする。
える場合には、得られる組成物の誘電率の温度特性が悪
化する。このため、2は0.20以上0.50以下の範
囲とする。
P b W O 4の含有量が1重量%未満では焼結温
度が高くなり、8重量%を超えると得られる組成物の耐
電圧が小さくなる。このため、PbWO+の含有量は1
〜8重量%とする。
度が高くなり、8重量%を超えると得られる組成物の耐
電圧が小さくなる。このため、PbWO+の含有量は1
〜8重量%とする。
GeO2の含有量が0.05重量%未満では得られる組
成物の耐電圧が小さく、1.5重量%を超えると説電率
が小さくなる。このため、G e O 2の含有量は0
.05〜1.5重量%とする. 請求項(2)の高誘電率磁器組成物において、SiO2
を含有させることにより得られる組成物の耐電圧が向上
するという効果が得られるが、SiO2の含有量が0,
2重量%を超えると誘電率が小さくなる.このため、S
i02の含有量は0.2重量%以下とする。
成物の耐電圧が小さく、1.5重量%を超えると説電率
が小さくなる。このため、G e O 2の含有量は0
.05〜1.5重量%とする. 請求項(2)の高誘電率磁器組成物において、SiO2
を含有させることにより得られる組成物の耐電圧が向上
するという効果が得られるが、SiO2の含有量が0,
2重量%を超えると誘電率が小さくなる.このため、S
i02の含有量は0.2重量%以下とする。
請求項(3)の高誘電率磁器組成物において、pbの5
モル%以下をAgで置換することにより、得られる組成
物の8電率の温度特性が向上するが、Agへの置換率が
5モル%を超えると誘電率が小さくなる.従って、pb
のAgへの置換率は5モル%以下とする。
モル%以下をAgで置換することにより、得られる組成
物の8電率の温度特性が向上するが、Agへの置換率が
5モル%を超えると誘電率が小さくなる.従って、pb
のAgへの置換率は5モル%以下とする。
このような本発明の高誘電率磁器組成物を製造するには
、例えば、酸化鉛(PbO)、酸化ランタン( L a
2 0 3) 、チタン酸バリウム(BaT 1 0
3 ) 、炭酸バリウム( B a C O a )
、炭酸ストロンチウム(SrCOa),酸化ジルコニ
ウム( Z r O 2 ) 、酸化チタン(Ti02
)、酸化タングステン(WOs),酸化ゲルマニウム(
G e O 2 ) %酸化銀(Ag20)等の粉末
を、所定の割合となるよう秤量し、湿式ボールミル等を
用いて十分に混合する。次にこの混合物を脱水、乾燥し
た後、必要に応じ、700〜850℃の範囲で数時間仮
焼成する。この仮焼成は必ずしも行う必要はないが、こ
れを行うことにより粒子がより均一化され、訪電特性が
向上する傾向がある.仮焼成を行った場合には、仮焼成
物を更に湿式ボールミル等で粉砕し、脱水、乾燥後、ポ
リビニルアルコールなどの適当な有機バインダを加えて
顆粒を作り、これを所定の形状にプレス成形した後、本
焼成を行う。この本焼成は、950〜1100℃の温度
範囲で1〜数時間行う。
、例えば、酸化鉛(PbO)、酸化ランタン( L a
2 0 3) 、チタン酸バリウム(BaT 1 0
3 ) 、炭酸バリウム( B a C O a )
、炭酸ストロンチウム(SrCOa),酸化ジルコニ
ウム( Z r O 2 ) 、酸化チタン(Ti02
)、酸化タングステン(WOs),酸化ゲルマニウム(
G e O 2 ) %酸化銀(Ag20)等の粉末
を、所定の割合となるよう秤量し、湿式ボールミル等を
用いて十分に混合する。次にこの混合物を脱水、乾燥し
た後、必要に応じ、700〜850℃の範囲で数時間仮
焼成する。この仮焼成は必ずしも行う必要はないが、こ
れを行うことにより粒子がより均一化され、訪電特性が
向上する傾向がある.仮焼成を行った場合には、仮焼成
物を更に湿式ボールミル等で粉砕し、脱水、乾燥後、ポ
リビニルアルコールなどの適当な有機バインダを加えて
顆粒を作り、これを所定の形状にプレス成形した後、本
焼成を行う。この本焼成は、950〜1100℃の温度
範囲で1〜数時間行う。
本発明で限定される組成比の高誘電率磁器組成物は、誘
電率の温度特性が良い上に、誘電率及び耐電圧が大きく
、磁器コンデンサ材料として優れた特性を有する.その
上、焼成温度が低く、誘電損失も低いという利点も有し
ている。
電率の温度特性が良い上に、誘電率及び耐電圧が大きく
、磁器コンデンサ材料として優れた特性を有する.その
上、焼成温度が低く、誘電損失も低いという利点も有し
ている。
[実施例]
以下に本発明を実施例を挙げて更に具体的に説明するが
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
実施例1
原料としてPbO.La203 ,BaTf03 .S
rCO3 ,TiO2,Zr02WO3 .aeo2,
Ag20を使用し、これらを第1表に示す配合比となる
ように秤量し、ボールミル中で20時間湿式混合した。
rCO3 ,TiO2,Zr02WO3 .aeo2,
Ag20を使用し、これらを第1表に示す配合比となる
ように秤量し、ボールミル中で20時間湿式混合した。
次いで、混合物を脱水、乾燥後、750℃で2時間保持
して仮焼し、再びボールミル中で20時間湿式粉砕した
後、脱水、乾燥した。
して仮焼し、再びボールミル中で20時間湿式粉砕した
後、脱水、乾燥した。
得られた粉末に、有機バインダを加え、成形圧力3 t
o n / c ni”で、直径16mm、厚さ0.
8mmの円板に加圧成形した.この成形物をマグネシア
磁器容器に入れて、第1表に示す如く、950〜110
0℃の温度で1時間焼成した。
o n / c ni”で、直径16mm、厚さ0.
8mmの円板に加圧成形した.この成形物をマグネシア
磁器容器に入れて、第1表に示す如く、950〜110
0℃の温度で1時間焼成した。
得られた円板形状の誘電体の両面に、銀電極をフOO〜
800℃で焼付けて、下記方法によりその電気的特性を
調べた。
800℃で焼付けて、下記方法によりその電気的特性を
調べた。
即ち、誘電率及び誘電損失は、YHPデジタルLCRメ
ータ,モデル4274Aを用い、測定周波数IKHz,
測定電圧1.OVrmsにて測定した。また、比抵抗は
YHPモデル4329Aを使用し、印加電圧100vに
て電圧印加後1分後の絶縁抵抗値により求めた. 温度特性は25℃の8電率を基準にして、25℃〜+8
5℃の温度範囲における変化をパーセントで示した。
ータ,モデル4274Aを用い、測定周波数IKHz,
測定電圧1.OVrmsにて測定した。また、比抵抗は
YHPモデル4329Aを使用し、印加電圧100vに
て電圧印加後1分後の絶縁抵抗値により求めた. 温度特性は25℃の8電率を基準にして、25℃〜+8
5℃の温度範囲における変化をパーセントで示した。
別に、耐電圧測定のために、上記と同様にして、直径8
mm,厚さ0.4mmの円板を成形し、これを焼成した
.得られた誘電体に上記と同様にして、電極塗付、焼付
後、リード線をハンダ付けした試料に絶縁樹脂を塗付し
、直流電圧を印加することにより耐電圧を測定した。
mm,厚さ0.4mmの円板を成形し、これを焼成した
.得られた誘電体に上記と同様にして、電極塗付、焼付
後、リード線をハンダ付けした試料に絶縁樹脂を塗付し
、直流電圧を印加することにより耐電圧を測定した。
結果を第1表に示す.
第1表から明らかなように、本発明の範囲内の組成物は
いずれも誘電率が大きいにもかかわらす話電率の温度変
化が著しく小さく、しかも耐電圧が大きい.その上、焼
結温度が低く、誦電正接が小さいという利点も有してい
る.なお、BaO原料としてBaCOsを使用した場合
においても、[発明の効果〕 以上詳述した通り、本発明の高誘電率磁器組成物は、誘
電率が大きく、誘電率の温度特性が良く、しかも耐電圧
が大きいため、信頼性の高い温度安定性の小型大容量コ
ンデンサ或いは小型高耐圧コンデンサを得ることができ
る. しかも、本発明の高話電車磁器組成物は、焼成温度が低
いため、焼成コストが廉価で、積層コンデンサに用いた
場合、比較的安価な銀系などの内部電極を用いることが
できる.このため、積層コンデンサの製造コストを低下
させ、その価格を大幅に低減することができる。
いずれも誘電率が大きいにもかかわらす話電率の温度変
化が著しく小さく、しかも耐電圧が大きい.その上、焼
結温度が低く、誦電正接が小さいという利点も有してい
る.なお、BaO原料としてBaCOsを使用した場合
においても、[発明の効果〕 以上詳述した通り、本発明の高誘電率磁器組成物は、誘
電率が大きく、誘電率の温度特性が良く、しかも耐電圧
が大きいため、信頼性の高い温度安定性の小型大容量コ
ンデンサ或いは小型高耐圧コンデンサを得ることができ
る. しかも、本発明の高話電車磁器組成物は、焼成温度が低
いため、焼成コストが廉価で、積層コンデンサに用いた
場合、比較的安価な銀系などの内部電極を用いることが
できる.このため、積層コンデンサの製造コストを低下
させ、その価格を大幅に低減することができる。
手続補正書
l 事件の表示
平成1年特許w4第112878号
2 発明の名称
高誘電率磁器組成物
3 補正をする者
事件との関係 特許出願人
名 称 三菱鉱業セメント株式会社4 代理人
住 所 東京都港区虎ノ門1丁目15番7号〒105
TGl15ビル 8階 6 補正の対象 明細書 代理人 弁理士 重 野 剛 7 補正の内容 (1) 明細書第4頁第10行及び同頁第13行正する
. 以 上
TGl15ビル 8階 6 補正の対象 明細書 代理人 弁理士 重 野 剛 7 補正の内容 (1) 明細書第4頁第10行及び同頁第13行正する
. 以 上
Claims (3)
- (1)PbO,La_2O_3,MO,ZrO_2及び
TiO_2を含む組成物であって、下記一般式で示され
る組成の主成分と、1〜8重量%のPbWO_4と、0
.05〜1.5重量%のGeO_2とを含むことを特徴
とする高誘電率磁器組成物。 (1−x−y)PbO・x/2La_2O_3・yMO
・(1−z)ZrO_2・zTiO_2 式中、MはBa及び/又はSr 0.06≦x≦0.30 0.03≦y≦0.48 0.20≦z≦0.50 - (2)SiO_2を0.2重量%以下含有する特許請求
の範囲第1項に記載の高誘電率磁器組成物。 - (3)Pbの5モル%以下をAgで置換した特許請求の
範囲第1項又は第2項に記載の高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1112878A JP2621478B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1112878A JP2621478B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02293378A true JPH02293378A (ja) | 1990-12-04 |
JP2621478B2 JP2621478B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=14597793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1112878A Expired - Lifetime JP2621478B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2621478B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100402469B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2003-10-22 | 안달 | 마이크로파 유전체 세라믹 조성물 |
-
1989
- 1989-05-02 JP JP1112878A patent/JP2621478B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100402469B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2003-10-22 | 안달 | 마이크로파 유전체 세라믹 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2621478B2 (ja) | 1997-06-18 |
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