JPH03162570A - スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明はスパッタリング法を用いてＴｅを主成分あるい
はＴｅを含む薄膜を形成するために用いるスパッタリン
グターゲットおよびその製造方法に係り、特に画像ファ
イルや文書ファイルおよびコード情報ファイルなど、光
ディスク用の記録媒体を成膜するスパッタリングターゲ
ットおよびその製造方法に関する。

（従来の技術） Ｔｅ合金薄膜を用いる代表的な製品例として光ディスク
がある。光ディスクはレーザ光の照射により情報を記録
または再生することができる情報記録薄膜を基板に形成
したもので、大容量高密度メモリの一種として広く普及
している。この光ディスクには一度のみの記録が可能な
追記型と、記録した信号を消去することができ、何度も
記録消去を繰り返すことができる書き換え型がある。

上記追記型光ディスクを実現する記録薄膜としてＴｅ合
金を主成分にし、さらに耐湿性や耐酸化性を付与する成
分として炭素や水素を含有した記録薄膜が開発されてい
る。

これらの記録薄膜を形成する方法としては、般に炭化水
素ガスを含むアルゴンガス雰囲気中で反応スパッタリン
グ法により成膜する方法が採用されている。すなわちＴ
ｅ合金製のターゲットにアルゴンイオンを衝突させてタ
ーゲットからの放出元素を、ターゲット板に対向配置し
た基板上に薄膜として堆積させる方法である。基板上に
はＴｅ合金と炭素とから成る記録薄膜が形成され、この
記録薄膜の特性はターゲットの成分組或や形状等の特性
に大きく影響を受ける。

従来このようなＴｅ合金ターゲットは、例えば特開５昭
６２−１３５６９号公報に開示されているように、溶解
鋳造して調製したＴｅ合金を粉砕し、得られたＴｅ合金
粉末をホットプレスして高温高圧下で一挙に高密度に成
形焼結して製造されたり、または特開昭６２−１１４１
３７号公報に開示されているように、Ｔｅ粉末とその他
の原料粉末とを加熱反応せしめて仮焼結体を形成し、得
られた反応生或物（Ｔｅ化合物）の仮焼結体をさらに粉
砕して得られた原料粉末をホットプレスして実質的に均
一組成でほぼ理論密度に等しい成形体として製造されて
いる。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら従来の製造方法によれば、２種類以上の成
分元素を含有し、組成がほぼ均一なターゲットを形成し
た場合においても、現実にそのターゲットを使用して形
成した薄膜の組成がターゲットの組成と同一にならない
場合があった。

従来、この原因としてはターゲット製造時に形戊された
微小なボアがターゲット内に介在するためであり、ボア
界面における成分の不均一さがそのまま薄膜組成のばら
つきにつながるものと考えられていた。

そのため従来のスパッタリングターゲットは、ボアの影
響を回避すべく密度比を可及的に高め、実質的に均一組
成でほぼ理論密度に近い値、すなわち密度比が９７〜↓
００％の戊形体で構戊することが提案されていた（特開
昭６２−１１４１３２号公報、特開昭６２−１１４６号
公報、特開昭６２−１１４１３７号公報、特開昭６２−
１１４１３６号公報）。

しかしながら本願発明者等が種々実験研究した結果、タ
ーゲットの密度比が９７〜１００％と大きい場合には、
所望の膜組戊とは異なった組成の薄膜が形成され易く組
成制御が極めて困難になる事実が見出された。

また従来より提案されている製造方法により得られたタ
ーゲットを使用して、反応スパッタリング法によって記
録薄膜としてのＴｅ合金一〇膜を形成した場合には、記
録薄膜の組成が変動するとともに安定性が損われるとい
う事実も見出された。

本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので
あり、所望組成の記録薄膜を安定して連続的に形成する
ことができるスパッタリングターゲットおよびその製造
方法を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段と作用） 本発明者等は上記目的を達或するため、各種元素成分に
ついて、その組戊比を種々変えて組み合せるとともに密
度比を広範囲に変えてＴｅ合金製スパッタリングターゲ
ットを多種類製作し、これらのスパッタリングターゲッ
トを用いて、炭化水素（ＣＨ４）および不活性ガス（Ａ
ｒ）雰囲気中で反応性スパッタリングを行ない、形或さ
れる記録薄膜の組成および特性を比較研究した。

その結果反応性スパッタリングによって形戊する記録薄
膜の組或は、ターゲット自体の組成比を変えても制御す
ることが困難であることが判明する一方、ターゲットの
密度比を変えることによって大きく変化することを本願
発明者等は初めてつきとめた。すなわち従来においては
、組成のばらつきを生成する原因と考えられていたボア
の形戊量を増減することよって記録薄膜の組戊を所望の
値に設定することが可能になるという知見を得た。

すなわち、Ｔｅ合金ターゲットはＴｅ相とＴｅ化合物相
（テルライド相）との複合組織で、Ｔｅ相はテルライド
相に比ベスパッタ率および蒸気圧が大きく、しかも熱拡
散し易い特徴がある。したがって密度比が１００％に近
いＴｅ合金ターゲットをスパッタリングした場合、プラ
ズマ放電によってスパッタ面は高温状態となってスパッ
タ率および蒸気圧の大きなＴｅ相がテルライド相より多
く放出され、しかもテルライド相は熱安定性があるのに
対し、Ｔｅ相は熱拡散率が大きいために下地からＴｅが
拡散移動してスパッタ面に供給されるため、膜組成はタ
ーゲット組成よりＴｅリッチとなる。しかし、ボアが均
一に存在する低密度のターゲットの場合、下地からのＴ
ｅの拡散がボアによって抑制されてスパッタ面に供給さ
れるＴｅが減少するため、膜中のＴｅ含有量が高密度タ
ーゲットの場合に比べ低下する。このようにボアの数、
つまり密度比によって膜中のＴｅ含有量が直線的に変化
するので、ターゲットの密度比により膜組成が制御でき
ることを発見した。

また本発明者等は記録薄膜を安定して連続的に形成する
ために鋭意研究した結果、ターゲットの密度比分布と組
成分布とを均一にすることにより、より安定して連続的
にスパッタリングが可能なターゲットが得られることを
見出した。

すなわち、従来の製造方法によれば、溶解鋳造材や仮焼
結体を粉砕して原料粉末を得ているため、原料粉末の粒
径のばらつきが大きく、この原料粉末を使用してホット
プレス焼結を行なった場合、ボアが不規則に発生し易く
、したがって部分的に密度の異なる不均一な密度比を有
したターゲットとなる。特に溶解鋳造材は、その中央部
と外周部の凝固速度の相違から偏析が生じ易く、したが
って粉砕した粉末に残存する共晶組織は異なるため、こ
の粉末を用いて焼結したターゲットの組織は不均一とな
り、それらに起因して組成分布も不均一となる。このよ
うにターゲットの密度比と組成の分布を均一にすること
によって、記録薄膜の組成を安定に形成できることが可
能になるという知見を得た。

本発明は上記知見に基づいて完威されたものである。す
なわち本発明に係るスパッタリングターゲットは、Ｔｅ
合金から威り、密度比を６０〜９５％に設定したことを
特徴とする。

またターゲットの密度比のばらつきを±Ｌ　　Ｏ％以内
、ターゲットの組成比（　Ｔ　ｅ　／　Ｍ原子比、Ｍは
構成元素）を±０，０５以内に設定したことを特徴とす
る。

さらにＡｇ，　Ｃｕ，　Ａｕ，　Ｚｎ，　Ｃｄ，　Ｇａ
，Ｉｎ，Ｔｊｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｉｌ
ｉおよびＳｅから成る群より選択された１種以上の元素
を総量で５５原子％以下の範囲で含有するＴｅ合金から
成ることを特徴とする。

本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、
Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｇａ，Ｉｎ，　Ｔｊｊ
，　Ｇｅ，　　Ｓｎ，　　Ｐｂ，　Ａｓ，　　Ｓｂ，　
　ＢｉおよびＳｅから成る群より選択されたｌ種以上の
元素をＴｅと混合して原料粉末を調整し、得られた原料
粉末を低真空下または不活性ガス雰囲気下でホットプレ
スしてテルライドを生成した後に、ホットプレス圧力よ
り低いプレス圧力下で、かつ共晶温度直下の温度に加熱
して焼結し、実質的に均一組成で密度比が６０〜９５％
の焼結体とすることを特徴とする。

以下本発明の限定理由を述べる。

Ｔｅ合金は従来の膜材として主に使用されていたＢｉ等
と比較して、熱伝導率が低く、記録感度が高いため、記
録薄膜の構成材料として有用であり、本発明に係るター
ゲットの主要構威材となる３またターゲットの密度比は
、理論密度に対する実測密度の比で定義され、形成する
記録薄膜の組成を制御する上で極めて重要である。すな
わち夕−ゲットの密度比は、ターゲット中のボアの数に
逆比例する。そしてボアの存在はターゲットを構或する
複数の成分がスパッタ面に拡散・移動する際の、各成分
の移動速度をそれぞれ制御する。したがってターゲット
の密度比を増減することによって、記録薄膜の組威を所
望の比率に制御することができる。

そしてターゲットの密度比は、要求される組成割合に従
って６０〜９５％の範囲に設定される。

この密度比の範囲を設定した理由は、密度比が６０％未
満になると、ターゲットとなる焼結体の機械加工時に割
れが発生し易く、加工が困難になるとともにスパッタリ
ング操作時にも破損し易くなる。一方、密度比が９５％
を超えるとターゲット組成を変えても所望の膜組成の制
御が困難になるからである。好まし《は６５−９０％、
さらに好ましくは７０〜８５％である。

またターゲットの密度比および組成比のばらつきは、そ
のまま薄膜組成の変動や膜形成操作の安定性に大きく影
響されるため、可及的に小さい方が望ましいが、実用的
には密度比は±１．　　０％の範囲内、好ましくは±０
．　　５％の範囲内である一方、組成比は±０．０５％
の範囲内、好ましくは±０．０３％の範囲内に設定され
る。上記範囲外になると所望の均一な膜組成が得られに
くくなり、スパッタリング操作の安定性も低下する。

また、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔ
ｊ：，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｓｂ，ＢおよびＳｅな
どの元素はいずれも記録薄膜の耐湿性、耐酸化性を増大
するために、また伝熱特性や記録感度、耐久性を改善す
るために添加されるものであり、その添加量は５５原子
％以下に設定される。これは添加量が５５原子％を超え
ると、夕一ゲットはＴｅ相がなくなってテルライド相だ
けとなり、ターゲットの密度比を変えても膜組成を制御
することが困難になるからである。

次に本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法
について具体的に説明する。

まず、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｇａ，Ｉｎ，　
ＴＪ，　Ｇｅ，　　Ｓｎ，　　Ｐｂ，　Ａｓ，　　Ｓｂ
，　ＢおよびＳｅから成る群より選択された工種以上の
或分粉末と、Ｔｅ粉末とを所定量配合し、ボールミル等
を用いて湿式混合した後に充分に乾燥し、原料粉末を調
製する。原料粉末の混合が不充分であると、テルライド
合成反応によって発生する反応熱が不均一になる。その
結果、焼結体が割れ易くなり、またターゲットの金属組
織や組成にむらを生じ易くなる。

またテルライド（Ｔｅ化合物）の合成焼結操作は、低真
空下またはアルゴン、窒素、ヘリウム等の不活性ガスの
雰囲気下で行なわれ、その際の真空度は、Ｔｅ成分の揮
発損失を防止するために上００Ｔｏｒｔ以上であること
が望ましい。

さらにホットプレス圧力は、共晶温度Ｔｓより低い加熱
温度領域においては１００〜２５０ｋｇ／ｄに設定され
る。ホットプレス圧力が１００ｋｇ／ｄ未満であると、
焼結性が極めて低く、低密度の焼結体しか得られない。

一方ホットプレス圧力が２５０ｋｇ／ｃＩｉを超えると
密度が高くなり、所定の密度比に設定することが困難に
なり、しかもターゲットに割れが発生し易くなる。

従ってまずホットプレス処理によりテルライト合成反応
と焼結反応とをある程度進行せしめ、しかる後に上記ホ
ットプレス処理時の加圧力より低い圧力下で原料粉末を
さらに加熱焼結し、最終的に所要の密度比を有する焼結
体を製造する。

このときの加熱温度Ｔは、共晶温度Ｔｓ直下の温度、好
ましくはＴｓ−５０＜Ｔ＜Ｔｓの範囲内で設定される。

加熱温度Ｔが（Ｔｓ−５０）以下であると、焼結体の密
度を上げるために、長時間を要するとともに離型操作が
困難となる。一方加熱温度Ｔが共晶温度を超えるとＴｅ
相が溶融し、プレス圧力が大きい場合には溶融したＴｅ
が型から流出し、組成のずれが大きな焼結体となる。ま
たこのときのプレス圧力は３０〜８０ｋｇ／ｃａｒに設
定される。プレス圧力が３０ｋｇ／ｃｕｔ未満であると
、熱膨張によって焼結体がふくらみ、厚さが一定のター
ゲットを形成することができない。一方プレス圧力が８
０ｋｇ／ｃｎｆを超えると焼結体の密度が上昇し過ぎて
所望の密度比のターゲットが得られなくなる。

また加熱速度は、テルライド合成時に発生する反応熱を
抑制するために５℃／　ｍ　ｉ　ｎ以下に設定される。

加熱速度が５°Ｃ　／　ｍ　ｉ　ｎを越えると反応熱の
急激な増加によって焼結体に割れが発生する頻度が高く
なる。

このようにして原料粉末はホットプレス処理によって加
熱加圧され、テルライド相中にＴｅ相が均一に分散した
成形体となる。成形体は、さらに加熱焼結処理され、最
終的に所要の密度比を有する焼結体が得られる。

この焼結体をワイヤー放電加工機、バンドソーなどの切
断加工機にて切断し、さらに研削などで所定形状に仕上
加工を行ってスパッタリングターゲットが製造される。

（実施例） 次に本発明を以下の実施例により具体的に説明する。

実施例１〜６，比較例１〜３ 平均粒径３０μｍのＴｅ粉末と平均粒径ｌＯμｍのＡｇ
粉末とをそれぞれ６６．７原子％、３３．３原子％の割
合で配合し、さらに分散剤としてエタノールを添加し、
ボールミルを使用して４８時間混合した後に、十分に乾
燥して原料粉末を調製した。次に原料粉末を黒鉛型に充
填後、ホットプレス装置に装入し、さらにアルゴンガス
を導入して装置内の真空度を７　０　０Ｔｏ＋ｒに設定
した。

次に温度２００℃まで加熱すると同時に一次圧力２００
ｋｇ／ｃｒｌを作用させてテルライド合成反応を生起せ
しめて成型体を得た。次に得られた成型体を６グループ
（実施例１〜６）に分け各グループの成型体について二
次圧力を３０〜８　０　ｋｇ　／　ｃｒｒ！の範囲で段
階的に上昇させるとともに、加熱温度も２００〜２６０
℃の範囲で段階的に上昇させて、各１時間ずつ加熱焼結
し、最終的に密度比がそれぞれ６０，７０，８０，８５
，９０．９５％の焼結体を形成した。形成した各焼結体
をワイヤー放電加工機にて切断加工し、研削加工仕上げ
して｛２７皿φ×５ｍｆｆｌｔのスパッタリングターゲ
ットを製造した。

一方比較例１〜３として、実施例１〜６において調整し
た原料粉末を同一寸法の黒鉛型に充填し、温度２６０°
Ｃの温度下で圧力をそれぞれ１９０，２　３　０，　　
２　５　０ｋｇｌｃｍで１時間焼結し最終的に密度比を
９６％，９８％，９９％に設定した焼結体を形成し、仕
上げ加工して同一寸法のスパッタリングターゲットを製
造した。

実施例１〜６および比較例１〜３で得た各スパッタリン
グターゲットをスパッタリング装置内に装填した後に、
装置内にＡｒガスおよびＣＨ４ガスをそれぞれ１０ｃｒ
ｄ／ｍｉｎ供給して装置内の真空度を５　Ｘ　１　０−
３Ｔｏｒｒに維持した状態でスパッタリングを行い、Ｐ
Ｃ（ポリカーボネート）基板表面にＡｇＴｅ−Ｃから成
る記録薄膜を３００大堆積させた。そして形成した各記
録薄膜に含まれるＡｇ量を計測したところ第１図に示す
結果を得た。

第↓図に示す結果から明らかなように実施例１〜６に示
すターゲットによれば記録薄膜に含有されるＡｇ量はタ
ーゲットの密度比を低下させるに従って増加する。この
メカニズムは、銀のテルライド（Ａ　ｇ　５Ｔ　ｅ　３
）間に均一に分散したＴｅ原子のスパッタ面への拡散移
動がボアによって抑制される結果、相対的にＡｇのスパ
ッタレートが増大するためと考えられる。すなわちボア
が多く、密度比が低いターゲットの方が、よりＡｇ含有
量の多い記録薄膜を形成することができる。従ってター
ゲットの密度比を増減することによって形戊する記録薄
膜の組成を容易に制御することが可能となり、光ディス
ク等の記録媒体の設計製造が極めて容易になる。

一方比較例ｔ〜３のように密度比を大きく設定したスパ
ッタリングターゲットでは記録薄膜の人ｇ含有量を増加
させることが困難であり、Ａｇ含有量は１２〜ｌ３原子
％が限界であった。

実施例７〜工３として平均粒径１０μｍのＡｇ粉末と、
平均粒径３０μｍのＴｅ粉末を、第１表左欄に示す割合
で配合し、さらに分散剤としてエタノールを添加した後
に、ボールミルで４８時間混合した後に、充分乾燥して
原料粉末を調製した。

次に調製した原料粉末を黒鉛型に充填しホットプレス装
置に装入した。そして装置内にアルゴンガスを導入して
真空度を７００Ｔｕｔに設定した。

次に２　０　０　ｋｇ／ｃｎｆのプレス圧力を加え、２
℃／ｍｉｎの昇温速度で２００℃まで加熱して１時間焼
結しさらに圧力１　０　０ｋｇ／ａ／，温度２６０℃で
３０分間焼結した後に、得られた焼結体を研削研摩し放
電加工して密度比が８４％で、寸注が１２７關φ×５Ｉ
ｏＩＩＩｔのスパッタリングターゲットを形成した。

一方比較例４，５として、Ａｇを含まないもの（比較例
４）、Ａｇを過量に添加したもの（比較例５）を実施例
７〜１３と同様なホットプレス条件で焼結し、同一寸法
のスパッタリングターゲットを形威した。

また比較例６〜８として、第■表に示す組或で溶解鋳造
したＴｅ−Ａｇ鋳造合金を粉砕して得た、平均粒径６０
μｍのＴｅ合金粉末を使用して、実施例７〜１３と同一
条件でホットプレスし同一寸法のスパッタリングターゲ
ットを形成した。

そして実施例７〜１３および比較例４〜８で得た各スパ
ッタリングターゲットについて、↑Ｏｍｍの間隔をおい
て組成比および密度比のばらつきを測定した。

さらに得られた各スパッタリングターゲットをスパッタ
リング装置内にセットした後に、装置内にＡｒガスおよ
びＣＨ４ガスをそれぞれ１０ｃｔｄ／ｍｉｎ導入し、真
空度を５　Ｘ　１　０　”Ｔｏｔｔに設定してスパッタ
リングを行い、ＰＣ基板上にＡｇＴｅ−Ｃ薄膜を厚さ３
００六堆積した。この生膜操作を各ターゲット毎に２０
回繰り返し、形威した薄膜の組成およびそのばらつきを
測定した。

〔以下余白〕

第１表に示す結果から明らかなように実施例７〜１３に
係るスパッタリングターゲットは、比較例４〜８と比較
して、いずれも組成比のばらつき、および密度比のばら
つきが少ない。その結果、各ターゲットを使用して形威
した記録薄膜についても組成比のばらつきが少なく、均
質な薄膜を形成することができる。

また第１表に示す実施例７〜１３の成分組成を有する各
スパッタリングターゲットについてその密度比を段階的
に変えたものを多数調製し、同様にスパッタリング操作
を行なって記録薄膜を形或し、各薄膜中のＡｇ含有量を
測定したところ、ほぼ第１図に示す特性と同一の傾向が
得られた。すなわちＴｅおよびＡｇの組戊比率が同一で
あっても密度比が減少するに伴って薄膜中のＡｇ含有量
が増加する傾向が確認された。したがってターゲット本
体の密度比を変えることによって薄膜組成を制御するこ
とが可能であり、所望の組成を容易に選択することがで
きる。

また実施例９および比較例７において形成したスパッタ
リングターゲットの金属組織を光学顕微鏡で観察した結
果を、それぞれ第２図および第３図に示す。実施例９の
ターゲットの金属組織は、微細なＡｇｓＦｅ３相とＴｅ
相とが均一に分散しており、組成のばらつきが小さく、
均一な組織が形威されている。

一方第３図に示すように溶解鋳造法にて調製した原料粉
末を使用したターゲットでは、結晶組織が粗大で不均一
になっており、このターゲットを使用して薄膜を形成す
る場合には、必然的にスパッタリングの安定性が低く、
形或される薄膜の組成もばらつきが大きいものになる。

実施例ｌ４〜４６，比較例９〜１９ 次に実施例１４〜４６として第２表および第３表左欄に
示す割合で、各成分粉末を配合し、原料粉末を調製した
。

そして各原料粉末を黒鉛型に充填し、圧力１００〜２５
０ｋｇ／ｃｉで↓８０〜２３０℃まで加熱してｌ時間焼
結し、さらに圧力３０〜１　０　０　ｋｇ／ｃｉ，温度
２５０〜２８０℃で３０分間焼結することによって最終
的に直径１２７ｍｍＸ厚さ５皿の寸法を有し、かつ第２
表および第３表の左欄に示す密度比を有するスパッタリ
ングターゲットをそれぞれ製造した。

一方、比較例９〜１９として第３表に示す組成で溶解鋳
造したＴｅ合金を粉砕して得た平均粒径６０μｍのＴｅ
合金粉末を使用して、実施例■４〜４６の場合と同一条
件でホットプレスし、同一寸法のスパッタリングターゲ
ットを形成した。

そして上記実施例１４〜４６および比較例９〜ｌ９で製
造した各ターゲットをスパッタリング装置にセットして
記録薄膜を形成し、各薄膜について実施例７〜１３と同
様に或分組成、組成比のばらつきを測定し、第２表およ
び第３表の右欄に示す結果を得た。

〔以下余白〕

第２表および第３表に示す結果から明らかなように実施
例１４〜４６に係るスパッタリングターゲットは、ター
ゲット本体の密度比を変えることによって薄膜組成を制
御することが可能であり、所望の組成を容易に選択する
ことができる。また実施例１４〜４６に係るスパッタリ
ングターゲットは、比較例９〜１９と比較して、いずれ
も組成比のばらつき、および密度比のばらつきが少ない
。

その結果、各ターゲットを使用して形威した記録薄膜に
ついても組成比のばらつきが少なく、均一な薄膜を形成
することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、所望組成の記録
薄膜を安定して連続的に形成することができるスパッタ
リングターゲットおよびその製造方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

第１図はＡｇ−Ｔｅ合金製スパッタリングターゲットの
密度比と、記録薄膜のＡｇ含有量との関係を従来例とと
もに示すグラフ、第２図は実施例９のスパッタリングタ
ーゲットの金属組織を示す光学顕微鏡写真、第３図は比
較例７のスパッタリングターゲットの金属組織を示す光
学顕微鏡写真である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、Ｔｅ合金から成り、密度比を６０〜９５％に設定し
   たことを特徴とするスパッタリングターゲット。 ２、ターゲットの密度比のばらつきを±１．０％以内に
   設定したことを特徴とする請求項１記載のスパッタリン
   グターゲット。 ３、ターゲットの組成比（Ｔｅ／Ｍ原子比、Ｍは構成元
   素）のばらつきを±０．０５以内に設定したことを特徴
   とする請求項１記載のスパッタリンクターゲット。 ４、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ
   、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、ＢｉおよびＳｅから
   成る群より選択された１種以上の元素を総量で５５原子
   ％以下の範囲で含有するＴｅ合金から成ることを特徴と
   する請求項１記載のスパッタリングターゲット。 ５、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ
   、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、ＢｉおよびＳｅから
   成る群より選択された１種以上の元素をＴｅと混合して
   原料粉末を調製し、得られた原料粉末を真空下または不
   活性ガス雰囲気下または低真空下でホットプレスしてテ
   ルライドを生成した後に、前記ホットプレス圧力より低
   いプレス圧力下でかつ共晶温度直下の温度に加熱して焼
   結し、実質的に均一組成で密度比が６０〜９５％の焼結
   体とすることを特徴とするスパッタリングターゲットの
   製造方法。