JPH0316245A - シングルインラインパッケージ用電気絶縁ヒートシンク及びその形成方法 - Google Patents
シングルインラインパッケージ用電気絶縁ヒートシンク及びその形成方法Info
- Publication number
- JPH0316245A JPH0316245A JP2084801A JP8480190A JPH0316245A JP H0316245 A JPH0316245 A JP H0316245A JP 2084801 A JP2084801 A JP 2084801A JP 8480190 A JP8480190 A JP 8480190A JP H0316245 A JPH0316245 A JP H0316245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- fingers
- lead frame
- electronic device
- die
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 30
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 abstract 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
- H05K7/10—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets
- H05K7/1015—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having exterior leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は改良せる電子デバイス用のパッケージに関し、
もっと特定すると、半導体及び他の電子素子のための改
良せるシングルインラインパッケージ用電気絶縁ヒート
シンク及びその形成方法に関するものである。
もっと特定すると、半導体及び他の電子素子のための改
良せるシングルインラインパッケージ用電気絶縁ヒート
シンク及びその形成方法に関するものである。
シングルインラインパッケージ（ＳＩＰ）は電子技術、
特に半導体技術で周知である。Ｓ■Ｐは電子装置（デバ
イス）あるいは回路のパッケージ型で一端から突起した
単一列の一般に平らなリードである。平らなリードは通
常同一平面にある。
特に半導体技術で周知である。Ｓ■Ｐは電子装置（デバ
イス）あるいは回路のパッケージ型で一端から突起した
単一列の一般に平らなリードである。平らなリードは通
常同一平面にある。
ＳＩＰパッケージはひとつもしくはそれ以上の電子素子
（デバイス）、例として、半導体装置もしくは集積回路
を含む。
（デバイス）、例として、半導体装置もしくは集積回路
を含む。
内部にマウント実装（ｍｏｕｎｔ）されたチップからの
熱の除去を助けるのにパッケージから突起する熱放散器
フィンを備えることがしばしば所望される。従来の技法
において、この熱放散器はひとつもしくはそれ以上の電
子素子（デバイス）がマウントされたリードフレームの
部分をパッケージから突起するように拡張することによ
り通常形成されている。外部に突起する熱放散器を有す
る８１Ｐは、例えば、参考のためここに組み入れる米国
特許第４０９５２５３号明細書において説明されている
。これや他の従来技法のＳＩＰ装置の難点は半導体ある
いはＩＣのダイか例えば、この熱放散器に直接にボンド
（結合）されるというものである。熱放散器はそのため
ダイないしＩＣ基板と同じ電位を有する。これはしばし
ば望ましくない。
熱の除去を助けるのにパッケージから突起する熱放散器
フィンを備えることがしばしば所望される。従来の技法
において、この熱放散器はひとつもしくはそれ以上の電
子素子（デバイス）がマウントされたリードフレームの
部分をパッケージから突起するように拡張することによ
り通常形成されている。外部に突起する熱放散器を有す
る８１Ｐは、例えば、参考のためここに組み入れる米国
特許第４０９５２５３号明細書において説明されている
。これや他の従来技法のＳＩＰ装置の難点は半導体ある
いはＩＣのダイか例えば、この熱放散器に直接にボンド
（結合）されるというものである。熱放散器はそのため
ダイないしＩＣ基板と同じ電位を有する。これはしばし
ば望ましくない。
電気的に絶縁された熱放散器はグイと熱放散器のダイボ
ンド部との間に絶縁材、すなわち、アルミナもしくはべ
りリアを具備することで達威され得る。しかしながら、
これは技法上周知のいくつかの欠点を有する。これらに
はこのような材料の高価さ及び熱放散器にそれらをマウ
ント（実装）し次にその上にダイをマウントするのに必
要とされる追加の製造ステップ（工程）がある。
ンド部との間に絶縁材、すなわち、アルミナもしくはべ
りリアを具備することで達威され得る。しかしながら、
これは技法上周知のいくつかの欠点を有する。これらに
はこのような材料の高価さ及び熱放散器にそれらをマウ
ント（実装）し次にその上にダイをマウントするのに必
要とされる追加の製造ステップ（工程）がある。
本発明の目的は外部に突起する熱放散器がＳＩＰ内のひ
とつ以上の電子素子（デバイス）から電気的に絶縁され
ているＳＩＰ形装置からの熱放散除去を改良する手段及
び方法を提供するものである。本発明の別の目的は電子
素子（デバイス）とそれのマウントされたリードフレー
ムのグイボンド部との間に絶縁材料を使用せずに上記の
長所と目標を提供するものである。もうひとつの目的は
従来の技術におけるよりも簡単で廉価に上記の長所と目
標をもたらすたことである。
とつ以上の電子素子（デバイス）から電気的に絶縁され
ているＳＩＰ形装置からの熱放散除去を改良する手段及
び方法を提供するものである。本発明の別の目的は電子
素子（デバイス）とそれのマウントされたリードフレー
ムのグイボンド部との間に絶縁材料を使用せずに上記の
長所と目標を提供するものである。もうひとつの目的は
従来の技術におけるよりも簡単で廉価に上記の長所と目
標をもたらすたことである。
上記及び他の目的と長所は本発明の手段と方法によって
得られ、第１の実施例において、単一の平坦な金属板か
ら望ましく戊形されたリードフレーム（ｌｅａｄ ｆｒ
ａｍｅ）から威り、電気的に絶縁されしかも熱的に結合
されたダイマウント部と熱放散器部を有する電子装置（
デバイス）が与えられ、そのダイマウント部と熱放散部
は熱伝導性の電気絶縁性材料によって分離されかつ包囲
された密な間隔のフィンガーを相互にくしの歯状に（ｉ
ｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄ）かみ合わせている。リー
ドフレームも外部接続用のリードを含む。リードと熱放
散器の部分はパッケージ封入装置から出ている。
得られ、第１の実施例において、単一の平坦な金属板か
ら望ましく戊形されたリードフレーム（ｌｅａｄ ｆｒ
ａｍｅ）から威り、電気的に絶縁されしかも熱的に結合
されたダイマウント部と熱放散器部を有する電子装置（
デバイス）が与えられ、そのダイマウント部と熱放散部
は熱伝導性の電気絶縁性材料によって分離されかつ包囲
された密な間隔のフィンガーを相互にくしの歯状に（ｉ
ｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄ）かみ合わせている。リー
ドフレームも外部接続用のリードを含む。リードと熱放
散器の部分はパッケージ封入装置から出ている。
電子装置（デバイス〉は、上記のリードフレームを形成
し、それに電子素子をマウント（実装）し、その素子を
装置リードに接続し、電子素子及びフィンガーを実体的
に包囲する絶縁カプセル封入を形威し、フィンガー間の
ギャップを埋めて、リードフレームに関連したどんなサ
イドレール（Ｓｉｄｅ−ｒａｉｌｓ）やダムバー（ｄａ
ｍ ｂａｒｓ）及び／あるいはサポート（ｓｕｐｐｏｒ
ｔｓ）を除去する工程から形威される。
し、それに電子素子をマウント（実装）し、その素子を
装置リードに接続し、電子素子及びフィンガーを実体的
に包囲する絶縁カプセル封入を形威し、フィンガー間の
ギャップを埋めて、リードフレームに関連したどんなサ
イドレール（Ｓｉｄｅ−ｒａｉｌｓ）やダムバー（ｄａ
ｍ ｂａｒｓ）及び／あるいはサポート（ｓｕｐｐｏｒ
ｔｓ）を除去する工程から形威される。
第２の実施例において、ツーピースリードフレームが用
いられ、第１ピースは熱放散器から戒り、第２ピースは
ダイマウント部から或り、そこにおいて熱放散器部とダ
イマウン１・部は熱伝導性の電気絶縁性材料で満たされ
たその間の小さな空間によって密な間隔で対面して重な
りしかも分離した関係で並置された大きく平らな領域を
含む。製造中の取扱いを容易とするため、組立及びカプ
セル封入の間に密な間隔で並置された熱放散器及びダイ
ボンド部を固定する小さな熱伝導性の電気絶縁性スベー
サの上で突起により結合された各部においてひとつもし
くはそれ以上の開口を備えるのは便利である。カプセル
封入は望ましくはスペーサを囲んで包み、並置された部
品の間のいかなる残余の空所も満たすものである。
いられ、第１ピースは熱放散器から戒り、第２ピースは
ダイマウント部から或り、そこにおいて熱放散器部とダ
イマウン１・部は熱伝導性の電気絶縁性材料で満たされ
たその間の小さな空間によって密な間隔で対面して重な
りしかも分離した関係で並置された大きく平らな領域を
含む。製造中の取扱いを容易とするため、組立及びカプ
セル封入の間に密な間隔で並置された熱放散器及びダイ
ボンド部を固定する小さな熱伝導性の電気絶縁性スベー
サの上で突起により結合された各部においてひとつもし
くはそれ以上の開口を備えるのは便利である。カプセル
封入は望ましくはスペーサを囲んで包み、並置された部
品の間のいかなる残余の空所も満たすものである。
電子装置（デバイス）は前記のツーピースリードフレー
ムの分離したビースを用意する工程により形成されてお
り、所望の面と面が向かい合い間隔をおく形で分離した
ビースを結合し、その上に電子素子をマウント（実装）
し、素子を装置のリードに接続し、実体的に電子素子を
包囲し、ツーピースリードフレームの面と面が向かい合
い間隔をおく部分の間のどんな残余のギャップも満たす
絶縁カプセル封入を形成し、リードフレームに関連した
いかなるサイドレール（ｓｉｄｅ−ｒａｉｌｓ）、ダム
バー（ｄａｍ ｂａｒｓ）及び／もしくはサポート（ｓ
ｕｐｐｏｒｔＳ）をも取り除く。ツーピースリードフレ
ームは電子素子がダイボンド（ｄｉｅ ｂｏｎｄ）部上
にマウントされリードに接続さる前もしくは後に組立ら
れ得る。
ムの分離したビースを用意する工程により形成されてお
り、所望の面と面が向かい合い間隔をおく形で分離した
ビースを結合し、その上に電子素子をマウント（実装）
し、素子を装置のリードに接続し、実体的に電子素子を
包囲し、ツーピースリードフレームの面と面が向かい合
い間隔をおく部分の間のどんな残余のギャップも満たす
絶縁カプセル封入を形成し、リードフレームに関連した
いかなるサイドレール（ｓｉｄｅ−ｒａｉｌｓ）、ダム
バー（ｄａｍ ｂａｒｓ）及び／もしくはサポート（ｓ
ｕｐｐｏｒｔＳ）をも取り除く。ツーピースリードフレ
ームは電子素子がダイボンド（ｄｉｅ ｂｏｎｄ）部上
にマウントされリードに接続さる前もしくは後に組立ら
れ得る。
本発明は付随する図面とその説明の観点からもっと完全
に理解される。“ダイ（ｄｉｅ）”及び“チップ（ｃｈ
ｉｐ）”の用語はここにおいて相互に交換できるように
用いられ、ＳＩＰにマウントしようとするいかなる電子
素子（デバイス）、例えばこれに限らないが、いかなる
種類の半導体素子、！Ｃ、チップキャパシタ、及び抵抗
、ＬＥＤ等を示すものとする。これらの内部にマウン１
・された電子素子はそこの上に別個のカプセル封入を有
していてもいなくともよい。
に理解される。“ダイ（ｄｉｅ）”及び“チップ（ｃｈ
ｉｐ）”の用語はここにおいて相互に交換できるように
用いられ、ＳＩＰにマウントしようとするいかなる電子
素子（デバイス）、例えばこれに限らないが、いかなる
種類の半導体素子、！Ｃ、チップキャパシタ、及び抵抗
、ＬＥＤ等を示すものとする。これらの内部にマウン１
・された電子素子はそこの上に別個のカプセル封入を有
していてもいなくともよい。
改良せるシングルインラインパッケージは、電気的に絶
縁された熱放散器をそのパッケージから突き出しており
、第１の実施例において、リードフレームを具備するこ
とにより、外部電気接続用にパッケージから伸び出るリ
ード及びパッケージ内で熱放散器に向けて伸び出るフィ
ンガーを有する半導体ダイを受けとめることで得られる
。熱放散器はマッチングフィンガーを有しリードフレー
ムのフィンガーに結合するが電気的には接続しない。熱
伝導性のカプセル封入は結合されたフィンガーの間のギ
ャップを満たして囲む。フィンガーの横方向は熱放散器
の平面内にあるかもしくはそれに直角に曲げられてもよ
い。第２の実施例において、熱放散器及び半導体ダイを
保持するリードフレームは、パッケージ内に大きな平ら
な領域を有し、密な間隔で対面して並置され、電気的絶
縁を保持しつつそれらの間の効率的な熱伝達を促す。
縁された熱放散器をそのパッケージから突き出しており
、第１の実施例において、リードフレームを具備するこ
とにより、外部電気接続用にパッケージから伸び出るリ
ード及びパッケージ内で熱放散器に向けて伸び出るフィ
ンガーを有する半導体ダイを受けとめることで得られる
。熱放散器はマッチングフィンガーを有しリードフレー
ムのフィンガーに結合するが電気的には接続しない。熱
伝導性のカプセル封入は結合されたフィンガーの間のギ
ャップを満たして囲む。フィンガーの横方向は熱放散器
の平面内にあるかもしくはそれに直角に曲げられてもよ
い。第２の実施例において、熱放散器及び半導体ダイを
保持するリードフレームは、パッケージ内に大きな平ら
な領域を有し、密な間隔で対面して並置され、電気的絶
縁を保持しつつそれらの間の効率的な熱伝達を促す。
並置された面は望ましくはそこの中に開口を有し小さな
絶縁の分離体により結合され並置された面を引き離し組
立やカプセル封入の間にそれらが相互に動くのを防ぐ。
絶縁の分離体により結合され並置された面を引き離し組
立やカプセル封入の間にそれらが相互に動くのを防ぐ。
回りを囲むカプセル封入は分離体で占有されない並置さ
れた面の間の空間を満たす。
れた面の間の空間を満たす。
このような装置（デバイス）を形成する方法も説明され
ている。
ている。
第１図は電子装置（デバイス）の構或のための改良せる
リードフレームＩＯの平面図であり、第２図は、その右
側面図である。リードフレームｌＯは取り外せるサイド
レール１２及びグイボンディング部１４、熱放散器部ｌ
６を含む。ダイボンディング部ｌ４及び熱放散器部ｌ６
は、各々、ギヤツプ（ｇａｐ） １ ３によって分離さ
れたくしの歯状の相互かみ合うフィンガー状の延長１５
．１７を有する。リードフレーム１０は望ましくは高導
電性の金属で、例えば、銅あるいはアルミニウムあるい
は様々な公知の伝導性の銅合金あるいはアルミニウム合
金あるいは他の金属合金である。
リードフレームＩＯの平面図であり、第２図は、その右
側面図である。リードフレームｌＯは取り外せるサイド
レール１２及びグイボンディング部１４、熱放散器部ｌ
６を含む。ダイボンディング部ｌ４及び熱放散器部ｌ６
は、各々、ギヤツプ（ｇａｐ） １ ３によって分離さ
れたくしの歯状の相互かみ合うフィンガー状の延長１５
．１７を有する。リードフレーム１０は望ましくは高導
電性の金属で、例えば、銅あるいはアルミニウムあるい
は様々な公知の伝導性の銅合金あるいはアルミニウム合
金あるいは他の金属合金である。
第１図乃至第６図に例示する構或はエッチングあるいは
スタンビングによって一体の実質的に平らなストック（
ｓｔａｃｋ）から便利に或形してもよい。
スタンビングによって一体の実質的に平らなストック（
ｓｔａｃｋ）から便利に或形してもよい。
フィンガー１５．１７は本格的に共平面にあることは便
利であるが不可欠ではない。しかしながら、重要である
のはフィンガー１５．１７が接触せずに密に配されおり
それらの間の熱インピーダンスを最小にするように最大
の実用上の対向する面積を有する。
利であるが不可欠ではない。しかしながら、重要である
のはフィンガー１５．１７が接触せずに密に配されおり
それらの間の熱インピーダンスを最小にするように最大
の実用上の対向する面積を有する。
破線１８フィンガー１５＋１７及びダイボンド（ダイボ
ンディング）部ｌ４を被いギャップ１３”を満たすカプ
セル封入３６の位置を示す。熱放散器部ｌ６の部分３２
は輪郭１８の外側にあり装置カプセル封入３６の外部と
なる。リード２０も装置への外部接続をするためカプセ
ル封入の外側へ伸び出している。
ンディング）部ｌ４を被いギャップ１３”を満たすカプ
セル封入３６の位置を示す。熱放散器部ｌ６の部分３２
は輪郭１８の外側にあり装置カプセル封入３６の外部と
なる。リード２０も装置への外部接続をするためカプセ
ル封入の外側へ伸び出している。
製造の便宜上、リードフレーム１０は取り外れるダムパ
ー２２及びサポート２４を具備する。電子素子のダイ２
６、例えば半導体装置あるいは集積回路ダイ、はダイボ
ンディング部ｌ４の上にマウントされる。サイドレール
１２にある穴２８はアライメントもしくは位置もしくは
インデックス点として役立つ。熱放散器ｌ６の外の部分
３２にある穴３０はユーザの便宜のためで追加の熱除去
手段を熱放散器部１６に装着するものである。ボンディ
ング手段（ワイヤ）３４、すなわち、ワイヤボンディン
グ、はダイ２６をリード２０に接続する。このようなリ
ードフレームを形成し、ダイ２６及びワイヤ３４を装着
し、カプセル封入３６をもたらす手段と方法は技術上公
知である。
ー２２及びサポート２４を具備する。電子素子のダイ２
６、例えば半導体装置あるいは集積回路ダイ、はダイボ
ンディング部ｌ４の上にマウントされる。サイドレール
１２にある穴２８はアライメントもしくは位置もしくは
インデックス点として役立つ。熱放散器ｌ６の外の部分
３２にある穴３０はユーザの便宜のためで追加の熱除去
手段を熱放散器部１６に装着するものである。ボンディ
ング手段（ワイヤ）３４、すなわち、ワイヤボンディン
グ、はダイ２６をリード２０に接続する。このようなリ
ードフレームを形成し、ダイ２６及びワイヤ３４を装着
し、カプセル封入３６をもたらす手段と方法は技術上公
知である。
第３図乃至第４図は各々第１図乃至第２図の装置の部分
的な断面の平面図及び右側面図であり、カプセル封入３
６が輪郭ｌ８に示すように形成されレールｌ２、ダムパ
ー２２及びサポート２４が取り外された後を示す。カプ
セル封入３４３をプラスチックのモールドで形成するの
は便利である。
的な断面の平面図及び右側面図であり、カプセル封入３
６が輪郭ｌ８に示すように形成されレールｌ２、ダムパ
ー２２及びサポート２４が取り外された後を示す。カプ
セル封入３４３をプラスチックのモールドで形成するの
は便利である。
トランスファーモールデイング（Ｔｒａｎｓｆｅｒ ｍ
ｏｌｄｉｎｇ〉はこの目的のためには技術上公知である
。カプセル封入３６の部分３３はフィンガー１５．１７
の間のギャップ１３を満たす。
ｏｌｄｉｎｇ〉はこの目的のためには技術上公知である
。カプセル封入３６の部分３３はフィンガー１５．１７
の間のギャップ１３を満たす。
重要なことはカプセル封入３６は電気的に絶縁性で熱的
に伝導性の材料からなることである。これはダイポンド
部１４と熱放散器部１６との間の電気絶縁及び熱結合を
もたらし、著しい量の熱がグイボンド部ｌ４、フィンガ
ー１５．１７を介して電子素子のダイ２６から熱放散器
部ｌ６及び外界に結合せる外部分３２へ放出され得る。
に伝導性の材料からなることである。これはダイポンド
部１４と熱放散器部１６との間の電気絶縁及び熱結合を
もたらし、著しい量の熱がグイボンド部ｌ４、フィンガ
ー１５．１７を介して電子素子のダイ２６から熱放散器
部ｌ６及び外界に結合せる外部分３２へ放出され得る。
第１図乃至第４図の構成において、ダイ２６及びダイポ
ンド部１４は電気的に絶縁されるが熱的には外部タブ３
２を有する熱放散器ｌ６に結合される。
ンド部１４は電気的に絶縁されるが熱的には外部タブ３
２を有する熱放散器ｌ６に結合される。
第１図乃至第４図に例示された（もしくは説明の中にあ
る）構或が多重のグイ及びボンディング領域を示すが、
技術上でそれらの手法は本発明がそこの中に単一のダイ
及びひとつもしくはそれ以上のダイを含めていかなる数
のグイ及びいかなるタイプの電子素子をも有するＳＩＰ
に有用である。
る）構或が多重のグイ及びボンディング領域を示すが、
技術上でそれらの手法は本発明がそこの中に単一のダイ
及びひとつもしくはそれ以上のダイを含めていかなる数
のグイ及びいかなるタイプの電子素子をも有するＳＩＰ
に有用である。
本発明のさらなる実施例は第１図乃至第２図の各々に類
似する第５図乃至第６図に例示されている。第５図乃至
第６図のリードフレーム４０はふたつの電子素子のグイ
２６．２６’のひとつだけが熱放散器部１６から分離さ
れている点で第１図乃至第２図のリードフレームｌＯと
異なる。電子素子のダイ２６はダイボンディング部ｌ４
にマウントされ熱放散器部１６のフィンガーｌ７から離
れて配置されたフィンガーｌ５を有し、ダイ２６は外部
ヒートシンクタブ３２に対して電気的に絶縁されるが熱
的に結合される。しかしながら、グイ２６′は直接に熱
放散器部ｌ６にマウントされ、そのため外部ヒートシン
クタブ３２から電気的に絶縁されていない。第５図乃至
第６図の配置は本発明がＳＩＰ内の電子素子の一部のみ
を外部ヒートシンクタブ３２から電気的に絶縁するのが
望ましい場合に有用であることを例示している。カプセ
ル封入の後では、リードフレーム４０上で形成される装
置の外観はカプセル封入３６がギャップｌ３、フィンガ
ー１５．１７及びダイ２６．２６′を被うので第３図乃
至第４図に示されるものと同じになる。
似する第５図乃至第６図に例示されている。第５図乃至
第６図のリードフレーム４０はふたつの電子素子のグイ
２６．２６’のひとつだけが熱放散器部１６から分離さ
れている点で第１図乃至第２図のリードフレームｌＯと
異なる。電子素子のダイ２６はダイボンディング部ｌ４
にマウントされ熱放散器部１６のフィンガーｌ７から離
れて配置されたフィンガーｌ５を有し、ダイ２６は外部
ヒートシンクタブ３２に対して電気的に絶縁されるが熱
的に結合される。しかしながら、グイ２６′は直接に熱
放散器部ｌ６にマウントされ、そのため外部ヒートシン
クタブ３２から電気的に絶縁されていない。第５図乃至
第６図の配置は本発明がＳＩＰ内の電子素子の一部のみ
を外部ヒートシンクタブ３２から電気的に絶縁するのが
望ましい場合に有用であることを例示している。カプセ
ル封入の後では、リードフレーム４０上で形成される装
置の外観はカプセル封入３６がギャップｌ３、フィンガ
ー１５．１７及びダイ２６．２６′を被うので第３図乃
至第４図に示されるものと同じになる。
第７図乃至８図は、第１〜２図と類似であり、本発明の
別の実施例を例示する。第７図乃至８図においてツーピ
ースリードフレーム（ｔｗｏ ｐｉｅｃｅ １ｅａｄｆ
ｒａｍｅ） ４ ４は下部４６と上部４７から成る。
別の実施例を例示する。第７図乃至８図においてツーピ
ースリードフレーム（ｔｗｏ ｐｉｅｃｅ １ｅａｄｆ
ｒａｍｅ） ４ ４は下部４６と上部４７から成る。
本実施例のリードフレーム下部４６は第１図乃至第２図
のリードフレーム１０の下部と類似であり、前のように
、サイドレールｌ２、リード２０、アライメント穴２８
、及びダイ２６がボンディング部ｌ４の上ヘボンドされ
ている。しかしながら、第７図乃至第８図のボンディン
グ部はフィンガーｌ５を欠いており、代りに穴（あるい
はアライメント手段）５６を有する大きく平らな領域５
４を持つ。リードフレーム上部４７はアライメン１・穴
５８及びサポート５５を有するサイドレール５２から成
る。上部４７はカプセル封入輪郭１８の外側にある外部
分３２と類似で穴３０と類似の六〇０も有する外部分６
２を持つ。リードフレーム上部４７の内部分６３はリー
ドフレーム下部４６の部分５４と密に対面し間を隔てる
関係で並置されている。
のリードフレーム１０の下部と類似であり、前のように
、サイドレールｌ２、リード２０、アライメント穴２８
、及びダイ２６がボンディング部ｌ４の上ヘボンドされ
ている。しかしながら、第７図乃至第８図のボンディン
グ部はフィンガーｌ５を欠いており、代りに穴（あるい
はアライメント手段）５６を有する大きく平らな領域５
４を持つ。リードフレーム上部４７はアライメン１・穴
５８及びサポート５５を有するサイドレール５２から成
る。上部４７はカプセル封入輪郭１８の外側にある外部
分３２と類似で穴３０と類似の六〇０も有する外部分６
２を持つ。リードフレーム上部４７の内部分６３はリー
ドフレーム下部４６の部分５４と密に対面し間を隔てる
関係で並置されている。
リードフレーム下部４６及びリードフレーム上部４７は
それらの間に置かれた絶縁手段（スベーサ）６４によっ
て密に対面し間を隔てる関係に保持される。絶縁手段（
スペーサ）６４のボス６６，６７は各々リードフレーム
下部４６及びリードフレーム上部４７にある穴５６．５
７を結合する。
それらの間に置かれた絶縁手段（スベーサ）６４によっ
て密に対面し間を隔てる関係に保持される。絶縁手段（
スペーサ）６４のボス６６，６７は各々リードフレーム
下部４６及びリードフレーム上部４７にある穴５６．５
７を結合する。
追加の穴７ｌは望ましくはリードフレーム上部４７およ
び／もしくは下部４６においてそれらの間のギャップ６
９の中へカプセル封入材の流れを作るのに用いられる。
び／もしくは下部４６においてそれらの間のギャップ６
９の中へカプセル封入材の流れを作るのに用いられる。
ＳＩＰの大きさが許せば、絶縁スペーサ手段６４とリー
ドフレーム部４６，４７との間に少くともふたつの間隔
を置いた結合点を用いるのが望ましく、リードフレーム
部４６，４７が組立及びカプセル封入中に、相互に関し
て動けなくできる。この配列は第７図に示されていてス
ペーサ６４はリードフレーム部４６．４７にある対の穴
５６．５７を通って伸びる二対のボス６６．６７を有す
る。
ドフレーム部４６，４７との間に少くともふたつの間隔
を置いた結合点を用いるのが望ましく、リードフレーム
部４６，４７が組立及びカプセル封入中に、相互に関し
て動けなくできる。この配列は第７図に示されていてス
ペーサ６４はリードフレーム部４６．４７にある対の穴
５６．５７を通って伸びる二対のボス６６．６７を有す
る。
第９図はカプセル封入を行いサイドレール２８、５８、
サポート５５、及びダムパー２２を取り外した後の第７
図乃至第８図の配列の簡単化した部分的な断面の右側面
図を示す。注目されるのは、絶縁スペーサ６４がリード
フレーム４４の下部４６及上部４７にある穴５６．５７
に各々結合するボス６６．６７を有することである。
サポート５５、及びダムパー２２を取り外した後の第７
図乃至第８図の配列の簡単化した部分的な断面の右側面
図を示す。注目されるのは、絶縁スペーサ６４がリード
フレーム４４の下部４６及上部４７にある穴５６．５７
に各々結合するボス６６．６７を有することである。
第７図に示されるように穴の対及びボスの対の使用が便
利であるが、絶縁スペーサ６４の代りに他の形も役立つ
。第１Ｏ及びｌ１図は各々絶縁スベーサ（手段）７４の
上面と側面の図であり直交ボス７６．７７を有しリード
フレーム部４６．４７にある四角の開口を結合させるも
のである。この様にして、第７図乃至第８図に例示され
るふたつの開口よりもむしろ、下部４６及び上部４７の
各々にひとつの開口のみが必要とされる。これが空間を
節約する。技術上それらの手法がここでの説明に従って
価値を高めるので、絶縁スペーサ（手段）６４．７４及
びボス６６．６７ないし直交ボス７６．７７はいかなる
便利な形も取り得る。一対の穴よりもひとつの穴が用い
られるべきならば、リードフレーム部４６．４７の相互
の回転を防ぐボスの形（例えば、非円形）を使うのが望
ましい。
利であるが、絶縁スペーサ６４の代りに他の形も役立つ
。第１Ｏ及びｌ１図は各々絶縁スベーサ（手段）７４の
上面と側面の図であり直交ボス７６．７７を有しリード
フレーム部４６．４７にある四角の開口を結合させるも
のである。この様にして、第７図乃至第８図に例示され
るふたつの開口よりもむしろ、下部４６及び上部４７の
各々にひとつの開口のみが必要とされる。これが空間を
節約する。技術上それらの手法がここでの説明に従って
価値を高めるので、絶縁スペーサ（手段）６４．７４及
びボス６６．６７ないし直交ボス７６．７７はいかなる
便利な形も取り得る。一対の穴よりもひとつの穴が用い
られるべきならば、リードフレーム部４６．４７の相互
の回転を防ぐボスの形（例えば、非円形）を使うのが望
ましい。
絶縁スペーサ（手段）６４．７４は他の絶縁材も使い得
るけれどもプラスチックであることが望ましい。絶縁ス
ベーサ（手段）６４．７４によって占有されないリード
フレーム４４の下部４６と上部４７と間のギャップ６９
のいかなる部分もカプセル封入材３６によって満たされ
て、リードフレームのふたつの部分の間に大きな面積の
熱の通路をもたらす。この様にして、熱は効率的にダイ
２６からダイボンディング部（領域）１４を介して下の
大きな対面する平らな領域５４へ、プラスチック絶縁ス
ペーサ（手段）６４．７４及びカプセル封入３６を介し
て上の大きな対面する４７の内部分６３へそしてさらに
外界に排出し得る外部分６２へ排出される。第７図乃至
第１１図の配列はツーピースリードフレームを必要とす
るので第１図乃至第２図の配列よりも若干高価であり得
るが、第７図乃至第１１図はより優れた熱性能をもたら
すものと期待される。
るけれどもプラスチックであることが望ましい。絶縁ス
ベーサ（手段）６４．７４によって占有されないリード
フレーム４４の下部４６と上部４７と間のギャップ６９
のいかなる部分もカプセル封入材３６によって満たされ
て、リードフレームのふたつの部分の間に大きな面積の
熱の通路をもたらす。この様にして、熱は効率的にダイ
２６からダイボンディング部（領域）１４を介して下の
大きな対面する平らな領域５４へ、プラスチック絶縁ス
ペーサ（手段）６４．７４及びカプセル封入３６を介し
て上の大きな対面する４７の内部分６３へそしてさらに
外界に排出し得る外部分６２へ排出される。第７図乃至
第１１図の配列はツーピースリードフレームを必要とす
るので第１図乃至第２図の配列よりも若干高価であり得
るが、第７図乃至第１１図はより優れた熱性能をもたら
すものと期待される。
第１２図乃至第１３図は本発明のさらなる実施例を例示
する。第１２図乃至第１３図のリードフレーム８０は第
１図乃至第２図のリードフレームｌＯと類似であるが、
第１２図乃至第１３図のフィンガー１５’，１７’はダ
イボンディング部ｌ４及び熱放散器部ｌ６の平面から回
り出ておりそれらの広い面が実質的にそれへ垂直に向け
られている。この様にして、ギャップ１３’のプラスチ
ックにより分離された金属の対面する面積は第１図乃至
第４図の配列に較べて増大される。他の点については、
第１２図乃至第１３図の配列は第１図乃至第４図に例示
される配列と類似であり完成したカプセル封入の装置は
外観において同一である。第１図乃至第４図の配列に関
して、第１２図乃至第１３図の配列は単一の金属シート
から単一ピースのリードフレームとして製造し得る。
する。第１２図乃至第１３図のリードフレーム８０は第
１図乃至第２図のリードフレームｌＯと類似であるが、
第１２図乃至第１３図のフィンガー１５’，１７’はダ
イボンディング部ｌ４及び熱放散器部ｌ６の平面から回
り出ておりそれらの広い面が実質的にそれへ垂直に向け
られている。この様にして、ギャップ１３’のプラスチ
ックにより分離された金属の対面する面積は第１図乃至
第４図の配列に較べて増大される。他の点については、
第１２図乃至第１３図の配列は第１図乃至第４図に例示
される配列と類似であり完成したカプセル封入の装置は
外観において同一である。第１図乃至第４図の配列に関
して、第１２図乃至第１３図の配列は単一の金属シート
から単一ピースのリードフレームとして製造し得る。
第１２図乃至第１３図のひねられたフィンガー配列は第
１図乃至第４図の平らなフィンガー配列よりも複雑であ
り、平らなフィンガー配列は、第１２図乃至第１３図の
配列によって与えられるより大きなフィンガーとフィン
ガー分離が有利でない限り、好まれる。これは例えば大
文に高い破壊電圧が望まれる場合にあたる。ねじられた
フィンガー配列はより大きな熱伝達面積しかも大きなフ
ィンガーとフィンガーの隔たりをもたらし、そのためよ
り大きな電圧スタンドオフ能力と共に適切な熱性能を獲
得し得る。
１図乃至第４図の平らなフィンガー配列よりも複雑であ
り、平らなフィンガー配列は、第１２図乃至第１３図の
配列によって与えられるより大きなフィンガーとフィン
ガー分離が有利でない限り、好まれる。これは例えば大
文に高い破壊電圧が望まれる場合にあたる。ねじられた
フィンガー配列はより大きな熱伝達面積しかも大きなフ
ィンガーとフィンガーの隔たりをもたらし、そのためよ
り大きな電圧スタンドオフ能力と共に適切な熱性能を獲
得し得る。
電子装置（デバイス）は第１図乃至第６図及び第１２図
乃至第１３図との関連で説明されたリードフレームを用
いており電気的に絶縁され熱的に結合されたダイマウン
ト部と熱放散器部を有するリードフレームを具備するこ
とにより形威されてダイマウント部と熱放散器部は相互
にかみ合って密に間を隔てるフィンガーがあり、リード
フレームのダイマウント部には電子素子をマウントし、
相互にくしの歯状にかみ合い密に間を隔てるフィンガー
を熱伝導性で電気絶縁性の材料で包囲し分離する。リー
ドフレームは技術上公知の手段で、例えばエッチング或
いはスタンビングで、高導電性の金属の単一シートから
成形される。リードフレームに実質的に平らな金属を用
いるのが便利である。リードフレームの様々な部分は技
術上公知の手段で下向きにあるいは上向きに成形しても
良く、所望のように下向きあるいは上向きの部分をもた
らす。同様に、第１２図乃至第１３図に示される回され
たフィンガー１５’ １７’は、例えばペンディング
あるいはスタンピングのような、技術上公知の方法を用
いて成形される。
乃至第１３図との関連で説明されたリードフレームを用
いており電気的に絶縁され熱的に結合されたダイマウン
ト部と熱放散器部を有するリードフレームを具備するこ
とにより形威されてダイマウント部と熱放散器部は相互
にかみ合って密に間を隔てるフィンガーがあり、リード
フレームのダイマウント部には電子素子をマウントし、
相互にくしの歯状にかみ合い密に間を隔てるフィンガー
を熱伝導性で電気絶縁性の材料で包囲し分離する。リー
ドフレームは技術上公知の手段で、例えばエッチング或
いはスタンビングで、高導電性の金属の単一シートから
成形される。リードフレームに実質的に平らな金属を用
いるのが便利である。リードフレームの様々な部分は技
術上公知の手段で下向きにあるいは上向きに成形しても
良く、所望のように下向きあるいは上向きの部分をもた
らす。同様に、第１２図乃至第１３図に示される回され
たフィンガー１５’ １７’は、例えばペンディング
あるいはスタンピングのような、技術上公知の方法を用
いて成形される。
電子装置（デバイス）は第７図乃至第１１図との関連で
説明されたリードフレーム及び他の部分を用いておりダ
イマウント部と熱放散器部を有するツーピースリードフ
レームを具備することにより成形され、ダイマウント部
及び熱拡散器部は密に間を隔て重なり対面するが分離し
ている関係で並置された大きく平らな領域を有し、密に
間を隔・て重なり対面する大きく平らな領域をもたらす
。
説明されたリードフレーム及び他の部分を用いておりダ
イマウント部と熱放散器部を有するツーピースリードフ
レームを具備することにより成形され、ダイマウント部
及び熱拡散器部は密に間を隔て重なり対面するが分離し
ている関係で並置された大きく平らな領域を有し、密に
間を隔・て重なり対面する大きく平らな領域をもたらす
。
ダイマウント部と熱放散器部との間に熱伝導性で電気絶
縁性のスベーサ手段を用いそれらを並置関係に保つこと
が望ましい。さらに第１の形成工程は絶縁スペーサ手段
を結合するためのひとつ以上の結合手段をその中に有す
るツーピースリードフレームをもたらすことから戊り、
第２の形成工程は少くとも密に間を隔て対面する大きく
平らな領域のまわりにカプセル封入をもたらすことから
成るのが望ましい。電子装置（デバイス）あるいは素子
はツーピースリードフレームが組立てられる前もしくは
後でカプセル封入の前に便利よくダイマウント部に付着
され装置リードへ接続さる。
縁性のスベーサ手段を用いそれらを並置関係に保つこと
が望ましい。さらに第１の形成工程は絶縁スペーサ手段
を結合するためのひとつ以上の結合手段をその中に有す
るツーピースリードフレームをもたらすことから戊り、
第２の形成工程は少くとも密に間を隔て対面する大きく
平らな領域のまわりにカプセル封入をもたらすことから
成るのが望ましい。電子装置（デバイス）あるいは素子
はツーピースリードフレームが組立てられる前もしくは
後でカプセル封入の前に便利よくダイマウント部に付着
され装置リードへ接続さる。
ツーピースリードフレームを成形する手段と方法は、例
えばエッチングやスタンピングのように、技術上公知で
ある。ツーピースリードフレームのピースを或形するた
めに実質的に平らな金属を用いるのは便利であるが、こ
れは不可欠ではない。
えばエッチングやスタンピングのように、技術上公知で
ある。ツーピースリードフレームのピースを或形するた
めに実質的に平らな金属を用いるのは便利であるが、こ
れは不可欠ではない。
上記のとおり、様々な下向きあるいは上向きに成形され
た領域がそこに具備されてもよい。重要なのはツーピー
スリードフレームのピースを成形するステップが、上記
のとおり、密に間を隔て対面する関係で並置し得る比較
的大きく平らな領域をもたらし、介在する絶縁体を介し
て有効な熱伝達を許容することである。プラスチックは
絶縁スペーサ（手段）６４．７４に及びカプセル封入３
６の外被に適切な材料であるそれらは、例えばトランス
ファーモールデイング（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｍｏｌｄｉ
ｎｇ）あるいはインジエクトモールデイング（ｉｎｊｅ
ｃｔｉｏｎ ｍｏ１ｄｉｎｇ）のように、技術上公知の
手段を用いて威形される。他の絶縁材料、例えば、セラ
ミックスやガラスも用いられ得るが一般により高い温度
処理を要する。
た領域がそこに具備されてもよい。重要なのはツーピー
スリードフレームのピースを成形するステップが、上記
のとおり、密に間を隔て対面する関係で並置し得る比較
的大きく平らな領域をもたらし、介在する絶縁体を介し
て有効な熱伝達を許容することである。プラスチックは
絶縁スペーサ（手段）６４．７４に及びカプセル封入３
６の外被に適切な材料であるそれらは、例えばトランス
ファーモールデイング（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｍｏｌｄｉ
ｎｇ）あるいはインジエクトモールデイング（ｉｎｊｅ
ｃｔｉｏｎ ｍｏ１ｄｉｎｇ）のように、技術上公知の
手段を用いて威形される。他の絶縁材料、例えば、セラ
ミックスやガラスも用いられ得るが一般により高い温度
処理を要する。
技術上それらの手法はここでの説明に従えば価値を高め
るものであり、前記のものは改善せる熱除去を有するＳ
ＩＰタイプの装置をもたらし外部に突出せる熱放散器が
ＳＩＰ内の電子素子のひと）つもしくはそれ以上から電
気的に絶縁される。さらに、上記の長所は電子素子とそ
れらがマウントされるリードフレームのダイボンド部と
の間に絶縁体を使用せずに達成される。加えて、発明せ
る配列は、いくつかの実施例において、単一の平らな金
属ピースからスタンプされあるいはエッチされ得る単一
ビースリードフレームを用い、あるいは、別の実施例に
おいて、各ビースが平らな金属から製造され得るもので
ふたつのピースが高価でない絶縁プラスチックスペーサ
で組立中に密な近接と配位に保たれたツーピースリード
フレームを用いることが出来る。さらに技術上それらの
手法によって理解されるのは、絶縁スペーサが様々な形
体をとり得ること、及び絶縁スペーサを結合するための
リードフレーム上の結合手段も、熱的に結合し電気的に
絶縁し密に間を隔て対面する関係でリードフレームのふ
たつの部分の相互結合をもたらす限り、対応する様々の
形をとり得る。
るものであり、前記のものは改善せる熱除去を有するＳ
ＩＰタイプの装置をもたらし外部に突出せる熱放散器が
ＳＩＰ内の電子素子のひと）つもしくはそれ以上から電
気的に絶縁される。さらに、上記の長所は電子素子とそ
れらがマウントされるリードフレームのダイボンド部と
の間に絶縁体を使用せずに達成される。加えて、発明せ
る配列は、いくつかの実施例において、単一の平らな金
属ピースからスタンプされあるいはエッチされ得る単一
ビースリードフレームを用い、あるいは、別の実施例に
おいて、各ビースが平らな金属から製造され得るもので
ふたつのピースが高価でない絶縁プラスチックスペーサ
で組立中に密な近接と配位に保たれたツーピースリード
フレームを用いることが出来る。さらに技術上それらの
手法によって理解されるのは、絶縁スペーサが様々な形
体をとり得ること、及び絶縁スペーサを結合するための
リードフレーム上の結合手段も、熱的に結合し電気的に
絶縁し密に間を隔て対面する関係でリードフレームのふ
たつの部分の相互結合をもたらす限り、対応する様々の
形をとり得る。
それらの技術上の手法もここにある教示に従って価値を
高めるので、様々な修正が本発明の詳細においてそれの
精神から離脱することなく行われ得る。例えば、これに
限るものとしないが、かみ合うフィンガーの形体は変え
得ること、もしくは大きな対面する領域の形体は変え得
ること、もしくは電子素子の異なる種類と数のリードフ
レームが用い得ること、もしくは異なる材料がリードフ
レームと絶縁スペーサとカプセル封入材に用い得ること
、もしくは絶縁スペーサ及びリードフレームが変え得る
ことである。従って、特許請求範囲にすべてのこのよう
な変更を含むことが意図されている。
高めるので、様々な修正が本発明の詳細においてそれの
精神から離脱することなく行われ得る。例えば、これに
限るものとしないが、かみ合うフィンガーの形体は変え
得ること、もしくは大きな対面する領域の形体は変え得
ること、もしくは電子素子の異なる種類と数のリードフ
レームが用い得ること、もしくは異なる材料がリードフ
レームと絶縁スペーサとカプセル封入材に用い得ること
、もしくは絶縁スペーサ及びリードフレームが変え得る
ことである。従って、特許請求範囲にすべてのこのよう
な変更を含むことが意図されている。
第１図は本発明よるリードフレーム及び電子装置の簡単
化された形における平面図であり、第２図は第１図の装
置の右側面図であり、第３図はカプセル封入後の第１図
の装置でリードフレームの一部を除いた簡単化した平面
及び部分断面図であり、 第４図は第３図の装置の側面の部分断面図であり、 第５図は第１図と類似であるが本発明のもうひとつの実
施例による平面図であり、 第６図は第５図の右側面図であり、 第７図は第１図と類似であるが本発明のさらに別の実施
例による平面図であり、 第８図は第７図の装置の右側面図であり、第９図はカプ
セル封入後の第７図乃至第８図の装置でリードフレーム
の一部を除いた断面右側面図である。 第１Ｏ図は第７図乃至第９図の装置（デバイス）の内部
要素であるがそれからのさらなる実施例に従う簡単化さ
れた平面図であり、 第１１図は第１０図の内部要素の右側面図であり、 第１２図は第１図の装置の一部であるがまた別の実施例
に従う簡単化された平面図であり、第１３図は第１２図
の装置部分の右側面図である。 １０， ４０， ４４． ８０・・・リードフレーム１
２． ５２・・・サイドレール １３．１３’ ，６９・・・ギャップ １４・・・ダイボンディング（ダイボンド）部１５．
１５’ ， １７． １７’・・・フィンガー（状の延
長）ｌ６・・・熱放散器部 ｌ８・・・破線 ２０・・・リード ２２・・・ダムバー ２４． ５５・・・サポート ２６． ２６’ ・・・グイ ２８， ３０， ５６， ５７， ５８． ６０． ７
１・・・（アライメント）穴３２・・・熱放散器部の（
外の）部分（外部ヒートシンクタブ） ３３・・・カプセル封入３６の部分 ３４．３４’・・・ワイヤ（ボンディング手段）３６・
・・カプセル封入 ４６・・・リードフレーム下部 ４７・・・リードフレーム上部 ５４・・・４６の部分（大きく平らな領域）６２・・・
外部分 ６３・・・４７の内部分 ６４． ７４・・・絶縁スベーサ（手段）６６． ６７
・・・ボス ７６． ７７・・・直交ボス
化された形における平面図であり、第２図は第１図の装
置の右側面図であり、第３図はカプセル封入後の第１図
の装置でリードフレームの一部を除いた簡単化した平面
及び部分断面図であり、 第４図は第３図の装置の側面の部分断面図であり、 第５図は第１図と類似であるが本発明のもうひとつの実
施例による平面図であり、 第６図は第５図の右側面図であり、 第７図は第１図と類似であるが本発明のさらに別の実施
例による平面図であり、 第８図は第７図の装置の右側面図であり、第９図はカプ
セル封入後の第７図乃至第８図の装置でリードフレーム
の一部を除いた断面右側面図である。 第１Ｏ図は第７図乃至第９図の装置（デバイス）の内部
要素であるがそれからのさらなる実施例に従う簡単化さ
れた平面図であり、 第１１図は第１０図の内部要素の右側面図であり、 第１２図は第１図の装置の一部であるがまた別の実施例
に従う簡単化された平面図であり、第１３図は第１２図
の装置部分の右側面図である。 １０， ４０， ４４． ８０・・・リードフレーム１
２． ５２・・・サイドレール １３．１３’ ，６９・・・ギャップ １４・・・ダイボンディング（ダイボンド）部１５．
１５’ ， １７． １７’・・・フィンガー（状の延
長）ｌ６・・・熱放散器部 ｌ８・・・破線 ２０・・・リード ２２・・・ダムバー ２４． ５５・・・サポート ２６． ２６’ ・・・グイ ２８， ３０， ５６， ５７， ５８． ６０． ７
１・・・（アライメント）穴３２・・・熱放散器部の（
外の）部分（外部ヒートシンクタブ） ３３・・・カプセル封入３６の部分 ３４．３４’・・・ワイヤ（ボンディング手段）３６・
・・カプセル封入 ４６・・・リードフレーム下部 ４７・・・リードフレーム上部 ５４・・・４６の部分（大きく平らな領域）６２・・・
外部分 ６３・・・４７の内部分 ６４． ７４・・・絶縁スベーサ（手段）６６． ６７
・・・ボス ７６． ７７・・・直交ボス
Claims (5)
- （１）電気的に絶縁されるが熱的に結合され相互にくし
の歯状にかみ合い密に間を隔てるフィンガーを有するダ
イマウント実装部と熱放散器部から成るリードフレーム
と、及び その相互にくしの歯状にかみ合い密に間を隔てるフィン
ガーを包囲し分離する熱伝導性の電気絶縁性材料とを含
む電子デバイス用のシングルインラインパッケージ用電
気絶縁ヒートシンク。 - （２）ひとつもしくはそれ以上の電子素子と、これらの
ひとつもしくはそれ以上の素子を直接に受入れる第１部
分と及び第１部分から電気的に絶縁されひとつもしくは
それ以上の素子からの著しい量の熱を除去する熱放散器
を成す第２部分とを有し、第１部分は外部接続に適合せ
るリードと少くとも電子素子のひとつを受入れるボンデ
ィング領域から成り、該ボンディング領域は第２部分に
向かって面するひとつ以上のフィンガーを含む延長を有
し、第２部分は外部熱放散器として働くのに適合せる第
１領域と及び第１部分のひとつもしくはそれ以上のフィ
ンガーを結合するが間を隔てるひとつもしくはそれ以上
のフィンガーを有する第２領域とから成る伝導性リード
手段と、及びボンディング領域の少くともひとつの電子
素子と第１及び第２部分のひとつもしくはそれ以上のフ
ィンガーを実体的に包囲し、そこから第２部分の第１領
域と外部接続用リードが突き出ているカプセル封入手段
とを含む電子デバイス用のシングルインラインパッケー
ジ用電気絶縁ヒートシンク。 - （３）電子素子を支持し、該電子素子への外部電気接続
をする前記電子素子への第１延長と及び前記電子素子の
熱的接続をする前記電子素子からの第２延長とを有する
、電気的熱的に伝導性のリード手段と、 装置から突出し該装置からの熱を除く第１部分と及び該
装置の内部にあり第２延長からの熱を除くそれへ密に接
近してリード手段の第２延長に面して並置されるがそれ
から電気的に絶縁された第２部分とを有する金属性熱放
散器手段と、 第２延長及び第２部分を分離し結合する熱伝導性の電気
絶縁性分離器手段と、 電子素子と、第２部分と、第２延長と及び分離器手段と
を実体的に包囲するカプセル封入手段とを含む電子デバ
イス用のシングルインラインパッケージ用電気絶縁ヒー
トシンク。 - （４）電気的に絶縁されるが熱的に結合され相互にくし
の歯状にかみ合い密に間を隔てるフィンガーを有する、
ダイマウント部及び熱放散器部を具えるリードフレーム
を形成する工程と、 リードフレームのダイマウント部の上に電子素子をマウ
ントする工程と、及び 相互にくしの歯状にかみ合い密に間を隔てるフィンガー
を包囲し分離する熱伝導性の電気絶縁性材料を形成する
工程とを含む電子デバイス用のシングルインラインパッ
ケージ用電気絶縁ヒートシンクの形成方法。 - （５）ダイマウント部及び熱放散器部を有し、密に間を
隔て重なり対面するが分離される関係で並置された大き
く平らな領域を有するツーピースリードフレームを形成
する工程と、 密に間を隔て重なり対面する大きく平らな領域の間に熱
伝導性の電気絶縁性材料を形成する工程とを含む電子デ
バイス用のシングルインラインパッケージ用電気絶縁ヒ
ートシンクの形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US331,716 | 1989-04-03 | ||
| US07/331,716 US4961107A (en) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | Electrically isolated heatsink for single-in-line package |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316245A true JPH0316245A (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=23295074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2084801A Pending JPH0316245A (ja) | 1989-04-03 | 1990-03-30 | シングルインラインパッケージ用電気絶縁ヒートシンク及びその形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4961107A (ja) |
| JP (1) | JPH0316245A (ja) |
| DE (1) | DE4004737A1 (ja) |
| MY (1) | MY106696A (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2036727C (en) * | 1990-03-13 | 1998-12-22 | Hisao Go | Optical module including receptacle, and method of producing the same |
| EP0452634B1 (en) * | 1990-03-16 | 1997-05-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Lead frame for semiconductor device |
| AU631000B2 (en) * | 1990-08-28 | 1992-11-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module |
| US5225897A (en) * | 1991-10-02 | 1993-07-06 | Unitrode Corporation | Molded package for semiconductor devices with leadframe locking structure |
| JPH0722722A (ja) * | 1993-07-05 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂成形タイプの電子回路装置 |
| DE4329083A1 (de) | 1993-08-30 | 1995-03-02 | Telefunken Microelectron | Baugruppe zur Aufnahme elektronischer Bauelemente |
| US5886400A (en) * | 1995-08-31 | 1999-03-23 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having an insulating layer and method for making |
| DE19544347A1 (de) * | 1995-11-28 | 1997-06-05 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Leistungsbauelementes und Leistungshalbleiterelement |
| US5866953A (en) * | 1996-05-24 | 1999-02-02 | Micron Technology, Inc. | Packaged die on PCB with heat sink encapsulant |
| US6048744A (en) | 1997-09-15 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit package alignment feature |
| DE19806817C1 (de) * | 1998-02-18 | 1999-07-08 | Siemens Ag | EMV-optimierter Leistungsschalter |
| US7233056B1 (en) * | 1998-02-23 | 2007-06-19 | Micron Technology, Inc. | Chip scale package with heat spreader |
| US6314639B1 (en) * | 1998-02-23 | 2001-11-13 | Micron Technology, Inc. | Chip scale package with heat spreader and method of manufacture |
| US6297960B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-10-02 | Micron Technology, Inc. | Heat sink with alignment and retaining features |
| US6297548B1 (en) * | 1998-06-30 | 2001-10-02 | Micron Technology, Inc. | Stackable ceramic FBGA for high thermal applications |
| US6326687B1 (en) | 1998-09-01 | 2001-12-04 | Micron Technology, Inc. | IC package with dual heat spreaders |
| US6117797A (en) | 1998-09-03 | 2000-09-12 | Micron Technology, Inc. | Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant |
| US6949824B1 (en) * | 2000-04-12 | 2005-09-27 | Micron Technology, Inc. | Internal package heat dissipator |
| US6991960B2 (en) * | 2001-08-30 | 2006-01-31 | Micron Technology, Inc. | Method of semiconductor device package alignment and method of testing |
| DE10344631B4 (de) * | 2003-09-25 | 2013-12-24 | Robert Bosch Gmbh | Elektronische Schaltungsanordnung |
| US7635613B2 (en) * | 2005-06-27 | 2009-12-22 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device having firmly secured heat spreader |
| US20080029855A1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Yi-Ling Chang | Lead Frame and Fabrication Method thereof |
| US8067825B2 (en) * | 2007-09-28 | 2011-11-29 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with multiple die |
| SG142321A1 (en) * | 2008-04-24 | 2009-11-26 | Micron Technology Inc | Pre-encapsulated cavity interposer |
| JP5325684B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2013-10-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH541918A (de) * | 1972-02-14 | 1973-09-15 | Heberlein & Co Ag | Elektronisches Bauteil mit einer Kühlanordnung |
| US3982271A (en) * | 1975-02-07 | 1976-09-21 | Rca Corporation | Heat spreader and low parasitic transistor mounting |
| JPS5266376A (en) * | 1975-11-29 | 1977-06-01 | Hitachi Ltd | Device and manufacture of resin body type semiconductor |
| SE437900B (sv) * | 1976-10-21 | 1985-03-18 | Ates Componenti Elettron | Halvledaranordning innefattande en vermeavledare eller kylkropp |
| US4541005A (en) * | 1982-04-05 | 1985-09-10 | Motorola, Inc. | Self-positioning heat spreader |
| JPS6074458A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS60170248A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6167248A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-07 | Hitachi Ltd | モジユ−ル冷却体構造 |
| IT1185410B (it) * | 1985-10-10 | 1987-11-12 | Sgs Microelettronica Spa | Metodo e contenitore perfezionato per dissipare il calore generato da una piastrina a circuito integrato |
| US4800956A (en) * | 1986-04-25 | 1989-01-31 | Digital Equipment Corporation | Apparatus and method for removal of heat from packaged element |
| JPS63181452A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Fujitsu Ltd | 放熱構造 |
| JPH0815195B2 (ja) * | 1987-05-15 | 1996-02-14 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路 |
| JPS6459843A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-04-03 US US07/331,716 patent/US4961107A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-02-15 DE DE4004737A patent/DE4004737A1/de not_active Withdrawn
- 1990-03-29 MY MYPI90000497A patent/MY106696A/en unknown
- 1990-03-30 JP JP2084801A patent/JPH0316245A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4961107A (en) | 1990-10-02 |
| MY106696A (en) | 1995-07-31 |
| DE4004737A1 (de) | 1990-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0316245A (ja) | シングルインラインパッケージ用電気絶縁ヒートシンク及びその形成方法 | |
| US11462510B2 (en) | Stacked package structure and stacked packaging method for chip | |
| US6723582B2 (en) | Method of making a semiconductor package having exposed metal strap | |
| US5710695A (en) | Leadframe ball grid array package | |
| JP2664754B2 (ja) | 高密度電子パッケージ及びその製造方法 | |
| US6133634A (en) | High performance flip chip package | |
| US5262927A (en) | Partially-molded, PCB chip carrier package | |
| JP5442368B2 (ja) | 直付リード線を備えるｉｃチップパッケージ | |
| CN100362656C (zh) | 包含漏极夹的半导体管芯封装及其制造方法 | |
| US3423516A (en) | Plastic encapsulated semiconductor assemblies | |
| US6770961B2 (en) | Carrier frame and semiconductor package including carrier frame | |
| US4167647A (en) | Hybrid microelectronic circuit package | |
| KR100328143B1 (ko) | 계층화된 도전 평면을 갖는 리드 프레임 | |
| US4642419A (en) | Four-leaded dual in-line package module for semiconductor devices | |
| JPH08213536A (ja) | パッケージの一面に露出した半導体ダイ取付けパッドを有するダウンセットされたリードフレームおよびその製造方法 | |
| JPH06216266A (ja) | 電子装置パッケージ・アセンブリー | |
| JPH07118514B2 (ja) | 半田バンプ型半導体装置 | |
| TWI485819B (zh) | 封裝結構及其製造方法 | |
| US20220238421A1 (en) | Molded packaging for wide band gap semiconductor devices | |
| KR19980032479A (ko) | 표면 설치 to-220 패키지 및 그의 제조 공정 | |
| US5395800A (en) | Method for assembling semiconductor devices with lead frame containing common lead arrangement | |
| US4012768A (en) | Semiconductor package | |
| JP2003086726A (ja) | 高電力モノリシックマイクロ波集積回路パッケージ | |
| US5793613A (en) | Heat-dissipating and supporting structure for a plastic package with a fully insulated heat sink for an electronic device | |
| EP0282124B1 (en) | Method for manufacturing a modular semiconductor power device and device obtained thereby |