JPS63181452A - 放熱構造 - Google Patents
放熱構造Info
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- JPS63181452A JPS63181452A JP62014440A JP1444087A JPS63181452A JP S63181452 A JPS63181452 A JP S63181452A JP 62014440 A JP62014440 A JP 62014440A JP 1444087 A JP1444087 A JP 1444087A JP S63181452 A JPS63181452 A JP S63181452A
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
櫛形片を有するヒートシンクに半導体素子、抵抗素子等
の発熱素子を固着し、ケース体に櫛形突片を設けて、櫛
形片と櫛形突片とを、絶縁体を介して咬合した状態で、
固着させることにより、絶縁の信頬度及び耐電圧が高く
、且つ冷却性能が優れた発熱素子の放熱構造を提供する
。
の発熱素子を固着し、ケース体に櫛形突片を設けて、櫛
形片と櫛形突片とを、絶縁体を介して咬合した状態で、
固着させることにより、絶縁の信頬度及び耐電圧が高く
、且つ冷却性能が優れた発熱素子の放熱構造を提供する
。
本発明は、発熱量の多い半導体素子、抵抗素子等の発熱
素子を備えた装置の放熱構造の改良に関する。
素子を備えた装置の放熱構造の改良に関する。
近年は、高密度化されたＬＳｌ、或いは定電圧ダイオー
ド、抵抗素子等のように、消費電力が増加した発熱素子
１を有する半導体装置が、電子機器に使用されている。
ド、抵抗素子等のように、消費電力が増加した発熱素子
１を有する半導体装置が、電子機器に使用されている。
このような半導体装置をプリント板等に実装するにあた
り、絶縁性と冷却性との両者を考慮する必要がある。
り、絶縁性と冷却性との両者を考慮する必要がある。
第３図は従来の半導体装置の断面図であって、チップ形
の発熱素子１の下面に、例えば合成樹脂よりなる板状の
絶縁体２を固着しである。
の発熱素子１の下面に、例えば合成樹脂よりなる板状の
絶縁体２を固着しである。
ガラス封止端子６は、金属板よりなるケース体３の所望
の個所を貫通する如くに装着され、発熱素子１は、絶縁
体２の裏面を接着剤を用いて接着することにより、ケー
ス本３の表面の中央部に搭載されている。
の個所を貫通する如くに装着され、発熱素子１は、絶縁
体２の裏面を接着剤を用いて接着することにより、ケー
ス本３の表面の中央部に搭載されている。
そして、ガラス封止端子６の上端部と発熱素子１の電極
とを金属線等で接続した後に、ケース体３に金属キャッ
プ４を冠着して、発熱素子１を気密に封止することによ
り、半導体装置が構成されている。
とを金属線等で接続した後に、ケース体３に金属キャッ
プ４を冠着して、発熱素子１を気密に封止することによ
り、半導体装置が構成されている。
上述のように構成された半導体装置は、ガラス封止端子
６の下端部をスルーホールに挿入半田付けして、プリン
ト板５に実装される。
６の下端部をスルーホールに挿入半田付けして、プリン
ト板５に実装される。
したがって、発熱素子１はケース体３に対して、電気的
には絶縁され、また、発熱素子１の熱は、絶縁体２を介
してケース体３に、ケース体３より金属キャップ４に伝
達され外部に放熱される。
には絶縁され、また、発熱素子１の熱は、絶縁体２を介
してケース体３に、ケース体３より金属キャップ４に伝
達され外部に放熱される。
しかしながら上記従来の放熱構造は、熱伝達率の高い材
料の絶縁体を選択しても、発熱素子１と絶縁体２との固
着面積が限定されているために、冷却性能が低いという
問題点がある。
料の絶縁体を選択しても、発熱素子１と絶縁体２との固
着面積が限定されているために、冷却性能が低いという
問題点がある。
また、冷却性を向上させるために、絶縁体２の厚さを薄
くすると、絶縁の信願度及び耐電圧が低下するという問
題が発生する。
くすると、絶縁の信願度及び耐電圧が低下するという問
題が発生する。
本発明はこのような点にかんがみて創作されたもので、
絶縁の信鯨度及び耐電圧が高く、且つ、冷却性能の優れ
た発熱素子の放熱構造を提供することを目的としている
。
絶縁の信鯨度及び耐電圧が高く、且つ、冷却性能の優れ
た発熱素子の放熱構造を提供することを目的としている
。
上記従来の問題点を解決するため本発明は、第１図に例
示したように、ヒートシンク１０の、チップ形の発熱素
子１を固着する面とは異なる他の面に、櫛形片１０Ａを
並列して設ける。
示したように、ヒートシンク１０の、チップ形の発熱素
子１を固着する面とは異なる他の面に、櫛形片１０Ａを
並列して設ける。
また金属よりなるケース体３に、櫛形突片３Ａを設け、
櫛形片１０Ａと櫛形突片３Ａとを、絶縁体２０を介して
咬合した状態で固着して、ヒートシンク１０とケース体
３とを一体化したものである。
櫛形片１０Ａと櫛形突片３Ａとを、絶縁体２０を介して
咬合した状態で固着して、ヒートシンク１０とケース体
３とを一体化したものである。
上記本発明の手段によれば、ヒートシンク１０に櫛形片
１〇八を設けであるので、熱伝達面積が非常に大きく、
また、ケース体３に櫛形突片３Ａが形成されているので
、絶縁体２０を介して熱を受ける面積が非常に大きい。
１〇八を設けであるので、熱伝達面積が非常に大きく、
また、ケース体３に櫛形突片３Ａが形成されているので
、絶縁体２０を介して熱を受ける面積が非常に大きい。
したがって、隣接した櫛形片１０Ａと櫛形突片３Ａとの
間に、十分に厚い絶縁体２０の層を設け、絶縁の信頬度
及び耐電圧を高くしても、発熱素子１の熱が、ケース体
３に伝達され、ケース体３自体。
間に、十分に厚い絶縁体２０の層を設け、絶縁の信頬度
及び耐電圧を高くしても、発熱素子１の熱が、ケース体
３に伝達され、ケース体３自体。
ケース体３に固着した金属キャップ、或いはケース体３
が固着した金属筐体より、外部に効率良く放熱される。
が固着した金属筐体より、外部に効率良く放熱される。
以下図を参照しながら、本発明を具体的に説明するつな
お、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
お、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第１図は本発明の一実施例の断面図であり、第２図は他
の実施例の一部破断斜視図である。
の実施例の一部破断斜視図である。
第１図において、下面に櫛形片１０Ａが並列した板状の
ヒートシンク１０の上面に、チップ形の半導体素子、抵
抗素子等の発熱素子１が密着して固着されている。
ヒートシンク１０の上面に、チップ形の半導体素子、抵
抗素子等の発熱素子１が密着して固着されている。
周縁部近傍にガラス封止端子６が装着された金属よりな
るケース体３の上面の中央部には、櫛形片１０Ａと等ピ
ッチで、櫛形突片３Ａを並列させである。
るケース体３の上面の中央部には、櫛形片１０Ａと等ピ
ッチで、櫛形突片３Ａを並列させである。
そして、櫛形突片３Ａと櫛形片１０Ａとが十分の間隙を
もって咬合するように保持した状態で、それぞれの間隙
に、例えばシリコン樹脂等よりなる絶縁体２０を充填し
て、ケース体３とヒートシンク１０とを一体に固着させ
である。
もって咬合するように保持した状態で、それぞれの間隙
に、例えばシリコン樹脂等よりなる絶縁体２０を充填し
て、ケース体３とヒートシンク１０とを一体に固着させ
である。
ガラス封止端子６の上端部と発熱素子１の電極とを金属
線等で接続した後に、ケース体３に金属キャップ４を冠
着して、発熱素子１を気密に封止して、半導体装置が構
成されている。
線等で接続した後に、ケース体３に金属キャップ４を冠
着して、発熱素子１を気密に封止して、半導体装置が構
成されている。
上述のように構成された半導体装置は、ガラス封止端子
６の下端部をスルーホールに挿入半田付けして、プリン
ト板５に実装されている。
６の下端部をスルーホールに挿入半田付けして、プリン
ト板５に実装されている。
上述のような半導体装置は、櫛形片１０Ａと櫛形突片３
Ａとが、絶縁体２０を介して咬合しているので、熱伝達
面積が大き、い。したがって、十分に厚い絶縁体２０の
層が存在するにもかかわらず、発熱素子１の熱が、ヒー
トシンク１〇−絶縁体２０−ケース体３を経て、効率良
く金属キャップ４に伝達され、放熱面積の大きい金属キ
ヤ・ノブ４より、外部に放熱される。
Ａとが、絶縁体２０を介して咬合しているので、熱伝達
面積が大き、い。したがって、十分に厚い絶縁体２０の
層が存在するにもかかわらず、発熱素子１の熱が、ヒー
トシンク１〇−絶縁体２０−ケース体３を経て、効率良
く金属キャップ４に伝達され、放熱面積の大きい金属キ
ヤ・ノブ４より、外部に放熱される。
第２図に示した発熱素子１００は、定電圧ダイオード等
の半導体部品である。横方向に長いヒートシンク４０の
上面に、長手方向に垂直に取着板部４１が形成され、ヒ
ートシンク４０の下面に、櫛形片４０Ａが並列して形成
されている。
の半導体部品である。横方向に長いヒートシンク４０の
上面に、長手方向に垂直に取着板部４１が形成され、ヒ
ートシンク４０の下面に、櫛形片４０Ａが並列して形成
されている。
それぞれの発熱素子１００を、底面が取着板部４１の側
面に密着させ、ねじ手段により取着板部４１に固着する
ことにより、ヒートシンク４０に複数の発熱素子１００
を並列して装着しである。
面に密着させ、ねじ手段により取着板部４１に固着する
ことにより、ヒートシンク４０に複数の発熱素子１００
を並列して装着しである。
板状の金属材よりなるケース体３０の上面には、ヒート
シンク４０の櫛形片４０Ａに対応して、櫛形突片３０Ａ
が並列して、形成されている。
シンク４０の櫛形片４０Ａに対応して、櫛形突片３０Ａ
が並列して、形成されている。
そして、櫛形突片３０Ａと櫛形片４０Ａとが十分の間隙
をもって咬合するように組み合わせた状態で、それぞれ
の間隙に、絶縁体２０を充填して、ヒートシンク４０と
ケース体３０とを一体に固着させ、半導体装置を構成し
である。
をもって咬合するように組み合わせた状態で、それぞれ
の間隙に、絶縁体２０を充填して、ヒートシンク４０と
ケース体３０とを一体に固着させ、半導体装置を構成し
である。
このような半導体装置は、金属よりなる筐体５０の底板
５１の一方の側壁側に、ケース体３０の下面を密着して
、ねじ手段により底板５１に固着されている。
５１の一方の側壁側に、ケース体３０の下面を密着して
、ねじ手段により底板５１に固着されている。
また、筐体５０には底板５１に並行して、プリント板５
が固着され、発熱素子１００の電極は、それぞれプリン
ト板５の所望のパターンに、接続線を介して接続しであ
る。
が固着され、発熱素子１００の電極は、それぞれプリン
ト板５の所望のパターンに、接続線を介して接続しであ
る。
したがって、上述のような半導体装置は、十分に厚い絶
縁体２０の層が存在するので、絶縁の信頼度及び耐電圧
が高いにもかかわらず、櫛形突片３０Ａと櫛形片４０Ａ
とが、絶縁体２０を介して咬合しているので、熱伝達面
積が大きくて、発熱素子１００の熱は、取着板部４１−
櫛形片４０Ａ ＝絶縁体２０−櫛形突片３０Ａを経て、
放熱面積の大きい筐体５０に伝達され、筐体５０より外
部に効率良く放熱される。
縁体２０の層が存在するので、絶縁の信頼度及び耐電圧
が高いにもかかわらず、櫛形突片３０Ａと櫛形片４０Ａ
とが、絶縁体２０を介して咬合しているので、熱伝達面
積が大きくて、発熱素子１００の熱は、取着板部４１−
櫛形片４０Ａ ＝絶縁体２０−櫛形突片３０Ａを経て、
放熱面積の大きい筐体５０に伝達され、筐体５０より外
部に効率良く放熱される。
以上説明したように本発明は、櫛形片を有するヒートシ
ンクに発熱素子を固着し、ケース体に櫛形突片を設けて
、櫛形片と櫛形突片とを、絶縁体を介して咬合させた放
熱構造であって、発熱素子の絶縁の信転度及び耐電圧が
高く、且つ冷却性能が優れている等、実用上で優れた効
果がある。
ンクに発熱素子を固着し、ケース体に櫛形突片を設けて
、櫛形片と櫛形突片とを、絶縁体を介して咬合させた放
熱構造であって、発熱素子の絶縁の信転度及び耐電圧が
高く、且つ冷却性能が優れている等、実用上で優れた効
果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、
第２図は他の実施例の一部破断斜視図、第３図は従来例
の断面図である。 図において、 １．１００は発熱素子、 ２．２０は絶縁体、 ３．３０はケース体、 ３Ａ、 ３０Ａは櫛形突片、 ４は金属キャップ、 ５はプリント板、 １０、４０はヒートシンク、 １０Ａ 、 ４０八は櫛形片、 ５０は筐体をそれぞれ示す。 ／ 、 ′’ｊ。 ！ ７ Ｐ′ ζ０′ − に東側の笠面四 単３図
の断面図である。 図において、 １．１００は発熱素子、 ２．２０は絶縁体、 ３．３０はケース体、 ３Ａ、 ３０Ａは櫛形突片、 ４は金属キャップ、 ５はプリント板、 １０、４０はヒートシンク、 １０Ａ 、 ４０八は櫛形片、 ５０は筐体をそれぞれ示す。 ／ 、 ′’ｊ。 ！ ７ Ｐ′ ζ０′ − に東側の笠面四 単３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 発熱素子（１）が固着した面とは異なる他の面に、櫛
形片（１０Ａ）が形成されたヒートシンク（１０）と、
櫛形突片（３Ａ）が形成された金属よりなるケース体（
３）とよりなり、 該櫛形片（１０Ａ）と該櫛形突片（３Ａ）とを、絶縁体
（２０）を介して咬合した状態で固着し、該ヒートシン
ク（１０）と該ケース体（３）とを一体化したことを特
徴とする放熱構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62014440A JPS63181452A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62014440A JPS63181452A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 放熱構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63181452A true JPS63181452A (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=11861084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62014440A Pending JPS63181452A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 放熱構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63181452A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4961107A (en) * | 1989-04-03 | 1990-10-02 | Motorola Inc. | Electrically isolated heatsink for single-in-line package |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP62014440A patent/JPS63181452A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4961107A (en) * | 1989-04-03 | 1990-10-02 | Motorola Inc. | Electrically isolated heatsink for single-in-line package |
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