JPH03157944A - 半導体パッケージ - Google Patents

半導体パッケージ

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JPH03157944A
JPH03157944A JP1297174A JP29717489A JPH03157944A JP H03157944 A JPH03157944 A JP H03157944A JP 1297174 A JP1297174 A JP 1297174A JP 29717489 A JP29717489 A JP 29717489A JP H03157944 A JPH03157944 A JP H03157944A
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JP
Japan
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resin
semiconductor chip
chip
lead frame
bonding
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JP1297174A
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Akira Kojima
明 小島
Yukio Asami
幸雄 浅見
Tomoshi Oide
知志 大出
Yasushi Otsuka
恭史 大塚
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体パッケージに関する。
［発明の概要］ 本発明は、ＩＣチップのような半導体チップをレジンモ
ールドした半導体パッケージにおいて、リードフレーム
に半導体チップの収納可能な窓を形成して、リードフレ
ームからグイパッドを取り除くことにより、 半導体パッケージの界面剥離や樹脂割れを阻止できると
ともに、軽薄短小化を向上できるように１、たものであ
る。
［従来の技術］ 半導体パッケージは、基本的には、第１０〜１４図に示
すようなプロセスにより製造されている。
つまり、第１０図に示すように、リードフレーム１は厚
さの薄いステンレスのような金属できた写真のフィルム
のような形状をしている。このリードフレーム１にはグ
イパッド２とこのグイパッド２の外側に櫛歯状に配置さ
れる複数のリードフィンガ３とが形成されている。
そして、第１１図に示すように、リードフレーム１のグ
イパッド２上に、所定の回路が完成している半導体チッ
プ４を、銀ペースト（Ａｇペースト）と呼ばれている導
電性接着剤５で接着する。
次に、第１２図に示すように、グイパッド２上に固定し
た半導体チップ４の上面に形成されている複数のボンデ
ィングパッド６と、リードフレーＡ　Ｉの複数のリード
フィンガ３とに跨って、図外のワイヤボンディングマシ
ーンにより、金線（Ａｌ１線）のようなボンディングワ
イヤ７を結合する。
さらに、第１３図に示すように、半導体チップ４のワイ
ヤボンディングが終了したリードフレーム１をトランス
ファモールドマシーンの成形型８内に配置し、この成形
型８の製品空間部８ａ内にエポキシ樹脂のような熱硬化
性のモールド樹脂９を注入する。
そしてモールド樹脂９が硬化したところ嗜、成形型８か
ら成形品を取り出し、モールド樹脂９の周囲に突出して
いる複数のリードフィンガ３を所定の長さで切断し、て
折り曲げることにより、第１４図に示すようなレジンモ
ールドされた半導体パ・ノケージＩｎとなる。
［発明が解決し、ようとする課題］ 前述の半導体パッケージ１０においては、例えば１９８
９年１０月１６日に日経ＲＰ社発行の１日経メカニカル
」第３０８号；第７９．８０頁に示されているように、
ダイパッド２．半導体チップ４．モールド樹脂９等の熱
膨張係数の差により、モールド温度から冷却する過程に
おいて、熱応力が発生したり、ダイパッド２の下面に付
着していた水分の蒸気圧が発生したりして、第１４図に
示すように、界面剥＄１１と樹脂割れ１２とを生じるこ
とが指摘されている。
また、半導体パッケージ１０では、厚さＴを例えば１ｍ
ｍ以下にする軽薄短小化が試みられてきているが、厚さ
Ｔを薄くすればするほど、上記界面剥離１１と樹脂割れ
１２との発生率が高くなるばかりでなく、ボンディング
ワイヤ７の高さ、グイパッド２の厚さ、Ａｇペースト５
の厚さ等の制約により、半導体パー７ケージＩＯの厚さ
Ｔを１ｍｍ以下にするのは難しい。
［課題を解決するための手段］ そこで本発明は、金属製のリードフレームに、半導体チ
ーノブの収納可能な窓とこの窓の周辺部に配置される複
数のリードフィンガとを形成し、このリードフレームの
窓に半導体チップを配置し、この半導体チップのボンデ
ィングパッドと前記複数のリードフィンガとに跨ってボ
ンディングワイヤを結合し、このボンディングワイヤに
より半導体チップをリードフレームに対して支持した状
態で半導体チップと複数のリードフィンガとボンディン
グワイヤとをモールド樹脂で被覆しである。
［作用コ リートフレームからダイパッドを取り除くために、リー
ドフレームに半導体チップの収納可能な窓を形成し、こ
の窓に配置した半導体チ・ノブをリードフレームに対し
てボンディングワイヤで支持したまま、モールド樹脂の
注入圧力を調整することにより、半導体チップの位置や
ボンディングワイヤの形状を保持しつつ半導体パッケー
ジをレジンモールドする。また、モールド温度からの冷
却過程において、ダイパッドによる熱応力や蒸気圧力を
受けることが無く、モールド樹脂が半導体チップに密接
することにより、界面剥離や樹脂割れを阻止する。しか
も半導体パッケージの厚さが、ダイパッドの厚さやＡｇ
ペーストの厚さに相当する寸法だけ薄くなる。
［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面とともに前述した従来構
造と同一部分に同一符号を付して詳述する。
第２図に示すように、この一実施例の半導体パッケージ
に使用するリードフレームＩＡは、厚さの薄いステンレ
スのような金属で写真のフィルムのような長尺に形成さ
れている。このリードフレームＩＡには、所定の回路が
完成している半導体チップ４の収納可能な窓２０と、こ
の窓２０の周辺部に櫛歯状に配置される複数のリードフ
ィンガ３とが形成されている。
ここで、この一実施例では第３〜５図に示すように、リ
ードフレームＩＡの窓２０への半導体チップ４の配置か
らワイヤボンディングの終了するまでの間、半導体チッ
プ４を治具２Ｉで支持するようにしである。
この治具２１は、第３図に示すように、リードフレーム
Ｉへの窓２０よりも大きい金属ブ（ノックの−Ｌ面周辺
部で複数のリードフィンガ３の先端部を受は止めるよう
になっている。治具２１の」二面の中央部には受容凹部
２２が形成されている。この受容四部２２の底面には排
気口２３が形成されている。この排気口２３は図外の真
空系に接続されている。受容凹部２２の深さＨは、第４
図に示すように、受容四部２２に入れた半導体チップ４
の上面がリードフィンガ３の上面よりも僅かに突出する
寸法になっている。また、治具２１には受容四部２２周
りを加熱する図外のヒータを備えている。
し、たがって、治具２１を加熱しかつ治具２１の上面周
辺部」二に複数のリードフィンガ３の先端部を接触、配
置した状態において、第４図に示すように、半導体チッ
プ４を受容凹部２２に位置決めしつつ置いた後、真空系
により排気口２３内の空気を排気することにより、半導
体チップ４を治具２１に吸着させる。これにより半導体
チップ４がリードフレームＩＡの窓２０に配置され、半
導体チップ４のボンディングパッド６とリートフィンガ
３とが、治具２１からの熱伝導により、例えば２１０〜
２９０℃程度に加熱されている。
そして、第５図に示す、ように、グイパッド２」−に固
定した半導体チップ４の上面に形成されている複数のボ
ンディングパッド６と、グイパッド２の周辺部に離れた
状態でリードフレーム１にボンディングパッド６と同じ
数をもって形成されている複数のリードフィンガ３とに
跨って、図外のワイヤボンディングマシーンにより、金
線（ＡＵ線）のようなボンディングワイヤ７を結合する
。
具体的には、第４．５図に示すように、ワイヤボンディ
ングマシーンの　でボンディングワイヤ８ ７先端の球形部７ａを半導体チップ４のボンディングパ
ッド６上に押し付けることにより、ボンディングワイヤ
７の球形部７ａとボンデイングパ１．ノド６とが熱圧着
の技法で強く結合した後、ワイヤコイル７ｂからボンデ
ィングパッド７を引き出しつつ、キャピラリチップ７Ｃ
をリードフィンガ３の先端部上に移動して押し付けるこ
とにより、ボンディングワイヤ７とリードフィンガ３と
の両者が熱圧着の技法で強く結合する。この後、ワイヤ
コイル７ｂ側のボンディングワイヤ７をクランパ７ｄで
挟持したまま、キャピラリチップ７Ｃを上方に移動する
ことにより、ボンディングワイヤ７をリードフィンガ３
との結合部よりもワイヤコイル側部分で切断する。そし
てボンディングワイヤ７のキャピラリチップ７Ｃよりも
下方に突出する部分をボール形成用トーチ７ｅで加熱し
て球状部７ａを形成し、この球状部７ｇＮを次のボンデ
ィングパッド６上に押し付けて結合するというように複
数のボンディングパッド６と複数のリードフィンガ３と
を１個所づつ順次結合する。このワイヤボンディングに
より、窓２０に配置した半導体チップ４はリードフレー
ムＩＡに対してボンディングワイヤ７で支持されている
。
さらに、第６．７図に示すように、半導体チップ４のワ
イヤボンディングが終了したリードフレームＩＡをトラ
ンスファモールドマシーンの成形型８の製品空間部８λ
内に配置し、この成形型８の製品空間部８ａ内にエポキ
シ樹脂のような熱硬化性のモールド樹脂９を注入する。
そしてモールド樹脂９が硬化したところで、成形型８か
ら成形品を取り出し、モールド樹脂９の周囲に突出して
いる複数のリードフィンガ３を所定の長さで切断して折
り曲げることにより、第１図に示すようなレジンモール
ドされた半導体パッケージＩＯＡとなる。
さて、前記成形型８の製品空間部８社内にモールド樹脂
９を注入する際に、モールド樹脂９を半導体チップ４の
」ニガより注入し、この注入圧力により半導体チップ４
が受ける荷重と変位量との関係について調べたところ、
第８図に示す特性が得０ られた。この第８図について考察すると、荷重が３〜４
　Ｋ　ｇ　／　ｃ　ｍ　”程度となるまでの注入圧力で
あるならば、半導体チップ４の変位量が０．１ｍｍ以内
に収まり、実用上特に悪影響はないことがわかる。
また、第９図は前述の荷重３〜４　Ｋ　ｇ　／　ｃ　ｍ
　”内でレジンモールドした半導体パッケージＩＯＡを
平面視的にＸ線撮影した写真のネガフィルムを拡大して
描いた平面図である。この第９図について考察”４°る
と、リードフレーＪ、、　Ｉ　Ａの窓２０に半導体チッ
プ４が位置を大きくずらすことなく配置され、ボンディ
ングワイヤ７が波打つことなくその配線形状を保持して
いることが明らかであろう。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
例えば第２図に仮想線で示すように、リードフレームＩ
Ａの窓２０の周辺部に放熱用フィンガ２５を設け、この
放熱用フィンガ２５の先端部をもリードフィンガ３と同
様にレジンモールド時にモールド樹脂９内に埋め込むこ
とにより、放熱機能を持たせることも可能である。
また、半導体チップ４の形状や大きさは色々のものを適
用できる。
［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、リードフレームの窓に配
置した半導体チップを、リードフレームに対してボンデ
ィングワイヤで支持したまま、モールド樹脂の注入圧力
を調整することにより、グイパッドを省略１−でも、半
導体チップの位置やボンディングワイヤの形状を保持し
つつ、半導体パッケージをレジンモールドすることがで
きるので、モールド温度からの冷却過程において、グイ
パッドによる熱応力や蒸気圧力を受けることが無く、モ
ールド樹脂が半導体チップに密接して、界面剥離や樹脂
割れを阻止できる。しかも、グイパッドの厚さやＡｇペ
ーストの厚さに相当する寸法だけ半導体パッケージの厚
さを薄くすることができ、よって半導体パッケージの軽
薄短小化を向上できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の半導体パッケージを示す縦
断面図、第２図は同実施例のリードフレームを示す斜視
図、第３図は同実施例のリードフィンガと治具とを示す
縦断面図、第４図は同実施例の治具に半導体チップを置
いた状態を示す縦断面図、第５図は同実施例のワイヤボ
ンディングを示す縦断面図、第６図は同実施例の半導体
チップのワイヤボンディングが終了したリードフレーム
を示す斜視図、第７図は同実施例のレジンモールドを示
す縦断面図、第８図は同実施例のモールド樹脂の注入圧
力による半導体チップの受ける荷重と変位量との関係を
示す特性図、第９図は同実施例のレジンモールドした半
導体パッケージのＸ線写真のネガフィルムを拡大した平
面図、第１０図は従来のリードフレームを示す斜視図、
第１１図は同従来のグイボンディングを示す縦断面図、
第１２図は同従来のワイヤボンディングを示す縦断面図
、第１３図は同従来のレジンモールドを示す縦断面図、
第１４図は同従来の半導体パッケージを示す縦断面図で
ある。 １Ａ・・・リードフレーム、３・・・リードフィンガ、
４・・・半導体チップ、６・・・ボンディングパッド、
７・・ボンディングワイヤ、９・・・モールド樹脂、＋
ＯＡ・・・半導体パッケージ、２０・・・窓。 ３ ４

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）金属製のリードフレームに、半導体チップの収納
    可能な窓とこの窓の周辺部に配置される複数のリードフ
    ィンガとを形成し、このリードフレームの窓に半導体チ
    ップを配置し、この半導体チップのボンディングパッド
    と前記複数のリードフィンガとに跨ってボンディングワ
    イヤを結合し、このボンディングワイヤにより半導体チ
    ップをリードフレームに対して支持した状態で半導体チ
    ップと複数のリードフィンガとボンディングワイヤとを
    モールド樹脂で被覆したことを特徴とする半導体パッケ
    ージ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0776039A3 (en) * 1995-11-21 1999-04-07 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to semiconductor packages
CN102130228A (zh) * 2010-12-23 2011-07-20 陕西科技大学 一种led焊线加热模具
WO2021164337A1 (zh) * 2020-02-19 2021-08-26 长鑫存储技术有限公司 封装基板及其形成方法、封装结构及其形成方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62109331A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の組立て方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62109331A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の組立て方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0776039A3 (en) * 1995-11-21 1999-04-07 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to semiconductor packages
CN102130228A (zh) * 2010-12-23 2011-07-20 陕西科技大学 一种led焊线加热模具
WO2021164337A1 (zh) * 2020-02-19 2021-08-26 长鑫存储技术有限公司 封装基板及其形成方法、封装结构及其形成方法

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