JPH0314531A - オキシメチレン基を有する3環式化合物 - Google Patents
オキシメチレン基を有する3環式化合物Info
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- JPH0314531A JPH0314531A JP1878290A JP1878290A JPH0314531A JP H0314531 A JPH0314531 A JP H0314531A JP 1878290 A JP1878290 A JP 1878290A JP 1878290 A JP1878290 A JP 1878290A JP H0314531 A JPH0314531 A JP H0314531A
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Landscapes
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気光学的表示材料として有用な新規液晶性
化合物に関するものである。特にその中でも強誘電性を
有する液晶材料を得る際に有用な素材となる化合物を提
供するものである。
化合物に関するものである。特にその中でも強誘電性を
有する液晶材料を得る際に有用な素材となる化合物を提
供するものである。
液晶表示素子は、その優れた特@(低電圧作動、低消費
電力、薄型表示が可能、明るい場所でも使用でき目がつ
かれない。)によって、現在広く用いられている。しか
しながら、最も一般的であるTN型表示方式では、CR
Tなどの発光型表示方式と比較すると応答が極めて遅く
、かつ印加電場を切った場合の表示の記憶(メモリー効
果〉が得られないため、高速応答の必要な光シャッター
プリンターヘッド、時分割駆動の必要なテレビ等の動画
面等への応用には多くの制約があり、適したものとは言
えなかった。
電力、薄型表示が可能、明るい場所でも使用でき目がつ
かれない。)によって、現在広く用いられている。しか
しながら、最も一般的であるTN型表示方式では、CR
Tなどの発光型表示方式と比較すると応答が極めて遅く
、かつ印加電場を切った場合の表示の記憶(メモリー効
果〉が得られないため、高速応答の必要な光シャッター
プリンターヘッド、時分割駆動の必要なテレビ等の動画
面等への応用には多くの制約があり、適したものとは言
えなかった。
最近、メイヤーらにより強誘電性液晶を用いる表示方式
が報告され、これによるとTN型の100〜1000倍
という高速応答とメモリー効果が得られるため、次世代
の液晶表示素子として期待され、現在、盛んに研究、開
発が進められている。
が報告され、これによるとTN型の100〜1000倍
という高速応答とメモリー効果が得られるため、次世代
の液晶表示素子として期待され、現在、盛んに研究、開
発が進められている。
強誘電性液晶の液晶相は、チルト系のキラルスメクチッ
ク相に属するものであるが、実用的には、その中で最も
低粘性であるキラルスメクチックC(以下、SC0と省
略する。)相が最も望ましい.sc”相を示す液晶化合
物は、既に数多く合威され、検討されているが、強誘電
性表示素子として用いるための条件としては、(イ)室
温を含む広い温度範囲SCI相を示すこと、(ロ)良好
な配向を得るために、SC1相の高温側に適当な相系列
を有し、かつその螺旋ピッチが大きいこと、(ハ)適当
なチルト角を有すること、(二)粘性が小さいこと、(
ホ)自発分極がある程度大きいこと、が好ましいが、こ
れらを単独で満足するものは知られていない. そのため、現在では、SC0相を示す液晶組成物(以下
、SC′″液晶組成物という。)として検討用等に用い
られている。
ク相に属するものであるが、実用的には、その中で最も
低粘性であるキラルスメクチックC(以下、SC0と省
略する。)相が最も望ましい.sc”相を示す液晶化合
物は、既に数多く合威され、検討されているが、強誘電
性表示素子として用いるための条件としては、(イ)室
温を含む広い温度範囲SCI相を示すこと、(ロ)良好
な配向を得るために、SC1相の高温側に適当な相系列
を有し、かつその螺旋ピッチが大きいこと、(ハ)適当
なチルト角を有すること、(二)粘性が小さいこと、(
ホ)自発分極がある程度大きいこと、が好ましいが、こ
れらを単独で満足するものは知られていない. そのため、現在では、SC0相を示す液晶組成物(以下
、SC′″液晶組成物という。)として検討用等に用い
られている。
これまで、SC相あるいはSC0相の上限温度(Tc点
)を上昇させるために用いられてきた化合物には、下記
一般式(III) a〜(I[[) eで表わされる化
合物のように3個の芳香環が、直結した構造のものや、
下記一般式(IV)a〜(IV) bで表わされる化合
物のように、エステル系のものなど、いずれもTc点の
高いSC相(あるいはSC”相)を有する化合物が知ら
れている。
)を上昇させるために用いられてきた化合物には、下記
一般式(III) a〜(I[[) eで表わされる化
合物のように3個の芳香環が、直結した構造のものや、
下記一般式(IV)a〜(IV) bで表わされる化合
物のように、エステル系のものなど、いずれもTc点の
高いSC相(あるいはSC”相)を有する化合物が知ら
れている。
やすく、また融点を低くすることが難しく、一方、上記
一般式(■)a.(IV)bで表わされるエステル系化
合物では粘度が大きいという欠点があった。
一般式(■)a.(IV)bで表わされるエステル系化
合物では粘度が大きいという欠点があった。
また、下記一般式(V)で表わされる化合物のように分
子内にピリごジン環とオキシメチレン結合を有する化合
物では、 しかしながら、上記一般式(III) a〜(I[I)
eで表わされる化合物等の3環直結型の化合物は他の
液晶化合物との相溶性が悪いため、析出が生じ一般式(
■)a又は(IV)bで表わされる化合物等のエステル
系化合物と比較して、粘度の面ではかなり改善されたが
、まだ充分なものとは言えなかった.そこで、さらに粘
度が低く、相溶性にもすぐれ、かつTc点を上昇させる
効果の大きい化合物が望まれていた。
子内にピリごジン環とオキシメチレン結合を有する化合
物では、 しかしながら、上記一般式(III) a〜(I[I)
eで表わされる化合物等の3環直結型の化合物は他の
液晶化合物との相溶性が悪いため、析出が生じ一般式(
■)a又は(IV)bで表わされる化合物等のエステル
系化合物と比較して、粘度の面ではかなり改善されたが
、まだ充分なものとは言えなかった.そこで、さらに粘
度が低く、相溶性にもすぐれ、かつTc点を上昇させる
効果の大きい化合物が望まれていた。
本発明が解決しようとする課題は、他の母体液晶用化合
物との相溶性に優れ、低粘度であって、かつ混合により
SC相(あるいはSC1相)の上限温度(Tc点)を上
昇させる効果が大きい化合物を提供し、また、それを用
いることによりTc点が高く、かつ低粘度のSC(ある
いはsc”)相を示す液晶&It7.物を提供し、また
そのような組或物を構戒要素として用いた液晶表示素子
を提供することにある。
物との相溶性に優れ、低粘度であって、かつ混合により
SC相(あるいはSC1相)の上限温度(Tc点)を上
昇させる効果が大きい化合物を提供し、また、それを用
いることによりTc点が高く、かつ低粘度のSC(ある
いはsc”)相を示す液晶&It7.物を提供し、また
そのような組或物を構戒要素として用いた液晶表示素子
を提供することにある。
本発明は上記課題を解決するために、下記一般式(A)
で表わされる化合物を提供する。
で表わされる化合物を提供する。
上記一般式中、Rlは炭素原子数1〜18の直鎖状又は
分岐状のアルキル基を表わし、Rzは炭素原子数1−1
8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基
を表わすが、好ましくはRl及びR2は各々独立的に炭
素原子数4〜10の直鎖状のアルキル基を表わす。Xは
一OCR”一又は− CH.0−を表わすが、好ましく
は、−0CHZ−を表また、本発明は、上記一般式(A
)で表わされる化合物の少なくとも2種を含有する液晶
組或物を提供する。特に本発明による組或物は、強誘電
性液晶表示用キラルスメクチック液晶、あるいはキラル
スメクチック液晶調製用のSC相を示す母体液晶として
用いることが好ましいものであり、組戒物中に一般式(
A)で示される化合物の占める割合が2〜50重量%で
あることが好ましく5〜30重置%であることが特に好
ましい。
分岐状のアルキル基を表わし、Rzは炭素原子数1−1
8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基
を表わすが、好ましくはRl及びR2は各々独立的に炭
素原子数4〜10の直鎖状のアルキル基を表わす。Xは
一OCR”一又は− CH.0−を表わすが、好ましく
は、−0CHZ−を表また、本発明は、上記一般式(A
)で表わされる化合物の少なくとも2種を含有する液晶
組或物を提供する。特に本発明による組或物は、強誘電
性液晶表示用キラルスメクチック液晶、あるいはキラル
スメクチック液晶調製用のSC相を示す母体液晶として
用いることが好ましいものであり、組戒物中に一般式(
A)で示される化合物の占める割合が2〜50重量%で
あることが好ましく5〜30重置%であることが特に好
ましい。
さらに、本発明は上記組底物を構威要素とする液晶表示
素子を提供するものであり、特に低温域から高温域まで
の広い温度範囲において高速応答の可能な強誘電性液晶
表示素子を提供する.本発明に係わる式(A)の化合物
は、例えば次の製造方法に従って製造することができる
。
素子を提供するものであり、特に低温域から高温域まで
の広い温度範囲において高速応答の可能な強誘電性液晶
表示素子を提供する.本発明に係わる式(A)の化合物
は、例えば次の製造方法に従って製造することができる
。
即ち、式(B−1)の化合物と式(C− 1 )の化合
物とを塩基の存在下に反応させることによって、本発明
に係わる式(A−1)の化合物を製造する。
物とを塩基の存在下に反応させることによって、本発明
に係わる式(A−1)の化合物を製造する。
(上記反応式中、Rl及びRzは一般式(A)のRl及
びRzと各々同じ意味を表わし、(上記反応式中、R1
及びR2は一般式(A)のを表わす.) し、Yは、塩素、臭素、ヨウ素又はp−トルエンスルホ
ニル基等の脱離基を表わす。) 即ち、式(B−2)の化合物と式(C−2)の化合物と
を塩基の存在下に反応させることによって、本発明に係
わる式(A−2)の化合物を製造する. (iii)XがーCH20−テアル場合て、本発明に係
わる式(A−3)の化合物を製造する。
びRzと各々同じ意味を表わし、(上記反応式中、R1
及びR2は一般式(A)のを表わす.) し、Yは、塩素、臭素、ヨウ素又はp−トルエンスルホ
ニル基等の脱離基を表わす。) 即ち、式(B−2)の化合物と式(C−2)の化合物と
を塩基の存在下に反応させることによって、本発明に係
わる式(A−2)の化合物を製造する. (iii)XがーCH20−テアル場合て、本発明に係
わる式(A−3)の化合物を製造する。
斯くして製造される式(A)の化合物の代表的なものの
相転移温度を第1表に示す。
相転移温度を第1表に示す。
味を表わし、Yは式(C−2)と同じ意味を表わす。)
即ち、式(B−3)の化合物と式(C−3)の化合物と
を塩基の存在下に反応させることにょっここで、Crは
結晶相を、SFはスメクチックF相を、SBはスメクチ
ックB相を、SXは帰属不明のスメクチック相を、SA
はスメクチックA相を、SCはスメクチックC相をIは
等方性液体相を夫々表わす。(ただし、SF相は他のス
メクチック相の可能性もある。) 上記から明らかなように、式(A)の化合物は高い温度
域でSC相を示し、混合により液晶組或物のSC相ある
いはSC9の上限温度を高くする効果を有する。
を塩基の存在下に反応させることにょっここで、Crは
結晶相を、SFはスメクチックF相を、SBはスメクチ
ックB相を、SXは帰属不明のスメクチック相を、SA
はスメクチックA相を、SCはスメクチックC相をIは
等方性液体相を夫々表わす。(ただし、SF相は他のス
メクチック相の可能性もある。) 上記から明らかなように、式(A)の化合物は高い温度
域でSC相を示し、混合により液晶組或物のSC相ある
いはSC9の上限温度を高くする効果を有する。
一般に液晶化合物の粘度を小さくするには、両側鎖をア
ルキル鎖にしたり、連結基の−COO−をより極性の弱
い−CI!O−や一〇82CH2−に代える等の方法が
なされているが、こうして得られた低粘性の液晶化合物
にはSC相を示す化合物はほとんど知られていない。例
えば一般式(A)においてスメクチックE(以下、SE
という.)相のみを示し、SC相は示さない。
ルキル鎖にしたり、連結基の−COO−をより極性の弱
い−CI!O−や一〇82CH2−に代える等の方法が
なされているが、こうして得られた低粘性の液晶化合物
にはSC相を示す化合物はほとんど知られていない。例
えば一般式(A)においてスメクチックE(以下、SE
という.)相のみを示し、SC相は示さない。
前述の式(V)の化合物がこうした条件を満たしてはい
るが、式(V)の化合物では、混合により、液晶組或物
のTc点を上昇させることはできるが、その応答性を改
善することはなく、むしろ粘性を大きくして悪影響を与
えた. しかるに、本発明者らは、この式(A)の化合物をSC
相を示す液晶組戒物に添加したところ、その粘度を低下
させて応答性を向上させた上、Tc点を高くしてSC相
の温度範囲を拡大しうることを見い出した。
るが、式(V)の化合物では、混合により、液晶組或物
のTc点を上昇させることはできるが、その応答性を改
善することはなく、むしろ粘性を大きくして悪影響を与
えた. しかるに、本発明者らは、この式(A)の化合物をSC
相を示す液晶組戒物に添加したところ、その粘度を低下
させて応答性を向上させた上、Tc点を高くしてSC相
の温度範囲を拡大しうることを見い出した。
即ち、SC相を示す下記母体液晶(B)は57℃以下で
SC相を、645゜C以下でSA相を、69゜C以下で
、N相を各々示しそれ以上の温度で等方性液体(I)相
となるが、 この母体液晶(B)84重量%とキラルドーパン}(C
)16重量%からなるSC1液晶組成物は、58゜C以
下でSC0相を示しその電気光学応答速度は42μ秒で
ある。
SC相を、645゜C以下でSA相を、69゜C以下で
、N相を各々示しそれ以上の温度で等方性液体(I)相
となるが、 この母体液晶(B)84重量%とキラルドーパン}(C
)16重量%からなるSC1液晶組成物は、58゜C以
下でSC0相を示しその電気光学応答速度は42μ秒で
ある。
然るに、この母体液晶(B)を75.8重量%とし、化
合物(A−1)8.4重景%を加え、キラルドーパン}
(C)16.0重量%からSC9液晶組戒物を調製した
ところ、SC*相の上限温度は61゜Cに上昇し、同様
にしてその電気光学応答速度を測定したところ、35μ
秒とより高速応答性を示すことが確認できた。
合物(A−1)8.4重景%を加え、キラルドーパン}
(C)16.0重量%からSC9液晶組戒物を調製した
ところ、SC*相の上限温度は61゜Cに上昇し、同様
にしてその電気光学応答速度を測定したところ、35μ
秒とより高速応答性を示すことが確認できた。
ここで用いた母体液晶(B)は
から戒るものであり、キラルドーパント(C)は、から
或るものであり、70″C付近でN9相に誘起する螺旋
ピッチは長く、かつSC9相に誘起する自発分極が非常
に大きい液晶組成物である。
或るものであり、70″C付近でN9相に誘起する螺旋
ピッチは長く、かつSC9相に誘起する自発分極が非常
に大きい液晶組成物である。
また、式(A−1)の化合物に代えて、式(A−6)の
化合物を用いた場合にもほぼ同様の結果が得られた。
化合物を用いた場合にもほぼ同様の結果が得られた。
用いた母体液晶(B)自体が2環化合物からなり、かな
り低粘性の母体液晶であるのに、このように、それに加
えることによって、その温度範囲と応答性の両者を同時
に改善できるような化合物はこれまで知られていなかっ
たものである。
り低粘性の母体液晶であるのに、このように、それに加
えることによって、その温度範囲と応答性の両者を同時
に改善できるような化合物はこれまで知られていなかっ
たものである。
以下に実施例をあげて、本発明を具体的に説明するが、
勿論、本発明の主旨及び適用範囲はこれらの実施例によ
って制限されるものではない。
勿論、本発明の主旨及び適用範囲はこれらの実施例によ
って制限されるものではない。
実施例1. 3−フルオロ−4−(4−へキシルベン
ジルオキシ)−4’−オクチルビフェニル(Nα1の化
合物)の合或 1−a 1−プロモメチル−4−ヘキシルベンゼンの
合威 6. 1 gの水素化アルミニウムリチウムをエーテル
150mffi中に懸濁させた。この懸濁液に水冷下で
、4−ヘキシル安息香酸クロリド(この化合物は、市販
の4−ヘキシル安息香酸を塩化チオニルと反応させるこ
とにより合威した。)22.4gのエーテル20a+f
溶液を30分間かけて滴下した.滴下終了後、室温で3
0分間撹拌した。
ジルオキシ)−4’−オクチルビフェニル(Nα1の化
合物)の合或 1−a 1−プロモメチル−4−ヘキシルベンゼンの
合威 6. 1 gの水素化アルミニウムリチウムをエーテル
150mffi中に懸濁させた。この懸濁液に水冷下で
、4−ヘキシル安息香酸クロリド(この化合物は、市販
の4−ヘキシル安息香酸を塩化チオニルと反応させるこ
とにより合威した。)22.4gのエーテル20a+f
溶液を30分間かけて滴下した.滴下終了後、室温で3
0分間撹拌した。
反応混合物に飽和食塩水を加えて過剰の水素化物を分解
し、生或した沈澱を傾斜で除去した後、沈澱をエーテル
で洗浄し、有機層をあわせて、飽和食塩水で洗浄した後
無水硫酸ナl− ’)ウムで脱水乾燥した。溶媒を留去
して得られた粗生底物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーを用いて精製して4−へキシルベンジルアルコー
ルの油状物1 4. 4 gを得た。(収率75%)こ
の化合物1 0. 0 gをジクロロメタン20rml
2に溶解した。水冷下、この溶液に三臭化リン5.6g
を10分間かけて滴下した。室温でさらに5時間撹拌し
た後、水をゆっくり加え、過剰の三臭化リンを分解した
。有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液、水、さらに飽和
食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで脱水、乾燥
した。溶媒を留去して得られた粗生底物をシリカゲル力
ラムクロマトグラフィー(留出溶媒:ヘキサンー酢酸エ
チル混合系)を用いて精製して、1−プロモメチル−4
−ヘキシルベンゼンの油状物1 2. 3 gを得た。
し、生或した沈澱を傾斜で除去した後、沈澱をエーテル
で洗浄し、有機層をあわせて、飽和食塩水で洗浄した後
無水硫酸ナl− ’)ウムで脱水乾燥した。溶媒を留去
して得られた粗生底物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーを用いて精製して4−へキシルベンジルアルコー
ルの油状物1 4. 4 gを得た。(収率75%)こ
の化合物1 0. 0 gをジクロロメタン20rml
2に溶解した。水冷下、この溶液に三臭化リン5.6g
を10分間かけて滴下した。室温でさらに5時間撹拌し
た後、水をゆっくり加え、過剰の三臭化リンを分解した
。有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液、水、さらに飽和
食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで脱水、乾燥
した。溶媒を留去して得られた粗生底物をシリカゲル力
ラムクロマトグラフィー(留出溶媒:ヘキサンー酢酸エ
チル混合系)を用いて精製して、1−プロモメチル−4
−ヘキシルベンゼンの油状物1 2. 3 gを得た。
(収率93%)
1−b 2−フルオロ−4−(4−オクチルフエニル
)フェノールの合或 3.0gのマグネシウムと20gの2−フルオロ−4−
プロモアニソールから無水テトラヒド口フラン(以下、
THFという。)150n/!中でグリニャール化合物
(臭化−3−フルオロー4−メトキシフエニルマグネシ
ウム)を調製した。
)フェノールの合或 3.0gのマグネシウムと20gの2−フルオロ−4−
プロモアニソールから無水テトラヒド口フラン(以下、
THFという。)150n/!中でグリニャール化合物
(臭化−3−フルオロー4−メトキシフエニルマグネシ
ウム)を調製した。
p−オクチルヨードベンゼン31.0g及び塩化パラジ
ウム100mgの40 ml!THF溶液に、上記グリ
ニャール化合物の溶液を滴下した。発熱が生じ内温は6
5゜C〜75゜Cまで上昇した。滴下終了後、3時間加
熱還流し、冷却後、水を加えて未反応のグリニャール化
合物を分解した。反応生戒物を酢酸エチルで抽出し、有
機層を亜硫酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、無水
硫酸ナトリウムで脱水した. 溶媒を濃縮した後、ヘキサンを加え、不溶物を濾別した
.濾液を濃縮して粗結晶1 7. 5 gを得た。
ウム100mgの40 ml!THF溶液に、上記グリ
ニャール化合物の溶液を滴下した。発熱が生じ内温は6
5゜C〜75゜Cまで上昇した。滴下終了後、3時間加
熱還流し、冷却後、水を加えて未反応のグリニャール化
合物を分解した。反応生戒物を酢酸エチルで抽出し、有
機層を亜硫酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、無水
硫酸ナトリウムで脱水した. 溶媒を濃縮した後、ヘキサンを加え、不溶物を濾別した
.濾液を濃縮して粗結晶1 7. 5 gを得た。
エタノールから再結晶させて3−フルオロー4一メトキ
シ−4′−オクチルビフエニルの結晶12.0gを得た
。
シ−4′−オクチルビフエニルの結晶12.0gを得た
。
この全量に200mfの酢酸を加え、加熱し、溶解した
。この溶液に150mffiの47%臭化水素酸を加え
、20時間加熱還流した。
。この溶液に150mffiの47%臭化水素酸を加え
、20時間加熱還流した。
放冷後溶媒を減圧下に留去して1 0. 5 gの2一
フルオロー4−(4−オクチルフエニル)フェノールの
粗結晶の残液を得た。この粗結晶は薄層クロマトグラフ
ィ(TLC)(シリカゲル)で単一スポットであったの
で、精製することなく次工程に用いた。
フルオロー4−(4−オクチルフエニル)フェノールの
粗結晶の残液を得た。この粗結晶は薄層クロマトグラフ
ィ(TLC)(シリカゲル)で単一スポットであったの
で、精製することなく次工程に用いた。
1−c 表記化合物の合戒
i−bで得た2−フルオロ−4−(4−オクチルフェニ
ル)フェノール0.300 g及び0.068 gのt
−プトキシカリウムを8 nuOTHF中で30分間撹
拌した。これに、1−aで得たl−プロモメチル−4−
ヘキシルベンゼン0.255 gを加え6時間加熱還流
させた. 放冷後、反応混合物に稀塩酸を加えて酸性とした後、1
00+/!のエーテルを加えた。有機層を水で3回洗浄
した後、さらに飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウ
ムで脱水した。溶媒を留去した後、残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィ−(酢酸エチル/ヘキサン)を用
いて精製した後、エタノールから再結晶させて、3−フ
ルオロ−4一(4−へキシルベンジルオキシ)−4′−
オクチルビフェニルの結晶0.137 gを得た。(収
率29%) この化合物は、73.5゜C以下でSF相を、98゜C
以下でSC相を各々示しその融点は78.5゜Cであっ
た。
ル)フェノール0.300 g及び0.068 gのt
−プトキシカリウムを8 nuOTHF中で30分間撹
拌した。これに、1−aで得たl−プロモメチル−4−
ヘキシルベンゼン0.255 gを加え6時間加熱還流
させた. 放冷後、反応混合物に稀塩酸を加えて酸性とした後、1
00+/!のエーテルを加えた。有機層を水で3回洗浄
した後、さらに飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウ
ムで脱水した。溶媒を留去した後、残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィ−(酢酸エチル/ヘキサン)を用
いて精製した後、エタノールから再結晶させて、3−フ
ルオロ−4一(4−へキシルベンジルオキシ)−4′−
オクチルビフェニルの結晶0.137 gを得た。(収
率29%) この化合物は、73.5゜C以下でSF相を、98゜C
以下でSC相を各々示しその融点は78.5゜Cであっ
た。
なお、転移温度の測定は温度調節ステージを備えた偏光
顕微鏡による光学組織(Textme)の観察と、示差
走査熱量計(DSC)を併用して行った.化合物の構造
は核磁気共鳴スペクトル(NMR)及び赤外吸収スペク
トル(IR)により確認した。
顕微鏡による光学組織(Textme)の観察と、示差
走査熱量計(DSC)を併用して行った.化合物の構造
は核磁気共鳴スペクトル(NMR)及び赤外吸収スペク
トル(IR)により確認した。
IR : 1590, 1510, 1405, 13
00. 1260. 1190, 1135, 100
0,900.880,860,810,790,725
cm−’NMR :δ7.05〜7.45(a, I
IH,芳香族水素)5.14(s,2H,1.64(m
,20}1,その他のCH!)0.87〜0.91(1
,6H,CI!) 実施例2. 2−(4−へキシルベンジルオキシ)
−5− (4−へキシルフエニル)ピラジン(Nα2の
化合物)の合戒 1−aで中間体として得た4−へキシルベンジルアルコ
ール0.769 gと2−クロロー5− (4−ヘキシ
ルフェニル)ピラジン(この化合物ハ、4ーヘキシルフ
エニルグリオキサール1永和物とグリシンアミド塩酸塩
とを水酸化ナトリウム存在下反応させて2−ヒドロキシ
−5−(4−へキシルフエニル)ピラジンとし、さらに
オキシ塩化リンと反応させることによって製造すること
ができる。)1.OOg及びt−ブトキシカリウム0.
5 0 gをジメチルホルムアミド(DMF)20
ml中で室温で3時間反応させた。
00. 1260. 1190, 1135, 100
0,900.880,860,810,790,725
cm−’NMR :δ7.05〜7.45(a, I
IH,芳香族水素)5.14(s,2H,1.64(m
,20}1,その他のCH!)0.87〜0.91(1
,6H,CI!) 実施例2. 2−(4−へキシルベンジルオキシ)
−5− (4−へキシルフエニル)ピラジン(Nα2の
化合物)の合戒 1−aで中間体として得た4−へキシルベンジルアルコ
ール0.769 gと2−クロロー5− (4−ヘキシ
ルフェニル)ピラジン(この化合物ハ、4ーヘキシルフ
エニルグリオキサール1永和物とグリシンアミド塩酸塩
とを水酸化ナトリウム存在下反応させて2−ヒドロキシ
−5−(4−へキシルフエニル)ピラジンとし、さらに
オキシ塩化リンと反応させることによって製造すること
ができる。)1.OOg及びt−ブトキシカリウム0.
5 0 gをジメチルホルムアミド(DMF)20
ml中で室温で3時間反応させた。
エーテル100mj2を加え、水、次いで水層が弱酸性
となるまで稀塩酸を加えた。エーテル層を分離し、さら
に水層が中性となるまで水で洗浄し、さらに飽和食塩水
で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水した。
となるまで稀塩酸を加えた。エーテル層を分離し、さら
に水層が中性となるまで水で洗浄し、さらに飽和食塩水
で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水した。
溶媒を留去して得られた粗生戒物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(ヘキサンー酢酸エチル混合溶媒)を
用いて精製し、表記化合物の白色結晶0. 5 9 g
を得た。(収率45%)TR : 1595. 154
0, 1420. 1350, 1300. 1180
, 1120, 1060,1010, 920, 8
90. 820cm− ’■ (m,16H,その他のCH!)0.8 〜0.95(
m,68,CHz)実施例3. 実施例2において、4−へキシルベンジルアノレコール
に代えて、4−オクチノレオキシベンジノレアルコール
を用いた以外は実施例2と同様にして2−(4−オクチ
ルオキシベンジルオキシ)−5−(4−へキシルフエニ
ル)ビラジンを得た。
ロマトグラフィー(ヘキサンー酢酸エチル混合溶媒)を
用いて精製し、表記化合物の白色結晶0. 5 9 g
を得た。(収率45%)TR : 1595. 154
0, 1420. 1350, 1300. 1180
, 1120, 1060,1010, 920, 8
90. 820cm− ’■ (m,16H,その他のCH!)0.8 〜0.95(
m,68,CHz)実施例3. 実施例2において、4−へキシルベンジルアノレコール
に代えて、4−オクチノレオキシベンジノレアルコール
を用いた以外は実施例2と同様にして2−(4−オクチ
ルオキシベンジルオキシ)−5−(4−へキシルフエニ
ル)ビラジンを得た。
IR : 1615, 1590, 1540. 15
20. 1340, 1300, 1250. 118
0,1020,1010.980,910,840,8
10,725 cm−’■ (m,6H,その他の芳香族水素)5.34(s,28
,68,その他の芳香族水素)5.38(s,2H,O
GHz)のCHz )0.8〜1.0(Im.6H,C
H3)実施例4.2− (4−へキシルベンジルオキシ
)−5− (4−へプチルフェニル)ピリ藁ジン(Nα
4の化合物)の合或 実施例2において、2−クロロー5−(4−へキシルフ
ヱニル)ピラジンに代えて2−クロロー5−(4−へプ
チルフェニル)ビリミジンを用いた以外は実施例2と同
様にして表記化合物の白色結晶を得た。
20. 1340, 1300, 1250. 118
0,1020,1010.980,910,840,8
10,725 cm−’■ (m,6H,その他の芳香族水素)5.34(s,28
,68,その他の芳香族水素)5.38(s,2H,O
GHz)のCHz )0.8〜1.0(Im.6H,C
H3)実施例4.2− (4−へキシルベンジルオキシ
)−5− (4−へプチルフェニル)ピリ藁ジン(Nα
4の化合物)の合或 実施例2において、2−クロロー5−(4−へキシルフ
ヱニル)ピラジンに代えて2−クロロー5−(4−へプ
チルフェニル)ビリミジンを用いた以外は実施例2と同
様にして表記化合物の白色結晶を得た。
IR : 1600, 1580. 1560. 15
20. 1420, 1340, 1300, 119
0.1030,1020.820,730,660,5
50 cm−’■ C)b)0.85〜0. 95 (m. 6H, Cl
h)実施例5及び6 実施例4において、2−クロロ−5−(4−へプチルフ
ェニル)ビリξジンに代えて2−クロロ−5−(4−オ
クチルフェニル)ピリミジン又は2−クロロー5−(4
−ヘキシル)ビリミジンヲ各々用いた以外は実施例4と
同様にして、2一(4−へキシルベンジルオキシ)−5
−(4−オクチルフエニル)ピリミジン)(漱5の化合
物)及び2−(4−へキシルベンジルオキシ)−5−(
4−へキシルフェニル)ピリごジン(No.6の化合物
)を各々得た。
20. 1420, 1340, 1300, 119
0.1030,1020.820,730,660,5
50 cm−’■ C)b)0.85〜0. 95 (m. 6H, Cl
h)実施例5及び6 実施例4において、2−クロロ−5−(4−へプチルフ
ェニル)ビリξジンに代えて2−クロロ−5−(4−オ
クチルフェニル)ピリミジン又は2−クロロー5−(4
−ヘキシル)ビリミジンヲ各々用いた以外は実施例4と
同様にして、2一(4−へキシルベンジルオキシ)−5
−(4−オクチルフエニル)ピリミジン)(漱5の化合
物)及び2−(4−へキシルベンジルオキシ)−5−(
4−へキシルフェニル)ピリごジン(No.6の化合物
)を各々得た。
実m例1. 2−(4−オクチルフエニル)−5−
(4−オクチルベンジルオキシ)ピリミジン(隠7の化
合物)の合戊 実m例1−Cにおいて、2−フルオロ−4−(4−オク
チルフエニルフェノールに代えて2一(4−オクチルフ
エニル)−5−ヒドロキシビリミジンを、1−プロモメ
チル−4−ヘキシルベンゼンに代えて1−プロモメチル
−4−オクチルベンゼンを用いた以外は、実施例1と同
様にして2−(4−オクチルフエニル)−5− (4−
オクチルベンジルオキシ)ピリξジンを得た.この化合
物の融点は37℃であり、59.5゜C以下で帰属不明
のスメクチック相を、104゜C以下でSF相を、13
0゜C以下でSC相を各々示した。
(4−オクチルベンジルオキシ)ピリミジン(隠7の化
合物)の合戊 実m例1−Cにおいて、2−フルオロ−4−(4−オク
チルフエニルフェノールに代えて2一(4−オクチルフ
エニル)−5−ヒドロキシビリミジンを、1−プロモメ
チル−4−ヘキシルベンゼンに代えて1−プロモメチル
−4−オクチルベンゼンを用いた以外は、実施例1と同
様にして2−(4−オクチルフエニル)−5− (4−
オクチルベンジルオキシ)ピリξジンを得た.この化合
物の融点は37℃であり、59.5゜C以下で帰属不明
のスメクチック相を、104゜C以下でSF相を、13
0゜C以下でSC相を各々示した。
■
他の芳香族水素)65. 10 (s, 28,−0−
CHz−)δ1.87(a+,24H,その他のCI!
)δ0.70〜1.03(m,68,−CL) IR : 1555, 1475. 1445. 12
80, 1040. 1020. 870, 820,
780 cm−’ 実施例8.(SC”液晶組威物の調製と表示素子の作成
) 前述の母体液晶(B)75.6%及びキラルドーバント
(C)16.0%とNa 1の化合物8.4%からなる
SC0液晶組或物を調製した。
CHz−)δ1.87(a+,24H,その他のCI!
)δ0.70〜1.03(m,68,−CL) IR : 1555, 1475. 1445. 12
80, 1040. 1020. 870, 820,
780 cm−’ 実施例8.(SC”液晶組威物の調製と表示素子の作成
) 前述の母体液晶(B)75.6%及びキラルドーバント
(C)16.0%とNa 1の化合物8.4%からなる
SC0液晶組或物を調製した。
このSCI液晶組或物は61゜C以下でSC9相を65
゜C以下でSA相を、65.5゜C以下でN“相を各々
示した。
゜C以下でSA相を、65.5゜C以下でN“相を各々
示した。
次に、配向処理(ポリイくド・コーティングーラビング
)を施した2枚のガラス透明電極を厚さ2μmのスペー
サーを介してあわせ、これに上記SC1液品組成物を充
填して、セルを作威した。
)を施した2枚のガラス透明電極を厚さ2μmのスペー
サーを介してあわせ、これに上記SC1液品組成物を充
填して、セルを作威した。
等方性液体(I)相から、室温まで徐冷することにより
均一に配向したSC“相のモノドメインが得られた。
均一に配向したSC“相のモノドメインが得られた。
このセルに電界強度1 0 VP−P /μI1,50
Hzの矩形波を印加して、その電気光学応答速度を測定
したところ、25゜Cにおいて35μ秒であった。
Hzの矩形波を印加して、その電気光学応答速度を測定
したところ、25゜Cにおいて35μ秒であった。
このときの自発分極は140nC/cm”チルト角は2
7.9゜でコントラストは非常に良好であった。
7.9゜でコントラストは非常に良好であった。
実施例9〜l1
実施例8において、Nαlの化合物に代えてNα2、N
O.3又はNα4の化合物を用いた以外は実施例8と同
様にしてSC1液晶組底物を調製し、それぞれの電気光
学応答速度の測定を行った。
O.3又はNα4の化合物を用いた以外は実施例8と同
様にしてSC1液晶組底物を調製し、それぞれの電気光
学応答速度の測定を行った。
その結果を第2表に示した。なお、参考例は式(A)の
化合物を用いず、かわりに母体液晶(B)を84%にし
て用いた例である。
化合物を用いず、かわりに母体液晶(B)を84%にし
て用いた例である。
本発明の式(A)の化合物は、高い温度域まで広い温度
範囲でSC相を示し、液晶組戒物に混合して加えること
により温度範囲が特に高温域まで広がったSC相を示す
液晶m或物、あるいはSC0液晶組或物を得ることがで
きる。
範囲でSC相を示し、液晶組戒物に混合して加えること
により温度範囲が特に高温域まで広がったSC相を示す
液晶m或物、あるいはSC0液晶組或物を得ることがで
きる。
また、本発明の式(A)の化合物は、分子中に極性の強
いエステル結合等が存在しない低粘度の化合物を含むの
で、上記SC0液晶m或物においても高速応答が可能で
ある。
いエステル結合等が存在しない低粘度の化合物を含むの
で、上記SC0液晶m或物においても高速応答が可能で
ある。
また、実施例にも示した如く、工業的にも容易に製造で
き、化合物自体無色であり、かつ、化学的に非常に安定
である。
き、化合物自体無色であり、かつ、化学的に非常に安定
である。
よって、本発明の式(A)の化合物は高速応答性に優れ
た強誘電性液晶材料として有用である。
た強誘電性液晶材料として有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は炭素原子数1〜18の直鎖状又は分岐
状のアルキル基を表わし、R^2は炭素原子数1〜18
の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基を
表わし、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、
化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、Xは
−OCH_2−又は−CH_2O−を表わす。) で表わされる化合物。 2、Xが−OCH_2−である請求項1記載の化合物。 3、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
、表等があります▼である請求項2記載の 化合物。 4、請求項1、2又は3記載の化合物を含有する液晶組
成物。 5、強誘電性キラルスメクチック相を示す請求項4記載
の液晶組成物。 6、請求項4又は5記載の液晶組成物を構成要素とする
液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1878290A JPH0314531A (ja) | 1989-03-22 | 1990-01-29 | オキシメチレン基を有する3環式化合物 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6742989 | 1989-03-22 | ||
JP1-67429 | 1989-03-22 | ||
JP1878290A JPH0314531A (ja) | 1989-03-22 | 1990-01-29 | オキシメチレン基を有する3環式化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0314531A true JPH0314531A (ja) | 1991-01-23 |
Family
ID=26355514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1878290A Pending JPH0314531A (ja) | 1989-03-22 | 1990-01-29 | オキシメチレン基を有する3環式化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0314531A (ja) |
-
1990
- 1990-01-29 JP JP1878290A patent/JPH0314531A/ja active Pending
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