JPH03145181A - レーザ・ウエハの製造法 - Google Patents
レーザ・ウエハの製造法Info
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- JPH03145181A JPH03145181A JP2275485A JP27548590A JPH03145181A JP H03145181 A JPH03145181 A JP H03145181A JP 2275485 A JP2275485 A JP 2275485A JP 27548590 A JP27548590 A JP 27548590A JP H03145181 A JPH03145181 A JP H03145181A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/0267—Integrated focusing lens
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体を接合して形成され、反射溝を有す
る基板内の、半導体の接合面とほぼ平行にレーザ光を放
射する少なくとも１個のレーザシステムを具備するレー
ザ・ウェハであって、上記反射溝はレーザ光が伝搬する
範囲に於て上記基板にエツチング加工によって形成され
、レーザシステム側の側壁の表面の大部分はレーザ光に
対してほぼ直角な平面をなし、レーザシステムから離隔
して対向する側の側壁は、表面が該レーザシステムに対
して凹面をなすように湾曲され、該凹面で反射されたレ
ーザ光は反射溝から、基板の表面に対して平均して直角
方向に反射されるように配置されているレーザ・ウェハ
及び該レーザ・ウエノ１を製造する方法に関する。
る基板内の、半導体の接合面とほぼ平行にレーザ光を放
射する少なくとも１個のレーザシステムを具備するレー
ザ・ウェハであって、上記反射溝はレーザ光が伝搬する
範囲に於て上記基板にエツチング加工によって形成され
、レーザシステム側の側壁の表面の大部分はレーザ光に
対してほぼ直角な平面をなし、レーザシステムから離隔
して対向する側の側壁は、表面が該レーザシステムに対
して凹面をなすように湾曲され、該凹面で反射されたレ
ーザ光は反射溝から、基板の表面に対して平均して直角
方向に反射されるように配置されているレーザ・ウェハ
及び該レーザ・ウエノ１を製造する方法に関する。
［従来の技術］
上記の１ノーザ・ウェハは、「応用物理」（Ａｐｐ１、
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、４Ｂ（２）１９８５ 年
１月１５日）に掲載されたＺ、Ｌ、 リアウ及びＪ、
Ｎ、 ウオールボールの論文により公知である。
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、４Ｂ（２）１９８５ 年
１月１５日）に掲載されたＺ、Ｌ、 リアウ及びＪ、
Ｎ、 ウオールボールの論文により公知である。
このレーザ・ウェハでは、基板の半導体を段状にエツチ
ング（Ｓｔｕｆ’ｅｎａｅｔｚｅｎ）することにより、
レーザ光を直角方向に反射させる溝が形成されている。
ング（Ｓｔｕｆ’ｅｎａｅｔｚｅｎ）することにより、
レーザ光を直角方向に反射させる溝が形成されている。
この溝の、レーザシステムから離隔する側の側壁は、該
溝の長手方向と直角方向に湾曲し、該長手方向に直線的
に延びている。この１つのディメンションに関して湾曲
した壁は、溝の長平方向に広がるレーザ光を集束するこ
とはできない。従って、半導体の基板の表面に直角方向
に放射するレーザ光を、狭く限定された領域たとえば先
導波路の入射面に集束させるためには、他の光学要素の
助けが必要である。該光学要素は別個に製造され、正確
に調節されてレーザ・ウェハに結合されねばならない。
溝の長手方向と直角方向に湾曲し、該長手方向に直線的
に延びている。この１つのディメンションに関して湾曲
した壁は、溝の長平方向に広がるレーザ光を集束するこ
とはできない。従って、半導体の基板の表面に直角方向
に放射するレーザ光を、狭く限定された領域たとえば先
導波路の入射面に集束させるためには、他の光学要素の
助けが必要である。該光学要素は別個に製造され、正確
に調節されてレーザ・ウェハに結合されねばならない。
［発明が解決しようとする課題］
この発明の課題は、レーザ光を集束するのに必要なすべ
ての手段を備えた上記種類のレーザ・ウェハ及び該レー
ザ・ウェハを製造する方法を提供することである。
ての手段を備えた上記種類のレーザ・ウェハ及び該レー
ザ・ウェハを製造する方法を提供することである。
［課題を解決するための手段、作用及び効果］上記課題
を解決するレーザ・ウェハは、反射溝が、レーザシステ
ムから離隔した壁が２つのディメンションに関して湾曲
して、レーザシステムに対向する少なくとも１つの反射
面を形成し、該反射面が凹面鏡としてレーザ光を集束す
るように形成することにより解決される。又レーザ・ウ
ェハの製造法に関する課題は、半導体の基板を制作した
後、レーザシステムを前記基板の中に形成し、基板の表
面に周知の方法でフォトレジストマスクを形成し、該基
板をエツチングして前記反射溝を形成すべき箇所に、フ
ォトレジストマスクが凹部を有し、該凹部のレーザシス
テムから離隔した縁部は、対応する反射溝に設けられた
反射面に形成された湾曲に対応して、基板の表面に沿っ
て、レーザに向かって凹に湾曲していること、続いて形
成される反射溝の領域で、イオンを斜めに照射して、前
記半導体の基板をドライエツチングし、その際、フォト
レジストマスクの凹部の領域で、２つのディメンション
に関して湾曲された所望の反射面が形成されるように、
イオンビームの入射角を、ドライエツチング工程中に、
互いに直角な２つの平面内で変化させることにより解決
される。
を解決するレーザ・ウェハは、反射溝が、レーザシステ
ムから離隔した壁が２つのディメンションに関して湾曲
して、レーザシステムに対向する少なくとも１つの反射
面を形成し、該反射面が凹面鏡としてレーザ光を集束す
るように形成することにより解決される。又レーザ・ウ
ェハの製造法に関する課題は、半導体の基板を制作した
後、レーザシステムを前記基板の中に形成し、基板の表
面に周知の方法でフォトレジストマスクを形成し、該基
板をエツチングして前記反射溝を形成すべき箇所に、フ
ォトレジストマスクが凹部を有し、該凹部のレーザシス
テムから離隔した縁部は、対応する反射溝に設けられた
反射面に形成された湾曲に対応して、基板の表面に沿っ
て、レーザに向かって凹に湾曲していること、続いて形
成される反射溝の領域で、イオンを斜めに照射して、前
記半導体の基板をドライエツチングし、その際、フォト
レジストマスクの凹部の領域で、２つのディメンション
に関して湾曲された所望の反射面が形成されるように、
イオンビームの入射角を、ドライエツチング工程中に、
互いに直角な２つの平面内で変化させることにより解決
される。
２つのディメンションに関して湾曲し、反射面として形
成され、レーザシステムから離隔した位置に形成された
反射溝に設けられた反射面に対してレーザシステムから
放射された広がるレーザ光は、半導体の基板の表面に対
して直角方向に方向転換されるだけでなく、上記反射面
の光軸に向かって集束されるので、反射溝の表面で方向
転換されたすべてのレーザ光は、狭く限定された焦点を
含む集光径内を通り、半導体表面とほぼ平行な焦点面を
通過するか、又は平行性のよいレーザ光として、半導体
内に形成された反射溝から放射される。
成され、レーザシステムから離隔した位置に形成された
反射溝に設けられた反射面に対してレーザシステムから
放射された広がるレーザ光は、半導体の基板の表面に対
して直角方向に方向転換されるだけでなく、上記反射面
の光軸に向かって集束されるので、反射溝の表面で方向
転換されたすべてのレーザ光は、狭く限定された焦点を
含む集光径内を通り、半導体表面とほぼ平行な焦点面を
通過するか、又は平行性のよいレーザ光として、半導体
内に形成された反射溝から放射される。
請求項６に記載の方法によれば、従・来の段付はエツチ
ング方法（Ｓｔｕｆ’ｅｎａｅｔｚｅｎｖｅｒｆａｈｒ
ｅｎ）と比較して極めて簡単に反射面の形成がなされる
。
ング方法（Ｓｔｕｆ’ｅｎａｅｔｚｅｎｖｅｒｆａｈｒ
ｅｎ）と比較して極めて簡単に反射面の形成がなされる
。
又上記段付はエツチング（Ｓｔｕｆｅｎａｅｔｚｅｎ）
の際のエツチング工程は、加熱を伴って行なわれる。該
工程に於ては反射溝に相当する材料が除去され、該反射
面が形成されるとともに、請求項６に記載のドライエツ
チング方法によりレーザ光反射面が形成される。続いて
例えば請求項２．３及び７に記載された構造を形成する
ための蒸着が上記ドライエツチングを実施した装置の中
で行なわれる。
の際のエツチング工程は、加熱を伴って行なわれる。該
工程に於ては反射溝に相当する材料が除去され、該反射
面が形成されるとともに、請求項６に記載のドライエツ
チング方法によりレーザ光反射面が形成される。続いて
例えば請求項２．３及び７に記載された構造を形成する
ための蒸着が上記ドライエツチングを実施した装置の中
で行なわれる。
この発明に基づくレーザ・ウェハの他の特徴は、請求項
２乃至５に記載されている。
２乃至５に記載されている。
請求項２に示すように、反射面にメッキを施すことによ
って、反射されたレーザ光を、基板に設けられた活性層
の面に対して直角方向にほぼ完全に反射させることがで
きる。
って、反射されたレーザ光を、基板に設けられた活性層
の面に対して直角方向にほぼ完全に反射させることがで
きる。
しかし請求項２に示すように、反射溝に関してレーザシ
ステムと反対側の基板部分に、モニタ・ダイオードが形
成される。この場合、レーザ光の一部を該モニタ・ダイ
オードに導くために、反射面は半透過性に形成されねば
ならない。この場合反射面に施されるメッキは、必要な
半透過性に応じて選ばれた薄いメッキや金属たとえば金
の薄層によって形成される。更に、メッキを施す前に、
反射面に、例えばＳｉＯ２の層を形成し、金属メッキ層
に対し絶縁しなければならない。それは、導電性を有す
るメッキ面によって、モニタ・ダイオードの活性層が短
絡されるのを防ぐためである。
ステムと反対側の基板部分に、モニタ・ダイオードが形
成される。この場合、レーザ光の一部を該モニタ・ダイ
オードに導くために、反射面は半透過性に形成されねば
ならない。この場合反射面に施されるメッキは、必要な
半透過性に応じて選ばれた薄いメッキや金属たとえば金
の薄層によって形成される。更に、メッキを施す前に、
反射面に、例えばＳｉＯ２の層を形成し、金属メッキ層
に対し絶縁しなければならない。それは、導電性を有す
るメッキ面によって、モニタ・ダイオードの活性層が短
絡されるのを防ぐためである。
請求項４及び５は反射面の湾曲に関する記載で、請求項
４の湾曲は放物面の一部として形成され、請求項５の湾
曲は楕円面の一部として形成されることを示している。
４の湾曲は放物面の一部として形成され、請求項５の湾
曲は楕円面の一部として形成されることを示している。
レーザシステムの放射面と上記放物面のほぼ焦点に、又
は楕円体の焦点の１（；はぼ位置するように、反射面の
表面を位置させると、反射面の表面が対物面である場合
には、レーザ・ウェハはほぼ平行性を有する光線を送出
し、反射面の表面が楕円面である場合には、他方の焦点
に収斂する光線を送出する。
は楕円体の焦点の１（；はぼ位置するように、反射面の
表面を位置させると、反射面の表面が対物面である場合
には、レーザ・ウェハはほぼ平行性を有する光線を送出
し、反射面の表面が楕円面である場合には、他方の焦点
に収斂する光線を送出する。
最後に、請求項７は、請求項３のようにモニタ・ダイオ
ードが設けられている場合の、請求項６に基づく方法を
記載している。
ードが設けられている場合の、請求項６に基づく方法を
記載している。
［実施例］
以下、図面を参照して従来技術とこの発明の詳細な説明
する。
する。
第１ａ図及び第１ｂ図は従来の技術に基づくレ−ｆ・ウ
ェハの断面図である。半導体のラミネートから成る基板
Ｓを形成する両生導体材料すなわちｐ型半導体材料ｐと
ｎ型半導体材料ｎの境界領域に、レーザシステムＬが形
成され、基板Ｓをエツチングして上記境界領域とほぼ平
行に直線的に延びる反射溝Ｖが形成されている。該反射
溝■のレーザ側の側壁は上記境界領域とほぼ直角に形成
されているのに対し、レーザシステムから離隔する側の
側壁すなわち反射壁の表面は、上記レーザ側の側壁とほ
ぼ平行に延び、その表面はレーザシステムに向かう凹面
鏡ＳＰとして形成される。
ェハの断面図である。半導体のラミネートから成る基板
Ｓを形成する両生導体材料すなわちｐ型半導体材料ｐと
ｎ型半導体材料ｎの境界領域に、レーザシステムＬが形
成され、基板Ｓをエツチングして上記境界領域とほぼ平
行に直線的に延びる反射溝Ｖが形成されている。該反射
溝■のレーザ側の側壁は上記境界領域とほぼ直角に形成
されているのに対し、レーザシステムから離隔する側の
側壁すなわち反射壁の表面は、上記レーザ側の側壁とほ
ぼ平行に延び、その表面はレーザシステムに向かう凹面
鏡ＳＰとして形成される。
凹面鏡ＳＰはレーザシステムＬからのレーザ光を９０″
方向変換し、第１ａ図では焦点Ｂとして示される焦線Ｂ
Ｌ（第１ｂ図）に集束する。
方向変換し、第１ａ図では焦点Ｂとして示される焦線Ｂ
Ｌ（第１ｂ図）に集束する。
第１ｂ図は第１ａ図の斜視図（従来例）である。
第１ｂ図から明らかなように、反射溝Ｖの反射壁は、第
１ａ図と直角な方向に延び、焦線ＢＬを形成する。この
焦線ＢＬは反射溝Ｖが延びる方向、すなわち縦方向と平
行である。従って、レーザ光は上記縦方向に対して垂直
な平面に集束することはない。
１ａ図と直角な方向に延び、焦線ＢＬを形成する。この
焦線ＢＬは反射溝Ｖが延びる方向、すなわち縦方向と平
行である。従って、レーザ光は上記縦方向に対して垂直
な平面に集束することはない。
第２図には本発明の実施例の原理を示す。第２図に示し
ているこの発明のレーザ◆ウェハの場合には、基板Ｓの
両生導体ｐ、ｎの境界領域すなわち活性領域ＡＺに形成
されたレーザ光放射面ＡＦに対向して、２つのディメン
ションに湾曲する反射面Ｆが、上記反射溝Ｖの反射壁に
形成されている。レーザシステムから発散して放射され
たレーザ光は、上記反射面Ｆの表面によって反射され、
焦点Ｐに向かって進み集束される。この場合、反射面Ｆ
から反射されたほとんどすべてのレーザ光は反射面Ｆの
焦点Ｐ又は付近に達する。はとんどすべてのレーザ光が
、光学的構成要素を必要とせずに、はぼロスなしに先導
波路に結合できるように、レーザ光が集束する焦点面は
小ざいものであるのが好ましい。このために、使用され
る反射面Ｆの部分は楕円形をなし、該楕円面の一方の焦
点にレーザ光の放射面が設けられていなければならない
。又楕円面の代わりに、放物面を用いるときは、レーザ
光は反射溝Ｖから、はぼ平行な光線となって放射される
。
ているこの発明のレーザ◆ウェハの場合には、基板Ｓの
両生導体ｐ、ｎの境界領域すなわち活性領域ＡＺに形成
されたレーザ光放射面ＡＦに対向して、２つのディメン
ションに湾曲する反射面Ｆが、上記反射溝Ｖの反射壁に
形成されている。レーザシステムから発散して放射され
たレーザ光は、上記反射面Ｆの表面によって反射され、
焦点Ｐに向かって進み集束される。この場合、反射面Ｆ
から反射されたほとんどすべてのレーザ光は反射面Ｆの
焦点Ｐ又は付近に達する。はとんどすべてのレーザ光が
、光学的構成要素を必要とせずに、はぼロスなしに先導
波路に結合できるように、レーザ光が集束する焦点面は
小ざいものであるのが好ましい。このために、使用され
る反射面Ｆの部分は楕円形をなし、該楕円面の一方の焦
点にレーザ光の放射面が設けられていなければならない
。又楕円面の代わりに、放物面を用いるときは、レーザ
光は反射溝Ｖから、はぼ平行な光線となって放射される
。
この発明に基づくレーザ・ウェハを製造するために、活
性領域ＡＺにレーザシステムを形成して、周知の方法で
基板Ｓを製造し、該基板Ｓにフォトレジストを塗布し、
第３図の構造が形成されるように、フォトレジストに対
応するクロムマスクで基板Ｓを露光する。個々のレーザ
システムがしめる範囲を覆うフォトレジストバタンＰＨ
に凹部ＦＡが形成されている。該凹部ＦＡに付与された
形状に基づいて、後にエツチングによって反射溝Ｖの反
射面の湾曲の形状が規定される。
性領域ＡＺにレーザシステムを形成して、周知の方法で
基板Ｓを製造し、該基板Ｓにフォトレジストを塗布し、
第３図の構造が形成されるように、フォトレジストに対
応するクロムマスクで基板Ｓを露光する。個々のレーザ
システムがしめる範囲を覆うフォトレジストバタンＰＨ
に凹部ＦＡが形成されている。該凹部ＦＡに付与された
形状に基づいて、後にエツチングによって反射溝Ｖの反
射面の湾曲の形状が規定される。
反射溝Ｖだけでなく、他の表面部分にもエツチング加工
を行なうために、フォトレジストマスクを載せた基板Ｓ
が、反応室でイオンビームに晒される。該イオンビーム
はイオン源Ｑ（第４図）から放射され、入射角を適切に
選び基板Ｓの表面に照射、される。第４図に示すように
、基板Ｓは、例えば表面の法線Ｘを中心に回転可能かつ
水平軸線Ｙを中心に回動可能に設けられている。イオン
ビームの強度とその組合わせ及び反射面の所望の湾曲を
形成するために必要なイオンビーム照射時間は、ドライ
エツチング工程中に変更することができる。
を行なうために、フォトレジストマスクを載せた基板Ｓ
が、反応室でイオンビームに晒される。該イオンビーム
はイオン源Ｑ（第４図）から放射され、入射角を適切に
選び基板Ｓの表面に照射、される。第４図に示すように
、基板Ｓは、例えば表面の法線Ｘを中心に回転可能かつ
水平軸線Ｙを中心に回動可能に設けられている。イオン
ビームの強度とその組合わせ及び反射面の所望の湾曲を
形成するために必要なイオンビーム照射時間は、ドライ
エツチング工程中に変更することができる。
エツチング工程に引き続いて、例えば同じ反応室で反射
面の表面にメッキが施される。レーザシステムに対向す
るモニタ・ダイオードが鏡の金属層によってショートす
るのを防止するために、メッキの下側に絶縁層を設ける
ことが必要であるとき、該絶縁層（例えば５ｉＯ２）も
同じ反応容器内で形成される。
面の表面にメッキが施される。レーザシステムに対向す
るモニタ・ダイオードが鏡の金属層によってショートす
るのを防止するために、メッキの下側に絶縁層を設ける
ことが必要であるとき、該絶縁層（例えば５ｉＯ２）も
同じ反応容器内で形成される。
第５図は基板Ｓを、反射溝ｖ１及びｖ２の縦方向軸ε直
角に切断した図であり、レーザシステムＬ１及びＬ２と
対向配置されたモニタ・ダイオードＭ１、Ｍ２を有する
２つのレーザシステムＬ１、Ｌ２は、それぞれに関連す
る反射溝’Ｖ１、Ｖ２の反射壁の方向に、それぞれレー
ザ光を放射する。
角に切断した図であり、レーザシステムＬ１及びＬ２と
対向配置されたモニタ・ダイオードＭ１、Ｍ２を有する
２つのレーザシステムＬ１、Ｌ２は、それぞれに関連す
る反射溝’Ｖ１、Ｖ２の反射壁の方向に、それぞれレー
ザ光を放射する。
第２図で説明したように２つのディメンションに関して
湾曲する反射面は半透明の凹面鏡ＳＰを有し、該凹面鏡
ＳＰの下には絶縁層Ｉｓが設けられている。レーザ・ウ
ェハの製造後、境界ＴＨに沿って基板Ｓは個々のレーザ
・ウェハに分割される。
湾曲する反射面は半透明の凹面鏡ＳＰを有し、該凹面鏡
ＳＰの下には絶縁層Ｉｓが設けられている。レーザ・ウ
ェハの製造後、境界ＴＨに沿って基板Ｓは個々のレーザ
・ウェハに分割される。
第１ａ図及び第１ｂ図は従来技術に基づくレーザ・ウェ
ハの図、第２図はこの発明に基づくレーザ・ウェハの原
理図、第３図はドライエツチングの前のフォトレジスト
マスクを被せた半導体ウェハの図、第４図はドライエツ
チング工程の概略図、第５図はこの発明に基づくレーザ
システムと組み込まれたモニタ・ダイオードとを備えた
ウェハの断面図である。 Ｌ、Ｌ１、Ｌ２・・・レーザシステム、Ｆ・・・表面、
Ｓ・・・ｉ板、Ｆ’Ｈ・・・フォトレジストマスク、Ｖ
１、Ｖ２・・・反射溝、ＦＡ・・・凹部、ＳＰ・・・凹
面鏡、Ｍ１、Ｍ２・・・モニタ・ダイオード、工Ｓ・・
・絶縁層、ＡＦ・・・放射面。
ハの図、第２図はこの発明に基づくレーザ・ウェハの原
理図、第３図はドライエツチングの前のフォトレジスト
マスクを被せた半導体ウェハの図、第４図はドライエツ
チング工程の概略図、第５図はこの発明に基づくレーザ
システムと組み込まれたモニタ・ダイオードとを備えた
ウェハの断面図である。 Ｌ、Ｌ１、Ｌ２・・・レーザシステム、Ｆ・・・表面、
Ｓ・・・ｉ板、Ｆ’Ｈ・・・フォトレジストマスク、Ｖ
１、Ｖ２・・・反射溝、ＦＡ・・・凹部、ＳＰ・・・凹
面鏡、Ｍ１、Ｍ２・・・モニタ・ダイオード、工Ｓ・・
・絶縁層、ＡＦ・・・放射面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体を接合して形成され、反射溝を有する基板内
の、半導体の接合面とほぼ平行にレーザ光を放射する少
なくとも１個のレーザシステムを具備するレーザ・ウェ
ハであって、上記反射溝はレーザ光が伝搬する範囲に於
て上記基板にエッチング加工によって形成され、レーザ
システム側の側壁の表面の大部分はレーザ光に対してほ
ぼ直角な平面をなし、レーザシステムから離隔して対向
する側の側壁は、表面が該レーザシステムに対して凹面
をなすように湾曲され、該凹面で反射されたレーザ光は
反射溝から、基板の表面に対して平均して直角方向に反
射されるように配置されているレーザ・ウェハに於て、 前記反射溝（Ｖ）の、レーザシステム（Ｌ、Ｌ１、Ｌ２
）から離隔した壁は２つのディメンションに関して湾曲
し、レーザシステム（Ｌ、Ｌ１、Ｌ２）に対向する少な
くとも１つの反射面（Ｆ）を形成し、該反射面（Ｆ）は
凹面鏡として作用してレーザ光を集束させること、を特
徴とするレーザ・ウェハ。 ２、前記レーザシステム（Ｌ２）に対向する反射面（Ｆ
）に形成された凹面鏡（ＳＰ）にメッキが施されている
こと、を特徴とする請求項１に記載のレーザ・ウェハ。 ３、前記基板（Ｓ）に形成された反射溝（Ｖ２）の、レ
ーザシステム（Ｌ２）に対向している側に、モニタ・ダ
イオード（Ｍ２）が形成されていること、及びレーザシ
ステム（Ｌ２）に対向する反射面（Ｆ）のメッキされた
凹面鏡（ＳＰ）は半透明の鏡であり、その下に設けられ
た絶縁層（ＩＳ）によって前記モニタ・ダイオード（Ｍ
２）のシステムから電気的に絶縁されているか、又はそ
れ自体絶縁体であるように形成されていること、を特徴
とする請求項１に記載のレーザ・ウェハ。 ４、前記レーザシステム（Ｌ２）に対向する反射面（Ｆ
）の形状は、放物体の表面の一部であるように形成され
、前記レーザシステム（Ｌ２）の放射面（ＡＦ）は前記
放物体の焦点に設けられていること、を特徴とする請求
項１、２及び３のいずれか１に記載のレーザ・ウェハ。 ５、前記レーザシステム（Ｌ２）に対向する反射面（Ｆ
）の表面の形状は、楕円体の表面の一部であるように形
成され、前記レーザシステム（Ｌ２）の放射面（ＡＦ）
は前記楕円体の一方の焦点に設けられていること、を特
徴とする請求項１、２及び３のいずれか１に記載のレー
ザ・ウエハ。 ６、前記半導体の基板（Ｓ）を形成した後、レーザシス
テム（Ｌ、Ｌ１、Ｌ２）を前記基板（Ｓ）の中に形成し
、該基板（Ｓ）の表面に周知の方法でフォトレジストマ
スク（ＰＨ）を形成し、前記基板（Ｓ）をエッチングし
て前記反射溝（Ｖ１、Ｖ２）を形成すべき箇所に、前記
フォトレジストマスク（ＰＨ）が凹部（ＦＡ）を有し、
該凹部（ＦＡ）のレーザシステムから離隔した縁部は、
対応する反射溝（Ｖ）に設けられた反射面（Ｆ）に形成
された湾曲に対応して、前記基板（Ｓ）の表面に沿って
、レーザに向かって凹に湾曲し手いること、続いて形成
される前記反射溝（Ｖ１、Ｖ２）の領域で、イオンを斜
めに照射して、前記半導体の基板（Ｓ）をドライエッチ
ングし、その際、前記フォトレジストマスク（ＰＨ）の
前記凹部（ＦＡ）の領域で、２つのディメンションに関
して湾曲された所望の反射面が形成されるように、イオ
ンビームの入射角を、ドライエッチング工程中に、互い
に直角な２つの平面内で変化させること、を特徴とする
請求項１に記載のレーザ・ウェハの製造法。 ７、前記半導体の接合体（Ｓ）を形成する際、前記レー
ザシステム（Ｌ１、Ｌ２）を接合体（Ｓ）の中に形成す
るとともに、該レーザシステム（Ｌ１、Ｌ２）に対向す
る表面を有する凹面鏡を有する前記モニタ・ダイオード
（Ｍ１、Ｍ２）を形成すること、及び半透明の層を形成
するために、半透明の被覆を付着させる場合、半透明の
層が絶縁性を有しない場合には、半透明の該被覆を付着
させる前に電気的絶縁層（ＩＳ）を塗布すること、を特
徴とする請求項６に記載のレーザ・ウェハ製造法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3934748A DE3934748A1 (de) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | Laserwafer und verfahren zu seiner herstellung |
| DE3934748.6 | 1989-10-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145181A true JPH03145181A (ja) | 1991-06-20 |
| JP2846097B2 JP2846097B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=6391714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2275485A Expired - Fee Related JP2846097B2 (ja) | 1989-10-18 | 1990-10-16 | レーザ・ウエハの製造法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0423513B1 (ja) |
| JP (1) | JP2846097B2 (ja) |
| DE (2) | DE3934748A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011065517A1 (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 株式会社日立製作所 | 表面出射型レーザ |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3008641B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2000-02-14 | キヤノン株式会社 | 変位検出装置 |
| DE19525814A1 (de) * | 1995-07-15 | 1997-01-16 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung eines Lasermoduls |
| US6356577B1 (en) * | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for combining light output from multiple laser diode bars |
| US6782205B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-24 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing |
| US6829092B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Blazed grating light valve |
| US6785001B2 (en) | 2001-08-21 | 2004-08-31 | Silicon Light Machines, Inc. | Method and apparatus for measuring wavelength jitter of light signal |
| US6800238B1 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics |
| US6767751B2 (en) | 2002-05-28 | 2004-07-27 | Silicon Light Machines, Inc. | Integrated driver process flow |
| US6839479B2 (en) | 2002-05-29 | 2005-01-04 | Silicon Light Machines Corporation | Optical switch |
| US6822797B1 (en) | 2002-05-31 | 2004-11-23 | Silicon Light Machines, Inc. | Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light |
| US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
| US6801354B1 (en) | 2002-08-20 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses |
| US6712480B1 (en) | 2002-09-27 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Controlled curvature of stressed micro-structures |
| US7046420B1 (en) | 2003-02-28 | 2006-05-16 | Silicon Light Machines Corporation | MEM micro-structures and methods of making the same |
| US6829077B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane |
| US6806997B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-10-19 | Silicon Light Machines, Inc. | Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction |
| CN100355095C (zh) * | 2003-06-25 | 2007-12-12 | 陈聪欣 | 一种具有散热聚光作用的发光二极管支架改良结构 |
| WO2015126475A1 (en) * | 2013-11-07 | 2015-08-27 | Binoptics Corporation | Lasers with beam shape and beam direction modification |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53126286A (en) * | 1977-04-11 | 1978-11-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser package |
| JPS5515107A (en) * | 1978-07-17 | 1980-02-02 | Nec Corp | Axial aligning method of lens |
| JPS60182781A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Omron Tateisi Electronics Co | 半導体装置 |
| JPS6484687A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Nippon Telegraph & Telephone | Surface emission semiconductor laser with monitor |
| JPH01241184A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Iwasaki Electric Co Ltd | 反射型フォトセンサ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4718070A (en) * | 1985-01-22 | 1988-01-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Surface emitting diode laser |
| US4807238A (en) * | 1986-03-12 | 1989-02-21 | Ricoh Co., Ltd. | A semiconductor laser device |
| US4698129A (en) * | 1986-05-01 | 1987-10-06 | Oregon Graduate Center | Focused ion beam micromachining of optical surfaces in materials |
| JPS63228790A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-10-18 DE DE3934748A patent/DE3934748A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-09-26 EP EP90118431A patent/EP0423513B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-26 DE DE59009414T patent/DE59009414D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-16 JP JP2275485A patent/JP2846097B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53126286A (en) * | 1977-04-11 | 1978-11-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser package |
| JPS5515107A (en) * | 1978-07-17 | 1980-02-02 | Nec Corp | Axial aligning method of lens |
| JPS60182781A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Omron Tateisi Electronics Co | 半導体装置 |
| JPS6484687A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Nippon Telegraph & Telephone | Surface emission semiconductor laser with monitor |
| JPH01241184A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Iwasaki Electric Co Ltd | 反射型フォトセンサ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011065517A1 (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 株式会社日立製作所 | 表面出射型レーザ |
| JP5466712B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2014-04-09 | 株式会社日立製作所 | 表面出射型レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0423513A3 (en) | 1991-10-30 |
| DE59009414D1 (de) | 1995-08-24 |
| JP2846097B2 (ja) | 1999-01-13 |
| EP0423513A2 (de) | 1991-04-24 |
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| DE3934748A1 (de) | 1991-04-25 |
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