JP2846097B2 - レーザ・ウエハの製造法 - Google Patents
レーザ・ウエハの製造法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザシステムから放射されたレーザ光を
反射して収束する、反射鏡を有するレーザ・ウエハの製
造法に関する。
反射して収束する、反射鏡を有するレーザ・ウエハの製
造法に関する。
［従来の技術］ 上記のレーザ・ウエハは、『応用物理』（Appl.Phys.
Lett.46（２）1985年１月15日）に掲載されたZ.L.リア
ウ及びJ.N.ウォールポールの論文により公知である。
Lett.46（２）1985年１月15日）に掲載されたZ.L.リア
ウ及びJ.N.ウォールポールの論文により公知である。
このレーザ・ウエハでは、基板の半導体を段状にエッ
チング（Stufenaetzen）することにより、レーザ光を直
角方向に反射させる溝が形成されている。この溝の、レ
ーザシステムから離隔する側の側壁は、該溝の長手方向
と直角方向に湾曲し、該長手方向に直線的に延びてい
る。この１つのディメンションに関して湾曲した壁は、
溝の長手方向に広がるレーザ光を集束することはできな
い。従って、半導体の基板の表面に直角方向に放射する
レーザ光を、狭く限定された領域たとえば光導波路の入
射面に集束させるためには、他の光学要素の助けが必要
である。該光学要素は別個に製造され、正確に調節され
てレーザ・ウエハに結合されねばならない。
チング（Stufenaetzen）することにより、レーザ光を直
角方向に反射させる溝が形成されている。この溝の、レ
ーザシステムから離隔する側の側壁は、該溝の長手方向
と直角方向に湾曲し、該長手方向に直線的に延びてい
る。この１つのディメンションに関して湾曲した壁は、
溝の長手方向に広がるレーザ光を集束することはできな
い。従って、半導体の基板の表面に直角方向に放射する
レーザ光を、狭く限定された領域たとえば光導波路の入
射面に集束させるためには、他の光学要素の助けが必要
である。該光学要素は別個に製造され、正確に調節され
てレーザ・ウエハに結合されねばならない。
［発明が解決しようとする課題］ この発明の課題は、レーザ光を集束するのに必要なす
べての手段を備えた上記種類のレーザ・ウエハを製造す
る方法を提供することである。
べての手段を備えた上記種類のレーザ・ウエハを製造す
る方法を提供することである。
［課題を解決するための手段、作用及び効果］ 本発明に係わるレーザ・ウエハの製造法は、半導体基
板に埋め込まれ、この基板の面と平行にレーザ光を放射
する少なくとも１個のリーザシステムと、半導体基板に
エッチングによりレーザ光が伝搬する範囲に於て形成さ
れた溝とを有し、 この溝のレーザシステム近くに位置された側壁は大部
分が平坦でレーザ光の放射方向に対して垂直であり、ま
た、レーザシステムと対面する側の側壁は、２つのディ
メンションに関して凹に湾曲した曲率を有する反射鏡を
形成して、レーザシステムにより放射されたレーザ光を
前記基板の面に対して垂直に反射して収束させるレーザ
・ウエハの製造法において、 中にレーザシステムが埋め込まれた半導体基板上に、
前記溝が形成される箇所を露出するようにして、レーザ
システムから離れた側の側壁に湾曲した凹部が形成され
たホトレジストマスクを設け、 前記半導体基板の面にイオンビームを傾斜して入射さ
せるドライエッチにより、前記溝を形成し、このときの
イオンビームの入射角は、前記ホトレジストマスクの凹
部の領域で前記２つのディメンションに関して湾曲した
曲率を有したて反射鏡を形成するように、互いに直交す
る２つの面に対してドライエッチの間変化させることを
特徴とする。
板に埋め込まれ、この基板の面と平行にレーザ光を放射
する少なくとも１個のリーザシステムと、半導体基板に
エッチングによりレーザ光が伝搬する範囲に於て形成さ
れた溝とを有し、 この溝のレーザシステム近くに位置された側壁は大部
分が平坦でレーザ光の放射方向に対して垂直であり、ま
た、レーザシステムと対面する側の側壁は、２つのディ
メンションに関して凹に湾曲した曲率を有する反射鏡を
形成して、レーザシステムにより放射されたレーザ光を
前記基板の面に対して垂直に反射して収束させるレーザ
・ウエハの製造法において、 中にレーザシステムが埋め込まれた半導体基板上に、
前記溝が形成される箇所を露出するようにして、レーザ
システムから離れた側の側壁に湾曲した凹部が形成され
たホトレジストマスクを設け、 前記半導体基板の面にイオンビームを傾斜して入射さ
せるドライエッチにより、前記溝を形成し、このときの
イオンビームの入射角は、前記ホトレジストマスクの凹
部の領域で前記２つのディメンションに関して湾曲した
曲率を有したて反射鏡を形成するように、互いに直交す
る２つの面に対してドライエッチの間変化させることを
特徴とする。
２つのディメンションに関して凹に湾曲し、反射面と
して形成され、レーザシステムから離隔した位置に形成
された反射溝に設けられた反射面に対してレーザシステ
ムから放射された広がるレーザ光は、半導体の基板の表
面に対して直角方向に方向転換されるだけでなく、上記
反射面の光軸に向かって集束されるので、反射溝の表面
で方向転換されたすべてのレーザ光は、狭く限定された
焦点を含む集光径内を通り、半導体表面とほぼ平行な焦
点面を通過するか、又は平行性のよいレーザ光として、
半導体内に形成された反射溝から放射される。
して形成され、レーザシステムから離隔した位置に形成
された反射溝に設けられた反射面に対してレーザシステ
ムから放射された広がるレーザ光は、半導体の基板の表
面に対して直角方向に方向転換されるだけでなく、上記
反射面の光軸に向かって集束されるので、反射溝の表面
で方向転換されたすべてのレーザ光は、狭く限定された
焦点を含む集光径内を通り、半導体表面とほぼ平行な焦
点面を通過するか、又は平行性のよいレーザ光として、
半導体内に形成された反射溝から放射される。
この方法によれば、従来の段付けエッチング方法（St
ufenaetzenverfahren）と比較して極めて簡単に反射面
の形成がなされる。
ufenaetzenverfahren）と比較して極めて簡単に反射面
の形成がなされる。
又上記段付けエッチング（Stufenaetzen）の際のエッ
チング工程は、加熱を伴って行なわれる。該工程に於て
は反射溝に相当する材料が除去され、該反射面が形成さ
れるとともに、請求項に記載のドライエッチング方法に
よりレーザ光反射面が形成される。
チング工程は、加熱を伴って行なわれる。該工程に於て
は反射溝に相当する材料が除去され、該反射面が形成さ
れるとともに、請求項に記載のドライエッチング方法に
よりレーザ光反射面が形成される。
請求項３に示すように、反射面にメッキを施すことに
よって、反射されたレーザ光を、基板に設けられた活性
層の面に対して直角方向にほぼ完全に反射させることが
できる。
よって、反射されたレーザ光を、基板に設けられた活性
層の面に対して直角方向にほぼ完全に反射させることが
できる。
しかし請求項２に示すように、反射溝に関してレーザ
システムと反対側の基板部分に、モニタ・ダイオードが
形成される。この場合、レーザ光の一部を該モニタ・ダ
イオードに導くために、反射面は半透過性に形成されね
ばならない。この場合反射面に施されるメッキは、必要
な半透過性に応じて選ばれた薄いメッキや金属たとえば
金の薄層によって形成される。更に、メッキを施す前
に、反射面に、例えばSIO2の層を形成し、金属メッキ層
に対し絶縁しなければならない。それは、導電性を有す
るメッキ面によって、モニタ・ダイオードの活性層が短
絡されるのを防ぐためである。
システムと反対側の基板部分に、モニタ・ダイオードが
形成される。この場合、レーザ光の一部を該モニタ・ダ
イオードに導くために、反射面は半透過性に形成されね
ばならない。この場合反射面に施されるメッキは、必要
な半透過性に応じて選ばれた薄いメッキや金属たとえば
金の薄層によって形成される。更に、メッキを施す前
に、反射面に、例えばSIO2の層を形成し、金属メッキ層
に対し絶縁しなければならない。それは、導電性を有す
るメッキ面によって、モニタ・ダイオードの活性層が短
絡されるのを防ぐためである。
請求項４及び５は反射面の湾曲に関する記載で、請求
項４の湾曲は放物面の一部として形成され、請求項５の
湾曲は楕円面の一部として形成されることを示してい
る。レーザシステムの放射面と上記放物面のほぼ焦点
に、又は楕円体の焦点の１にほぼ位置するように、反射
面の表面を位置させると、反射面の表面が対物面である
場合には、レーザ・ウエハはほぼ平行性を有する光線を
送出し、反射面の表面が楕円面である場合には、他方の
焦点に収斂する光線を送出する。
項４の湾曲は放物面の一部として形成され、請求項５の
湾曲は楕円面の一部として形成されることを示してい
る。レーザシステムの放射面と上記放物面のほぼ焦点
に、又は楕円体の焦点の１にほぼ位置するように、反射
面の表面を位置させると、反射面の表面が対物面である
場合には、レーザ・ウエハはほぼ平行性を有する光線を
送出し、反射面の表面が楕円面である場合には、他方の
焦点に収斂する光線を送出する。
最後に、請求項２は、モニタダイオードが設けられて
いる場合の、請求項１に基づく方法を記載している。
いる場合の、請求項１に基づく方法を記載している。
［実施例］ 以下、図面を参照して従来技術とこの発明の実施例を
説明する。
説明する。
第1A図及び第1B図は従来の技術に基づくレーザ・ウエ
ハの断面図である。半導体のラミネートから成る基板Ｓ
を形成する両半導体材料すなわちｐ型半導体材料ｐとｎ
型半導体材料ｎの境界領域に、レーザシステムＬが形成
され、基板Ｓをエッチングして上記境界領域とほぼ平行
に直線的に延びる反射溝Ｖが形成されている。該反射溝
Ｖのレーザ側の側壁は上記境界領域とほぼ直角に形成さ
れているのに対し、レーザシステムから離隔する側の側
壁すなわち反射壁の表面は、上記レーザ側の側壁とほぼ
平行に延び、その表面はレーザシステムに向かう凹面鏡
SPとして形成される。凹面鏡SPはレーザシステムＬから
のレーザ光を90゜方向変換し、第1a図では焦点Ｂとして
示される焦線BL（第1B図）に集束する。
ハの断面図である。半導体のラミネートから成る基板Ｓ
を形成する両半導体材料すなわちｐ型半導体材料ｐとｎ
型半導体材料ｎの境界領域に、レーザシステムＬが形成
され、基板Ｓをエッチングして上記境界領域とほぼ平行
に直線的に延びる反射溝Ｖが形成されている。該反射溝
Ｖのレーザ側の側壁は上記境界領域とほぼ直角に形成さ
れているのに対し、レーザシステムから離隔する側の側
壁すなわち反射壁の表面は、上記レーザ側の側壁とほぼ
平行に延び、その表面はレーザシステムに向かう凹面鏡
SPとして形成される。凹面鏡SPはレーザシステムＬから
のレーザ光を90゜方向変換し、第1a図では焦点Ｂとして
示される焦線BL（第1B図）に集束する。
第1B図は第1A図の斜視図（従来例）である。第1B図か
ら明らかなように、反射溝Ｖの反射壁は、第1A図と直角
な方向に延び、焦線BLを形成する。この焦線BLは反射溝
Ｖが延びる方向、すなわち縦方向と平行である。従っ
て、レーザ光は上記縦方向に対して垂直な方向に集束す
ることはない。
ら明らかなように、反射溝Ｖの反射壁は、第1A図と直角
な方向に延び、焦線BLを形成する。この焦線BLは反射溝
Ｖが延びる方向、すなわち縦方向と平行である。従っ
て、レーザ光は上記縦方向に対して垂直な方向に集束す
ることはない。
第２図には本発明の実施例の原理を示す。第２図に示
しているこの発明のレーザ・ウエハの場合には、基板Ｓ
の両半導体p,nの境界領域すなわち活性領域AZに形成さ
れたレーザ光反射面AFに対向して、２つのディメンショ
ンに湾曲する反射面Ｆが、上記反射溝Ｖの反射壁に形成
されている、レーザシステムから発散して放射されたレ
ーザ光は、上記反射面Ｆの表面によって反射され、焦点
Ｐに向かって進み集束される。この場合、反射面Ｆから
反射されたほとんどすべてのレーザ光は反射面Ｆの焦点
Ｐ又は付近に達する。ほとんどすべてのレーザ光が、光
学的構成要素を必要とせずに、ほぼロスなしに光導波路
に結合できるように、レーザ光が集束する焦点面は小さ
いものであるのが好ましい。このために、使用される反
射面Ｆの部分は楕円形をなし、該楕円面の一方の焦点に
レーザ光の放射面が設けられていなければならない。又
楕円面の代わりに、放物面を用いるときは、レーザ光は
反射溝Ｖから、ほぼ平行な光線となって放射される。
しているこの発明のレーザ・ウエハの場合には、基板Ｓ
の両半導体p,nの境界領域すなわち活性領域AZに形成さ
れたレーザ光反射面AFに対向して、２つのディメンショ
ンに湾曲する反射面Ｆが、上記反射溝Ｖの反射壁に形成
されている、レーザシステムから発散して放射されたレ
ーザ光は、上記反射面Ｆの表面によって反射され、焦点
Ｐに向かって進み集束される。この場合、反射面Ｆから
反射されたほとんどすべてのレーザ光は反射面Ｆの焦点
Ｐ又は付近に達する。ほとんどすべてのレーザ光が、光
学的構成要素を必要とせずに、ほぼロスなしに光導波路
に結合できるように、レーザ光が集束する焦点面は小さ
いものであるのが好ましい。このために、使用される反
射面Ｆの部分は楕円形をなし、該楕円面の一方の焦点に
レーザ光の放射面が設けられていなければならない。又
楕円面の代わりに、放物面を用いるときは、レーザ光は
反射溝Ｖから、ほぼ平行な光線となって放射される。
この発明に基づくレーザ・ウエハを製造するために、
活性領域AZにレーザシステムを形成して、周知の方法で
基板Ｓを製造し、該基板Ｓにフォトレジストを塗布し、
第３図の構造が形成されるように、フォトレジストに対
応するクロムマスクで基板Ｓを露光する。個々のレーザ
システムがしめる範囲を覆うフォトレジストパタンPHの
側面に凹部FAが形成されている。凹部は、図面から明ら
かなように、凹に湾曲している。この凹部FAに付与され
た形状に基づいて、後にエッチングによって反射溝Ｖの
反射面の湾曲の形状が規定される。
活性領域AZにレーザシステムを形成して、周知の方法で
基板Ｓを製造し、該基板Ｓにフォトレジストを塗布し、
第３図の構造が形成されるように、フォトレジストに対
応するクロムマスクで基板Ｓを露光する。個々のレーザ
システムがしめる範囲を覆うフォトレジストパタンPHの
側面に凹部FAが形成されている。凹部は、図面から明ら
かなように、凹に湾曲している。この凹部FAに付与され
た形状に基づいて、後にエッチングによって反射溝Ｖの
反射面の湾曲の形状が規定される。
反射溝Ｖだけでなく、他の表面部分にもエッチング加
工を行なうために、フォトレジストマスクを載せた基板
Ｓが、反応室でイオンビームに晒される、該イオンビー
ムはイオン源Ｑ（第４図）から放射され、入射隔を適切
に選び基板Ｓの表面に照射される。第４図に示すよう
に、基板Ｓは、例えば表面の法線Ｘを中心に回転可能か
つ水平軸線Ｙを中心に回動可能に設けられている。イオ
ンビームの強度とその組合わせ及び反射面の所望の湾曲
を形成するために必要なイオンビーム照射時間は、ドラ
イエッチング工程中に変更することができる。
工を行なうために、フォトレジストマスクを載せた基板
Ｓが、反応室でイオンビームに晒される、該イオンビー
ムはイオン源Ｑ（第４図）から放射され、入射隔を適切
に選び基板Ｓの表面に照射される。第４図に示すよう
に、基板Ｓは、例えば表面の法線Ｘを中心に回転可能か
つ水平軸線Ｙを中心に回動可能に設けられている。イオ
ンビームの強度とその組合わせ及び反射面の所望の湾曲
を形成するために必要なイオンビーム照射時間は、ドラ
イエッチング工程中に変更することができる。
エッチング工程に引き続いて、例えば同じ反応室で反
射面の表面にメッキが施される。レーザシステムに対向
するモニタ・ダイオードが鏡の金属層によってショート
するのを防止するために、メッキの下側に絶縁層を設け
ることが必要であるとき、該絶縁層（例えばSiO2）も同
じ反応容器内で形成される。
射面の表面にメッキが施される。レーザシステムに対向
するモニタ・ダイオードが鏡の金属層によってショート
するのを防止するために、メッキの下側に絶縁層を設け
ることが必要であるとき、該絶縁層（例えばSiO2）も同
じ反応容器内で形成される。
第５図は基板Ｓを、反射溝V1及びV2の縦方向軸と直角
に切断した図であり、レーザシステムL1及びL2と対向配
置されたモニタ・ダイオードM1,M2を有する２つのレー
ザシステムL1,L2は、それぞれに関連する反射溝V1,V2の
反射壁の方向に、それぞれレーザ光を放射する。第２図
で説明したように２つのディメンションに関して湾曲す
る反射面は半透明の凹面鏡SPを有し、該凹面鏡SPの下に
は絶縁層ISが設けられている。レーザ・ウエハの製造
後、境界TEに沿って基板Ｓは個々のレーザ・ウエハに分
割される。
に切断した図であり、レーザシステムL1及びL2と対向配
置されたモニタ・ダイオードM1,M2を有する２つのレー
ザシステムL1,L2は、それぞれに関連する反射溝V1,V2の
反射壁の方向に、それぞれレーザ光を放射する。第２図
で説明したように２つのディメンションに関して湾曲す
る反射面は半透明の凹面鏡SPを有し、該凹面鏡SPの下に
は絶縁層ISが設けられている。レーザ・ウエハの製造
後、境界TEに沿って基板Ｓは個々のレーザ・ウエハに分
割される。
第1A図及び第1B図は従来技術に基づくレーザ・ウエハの
図、第２図はこの発明に基づくレーザ・ウエハの原理
図、第３図はドライエッチングの前のフォトレジストマ
スクを被せた半導体ウエハの図、第４図はドライエッチ
ング工程の概略図、第５図はこの発明に基づくレーザシ
ステムと組み込まれたモニタ・ダイオードとを備えたウ
エハの断面図である。 L,L1,L2……レーザシステム、Ｆ……表面、Ｓ……基
板、PH……フォトレジストマスク、V1,V2……反射溝、F
A……凹部、SP……凹面鏡、M1,M2……モニタ・ダイオー
ド、IS……絶縁層、AF……放射面。
図、第２図はこの発明に基づくレーザ・ウエハの原理
図、第３図はドライエッチングの前のフォトレジストマ
スクを被せた半導体ウエハの図、第４図はドライエッチ
ング工程の概略図、第５図はこの発明に基づくレーザシ
ステムと組み込まれたモニタ・ダイオードとを備えたウ
エハの断面図である。 L,L1,L2……レーザシステム、Ｆ……表面、Ｓ……基
板、PH……フォトレジストマスク、V1,V2……反射溝、F
A……凹部、SP……凹面鏡、M1,M2……モニタ・ダイオー
ド、IS……絶縁層、AF……放射面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−84687（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−126286（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−182781（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−241184（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18
Claims (5)
- 【請求項１】半導体基板（Ｓ）に埋め込まれ、この基板
の面と平行にレーザ光を放射する少なくも１個のレーザ
システム（L,AF,AZ）と、半導体基板にエッチングによ
りレーザ光が伝搬する範囲に於て形成された溝とを有
し、 この溝のレーザシステム近くに位置された側壁は大部分
が平坦でレーザ光の放射方向に対して垂直であり、ま
た、レーザシステムと対面する側の側壁は、２つのディ
メンションに関して凹に湾曲した曲率を有する反射鏡
（Ｆ）を形成して、レーザシステムにより放射されたレ
ーザ光を前記基板の面に対して垂直に反射して収束させ
るレーザ・ウエハの製造法において、 中にレーザシステム（L1,L2）が埋め込まれた半導体基
板（Ｓ）上に、前記溝が形成される箇所を露出するよう
にして、レーザシステムから離れた側の側壁に湾曲した
凹部（FA）が形成されたホトレジストマスク（PH）を設
け、 前記半導体基板の面にイオンビームを傾斜して入射させ
るドライエッチにより、前記溝を形成し、このときのイ
オンビームの入射角は、前記ホトレジストマスクの凹部
（FA）の領域で前記２つのディメンションに関して湾曲
した曲率を有した反射鏡（Ｆ）を形成するように、互い
に直交する２つの面に対してドライエッチの間変化させ
ることを特徴とするレーザ・ウエハの製造法。 - 【請求項２】前記半導体の接合体（Ｓ）を形成する際、
前記レーザシステム（L1,L2）を接合体（Ｓ）の中に形
成するとともに、該レーザシステム（L1,L2）に対向す
る表面を有する凹面鏡を有する前記モニタ・ダイオード
（M1,M2）を形成すること、及び半透明の層を形成する
ために、半透明の被覆を付着させる場合、半透明の層が
絶縁性を有しない場合には、半透明の該被覆を付着させ
る前に電気的絶縁層（IS）を塗布すること、を特徴とす
る請求項１に記載のレーザ・ウエハ製造法。 - 【請求項３】前記レーザシステム（L2）に対向する反射
面（Ｆ）に形成された凹面鏡（SP）にメッキが施されて
いること、を特徴とする請求項１に記載のレーザ・ウエ
ハの製造法。 - 【請求項４】前記レーザシステムに対向する反射面の形
状は、放物曲面の一部であるようにエッチングされ、前
記レーザシステムの放射面（AF）は前記放物曲面の焦点
に位置していること、を特徴とする請求項３に記載のレ
ーザ・ウエハの製造法。 - 【請求項５】前記レーザシステムに対向する反射面の表
面の形状は、楕円体の表面の一部であるようにエッチン
グされ、前記レーザシステムの放射面（AF）は前記楕円
体の一方の焦点に設けられていること、を特徴とする請
求項３に記載のレーザ・ウエハの製造法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3934748.6 | 1989-10-18 | ||
| DE3934748A DE3934748A1 (de) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | Laserwafer und verfahren zu seiner herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145181A JPH03145181A (ja) | 1991-06-20 |
| JP2846097B2 true JP2846097B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=6391714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2275485A Expired - Fee Related JP2846097B2 (ja) | 1989-10-18 | 1990-10-16 | レーザ・ウエハの製造法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0423513B1 (ja) |
| JP (1) | JP2846097B2 (ja) |
| DE (2) | DE3934748A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3008641B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2000-02-14 | キヤノン株式会社 | 変位検出装置 |
| DE19525814A1 (de) * | 1995-07-15 | 1997-01-16 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung eines Lasermoduls |
| US6356577B1 (en) * | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for combining light output from multiple laser diode bars |
| US6782205B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-24 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing |
| US6829092B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Blazed grating light valve |
| US6785001B2 (en) | 2001-08-21 | 2004-08-31 | Silicon Light Machines, Inc. | Method and apparatus for measuring wavelength jitter of light signal |
| US6800238B1 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics |
| US6767751B2 (en) | 2002-05-28 | 2004-07-27 | Silicon Light Machines, Inc. | Integrated driver process flow |
| US6839479B2 (en) | 2002-05-29 | 2005-01-04 | Silicon Light Machines Corporation | Optical switch |
| US6822797B1 (en) | 2002-05-31 | 2004-11-23 | Silicon Light Machines, Inc. | Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light |
| US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
| US6801354B1 (en) | 2002-08-20 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses |
| US6712480B1 (en) | 2002-09-27 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Controlled curvature of stressed micro-structures |
| US6829077B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane |
| US6806997B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-10-19 | Silicon Light Machines, Inc. | Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction |
| US7046420B1 (en) | 2003-02-28 | 2006-05-16 | Silicon Light Machines Corporation | MEM micro-structures and methods of making the same |
| CN100355095C (zh) * | 2003-06-25 | 2007-12-12 | 陈聪欣 | 一种具有散热聚光作用的发光二极管支架改良结构 |
| US8855160B2 (en) * | 2009-11-30 | 2014-10-07 | Hitachi, Ltd. | Horizontal-cavity surface-emitting laser |
| WO2015126475A1 (en) * | 2013-11-07 | 2015-08-27 | Binoptics Corporation | Lasers with beam shape and beam direction modification |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53126286A (en) * | 1977-04-11 | 1978-11-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser package |
| JPS5515107A (en) * | 1978-07-17 | 1980-02-02 | Nec Corp | Axial aligning method of lens |
| JPS60182781A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Omron Tateisi Electronics Co | 半導体装置 |
| US4718070A (en) * | 1985-01-22 | 1988-01-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Surface emitting diode laser |
| US4807238A (en) * | 1986-03-12 | 1989-02-21 | Ricoh Co., Ltd. | A semiconductor laser device |
| US4698129A (en) * | 1986-05-01 | 1987-10-06 | Oregon Graduate Center | Focused ion beam micromachining of optical surfaces in materials |
| JPS63228790A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JPS6484687A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Nippon Telegraph & Telephone | Surface emission semiconductor laser with monitor |
| JPH01241184A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Iwasaki Electric Co Ltd | 反射型フォトセンサ |
-
1989
- 1989-10-18 DE DE3934748A patent/DE3934748A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-09-26 EP EP90118431A patent/EP0423513B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-26 DE DE59009414T patent/DE59009414D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-16 JP JP2275485A patent/JP2846097B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3934748A1 (de) | 1991-04-25 |
| JPH03145181A (ja) | 1991-06-20 |
| DE59009414D1 (de) | 1995-08-24 |
| EP0423513A2 (de) | 1991-04-24 |
| EP0423513B1 (de) | 1995-07-19 |
| EP0423513A3 (en) | 1991-10-30 |
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