JPS63228790A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置およびその製造方法Info
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- JPS63228790A JPS63228790A JP62062929A JP6292987A JPS63228790A JP S63228790 A JPS63228790 A JP S63228790A JP 62062929 A JP62062929 A JP 62062929A JP 6292987 A JP6292987 A JP 6292987A JP S63228790 A JPS63228790 A JP S63228790A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光フアイバ通信などの光源として用いる半導
体レーザ（Ｉ、Ｄ）や発光ダイオード（Ｉ４Ｄ）などの
半導体発光装置およびその製造方法に関する。
体レーザ（Ｉ、Ｄ）や発光ダイオード（Ｉ４Ｄ）などの
半導体発光装置およびその製造方法に関する。
従来の技術
Ａ Ｉ ＧａＡｓ ／ＧａＡｓ のダブルへテロ構造
の半導体レーザが発明されて以来、半導体レーザの性能
は急速な進歩を遂げ現在、発振しきい値が数１０ｍＡ、
寿命が数１０万時間といった高性能かつ高信頼性のもの
が市販されるにまで至っている。半導体レーザの応用面
でＨＯｎ（コンパクト・ディスク）や光ディスクなどの
ように大容量の情報を小さな媒体に高密度で記録、再生
するような電子機器が市販されはじめている。また、光
フアイバー通信の光源としても半導体レーザが用いられ
、都市間全党ファイバーでつないで情報の伝送を行なっ
たり、ＬＡＮ（ローカル・エリア・ネットワーク）など
のように、工場内やオフィス内の情報の伝達に用いられ
たりするなど、半導体レーザの応用範囲はしだいに拡大
しつつある。このように有用な半導体レーザの構造とし
て従来より種々の構造が提案されている。たとえば５−
Ｍ−３ｚｅ著の（半導体デバイスの物理） （Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍ１−Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖ
ｉｃｅｓ）の第２版１９８１年ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ ＆
５ｏｎｓ出版の７２６頁にあるように種々の構造があ
る。これらの半導体レーザはいずれもストライプ状の電
流注入部を有し、このストライプの両端にへき開による
一対の共振器面を備えている。
の半導体レーザが発明されて以来、半導体レーザの性能
は急速な進歩を遂げ現在、発振しきい値が数１０ｍＡ、
寿命が数１０万時間といった高性能かつ高信頼性のもの
が市販されるにまで至っている。半導体レーザの応用面
でＨＯｎ（コンパクト・ディスク）や光ディスクなどの
ように大容量の情報を小さな媒体に高密度で記録、再生
するような電子機器が市販されはじめている。また、光
フアイバー通信の光源としても半導体レーザが用いられ
、都市間全党ファイバーでつないで情報の伝送を行なっ
たり、ＬＡＮ（ローカル・エリア・ネットワーク）など
のように、工場内やオフィス内の情報の伝達に用いられ
たりするなど、半導体レーザの応用範囲はしだいに拡大
しつつある。このように有用な半導体レーザの構造とし
て従来より種々の構造が提案されている。たとえば５−
Ｍ−３ｚｅ著の（半導体デバイスの物理） （Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍ１−Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖ
ｉｃｅｓ）の第２版１９８１年ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ ＆
５ｏｎｓ出版の７２６頁にあるように種々の構造があ
る。これらの半導体レーザはいずれもストライプ状の電
流注入部を有し、このストライプの両端にへき開による
一対の共振器面を備えている。
しかし、このへき開の工程において、共振器の長さを再
現性良く一定にしたり、また歩留り良く良好な共振器面
（へき開面）を得ることは困難であった。また、これら
の半導体レーザはへき開を行なわないと光出力、１子効
率や発振しきい値などを評価することができないので半
導体レーザの良品と不良を判別するための検査に時間が
かかり量産性に乏しかった。また、同一基板上に複数個
のレーザをアレイ状に形成することも困難であった。
現性良く一定にしたり、また歩留り良く良好な共振器面
（へき開面）を得ることは困難であった。また、これら
の半導体レーザはへき開を行なわないと光出力、１子効
率や発振しきい値などを評価することができないので半
導体レーザの良品と不良を判別するための検査に時間が
かかり量産性に乏しかった。また、同一基板上に複数個
のレーザをアレイ状に形成することも困難であった。
そこで、これらの問題を解決する方法として、たとえば
（アプライド・フィツクス・レターズ）（Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ）の第４６巻第
２号１１５頁〜１１了頁（１９８６年）にあるように半
導体レーザの共振器を化学エツチングにより形成し、マ
ストランスポート法を用いて出射光を基板の表面に垂直
に出射するための基板表面に対して４５°に傾いた反射
板を設ける方法がＺ、Ｌ 、Ｌｉａｕ等によって提案さ
れている（上記文献の第１図参照）。この方法によれば
半導体レーザを形成するのにへき開全必要とせず、光出
力が基板表面に対して垂直に出射するのでウエノ・−の
ままで光出力や量子効率２発振しきい値などの特性が評
価できるので検査に要する時間が短縮される。′また、
歩留ジおよび再現性の悪いへき開工程が不要になるとい
った利点がある。
（アプライド・フィツクス・レターズ）（Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ）の第４６巻第
２号１１５頁〜１１了頁（１９８６年）にあるように半
導体レーザの共振器を化学エツチングにより形成し、マ
ストランスポート法を用いて出射光を基板の表面に垂直
に出射するための基板表面に対して４５°に傾いた反射
板を設ける方法がＺ、Ｌ 、Ｌｉａｕ等によって提案さ
れている（上記文献の第１図参照）。この方法によれば
半導体レーザを形成するのにへき開全必要とせず、光出
力が基板表面に対して垂直に出射するのでウエノ・−の
ままで光出力や量子効率２発振しきい値などの特性が評
価できるので検査に要する時間が短縮される。′また、
歩留ジおよび再現性の悪いへき開工程が不要になるとい
った利点がある。
発明が解決しようとする問題点
上述の４５°反射面を備えた半導体レーザはへき開を用
いる半導体レーザに比べ種々の利点を有するが、素子の
製作工程において次のような問題点を有している。
いる半導体レーザに比べ種々の利点を有するが、素子の
製作工程において次のような問題点を有している。
（１） マストランスポートにおける高温（６９０〜
７４０℃）の熱処理によｐＺｎなどの不純物が拡散し、
Ｐ−ｎ接合の位置が結晶成長の際に形成さ扛た活性層（
ダブルへテロ接合）の位置からずれてしまい、活性層に
キャリアが効率良く注入されなくなってレーザ発振しな
くなる。
７４０℃）の熱処理によｐＺｎなどの不純物が拡散し、
Ｐ−ｎ接合の位置が結晶成長の際に形成さ扛た活性層（
ダブルへテロ接合）の位置からずれてしまい、活性層に
キャリアが効率良く注入されなくなってレーザ発振しな
くなる。
（匂 マストランスポートにより形成する４５°反射面
を製作する際の再現性が良くない。すなわち発明者らの
実験によると、マストランスポートはマストランスポー
トを行なう時の基板の表面状態によって大きく影響を受
ける。従って反射面の角度を４６°に再現性良く作成す
ることは困難であった。
を製作する際の再現性が良くない。すなわち発明者らの
実験によると、マストランスポートはマストランスポー
トを行なう時の基板の表面状態によって大きく影響を受
ける。従って反射面の角度を４６°に再現性良く作成す
ることは困難であった。
問題点を解決するための手段
本発明は上述のような従来の半導体レーザにおける問題
点に鑑みてなされたもので、本発明は、（０１１）面と
平行に一対の共振器面を有し、共振器面に相対するよう
に（１１１）表面と平行な反射面を有し、半導体基板の
主面に対して概ね垂直に光出力を得るものである。そし
て、本発明は、（０１１）面と平行な共振器面をドライ
エツチング法により形成する工程、および（１１１）表
面と平行な反射面を臭素を含むエツチング液でエツチン
グする工程とを備えたこと全特徴とする方法である。
点に鑑みてなされたもので、本発明は、（０１１）面と
平行に一対の共振器面を有し、共振器面に相対するよう
に（１１１）表面と平行な反射面を有し、半導体基板の
主面に対して概ね垂直に光出力を得るものである。そし
て、本発明は、（０１１）面と平行な共振器面をドライ
エツチング法により形成する工程、および（１１１）表
面と平行な反射面を臭素を含むエツチング液でエツチン
グする工程とを備えたこと全特徴とする方法である。
作用
上述のような方法によって半導体レーザの共振器および
反射板を形成することによって、高温の熱処理を必要と
せず、しかも反射板の角度が再現性良く形成される。本
発明によれば反射板の角度は基板表面に対して５４°傾
斜しているため、出射光は基板表面の法線に対して約１
８°傾いて出射する。従ってたとえば基板表面に対して
垂直に光ファイバーを配置して出射光が光ファイバーに
導波されるように結合しても、ファイバー表面での反射
光は半導体レーザの共振器面には戻らないので戻り光に
より雑音が発生するといった問題も起こらない。
反射板を形成することによって、高温の熱処理を必要と
せず、しかも反射板の角度が再現性良く形成される。本
発明によれば反射板の角度は基板表面に対して５４°傾
斜しているため、出射光は基板表面の法線に対して約１
８°傾いて出射する。従ってたとえば基板表面に対して
垂直に光ファイバーを配置して出射光が光ファイバーに
導波されるように結合しても、ファイバー表面での反射
光は半導体レーザの共振器面には戻らないので戻り光に
より雑音が発生するといった問題も起こらない。
実施例
以下本発明ｆ ＩｎＧａＡＳＰ ’） ノジ導波路型
半導体レーザに応用した場合の一実施例について図面と
ともに説明する。まず、（１０ｏ）面を主面とする半絶
縁性１ｎＰ基板１の表面にｎ＋型ＩｎＰ第１クラッド層
２（キャリア密度１×１ｏ Ｃｒｎ ）、ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層３（バンドギャップ波長λｇ−１，３μｍ、
厚さ０．１５７膜ｍ）、Ｐ型工ｎＧａＡｓＰ光導波層４
（バンドギャップ波長λｇ＝１．１μｍ、キャリア密度
５×１０ 菌 、厚さｏ、２５μｍ）、Ｐ＋型ＩｎＰ第
２クラッド層５（キャリア密度１×１０１８ＣＩｎ−’
、厚さ１．ｓμｍ） および戸型ＩｎＧａムＳコンタ
クト層６（キャリア密度２×１０１ 。
半導体レーザに応用した場合の一実施例について図面と
ともに説明する。まず、（１０ｏ）面を主面とする半絶
縁性１ｎＰ基板１の表面にｎ＋型ＩｎＰ第１クラッド層
２（キャリア密度１×１ｏ Ｃｒｎ ）、ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層３（バンドギャップ波長λｇ−１，３μｍ、
厚さ０．１５７膜ｍ）、Ｐ型工ｎＧａＡｓＰ光導波層４
（バンドギャップ波長λｇ＝１．１μｍ、キャリア密度
５×１０ 菌 、厚さｏ、２５μｍ）、Ｐ＋型ＩｎＰ第
２クラッド層５（キャリア密度１×１０１８ＣＩｎ−’
、厚さ１．ｓμｍ） および戸型ＩｎＧａムＳコンタ
クト層６（キャリア密度２×１０１ 。
厚さ０．５μｍ）を順次結晶成長する。さらにその表面
にＳｉ、Ｎ４膜ア（厚さｏ、１μｍ）およびＴｉ膜８（
厚さ０．２μｍ）を堆積し、フォトレジストをマスクと
してリアクティブ・イオン・エツチング法を用いてＣＣ
β４プラズマでＴｉ膜８りｔ選択的にエツチングし、さ
らにＯＦ４プラズマで５ｉ５Ｎ４膜了を選択的にエツチ
ングすると第１図ｅ）のようになる。第１図（２Ｌ）は
（０１〒）断面図である０次にＴｉ膜８をマスクとして
ドライエツチング法たとえばリアクティブ・イオン・エ
ツチング法を用いて臭素プラズマでＰ 型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層ｓ、Ｐ＋型ＩｎＰ第２クラッド層５．Ｐ型
ＩｎＧａＡｓＰ光導波層４． ＩｎＧａＡｓＰ活性層３
．およびｎ＋梨型１ｎＰ１クラッド層２を半絶縁性Ｉｎ
Ｐ基板１に到達するまでエツチングすると第２図【ｂ）
のように側面がほぼ垂直な溝が形成される。この溝の側
面が半導体レーザの共振器面になる１、溝の幅および深
さはたとえばそれぞれ４μｍおよび５膜ｍに形成さする
。次にＨＦ：Ｈ２０＝１：５の混合液でＴ１膜８および
５ｉ５Ｎ４膜７を除去したのち、新たにＳｉＯ□膜９全
第９全第１ に形成する。ここで、たとえば２％（重量比）の臭素と
メタノールとの混合液でＳｉ０ ２膜９をマスクとして
エツチングすると第１図（ｄ）に示すように異方性エツ
チングが行なわれて（１１１）表面が露出する。このエ
ツチングは臭化水素と過酸化水素水との混合液など、臭
素を含むエツチング液で行なうことができる。この露出
し７’Ｃ（１１１）表面が共振器面から出射した光を上
方向に反射する反射面となる。
にＳｉ、Ｎ４膜ア（厚さｏ、１μｍ）およびＴｉ膜８（
厚さ０．２μｍ）を堆積し、フォトレジストをマスクと
してリアクティブ・イオン・エツチング法を用いてＣＣ
β４プラズマでＴｉ膜８りｔ選択的にエツチングし、さ
らにＯＦ４プラズマで５ｉ５Ｎ４膜了を選択的にエツチ
ングすると第１図ｅ）のようになる。第１図（２Ｌ）は
（０１〒）断面図である０次にＴｉ膜８をマスクとして
ドライエツチング法たとえばリアクティブ・イオン・エ
ツチング法を用いて臭素プラズマでＰ 型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層ｓ、Ｐ＋型ＩｎＰ第２クラッド層５．Ｐ型
ＩｎＧａＡｓＰ光導波層４． ＩｎＧａＡｓＰ活性層３
．およびｎ＋梨型１ｎＰ１クラッド層２を半絶縁性Ｉｎ
Ｐ基板１に到達するまでエツチングすると第２図【ｂ）
のように側面がほぼ垂直な溝が形成される。この溝の側
面が半導体レーザの共振器面になる１、溝の幅および深
さはたとえばそれぞれ４μｍおよび５膜ｍに形成さする
。次にＨＦ：Ｈ２０＝１：５の混合液でＴ１膜８および
５ｉ５Ｎ４膜７を除去したのち、新たにＳｉＯ□膜９全
第９全第１ に形成する。ここで、たとえば２％（重量比）の臭素と
メタノールとの混合液でＳｉ０ ２膜９をマスクとして
エツチングすると第１図（ｄ）に示すように異方性エツ
チングが行なわれて（１１１）表面が露出する。このエ
ツチングは臭化水素と過酸化水素水との混合液など、臭
素を含むエツチング液で行なうことができる。この露出
し７’Ｃ（１１１）表面が共振器面から出射した光を上
方向に反射する反射面となる。
次に５ｉ０２膜９をＨＦ：Ｈ２０＝１：５の混合液で除
去したのち新たに５ｉｎ２膜１０を選択的にストライプ
状に形成する。このストライプの方向は〈Ｑｌｌ〉方向
である。ＳｉＯ□膜１０全１０クと（、 テｆｌ トエ
ハＨ２Ｓｏ４：Ｈ，，０２：１（２０ ＝ １ ：１
：５の混合液でＰ＋型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６を選
択的にエツチングし、さらにたとえばＨＣｌ ： Ｈ，
ＰＯ２−４：４の混合液でＰ 型ＩｎＰ第２クラッド層
６を選択的にエツチングすると第１図（ｅ）、第２図の
ようになる。第２図は第１図（ｅ）の人−入断面である
。
去したのち新たに５ｉｎ２膜１０を選択的にストライプ
状に形成する。このストライプの方向は〈Ｑｌｌ〉方向
である。ＳｉＯ□膜１０全１０クと（、 テｆｌ トエ
ハＨ２Ｓｏ４：Ｈ，，０２：１（２０ ＝ １ ：１
：５の混合液でＰ＋型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６を選
択的にエツチングし、さらにたとえばＨＣｌ ： Ｈ，
ＰＯ２−４：４の混合液でＰ 型ＩｎＰ第２クラッド層
６を選択的にエツチングすると第１図（ｅ）、第２図の
ようになる。第２図は第１図（ｅ）の人−入断面である
。
このようにしてレーザのリッジ導波路構造が形成さｎる
。次にエツチングマスクの５１０２膜１０全除去したの
ち、共振器面でλ／４（λ：（波長）／（屈折率））の
膜厚となるようにたとえば厚さ０、２ ２ μｍの５ｉ
ｎ２膜１１を堆積し、さらに、共振器面でλ／４の膜厚
となるようにたとえば厚さ０、０ ９ ７膜ｍの非晶質
Ｓｉ膜１２全堆積する。ｎ＋型ＩｎＰ第１クラッド層２
にコンタクトを形成するため非晶質Ｓ１膜１２およびＳ
ｉＯ□膜１１全選択的に開孔し、さらに前記非晶質Ｓｉ
膜１２およびＳｉＯ ２膜１１全マスクとしてたとえば
！（２Ｓｏ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ ＝１ ：１ ：５
の混合液でＰ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波層４およびＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３をエツチングする。そして、ストライ
プ状のリッジ上部および（１１１）表面の反射面の後ろ
のＰ 型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６の表面の非晶質Ｓ
ｉ膜１２およびＳｉＯ ２膜１１を選択的に開孔する。
。次にエツチングマスクの５１０２膜１０全除去したの
ち、共振器面でλ／４（λ：（波長）／（屈折率））の
膜厚となるようにたとえば厚さ０、２ ２ μｍの５ｉ
ｎ２膜１１を堆積し、さらに、共振器面でλ／４の膜厚
となるようにたとえば厚さ０、０ ９ ７膜ｍの非晶質
Ｓｉ膜１２全堆積する。ｎ＋型ＩｎＰ第１クラッド層２
にコンタクトを形成するため非晶質Ｓ１膜１２およびＳ
ｉＯ□膜１１全選択的に開孔し、さらに前記非晶質Ｓｉ
膜１２およびＳｉＯ ２膜１１全マスクとしてたとえば
！（２Ｓｏ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ ＝１ ：１ ：５
の混合液でＰ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波層４およびＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３をエツチングする。そして、ストライ
プ状のリッジ上部および（１１１）表面の反射面の後ろ
のＰ 型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６の表面の非晶質Ｓ
ｉ膜１２およびＳｉＯ ２膜１１を選択的に開孔する。
その後ｎ 型ＩｎＰ第１クラッド層２およびＰ 型Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層６にコンタクトを形成するためた
とえばＯｒ 、 Ｐｔ 、人ｕｉ順次そ扛ぞれ５０ｎｍ
，１ ００ｎｍ。
ＧａＡｓコンタクト層６にコンタクトを形成するためた
とえばＯｒ 、 Ｐｔ 、人ｕｉ順次そ扛ぞれ５０ｎｍ
，１ ００ｎｍ。
５００膜ｍの厚さで蒸着して電極１３全たとえばリフト
オフ法により形成すると第１図（ｆｌ，第３図に示すよ
うに半導体レーザが完成する。第３図は第１図（ｆ）の
Ｂ−Ｂ断面である。
オフ法により形成すると第１図（ｆｌ，第３図に示すよ
うに半導体レーザが完成する。第３図は第１図（ｆ）の
Ｂ−Ｂ断面である。
以上の説明からもわかるように、本発明の方法の特徴と
するところは（０１１）面と平行な共振器面をドライエ
ツチング法により形成する工程、および（１１１）Ａ面
と平行な反射面全臭素全含むエツチング液でエツチング
する工程と全備えているところであり、従って反射面の
形成には高温の熱処理を必要としないことと、反射面の
角度が結晶面で規定されるので再現性良く角度が一定に
なることである。
するところは（０１１）面と平行な共振器面をドライエ
ツチング法により形成する工程、および（１１１）Ａ面
と平行な反射面全臭素全含むエツチング液でエツチング
する工程と全備えているところであり、従って反射面の
形成には高温の熱処理を必要としないことと、反射面の
角度が結晶面で規定されるので再現性良く角度が一定に
なることである。
半導体レーザの共振器面から出射した光は第１図（０に
破線で示したように（１１１）入面の反射面で反射され
て上方向に出射する。半導体基板１の主面は（１００）
面であるので反射面と半導体基板１の主面との交差角は
約５４°となる。従って反射面で反射された半導体レー
ザの出射光は半導体基板１の主面の法線から約１８°傾
いて出射することになる。このような出射角の傾きは半
導体基板１の主面の法線方向に光ファイバーを配置して
出射光を光ファイバーに結合する場合、光ファイバーの
端面からの反射光および光ファイバーからの戻り光が半
導体レーザの共振器面に入射するのを防ぐのに好都合で
あり、戻り光による雑音の発生を防ぐことができる。
破線で示したように（１１１）入面の反射面で反射され
て上方向に出射する。半導体基板１の主面は（１００）
面であるので反射面と半導体基板１の主面との交差角は
約５４°となる。従って反射面で反射された半導体レー
ザの出射光は半導体基板１の主面の法線から約１８°傾
いて出射することになる。このような出射角の傾きは半
導体基板１の主面の法線方向に光ファイバーを配置して
出射光を光ファイバーに結合する場合、光ファイバーの
端面からの反射光および光ファイバーからの戻り光が半
導体レーザの共振器面に入射するのを防ぐのに好都合で
あり、戻り光による雑音の発生を防ぐことができる。
上述の本発明の一実施例の他の利点は反射面で反射され
た光は出射光となり反射面を透過した光は反射面の後方
のＩｎＧａＡｓＰ活性層３で吸収され電子・正孔対を発
生する。そこで第１図（ｆ″Ｊに示したように反射面の
後方に設けた電極で光電流として検出することにより、
出射光の光出力を監視できることであり、光出力の監視
用のホトダイオードを別に用意する必要がない。一般の
へき開による半導体レーザの場合、一対の共振器面の一
方からの出射光を光出力として利用し、他方からの出射
光をホトダイオードに入射させて光出力の監視している
ので出射光のうち半分しか光出力として利用できなかっ
たが、本発明の一実施例の場合は反射面を透過した光を
監視するので、反射面を設けていない側の共振器面に高
反射率被膜を設けｎば出射光はすべて利用できることに
なるので効率が良い。
た光は出射光となり反射面を透過した光は反射面の後方
のＩｎＧａＡｓＰ活性層３で吸収され電子・正孔対を発
生する。そこで第１図（ｆ″Ｊに示したように反射面の
後方に設けた電極で光電流として検出することにより、
出射光の光出力を監視できることであり、光出力の監視
用のホトダイオードを別に用意する必要がない。一般の
へき開による半導体レーザの場合、一対の共振器面の一
方からの出射光を光出力として利用し、他方からの出射
光をホトダイオードに入射させて光出力の監視している
ので出射光のうち半分しか光出力として利用できなかっ
たが、本発明の一実施例の場合は反射面を透過した光を
監視するので、反射面を設けていない側の共振器面に高
反射率被膜を設けｎば出射光はすべて利用できることに
なるので効率が良い。
なお上述の本発明の一実施例では本発明をＩｎＧａＡｓ
Ｐのリッジ導波路型半導体レーザに応用した場合につい
て説明したが、リッジ導波路型半導体レーザに限定され
るものではなく、埋め込みへテロ接合（” Ｈ）型レー
ザ、埋め込みクレセント（ＢＣ）型レーザなど他の構造
のレーザでも同様に応用可能であることは言うまでもな
い。また、ＩｎＧａＡｓＰに限定されることはなくム１
ＧａＡｓなど他の材料であっても良いことはもちろんで
ある○ムβＧａＡｓレーザの場合は共振器面のエツチン
グには塩素を含むガスのプラズマでエツチングすると垂
直性の良いエツチングができる。
Ｐのリッジ導波路型半導体レーザに応用した場合につい
て説明したが、リッジ導波路型半導体レーザに限定され
るものではなく、埋め込みへテロ接合（” Ｈ）型レー
ザ、埋め込みクレセント（ＢＣ）型レーザなど他の構造
のレーザでも同様に応用可能であることは言うまでもな
い。また、ＩｎＧａＡｓＰに限定されることはなくム１
ＧａＡｓなど他の材料であっても良いことはもちろんで
ある○ムβＧａＡｓレーザの場合は共振器面のエツチン
グには塩素を含むガスのプラズマでエツチングすると垂
直性の良いエツチングができる。
発明の効果
上述したように本発明は、（０１１）面と平行な共振器
面をドライエツチング法により形成する工程、および（
１１１）入面と平行な反射面をたとえば臭素を含むエツ
チング液でエツチングする工程を備えた方法により、高
温の熱処理を必要とせず、しかも反射面の傾斜角の再現
性の良い半導体レーザが形成できるという効果がある。
面をドライエツチング法により形成する工程、および（
１１１）入面と平行な反射面をたとえば臭素を含むエツ
チング液でエツチングする工程を備えた方法により、高
温の熱処理を必要とせず、しかも反射面の傾斜角の再現
性の良い半導体レーザが形成できるという効果がある。
また出射光が半導体基板の主面の法線に対して傾斜して
いるので光ファイバー等と結合する場合でも戻り光が共
振器面に入射せず、雑音が発生する心配もない。
いるので光ファイバー等と結合する場合でも戻り光が共
振器面に入射せず、雑音が発生する心配もない。
従って本発明は、半導体レーザの光ファイバー等との結
合が容易になり、量産性にも優ｒているので工業的価値
は高い。
合が容易になり、量産性にも優ｒているので工業的価値
は高い。
半導体レーザとその製造方法を示す断面図、第２図は第
１図（６）のムー人線断面図、第３図は第１図（００Ｂ
−Ｂ線断面図である。
１図（６）のムー人線断面図、第３図は第１図（００Ｂ
−Ｂ線断面図である。
１・・・・・・半絶縁性ＩｎＰ基板、２・・・・・・ｎ
型ｒｎＰ第１クラッド層、３・・・・・・ＩｎＧ２Ｌ
Ａ５Ｐ活性層、４・・・・・・Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導
波層、ｔｓ −−−−−−Ｐ 型ＩｎＰ第２クラッド
層、６・・・・・・Ｐ Ｗ ＩｎＧａｙｓコンタクト
層、８・・・・・・Ｔｉ膜、９・・・・・・５ｉｎ２膜
、１３・・・・・・電極。
型ｒｎＰ第１クラッド層、３・・・・・・ＩｎＧ２Ｌ
Ａ５Ｐ活性層、４・・・・・・Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導
波層、ｔｓ −−−−−−Ｐ 型ＩｎＰ第２クラッド
層、６・・・・・・Ｐ Ｗ ＩｎＧａｙｓコンタクト
層、８・・・・・・Ｔｉ膜、９・・・・・・５ｉｎ２膜
、１３・・・・・・電極。
Claims (4)
- （１）（０１１）面と平行に一対の共振器面を設け、前
記共振器面に相対するように（１１１）Ａ面と平行な反
射面を設け、半導体基板の主面に対して概ね垂直に光出
力を得るようにした半導体発光装置。 - （２）反射面に、発光部と同一の層構造を有する受光部
を有し、光出力を監視するようにした特許請求の範囲第
１項記載の半導体発光装置。 - （３）反射面が設けられていない側の共振器面に高反射
率被膜が設けられている特許請求の範囲第１項又は第２
項記載の半導体発光装置。 - （４）（０１１）面と平行な共振器面をドライエッチン
グ法により形成する工程と、（１１１）Ａ面と平行な反
射面を臭素を含むエッチング液でエッチングする工程を
備えてなる半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62062929A JPS63228790A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62062929A JPS63228790A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63228790A true JPS63228790A (ja) | 1988-09-22 |
Family
ID=13214460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62062929A Pending JPS63228790A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63228790A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0423513A2 (de) * | 1989-10-18 | 1991-04-24 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Laserwafers |
| JPH04116880A (ja) * | 1990-09-06 | 1992-04-17 | Canon Inc | 半導体素子の保護膜形成方法 |
| US5402435A (en) * | 1993-03-05 | 1995-03-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical device |
| JPH08293642A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法及び評価方法 |
| EP1763287A3 (en) * | 2005-09-07 | 2007-08-22 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | A method for fabricating organic electroluminescent devices |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP62062929A patent/JPS63228790A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0423513A2 (de) * | 1989-10-18 | 1991-04-24 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Laserwafers |
| JPH04116880A (ja) * | 1990-09-06 | 1992-04-17 | Canon Inc | 半導体素子の保護膜形成方法 |
| US5402435A (en) * | 1993-03-05 | 1995-03-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical device |
| JPH08293642A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法及び評価方法 |
| EP1763287A3 (en) * | 2005-09-07 | 2007-08-22 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | A method for fabricating organic electroluminescent devices |
| US7470610B2 (en) | 2005-09-07 | 2008-12-30 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Method of fabricating organic electroluminescent devices |
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