JP2003524890A - 改良されたビームダイバージェンス優先順位を有する半導体ダイオードレーザ - Google Patents
改良されたビームダイバージェンス優先順位を有する半導体ダイオードレーザInfo
- Publication number
- JP2003524890A JP2003524890A JP2001557127A JP2001557127A JP2003524890A JP 2003524890 A JP2003524890 A JP 2003524890A JP 2001557127 A JP2001557127 A JP 2001557127A JP 2001557127 A JP2001557127 A JP 2001557127A JP 2003524890 A JP2003524890 A JP 2003524890A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- refractive index
- cladding layer
- semiconductor diode
- diode laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/18—Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
Abstract
Description
なバンドギャップおよび屈折率を有する半導体ダイオードレーザに関する。
ラッド層領域を有する材料の本体を典型的に含んでいる。導波体領域内には量子
ウェル領域等の別の領域が存在し、その領域ではダイオードが電流により適切に
バイアスされるときに光子が発生される。通常、クラッド層領域は相互に反対の
導電型であるようにドープされ、光子を導波体領域に閉じ込めようとするために
導波体領域の材料よりも低い屈折率の材料である。
次数のモードと量子ウェル領域との最大のオーバーラップを与える通常のレーザ
の導波体の厚さであるW0 よりも3−4倍大きい広い導波体レーザ設計から利点
を得られる。ここで参考文献とされる米国特許第5,818,860 号明細書に記載され
ているように、広い導波体の使用は光学的なゼロ次数のモードとクラッド層との
オーバーラップを最小にできる。導波体を広くすることは、クラッド層の減少さ
れた吸収のためにレーザのパワー出力を最大にし、ニアフィールド膨張のために
ミラーファセットの破局的な光学的損傷の確率を減少する二重の利点を有する。
とする。例えば半導体ダイオードレーザはしばしば光ファイバ通信で信号増幅用
のポンプソースとして使用される。信号増幅がエルビニウムドープされたファイ
バ増幅器(EDFA)に依存するとき、単一モードのレーザ出力は増幅器に結合
する高い効率を有する。
1μm)を超えて導波体領域を広くすることは付加的な光モードの発生につなが
り、したがってレーザ出力の増幅器への結合を減少する。したがって既知のダイ
オードレーザ構造はニアフィールド膨張と垂直(構造面に対して垂直)のファー
フィールドビームダイバージェンスを狭めることとの両者で限定される。前者は
レーザが所望のパワーで動作されるときにレーザファセットに損傷を起し、後者
はレーザ出力と他の装置との結合の効率を減少させる。
の量子ウェルを有する高パワー半導体ダイオードレーザがここで論じられる。
バージェンスでレーザの単一モード特性を維持しながら、従来設計されたダイオ
ードよりも導波体を広くすることを可能にする。これらの結果を得るために、種
々の実施形態は導波体領域の一方の側面のクラッド層から導波体領域の他の側面
(即ち垂直方向)のクラッド層まで測定したときに屈折率分布が非対称的である
ように構成される。さらに、本発明の実施形態は量子ウェルが導波体領域の中心
に位置される種々の構造を含んでいる。
ザ放射の奇数モードを阻止しながら、ゼロではない偶数モードの導波体領域のレ
ーザ放射を阻止する。本発明の目的に対しては、用語“ゼロではない偶数モード
”と“奇数モード”は基本モードを除外する他の高次のモードを表している。
イバージェンスを提供し、これは0.2の開口数を有する直径4μmのコアを具
備したEDFAに容易に結合される。
域と、p型のクラッド層とn型のクラッド層を含んでいる。導波体領域は第1の
屈折率n1 を有し、p型のクラッド層は第2の屈折率n2 を有し、n型のクラッ
ド層は第1の屈折率よりも小さく第2の屈折率よりも大きい第3の屈折率n3 を
有する。p型のクラッド層と導波体領域間のバンドギャップ差はn型のクラッド
層と導波体との間のバンドギャップ差よりも大きい。
された単一モードの垂直ニアフィールドビーム分布とファーフィールドビームダ
イバージェンスを与える。所望ならば、本発明の実施形態は広い導波体を有する
半導体ダイオードレーザを与える。
るファーフィールドダイバージェンスを可能にするように設計されている。例え
ば本発明の実施形態は適切なファーフィールドダイバージェンスが与えられたE
DFA装置用のポンプとして使用されることができる。本発明の目的に対しては
、広い導波体は、レーザの量子ウェル領域とオーバーラップする最大の光モード
を与える通常のレーザの導波体の厚さであるW0 よりも少なくとも約3倍以上の
厚さWを有する導波体である。
。この実施形態の例はEDFAに結合するために0.98μm放射光を放射する
半導体ダイオードレーザである。装置は基板101 、n型のクラッド層102 、導波
体層の中心部に位置する量子ウェル104 を含む導波体領域103 、p型のクラッド
層105 を含んでいる。バンドギャップエネルギの差101aはn型のクラッド層と導
波体との間に存在し、バンドギャップエネルギの差102aはn型のクラッド層と導
波体との間に存在する。図1により表される実施形態では、p型のクラッド層と
導波体との間のバンドギャップエネルギの差105aはn型のクラッド層と導波体と
の間のバンドギャップエネルギの差102aよりも大きい。さらに、層102 のエネル
ギバンドギャップは層103 のエネルギバンドギャップよりも大きいが、層105 の
エネルギバンドギャップよりも小さい。
ッド層102 はAlGaAsまたはInGaAsP化合物であり、導波体103 はI
nGaAsPまたはAlGaAs化合物であり、p型のクラッド層105 はAlG
aAsまたはInGaP化合物であり、量子ウェル104 はInGaAsまたはI
nGaAsP化合物を含んでいる。しかしながら本発明はこれらの化合物に限定
されない。むしろ本発明はこのような装置に実用される任意の化合物を使用する
ことができる。
られるように、p型のクラッド層と導波体との屈折率の差はn型のクラッド層と
導波体との屈折率の差よりも大きく、したがって導波体で単一モードビームを伝
播するため非対称的な光閉込めを形成する。
幅(FWHM)により測定された本発明の0.98μmの実施形態のファーフィ
ールドダイバージェンスを表したグラフである。この図は所望のファーフィール
ドダイバージェンスを有する装置を設計するために使用されることができる。例
えばこの図で認められるように、20度のFWHMを有するファーフィールドダ
イバージェンスが所望ならば、導波体を0.5μm乃至2.7μmの幅にするこ
とができる。
波体の化合物に依存するが、ほぼレーザの出力波長に比例する。ドープレベルお
よびクラッド層におけるドープ不純物の垂直分布は2つの条件に基づいて最適に
されるべきである。第1に、装置の抵抗は最小にされるべきである。第2に、非
均一性による散乱とアクチブ領域における吸収によって生じる他の型の内部損失
よりも高い付加的な光の損失が発生することを避ける必要がある。
体構造の場合に非常に小さいので、少なくとも中程度の導波体の厚さの設計につ
いて考慮されるべきである。非対称構造では、光フィールドはn型のクラッド層
でのみ貫通し、nドープ処理は付加的な光損失により限定されるべきである。p
型のクラッド層では、1〜3×1018cm-3の等級のドープ濃度が使用されるこ
とができる。
)に対する光フィールド貫通による損失を防止するのに十分な大きさであるべき
であることを認識するであろう。例えば、前述の化合物では、厚さが1乃至1.
5μmの厚さを有するp型のクラッド層が十分である。n型のクラッド層では、
厚さは広い導波体(例えば2.7μm)を示す実施形態と中程度の厚さの導波体
(例えば0.5μm)を示す実施形態とでは異なる。広い導波体の実施形態では
、n型のクラッド層の厚さはp型のクラッド層の厚さ(例えば〜1μm)と同一
であることができる。中程度の厚さの導波体の実施形態では、3〜4μmのクラ
ッド層の厚さが使用されることができる。
面図である。この実施形態では、半導体ダイオードレーザは1.4μmの放射光
を放射する。この実施形態では、基板401 はInP化合物であり、n型のクラッ
ド層402 はInGaAsPまたはInGaAlAs化合物であり、導波体403 は
InGaAsPまたはInGaAlAs化合物であり、p型のクラッド層405 は
InPまたはInAlAs化合物である。量子ウェルはInGaAsPまたはI
nGaAsまたはInGaAlAs化合物である。典型的なケースでは、導波体
403 は中心に位置するまたは複数の量子ウェル404 を含んでいる。図1の実施形
態のように、n型のクラッド層402 と導波体403 との間のバンドギャップ差402a
はp型のクラッド層405 と導波体403 との間のバンドギャップ差405aよりも小さ
い。
屈折率のグラフであるが、2つの量子ウェルを有している。このコンテキストで
は、用語“垂直”はこの図のコンテキストで理解されるものであり、絶対的な方
向ではないことが認識されるべきである。換言すると、屈折率は図5では図4で
示されている下から上のレーザ構造に対応して、左から右の距離の関数として示
されている。本発明の実施形態の特徴のように、p型のクラッド層405 と導波体
403 間の屈折率の差はn型のクラッド層402 と導波体403 間の屈折率の差よりも
大きい。
スは図6に示されているように導波体幅の関数である。この図面で見られるよう
に、20度のFWHMを有するファーフィールドダイバージェンスが所望ならば
、約0.5μm(中程度の導波体の厚さ)または3.5μm(広い導波体)の導
波体の厚さを選択することができる。
。図7は0.98μmの光閉じ込め係数を表し、図8は1.48μmレーザの光
閉じ込め係数を表している。これらの図面の垂直の破線は約20°〜22°の垂
直ダイバージェンスを与える導波体の厚さを意味する。破局的な光学的損傷が生
じるパワーレベルは光閉じ込め係数に反比例するので、この光閉じ込めの減少は
高パワー動作に対して有効である。約2.5μmの導波体の厚さでは、光閉じ込
め係数は半分にされ、最大の出力パワーは2倍になることが予測される。
方ではn型のクラッド層と導波体との間)の非対称性を最大にすることにより、
発生されたレーザ放射に付加的な横方向モードを導入せずに使用されることがで
きる導波体の幅を最大にできる。2つの屈折率ステップの非対称性は2つのバン
ドギャップ差(即ち一方ではp型のクラッド層と導波体との間のバンドギャップ
差、他方ではn型のクラッド層と導波体との間のバンドギャップ差)間の非対称
性に依存する。したがって、導波体のn型のクラッド層側の屈折率ステップを最
小にしながら、導波体のp型のクラッド層側の屈折率ステップを最大にすること
によってゼロではない偶数の横方向モードを導入せずに最も広い導波体を可能に
する。
与えられる。勿論、この式は論理的な最大値を与え、実際には等号は正確に等し
いわけではない。選択されたn2 とn3 では、厚さW2 を有する中心に位置する
量子ウェルを有する導波体は横方向(垂直)ゼロ次のモードでレーザ動作を行い
、最大の広いニアフィールド分布と最小のファーフィールドダイバージェンスを
有する。第1および他の偶数のモードはW≦W2 で存在しない(実際には、この
不等号は“より小さいかまたはほぼ等しい”になる)。さらに、奇数モードレー
ザ放射は導波体中の量子ウェルを中心に位置させることにより消去される。
ド層の屈折率であり、n2 はpクラッド層の屈折率であり、ηは次式で与えられ
る。
で実現されることができる。第1に、p型のクラッド層はバンドギャップが最大
にされるように選択されなければならない。第2に、n型のクラッド層は、導波
体のバンドギャップをkT程度の量だけ超えるバンドギャップをn型のクラッド
層が有するように選択されなければならない。ここでkはボルツマン定数であり
、Tは動作中の装置の絶対温度である。
この説明から、本発明が説明した実施形態に限定されるのではなく、特許請求の
範囲によってのみ限定を受ける変形と変更を伴って実施されてもよいことを認識
するであろう。特に、説明と理解を容易にするため、本発明を特定の実施形態(
0.98μmレーザと1.48μmレーザ)に関して説明した。しかしながら、
任意の既知の実施可能な材料とそれらの対応する厚さは、前述したバンドギャッ
プ、屈折率、導波体の厚さ間の機能関係が前述の光閉じ込めおよび分布/ダイバ
ージェンスの基準を満たす限り使用されることができる。
定されたファーフィールドダイバージェンスのグラフ。
定されたファーフィールドダイバージェンスのグラフ。
グラフ。
グラフ。
Claims (8)
- 【請求項1】 半値全幅(FWHM)を有する垂直のファーフィールドダイ
バージェンスを有する特性の出力を有する半導体ダイオードレーザにおいて、 (a)第1の屈折率を有し、実質上中心に位置する量子ウェルと、第1の側面
と第2の側面とを有している導波体領域と、 (b)第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を有し、第1の側面上に位置す
るp型のクラッド層と、 (c)第1の屈折率よりも小さく第2の屈折率よりも大きい第3の屈折率を有
し、第2の側面上に位置するn型のクラッド層とを具備している半導体ダイオー
ドレーザ。 - 【請求項2】 導波体領域は、ファーフィールドダイバージェンスが出力と
第2の装置との結合を容易にするような幅を有している請求項1記載の半導体ダ
イオードレーザ。 - 【請求項3】 前記導波体領域は広い導波体領域である請求項1記載の半導
体ダイオードレーザ。 - 【請求項4】 前記(c)で示されている制約を受けて、第2の屈折率は最
小にされ、第3の屈折率は最大にされる請求項3記載の半導体ダイオードレーザ
。 - 【請求項5】 前記導波体領域は幅W2 を有し、前記レーザは波長λの放射
を発生し、幅W2 は次式、即ち、 【数1】 により定められ、λは放射波長であり、n1 は第1の屈折率であり、n3 は第3
の屈折率であり、n2 は第2の屈折率であり、ηは、 【数2】 によって与えられる請求項1記載の半導体ダイオードレーザ。 - 【請求項6】 導波体領域はFWHMが約20度のみであるように選択され
た幅を有する請求項1記載の半導体ダイオードレーザ。 - 【請求項7】 p型のクラッド層は化合物AlGaAsと、化合物InGa
Pの少なくとも1つであり、n型のクラッド層は化合物AlGaAsと、化合物
InGaAsPの少なくとも1つである請求項5記載の半導体ダイオードレーザ
。 - 【請求項8】 p型のクラッド層は化合物InPであり、n型のクラッド層
は化合物InGaAsPである請求項5記載の半導体ダイオードレーザ。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17690900P | 2000-01-20 | 2000-01-20 | |
US60/176,909 | 2000-01-20 | ||
US09/553,551 US6650671B1 (en) | 2000-01-20 | 2000-04-20 | Semiconductor diode lasers with improved beam divergence |
US09/553,551 | 2000-04-20 | ||
PCT/US2001/001971 WO2001057974A1 (en) | 2000-01-20 | 2001-01-19 | Semiconductor diode lasers with improved beam divergence priority |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003524890A true JP2003524890A (ja) | 2003-08-19 |
Family
ID=26872738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001557127A Pending JP2003524890A (ja) | 2000-01-20 | 2001-01-19 | 改良されたビームダイバージェンス優先順位を有する半導体ダイオードレーザ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6650671B1 (ja) |
EP (1) | EP1258062B1 (ja) |
JP (1) | JP2003524890A (ja) |
AT (1) | ATE363141T1 (ja) |
CA (1) | CA2398829A1 (ja) |
DE (1) | DE60128546T2 (ja) |
WO (1) | WO2001057974A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227745A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子とその製造方法、および光無線通信用送信装置、光ディスク装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2833418B1 (fr) * | 2001-12-06 | 2004-04-09 | Cit Alcatel | Composant optique de type laser a semiconducteur |
US6993053B2 (en) * | 2002-04-03 | 2006-01-31 | The Australian National University | Thin clad diode laser |
US7251381B2 (en) * | 2002-04-03 | 2007-07-31 | The Australian National University | Single-mode optical device |
JP3525257B1 (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-10 | アンリツ株式会社 | 半導体発光素子 |
EP1601028A4 (en) * | 2004-01-28 | 2012-09-12 | Anritsu Corp | OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
EP2015412B1 (en) * | 2007-07-06 | 2022-03-09 | Lumentum Operations LLC | Semiconductor laser with narrow beam divergence. |
US8571080B2 (en) * | 2009-12-02 | 2013-10-29 | Massachusetts Institute Of Technology | High efficiency slab-coupled optical waveguide laser and amplifier |
DE102010040767B4 (de) * | 2010-09-14 | 2014-01-30 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Laserdiode mit hoher Effizienz und hoher Augensicherheit |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03209897A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Nec Corp | 半導体レーザ |
JPH04186687A (ja) * | 1990-11-17 | 1992-07-03 | Seiko Epson Corp | 半導体レーザ |
JPH05275801A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Hitachi Ltd | 歪量子井戸半導体レーザ |
EP0920097A2 (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-02 | Mitsui Chemicals, Inc. | Semiconductor laser device |
JPH11233883A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
JPH11243259A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-09-07 | Denso Corp | 半導体レーザおよび半導体レーザの駆動方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2139422B (en) * | 1983-03-24 | 1987-06-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser and method of fabricating the same |
JPH069282B2 (ja) * | 1988-09-09 | 1994-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
JP2689698B2 (ja) * | 1990-07-19 | 1997-12-10 | 国際電信電話株式会社 | αパラメータ符号を反転させた半導体素子 |
US5301202A (en) * | 1993-02-25 | 1994-04-05 | International Business Machines, Corporation | Semiconductor ridge waveguide laser with asymmetrical cladding |
JPH07235733A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-09-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP3140788B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2001-03-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
AU3659297A (en) * | 1996-08-21 | 1998-03-06 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Vertical cavity surface emitting lasers using patterned wafer fusion |
US6546032B1 (en) * | 1999-08-27 | 2003-04-08 | Mitsui Chemicals, Inc. | Semiconductor laser apparatus |
-
2000
- 2000-04-20 US US09/553,551 patent/US6650671B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-01-19 DE DE60128546T patent/DE60128546T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-01-19 WO PCT/US2001/001971 patent/WO2001057974A1/en active IP Right Grant
- 2001-01-19 CA CA002398829A patent/CA2398829A1/en not_active Abandoned
- 2001-01-19 JP JP2001557127A patent/JP2003524890A/ja active Pending
- 2001-01-19 EP EP01937136A patent/EP1258062B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-01-19 AT AT01937136T patent/ATE363141T1/de not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03209897A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Nec Corp | 半導体レーザ |
JPH04186687A (ja) * | 1990-11-17 | 1992-07-03 | Seiko Epson Corp | 半導体レーザ |
JPH05275801A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Hitachi Ltd | 歪量子井戸半導体レーザ |
EP0920097A2 (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-02 | Mitsui Chemicals, Inc. | Semiconductor laser device |
JPH11243259A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-09-07 | Denso Corp | 半導体レーザおよび半導体レーザの駆動方法 |
JPH11233883A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227745A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子とその製造方法、および光無線通信用送信装置、光ディスク装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60128546T2 (de) | 2008-01-31 |
WO2001057974A1 (en) | 2001-08-09 |
EP1258062A4 (en) | 2006-01-11 |
US6650671B1 (en) | 2003-11-18 |
EP1258062B1 (en) | 2007-05-23 |
CA2398829A1 (en) | 2001-08-09 |
EP1258062A1 (en) | 2002-11-20 |
DE60128546D1 (de) | 2007-07-05 |
ATE363141T1 (de) | 2007-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6351479B1 (en) | Semiconductor laser having effective output increasing function | |
JP5717726B2 (ja) | 大出力パワー用の横結合を持つdfbレーザダイオード | |
US6445722B2 (en) | Single-transverse-mode laser diode with multi-mode waveguide region and manufacturing method of the same | |
JP2008135786A (ja) | 高出力半導体レーザダイオード | |
JP3244116B2 (ja) | 半導体レーザー | |
AU770757B2 (en) | Semiconductor laser element having a diverging region | |
JPWO2011096040A1 (ja) | 半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法および光モジュール | |
TW202119719A (zh) | 具混合光柵結構的面射型雷射元件與製法 | |
Sumpf et al. | Spectrally stabilized high-power high-brightness DBR-tapered lasers in the VIS and NIR range | |
JP2003524890A (ja) | 改良されたビームダイバージェンス優先順位を有する半導体ダイオードレーザ | |
US20100245987A1 (en) | Semiconductor optical amplifier | |
US20060140236A1 (en) | Semiconductor laser device and optical pick-up device using the same | |
JP2004281826A (ja) | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 | |
US20040086017A1 (en) | Semiconductor laser device and semiconductor laser module | |
US6678299B1 (en) | Semiconductor laser apparatus | |
JP2004266095A (ja) | 半導体光増幅器 | |
RU2443044C1 (ru) | Инжекционный лазер | |
EP0549123A2 (en) | Semiconductor laser having reduced temperature dependence | |
JP5616629B2 (ja) | 高輝度発光ダイオード | |
US6493132B1 (en) | Monolithic optically pumped high power semiconductor lasers and amplifiers | |
US6608850B1 (en) | Semiconductor laser apparatus | |
US6546032B1 (en) | Semiconductor laser apparatus | |
JP5163355B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
KR20050022333A (ko) | 반도체 레이저장치 | |
JPH1070312A (ja) | スーパールミネッセントダイオード |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101203 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101210 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111025 |