JP2007227745A - 半導体レーザ素子とその製造方法、および光無線通信用送信装置、光ディスク装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】全ての層に存在する光量の総和に対するn型導電型層l(l=1、2…k、但しkは自然数)102-104に存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(l)、上記光量の総和に対するp型導電型層m(m=1、2…k’、但しk’は自然数)107-115に存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(m)とすると、
であり、Γ(m)とドーピング濃度P(m)(単位:cm−3)の積の総和が8.0×1017cm−3 以下であり、ドーピング濃度が1.0×1018cm−3以上であるp型導電型層106,107,109,110,114,115の層厚の合計がp型導電型層全体の層厚の合計の80%以上を占める。
【選択図】なし
Description
αfc ∝ {N×(aλ1.5+bλ2.5+cλ3.5)}/τ ∝(N×λx)/τ (1)
と表される。この式(1)で、Nはドーピング濃度、λは光の波長、a〜cは指数の異なる波長λの係数、τはキャリア緩和時間を表す。最右辺のλの指数であるxは音響/光学フォノンやイオン化不純物による各種の散乱の程度によって異なる値をとり、一般にIII−V族系化合物半導体の場合は3.0から3.5程度の値となる。
複数のn型導電型層l(ここで、l=1、2…k、但し、kは自然数)と、
複数のp型導電型層m(ここで、m=1、2…k’、但し、k’は自然数)と、
上記n型導電型層lと上記p型導電型層mとの間に位置する活性層とを備え、
発振波長が1.0μm以下であり、
上記基板内および基板上の全ての層に存在する光量の総和に対する上記n型導電型層lに存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(l)、上記基板内および基板上の全ての層に存在する光量の総和に対する上記p型導電型層mに存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(m)とすると、Γ(l)の総和とΓ(m)の総和との関係が、
であり、
上記p型導電型層mの光閉じ込め係数Γ(m)と上記p型導電型層mのドーピング濃度P(m)(単位:cm−3)の積の総和
が8.0×1017cm−3 以下であり、
上記複数のp型導電型層のうちドーピング濃度が1.0×1018cm−3以上であるp型導電型層の層厚の合計が上記複数のp型導電型層全体の層厚の合計の80%以上を占めることを特徴としている。
であることを特徴としている。
であることを特徴としている。
図1、図2を用いて、本発明の第1の実施形態について説明する。図1、図2はそれぞれ本実施形態の構造、製造方法を示す模式的断面図である。初めに図1を用いて本実施形態の構造を説明する。なおこの後の全実施形態において、n型の導電型層を「n−」と表し、p型の導電型層を「p−」で表す。また層の名称中の「下部」「上部」とは、活性層を挟んでそれぞれ「基板側」、「基板とは逆側」、に位置することを意味する。
本発明の第2実施形態の半導体レーザ素子について図3を用いてその構造を説明する。
本発明の第3実施形態の半導体レーザ素子について図4を用いてその構造を説明する。
図5を用いて本発明の第4の実施形態である光無線通信用送信装置について説明する。これは、第1実施形態の半導体レーザ素子401を用いて空間的に離れた場所にある受信装置に信号光を送信するための装置である。
この駆動電力/電圧の低下分、レーザドライバや他の回路構成部品の消費電力を上げることができ、回路設計の際の設計自由度を上げることができる。また、高効率、高温度特性、小放射角という使用半導体レーザ素子の特徴から半導体レーザ素子の駆動電流を低下させることができるため、半導体レーザ素子の寿命が延び、装置の信頼性が向上する。また半導体レーザ素子の活性層の光密度も劣化が抑制される値に設定されているため、同じく装置の長期信頼性が保障されることとなる。
図6を用いて本発明の第5の実施形態である光ディスク記録再生装置について説明する。これは光ディスク501にデ−タを書き込んだり、書き込まれたデ−タを再生するための装置であり、発光素子502,コリメ−トレンズ503,ビ−ムスプリッタ504,λ/4偏光板504,レ−ザ光照射用対物レンズ506、再生光用対物レンズ507、信号光検出用受光素子508、信号再生回路509を備えている。そして、発光素子502として、先に説明した本発明第2の実施形態の半導体レーザ素子を用いている。この光ディスク記録再生装置についてその作用を以下に説明する。
102、202、302 バッファ層
103、203a、203b、303a、303b 下部クラッド層
104a、104b、204、304a、304b 下部光ガイド層
105、205、305 活性層
106、206、306a、306b 上部光ガイド層
107、207、307 上部第一クラッド層
108、208、308 エッチングストップ層
109、209、309 上部第二クラッド層
110、210、310 第一キャップ層
114、214、311 第二キャップ層
115、215 第三キャップ層
111、211 第一埋め込み層
112、212 第二埋め込み層
113、213 第三埋め込み層
116、216、316 p型電極
117、217、317 n型電極
121 選択エッチング用絶縁膜
322 電流狭窄用絶縁膜
401 第1実施形態の半導体レーザ素子
402 信号発生源
403 送信用回路
404 レーザドライバ
405 外部空間への放射光
501 光ディスク
502 第2実施形態の半導体レーザ素子
503 コリメ−トレンズ
504 ビ−ムスプリッタ
505 λ/4偏光板
506 レ−ザ光照射用対物レンズ
507 再生光用対物レンズ
508 信号光検出用受光素子
509 信号再生回路
R リッジストライプ部
F 埋め込み部
Claims (14)
- 基板上に、
複数のn型導電型層l(ここで、l=1、2…k、但し、kは自然数)と、
複数のp型導電型層m(ここで、m=1、2…k'、但し、k'は自然数)と、
上記n型導電型層lと上記p型導電型層mとの間に位置する活性層とを備え、
発振波長が1.0μm以下であり、
上記基板内および基板上の全ての層に存在する光量の総和に対する上記n型導電型層lに存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(l)、上記基板内および基板上の全ての層に存在する光量の総和に対する上記p型導電型層mに存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(m)とすると、Γ(l)の総和とΓ(m)の総和との関係が、
であり、
上記p型導電型層mの光閉じ込め係数Γ(m)と上記p型導電型層mのドーピング濃度P(m)(単位:cm−3)の積の総和
が8.0×1017cm−3 以下であり、
上記複数のp型導電型層のうちドーピング濃度が1.0×1018cm−3以上であるp型導電型層の層厚の合計が上記複数のp型導電型層全体の層厚の合計の80%以上を占めることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 上記n型導電型層のうち最も厚い層の層厚をd1、その層を構成する材料の屈折率をn1とし、
上記p型導電型層のうち最も厚い層の層厚をd2、その層を構成する材料の屈折率をn2とすると、
(d1×n1)>(d2×n2)
であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。 - 上記活性層は、光を発する発光層を1層以上備え、
上記基板内および基板上の全ての層に存在する光量の総和に対する全ての上記発光層に存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(act)とし、上記全ての発光層の層厚の合計をd(act)(単位:cm)としたとき、
Γ(act)/d(act)≦3.0×104cm−1
であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。 - p型、n型導電型層m、lそれぞれの光閉じ込め係数Γ(m)、Γ(l)が1.0×10−4以上であるとき、このp型、n型導電型層m、lのドーピング濃度P(m)、N(l)が8.0×1018cm−3以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 発振波長が700nm以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 上記活性層に平行な方向に光を閉じ込める光閉じ込め構造を有し、
上記活性層を間にして、上記光閉じ込め構造が存在する側に上記複数のp型導電型層が設けられ、上記光閉じ込め構造が存在しない側に上記複数のn型導電型層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。 - 電流注入領域と非電流注入領域からなり、上記活性層と平行な方向に電流を狭窄する電流狭窄構造を有し、
上記電流注入領域は上記p型導電型層の少なくとも1つからなり、
上記電流注入領域のp型導電型層のドーピング濃度は1.0×1018cm−3以上であることを特徴とする請求項1または10に記載の半導体レーザ素子。 - 上記n型導電型層は、n型クラッド層と、上記基板と上記n型クラッド層との間に位置するn型バッファ層とを含み、
上記基板内および基板上の全ての層に存在する光量の総和に対する上記n型バッファ層に存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(buf)とし、上記基板内および基板上の全ての層に存在する光量の総和に対する上記基板内に存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(sub)すると、
Γ(buf)+Γ(sub)≦5.0×10−5
であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。 - 請求項1〜12のいずれか1つに記載の半導体レーザ素子を搭載した光無線通信用送信装置。
- 請求項1〜12のいずれか1つに記載の半導体レーザ素子を搭載した光ディスク装置。
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