JP2004296560A - 半導体レーザの製造方法および集積光回路の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】101−n型GaAs基板、102−活性部分のn型AlGaAsクラッド層、105−GaInNAs/GaAs活性層、106−活性部分のp型AlGaAsクラッド層、107−p型GaAs電極コンタクト層、108−p側電極、109−n側電極、112−反射鏡部分のGaAsコア層、113−2次元フォトニック結晶を構成する穴(空気)、114−反射鏡部分のAl2O3クラッド層により、2次元フォトニック結晶内に作製される光導波路と一体形成可能な半導体レーザを構成する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザの作製方法に関し、特に2次元フォトニック結晶内に作製される光導波路と一体形成が可能な半導体レーザの作製方法に関する。また、上記半導体レーザが集積された集積光回路の作製方法にも関する。
【0002】
【従来の技術】
近年のインターネット人口の爆発的増大により情報伝送の急速な高速化および大容量化が求められており、今後も光通信が重要な役割を果たすと考えられている。
しかし、光通信において各々の素子の高速化には限界が見え始めており、今後は異なる波長の光を幾つも使って情報を伝送する波長多重伝送が主流になると予想されている。波長多重伝送用光モジュールにおいても、性能面での要求に加えて低コストで提供することが重要であり、特に伝送距離の短いアクセス系、LAN系光リンクでは低コスト化が必須である。
しかし、主要部品である波長フィルタは高価で、光源の半導体レーザとほぼ同価格である。従って、低コスト化の障害になっている。
【0003】
他方、媒質中での光の波長と同程度のサブミクロン周期の屈折率周期構造である所謂フォトニック結晶を用いれば、導波路や波長フィルタ等を容易に、従って安価に作製できる。因って、波長多重伝送用光モジュールへの適用が期待されている。
特に、2次元フォトニック結晶は、リソグラフィー技術とドライエッチング技術の適用で、導波路や波長フィルタを一度に簡単に作製できる。図5に、2次元フォトニック結晶を用いた波長多重伝送用アド/ドロップ超小型集積光回路の概念図を示す。この集積光回路は、微小共振器波長フィルタ501、微小共振器光変調器502、極微小無閾値レーザ503、直角曲げ導波路504、結合欠陥分散補償器505、および微小方向性結合器506から構成され、異なる複数の波長λ1・・・λn510が一端から入力され、次段の受光素子520へ出力される。
【0004】
現在、導波路、波長フィルタ、フォトダイオードなどのパッシブデバイスに関しては、研究開発が進み設計及び作製技術がほぼ確立してきている。しかし、アクティブデバイスの電流注入型半導体レーザで2次元フォトニック結晶内に作製されるものの研究開発はあまり進んでいない。特に、2次元フォトニック結晶の面内方向に光を出射し光導波路と光結合可能なものに関しては殆ど報告がない。
【0005】
光源となるレーザを作製する場合、光を発生させる活性領域には大きな利得が得られる直接遷移型半導体を用いる必要がある。また、2次元フォトニック結晶を用いる集積光回路では、光が導波されるコア層とその上下のクラッド層には大きな屈折率差が必要である。従って、クラッド層には通常、低屈折率の空気もしくはSiO2やAl2O3などの絶縁体が使用されている。Hwang等は、Applied Physics Letters誌, 2000年, vol. 76, pp.2982−2984において、InGaAsP半導体より成る2次元フォトニック結晶をコア層に、上部クラッド層を空気、下部クラッド層をAl2O3とする構造体を光励起することにより2次元フォトニック結晶の面内方向に光を出射するレーザ発振を報告している。しかし、この構造体ではクラッド層の空気およびSiO2が絶縁体なので、半導体の活性領域へ電流を注入できなく、電流注入型半導体レーザを実現できない。従って、このレーザは上述の2次元フォトニック結晶を用いる集積光回路に適用できない。尚、本報告のレーザは共振器が六角形でレーザの出射方向を自由に選択できない課題もある。
【0006】
他方、Happ等は、Journal of Vacuum Science Technology B誌, 2001年, vol. 19, pp.2756−2778において、通常の半導体レーザの反射鏡に2次元フォトニック結晶を適用する例を報告している。この場合、コア層とクラッド層の材料は共に半導体なので大きな屈折率差を実現することができない。従って、このレーザも2次元フォトニック結晶を用いる集積光回路には適用できない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
2次元フォトニック結晶内に作製される光導波路と一体形成が可能な電流注入型半導体レーザを作製するためには、光を発生させる活性部分のクラッド層には電流が流れる半導体を用いること、2次元フォトニック結晶を用いる反射鏡部分のクラッド層にはコア層と大きな屈折率差をもつ低屈折率の絶縁体を用いることが必須である。従って、光を発生させる活性部分と発生した光からレーザ光を得るための反射鏡部分を異なる材料で構成する必要がある。
【0008】
波長多重伝送用光モジュールに向けた集積光回路を安価に作製する為には、2次元フォトニック結晶内に作製される光導波路と2次元フォトニック結晶を用いる半導体レーザの反射鏡部分とは同一材料であることが必須である。従って、光導波路のコア層、つまり半導体レーザの反射鏡部分のコア層と、活性部分のコア層とを、光結合が可能なように精密に位置合わせをする必要がある。この位置合わせは、半導体レーザのコストを増加させないように非常に簡便でなくてはならない。
【0009】
本発明の第1の目的は、材料が異なる半導体レーザの反射鏡部分と活性部分が自己整合的に位置合わせされる方法を考案することにより、2次元フォトニック結晶中に作製された導波路と一体形成可能な半導体レーザの作製方法を提供することにある。
【0010】
さらに、第2の目的は、波長多重伝送用光モジュールを安価に作製できる集積光回路の作製方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記第1の目的は、クラッド層の材料をAlを含む半導体とし半導体レーザの反射鏡部分と活性部分を同一基板結晶上にエピタキシャル成長することで、反射鏡部分のコア層と活性部分のコア層は自己整合的に位置合わせされる。また、反射鏡部分のクラッド層のみを選択的に酸化させて低屈折率の絶縁体に変化させることにより、活性部分と反射鏡部分を異なる材料で構成することができる。よって、2次元フォトニック結晶内に作製される光導波路と一体形成が可能な電流注入型半導体レーザの作製が可能となる。上記、Alを含む半導体としては、AlGaAsやAlInAsが適用できる。特にAlGaAsは、全Al組成でGaAs基板結晶上にエピタキシャル成長でき、Al組成を0.8以上に高くできるので選択酸化の速度が速くて好適である。本レーザは、波長多重伝送用光モジュールへの適用が期待されるので、発振波長は光通信で通常用いられる1.3μmから1.6μmが好ましい。上記、AlGaAsクラッド層との組み合わせを鑑みると、活性層の材料としてはGaAs基板結晶上にエピタキシャル成長できるGaInNAsが好ましい。図6に、三角格子2次元フォトニック結晶の3周期の例を示す。白地の部分が高屈折率の半導体で、黒丸で示す部分が穴であり低屈折率の空気で満たされる。格子間隔つまり穴の間隔は0.5μm、穴の直径は0.4μmである。図7には、波長1.3μmにおける反射率と周期の関係を示す。同図に示される通り、半導体レーザの反射鏡部分の反射率は2次元フォトニック結晶の周期を変えることでを変化させることができる。活性部分をとり囲む面の反射率を設計することでレーザ発振する共振器を任意に選択できるので、レーザ光の出射する方向を自由に設定でる。従って、2次元フォトニック結晶中に作製された導波路と効率良く光結合できる。
【0012】
上記第2の目的は、集積光回路と半導体レーザのクラッド層の材料を共にAlを含む半導体とし、同一基板結晶上にエピタキシャル成長することで、集積光回路のコア層および半導体レーザの反射鏡部分のコア層と活性部分のコア層は自己整合的に位置合わせされる。また、集積光回路のクラッド層および半導体レーザの反射鏡部分のクラッド層を選択的に酸化させて低屈折率の絶縁体に変化させることで、半導体レーザの活性部分とは異なる材料で構成することができる。本発明の半導体レーザの発振波長は、共振器長つまり反射鏡間の距離を10μm以下とすることで単一縦モードとなるので、共振器長の変化に比例して変化する。また、レーザの活性部分に、レーザ発振用の電極の他に電流注入により屈折率を変化させる電極を設けることで、レーザの発振波長を可変させることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
[実施例1]
本実施例では、光導波路と光結合する発光波長が1.3μmの半導体レーザを作製した。
図1に半導体レーザ部分の構造断面図を示す。101はn型GaAs基板(n=1x1018cm−3、d=300μm)、102はn型Al0.9Ga0.1Asクラッド層(n=1x1018cm−3、d=1.5μm)、103はn型GaAs光ガイド層(n=5x1017cm−3、d=0.15μm )、104は実効的に0.95eV(波長:1.3μm)のバンドギャップを持つノンドープGaInNAs歪量子井戸活性層(d=0.01μm )、105はp型GaAs光ガイド層(p=5x1017cm−3、d=0.15μm)、106はp型Al0.9Ga0.1Asクラッド層(p=1x1018cm−3、d=1.5μm)、107はp型GaAs電極コンタクト層(p=1x1019cm−3、d=0.3μm)、108はp側電極、109はn側電極である。活性部分のコア層110は、n型GaAs光ガイド層103、ノンドープGaInNAs歪量子井戸活性層104、およびp型GaAs光ガイド層105の3層で形成されている。層102から107は結晶成長により基板101上に形成した。尚、p型GaAs光ガイド層105は再成長界面111を経て2回に分けて結晶成長した。これは、反射鏡部分の再成長界面112に示されている様に、1回目の成長後に活性部分以外を約30 nm程エッチングし、反射鏡部分のコア層113(GaAs)にGaInNAs歪量子井戸活性層104を含まない様にするためであり、反射鏡部分および光結合する光導波路におけるレーザ光の吸収を防いでいる。反射鏡部分には、2回目の成長後に活性部分以外のp型GaAs電極コンタクト層107をエッチングオフし、リソグラフ工程及びドライエッチング工程により0.5μmの周期で直径0.4μmの穴114をn型GaAs基板101の上部まで空けて三角格子状の2次元フォトニック結晶を作製した。上記ウエハを400℃の水蒸気中に配置して、Al0.9Ga0.1Asクラッド層を穴114から距離約0.5μm分だけ選択酸化した。Al0.9Ga0.1Asは屈折率が約1.6の低屈折率Al2O3に変化した。これにより、反射鏡部分のクラッド層115は、Al2O3よりなる。一方、活性部分のAl0.9Ga0.1Asクラッド層はp型GaAs電極コンタクト層106で覆われているので極周辺部を除いて酸化されず、Al0.9Ga0.1Asのまま残り電流を導通できる。本レーザが光結合する光導波路も、上記反射鏡部分と同じ層構造をしているのでAl0.9Ga0.1Asクラッド層が低屈折率Al2O3クラッド層に変化し、GaAsコア層に対して集積光回路に適用できる屈折率差を設けることができた。
【0014】
図2には、本レーザと光結合する光導波路の俯瞰図を示す。本レーザの活性部分の寸法は、幅2μm、長さ5μmである。活性部分は、反射鏡A,B,C及びDに囲まれている。それぞれの周期は5、4、3及び3なので、反射率は98%、94%及び74%である。対向する反射鏡対の中で反射率の積が最も高いもが損失が最も低くなるので、反射鏡A及びBの間で共振がおこりレーザ発振する。同図に示す様に反射鏡A及びBの間でレーザ光は定在波として存在する。反射鏡A及びBの距離つまり光共振器の長さを変えるとそれに応じて定在波の波長も変わるので、反射鏡A及びBの間の距離を設計することで発振波長を設定できる。特に、反射鏡A及びBの間の距離が10μm以下の場合、縦モードが単一となり長距離の光通信に好適である。発振しているレーザ光は、反射率が低い反射鏡Bから出射される。レーザ部分と光導波路部分の中心軸は、同一のリソグラフ工程及びドライエッチング工程により作製されるので特段の位置合わせは不要である。
【0015】
本レーザの閾電流は100μAであり、10 mAの動作電流において導波路端から1 mWの出力が得られた。発振波長は、1310 nmであった。
【0016】
尚、本発明では、所望の特性を満たせば、材料が本実施例のものに限定されるものではない。例えば、基板結晶にInP、結晶成長されるクラッド層にAlInAs、活性層にInGaAsPを用いても良い。
[実施例2]
本実施例では、2次元フォトニック結晶を用いる集積光回路で電流注入型レーザを集積するものを作製した。
【0017】
図3は、集積光回路の俯瞰図を示す。本光回路には、2次元フォトニック結晶301の中に上記レーザ302が4個集積され、各々が導波路303に光結合され、1つの導波路に合さる。レーザの発振波長は、それぞれ、1280 nm, 1290 nm, 1300 nm, 1310 nmである。
【0018】
次に、レーザ302について説明する。断面構造および作製方法は第1実施例とほぼ同様である。図4に本レーザの俯瞰図を示す。本レーザの活性部分の寸法は、幅3μm、長さ50μmである。活性部分の上部にレーザ発振用の電極401(長さ:30μm)の他に発振波長を変化させる電極402(長さ:20μm)を設けた。電極402の下に位置する活性部分は電流注入を変化させることにより屈折率が変化するので、実効的に共振器長が変化し発振波長を可変させることができる。従って、本集積光回路は、波長多重光伝送システム用光モジュールに適用できる。
【0019】
本発明による集積光回路は小型で部品点数が少なくでる。また、素子作製時の歩留まりも高く、大幅な低コスト化を達成できた。さらに、集積光回路は、消費電力が低く発熱も少ないので、従来の光集積光回路と比較してより長時間に渡って安定な特性を提供することができた。
【0020】
【発明の効果】
本発明によれば、2次元フォトニック結晶の面内方向に光を出射する電流注入型半導体レーザを作製できるので、2次元フォトニック結晶中に作製された導波路と一体形成可能になる。このレーザを2次元フォトニック結晶を用いた集積光回路内に複数作製し、光結合する導波路を互いに合流させることで、波長多重伝送用光モジュール、及び、波長多重光伝送システムを安価に提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、実施例1のレーザ素子の断面図。
【図2】図2は、実施例1のレーザ素子の俯瞰図。
【図3】図3は、実施例2の集積光回路の俯瞰図。
【図4】図4は、実施例2のレーザ素子の俯瞰図。
【図5】図5は、2次元フォトニック結晶を用いた波長多重伝送用アド/ドロップ超小型集積光回路の概念図。
【図6】図6は、三角格子2次元フォトニック結晶の3周期の例。
【図7】図7は、波長1.3μmにおける反射率と周期の関係。
【符号の説明】
101−n型GaAs基板、102−活性部分のn型AlGaAsクラッド層、110−GaInNAs/GaAs活性(コア)層、106−活性部分のp型AlGaAsクラッド層、107−p型GaAs電極コンタクト層、108−p側電極、109−n側電極、113−反射鏡部分のGaAsコア層、114−2次元フォトニック結晶を構成する穴(空気)、115−反射鏡部分のAl2O3クラッド層。
Claims (10)
- 光を発生する活性部分と発生した光からレーザ光を得る為の1組以上の反射鏡部分を有する電流注入型半導体レーザであり、活性部分のクラッド層が半導体であり、反射鏡部分に所定の周期で配列することにより形成された屈折率周期構造を有する所謂2次元フォトニック結晶を有する半導体レーザの作製方法において、反射鏡部分と活性部分が同一基板結晶上にエピタキシャル成長され、エピタキシャル成長時のクラッド層の材料が同一のAlを含む半導体であり、反射鏡部分のクラッド層の少なくとも一部を選択酸化することにより絶縁体に変化させることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
- 請求項1に記載の半導体レーザの作製方法において、前記Alを含む半導体がAlGaAsであることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
- 請求項1に記載の半導体レーザの作製方法において、前記活性部分の少なくとも一部がGaInNAsであることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
- 請求項1に記載の半導体レーザの作製方法において、上記反射鏡間の距離が10μm以下であることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
- 請求項1に記載の半導体レーザの作製方法において、上記反射鏡部分における屈折率周期構造の周期数が異なっていることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
- 所定の周期で配列することにより形成された屈折率周期構造を有する所謂2次元フォトニック結晶内に形成された光導波路と光源の半導体レーザとが少なくとも集積された集積光回路の作製方法において、上記半導体レーザが光を発生する活性部分と発生した光からレーザ光を得る為の1組以上の反射鏡部分を有する電流注入型半導体レーザであり、活性部分のクラッド層が半導体であり、反射鏡部分に2次元フォトニック結晶を有する半導体レーザであり、光導波路と半導体レーザが同一基板結晶上にエピタキシャル成長され、エピタキシャル成長時のクラッド層の材料が同一のAlを含む半導体であり、光導波路のクラッド層およびレーザの反射鏡部分のクッド層の少なくとも一部を選択酸化することにより絶縁体に変化させることを特徴とする集積光回路の製造方法。
- 請求項6に記載の集積光回路の作製方法において、前記Alを含む半導体がAlGaAsであることを特徴とする集積光回路の製造方法。
- 請求項6に記載の集積光回路の作製方法において、前記半導体レーザの活性部分の少なくとも一部がGaInNAsであることを特徴とする集積光回路の製造方法。
- 請求項6に記載の集積光回路の作製方法において、上記レーザの反射鏡間の距離が10μm以下であることを特徴とする集積光回路の作製方法。
- 請求項6に記載の集積光回路の作製方法において、上記レーザの反射鏡部分における屈折率周期構造の周期数が異なっていることを特徴とする集積光回路の製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007035936A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光素子 |
KR100861719B1 (ko) | 2006-12-06 | 2008-10-09 | 한국전자통신연구원 | Tm 모드 레이저 다이오드 |
JP2010177438A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Seiko Epson Corp | 受発光装置 |
US8089088B2 (en) | 2009-01-29 | 2012-01-03 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device |
JP2014027168A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | フォトニック結晶共振器の作製方法およびフォトニック結晶共振器 |
JP2015226021A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | 富士通株式会社 | 半導体ナノワイヤ光装置及びその製造方法 |
JP2018088456A (ja) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ |
JP2019125735A (ja) * | 2018-01-18 | 2019-07-25 | 日本電信電話株式会社 | ナノワイヤ光デバイス |
-
2003
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007035936A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光素子 |
KR100861719B1 (ko) | 2006-12-06 | 2008-10-09 | 한국전자통신연구원 | Tm 모드 레이저 다이오드 |
US8467427B2 (en) | 2009-01-29 | 2013-06-18 | Seiko Epson Corporation | Light emitting and receiving device |
US8089088B2 (en) | 2009-01-29 | 2012-01-03 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device |
US8258534B2 (en) | 2009-01-29 | 2012-09-04 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device |
US8450763B2 (en) | 2009-01-29 | 2013-05-28 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device |
JP2010177438A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Seiko Epson Corp | 受発光装置 |
US8659044B2 (en) | 2009-01-29 | 2014-02-25 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device |
US8835971B2 (en) | 2009-01-29 | 2014-09-16 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device |
JP2014027168A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | フォトニック結晶共振器の作製方法およびフォトニック結晶共振器 |
JP2015226021A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | 富士通株式会社 | 半導体ナノワイヤ光装置及びその製造方法 |
JP2018088456A (ja) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ |
JP2019125735A (ja) * | 2018-01-18 | 2019-07-25 | 日本電信電話株式会社 | ナノワイヤ光デバイス |
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