JPH01119800A - X線光源 - Google Patents
X線光源Info
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- JPH01119800A JPH01119800A JP27783887A JP27783887A JPH01119800A JP H01119800 A JPH01119800 A JP H01119800A JP 27783887 A JP27783887 A JP 27783887A JP 27783887 A JP27783887 A JP 27783887A JP H01119800 A JPH01119800 A JP H01119800A
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- ray
- reflecting
- light
- electron beam
- rays
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Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
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- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
電子ビームを金属面に当ててここからX線を放射発生さ
せるX12光源に関し、 X線出力弾痕が高く、かつ、X線受光部でのX線強度が
平均化して得られることを目的とし、電子ビームが金属
面に当るスポットを焦点とされ、異なる入射角のX線に
対して均一な反射率を得る反射面を有する回転放物面反
射鏡を用い、上記スポットから放射されるXaの一部を
該反射面にて反則させて受光部に至らしめる構成とする
。
せるX12光源に関し、 X線出力弾痕が高く、かつ、X線受光部でのX線強度が
平均化して得られることを目的とし、電子ビームが金属
面に当るスポットを焦点とされ、異なる入射角のX線に
対して均一な反射率を得る反射面を有する回転放物面反
射鏡を用い、上記スポットから放射されるXaの一部を
該反射面にて反則させて受光部に至らしめる構成とする
。
本発明は、電子ビームを金属面に当ててX線を発生、放
射さぜるxIiI光源に関する。
射さぜるxIiI光源に関する。
いわゆる熱雷子衝撃型と称されるX線光源は、電子ビー
ムを金属面に当ててここからXFlを放射発生させるも
のであり、結晶解析、X線類y!鏡、LSIパターン形
成等の多くの分野での使用が考えられている。
ムを金属面に当ててここからXFlを放射発生させるも
のであり、結晶解析、X線類y!鏡、LSIパターン形
成等の多くの分野での使用が考えられている。
第4図は従来のX線光源の概略構成図を示す。
第4図において、電子ビーム1は金属面2に当てられ、
これによっててこからX線3が放射される。
これによっててこからX線3が放射される。
放射されたXFa3の強度分布は同図に矢印の長さを以
て示す如くであり(同一強度の点を結ぶと一点鎖線にな
る)、強度的にはそれ程大ぎくないが発散光も存在する
。なお、金属面2は高温になるので、冷却水路4に水を
通すことによって金属面2を冷却する。
て示す如くであり(同一強度の点を結ぶと一点鎖線にな
る)、強度的にはそれ程大ぎくないが発散光も存在する
。なお、金属面2は高温になるので、冷却水路4に水を
通すことによって金属面2を冷却する。
上記従来のものは、冷却性能によって電子ビーム1のパ
ワーが決定され、従って、強度のx12出力を得ること
ができず、例えば、X線顕微鏡では鮮明な画像を得るこ
とが困難であり、又、結晶解析では処理に長時1mを要
する客の問題点があった。
ワーが決定され、従って、強度のx12出力を得ること
ができず、例えば、X線顕微鏡では鮮明な画像を得るこ
とが困難であり、又、結晶解析では処理に長時1mを要
する客の問題点があった。
これは、X線3が放射される角度が大きく、又、この放
射されたXFi13を集光するための機能がないためで
ある。
射されたXFi13を集光するための機能がないためで
ある。
本発明はX線出力強度が高く、かつ、X線受光部でのX
11強度が平均化して得られるXF11光源を提供する
ことを目的とする。
11強度が平均化して得られるXF11光源を提供する
ことを目的とする。
(問題点を解決するための手段〕
本発明は、電子ビームが金属面に当るスポットを焦点と
される回転放物面反gFlltを用いる。この回転放物
面反射鏡は、異なるX線入射角に対して均一な反射率を
得る反射面を有する。反q1而は多層膜構造とされ、異
なるX線入射角に対してその膜厚を異ならせである。
される回転放物面反gFlltを用いる。この回転放物
面反射鏡は、異なるX線入射角に対して均一な反射率を
得る反射面を有する。反q1而は多層膜構造とされ、異
なるX線入射角に対してその膜厚を異ならせである。
スポットから発散光となって放射されるX、線を回転放
物面反射鏡の反射面にて反q1さゼることにより、従来
無効とされていた発散光を有効に用い、全体のX線出力
強度を向上し得る。又、X線入射角の大きい(小さい)
部分の膜厚を薄り(厚く)することにより、反射面全面
にわたって入射角が異なっても同一の反射率を得ること
ができ、受光部でのX線強度分布を平均化し得る。
物面反射鏡の反射面にて反q1さゼることにより、従来
無効とされていた発散光を有効に用い、全体のX線出力
強度を向上し得る。又、X線入射角の大きい(小さい)
部分の膜厚を薄り(厚く)することにより、反射面全面
にわたって入射角が異なっても同一の反射率を得ること
ができ、受光部でのX線強度分布を平均化し得る。
第1図は本発明の一実施例のX線出力と受光部でのX線
強度を説明する図を示す。第1図(A)中、10は回転
放物面反射鏡で、第2図に示す如く、内部に反射面10
aを持ち、その反射面が回転放物面をなし、その両端は
開口されている。反射面10aは後述のように多層膜構
造とされており、X線入射角に対応して部分部分で膜厚
を異ならしめて形成されている。
強度を説明する図を示す。第1図(A)中、10は回転
放物面反射鏡で、第2図に示す如く、内部に反射面10
aを持ち、その反射面が回転放物面をなし、その両端は
開口されている。反射面10aは後述のように多層膜構
造とされており、X線入射角に対応して部分部分で膜厚
を異ならしめて形成されている。
第1図(A)中、11は電子銃で、発射された電子ビー
ム12は電磁界13で曲げられて反射鏡10の反射面1
0aの延長想像面内に入り、金属面14に当てられる。
ム12は電磁界13で曲げられて反射鏡10の反射面1
0aの延長想像面内に入り、金属面14に当てられる。
15は冷却水路、16はX線である。反射鏡10の放物
面は、電子ビーム12が金属面14に当るスポットを焦
点とされている。
面は、電子ビーム12が金属面14に当るスポットを焦
点とされている。
電子ビーム12が金属面14に当てられることにより、
ここからX線16が放射される。この場合、特に発散光
161 、162 、・・・・・・は反射鏡10の反射
面10aにて反射されて平行光にされ、有効なX線とし
て集光されて受光部に至る。つまり、従来無効であった
発散光が放物面反射によって大きい強度のまま有効に用
いられ、このために第4図に示す従来例に比して全体の
X8出力強度を向上し得る。
ここからX線16が放射される。この場合、特に発散光
161 、162 、・・・・・・は反射鏡10の反射
面10aにて反射されて平行光にされ、有効なX線とし
て集光されて受光部に至る。つまり、従来無効であった
発散光が放物面反射によって大きい強度のまま有効に用
いられ、このために第4図に示す従来例に比して全体の
X8出力強度を向上し得る。
ここで、受光部でのX線強度分布について考えてみる。
本実施例のように反射2M 10を用いず、第4図の構
成のままであると、受光部においてその中心から外側に
いく稈強度が低くなり、第1図(B)に破線で示す強度
分布となる。然る゛(、本実施例では発散光161,1
62.・・・・・・も平行光にされて受光部に至らしめ
られるので、受光部において従来−度が低かった外側の
強度分布が大幅に改善されて高くなる。
成のままであると、受光部においてその中心から外側に
いく稈強度が低くなり、第1図(B)に破線で示す強度
分布となる。然る゛(、本実施例では発散光161,1
62.・・・・・・も平行光にされて受光部に至らしめ
られるので、受光部において従来−度が低かった外側の
強度分布が大幅に改善されて高くなる。
しかしながら、反射鏡10の反射面10aにて反射され
る発散光161,162・・・・・・は、反射面10a
に対して−様な入射角で入射しているわけではない。例
えば、発散光161は入射角θ1、発散光162は入射
角θ2というように(θ1〉θ2)、反射面10aの部
分部分において全て入射角は異なり、従って、反射率も
同一ではない。
る発散光161,162・・・・・・は、反射面10a
に対して−様な入射角で入射しているわけではない。例
えば、発散光161は入射角θ1、発散光162は入射
角θ2というように(θ1〉θ2)、反射面10aの部
分部分において全て入射角は異なり、従って、反射率も
同一ではない。
そこで、本実施例では、反射面10aの膜厚を図中布に
いく程厚くして反射率を全面にわたって同一にし、受光
部でのX線強度を実質上第1図(B)に実線で示すよう
に略平均化する。
いく程厚くして反射率を全面にわたって同一にし、受光
部でのX線強度を実質上第1図(B)に実線で示すよう
に略平均化する。
反射面10aは多層膜構造をとるがX線光学素子におけ
る多層膜反射については、例えば応用物理学会「応用物
理」第56巻第3号(1987)の肖木貞mrX線光学
素子とその利用技術」等に解説されており、散乱因子の
大きく異なる2種類の物質を交互に重ね合わせれば散乱
X線の波面が干渉し合って反射率が増加し、例えば、X
線入射角一定の場合、反射面の膜厚を大(小)にする程
−反射率が大(小)になることが知られている。この
場合、膜厚をd、X線の入射角をθ、入Ut X線の波
長をλとすると、2dsinθ−mλ(m= 1 。
る多層膜反射については、例えば応用物理学会「応用物
理」第56巻第3号(1987)の肖木貞mrX線光学
素子とその利用技術」等に解説されており、散乱因子の
大きく異なる2種類の物質を交互に重ね合わせれば散乱
X線の波面が干渉し合って反射率が増加し、例えば、X
線入射角一定の場合、反射面の膜厚を大(小)にする程
−反射率が大(小)になることが知られている。この
場合、膜厚をd、X線の入射角をθ、入Ut X線の波
長をλとすると、2dsinθ−mλ(m= 1 。
2、・・・)なる式を満足する入射角θで反射率の極大
を示す。
を示す。
そこで、本実施例では第3図に示す如く、X線入射角の
大きいく小さい)部分の膜厚を薄く(厚く)シ、反射面
10aの全面にわたって同・−の反rJ4率を19るよ
うにする。例えば入射角θ1 (〉θ2)では膜厚t1
(〈t2)のように設定する。
大きいく小さい)部分の膜厚を薄く(厚く)シ、反射面
10aの全面にわたって同・−の反rJ4率を19るよ
うにする。例えば入射角θ1 (〉θ2)では膜厚t1
(〈t2)のように設定する。
これにより、受光部でのX線強度分布を第1図(B)に
実線で示すように平均化し得る。
実線で示すように平均化し得る。
以上説明した如く、本発明によれば、回転放物面反射鏡
を用いているので、従来無効とされていた発散光を有効
に′用いて全体のX絞出カ強1更を高上し得、又、X線
入射角の大小に応じて反射鏡反射面の膜厚を異ならして
いるので、X線受光部でのX線強度が平均化して得られ
る。
を用いているので、従来無効とされていた発散光を有効
に′用いて全体のX絞出カ強1更を高上し得、又、X線
入射角の大小に応じて反射鏡反射面の膜厚を異ならして
いるので、X線受光部でのX線強度が平均化して得られ
る。
第1図は本発明におけるX線出力と受光部でのX線強度
分布を説明する図、 第2図は本発明に用いる回転放物面反1)J鏡の斜視図
、 第3図は回転放物面反射鏡の膜厚を説明する図、第4図
は従来の概略構成図である。 図において、 10は回転放物面反射鏡、 10aは反射面、 11は電子銃、 12は電子ビーム、 14は金属面、 16.161 、162はX線、 θ1.θ2はX線入射角、 1、.12は反射面の膜厚 を示す。 (A) (B)第1図 第2図
分布を説明する図、 第2図は本発明に用いる回転放物面反1)J鏡の斜視図
、 第3図は回転放物面反射鏡の膜厚を説明する図、第4図
は従来の概略構成図である。 図において、 10は回転放物面反射鏡、 10aは反射面、 11は電子銃、 12は電子ビーム、 14は金属面、 16.161 、162はX線、 θ1.θ2はX線入射角、 1、.12は反射面の膜厚 を示す。 (A) (B)第1図 第2図
Claims (2)
- (1)電子ビームを金属面に当ててここからX線を発生
、放射させるX線光源において、 上記電子ビーム(12)が上記金属面に当るスポットを
焦点とされ、異なる入射角(θ_1、θ_2、・・・)
のX線(16_1、16_2、・・・・・・)に対して
均一な反射率を得る反射面(10a)を有する回転放物
面反射鏡(10)を用い、 上記スポットから放射されるX線の一部を該反射面(1
0a)にて反射させて受光部に至らしめる構成としてな
ることを特徴とするX線光源。 - (2)該反射面(10a)は多層膜構造とされ、該異な
るX線入射角(θ_1、θ_2、・・・・・・)に対し
てその膜厚(t_1、t_2、・・・・・・)を異なら
しめ、反射率を均一にする構成であることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のX線光源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27783887A JPH01119800A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | X線光源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27783887A JPH01119800A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | X線光源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01119800A true JPH01119800A (ja) | 1989-05-11 |
Family
ID=17588970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27783887A Pending JPH01119800A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | X線光源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01119800A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0459833A2 (en) * | 1990-06-01 | 1991-12-04 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray microscope |
US5204887A (en) * | 1990-06-01 | 1993-04-20 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray microscope |
WO2000005727A1 (en) * | 1998-07-23 | 2000-02-03 | Bede Scientific Instruments Limited | X-ray focusing apparatus |
WO2003102564A2 (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-11 | Xradia, Inc. | Element-specific x-ray fluorescence microscope using multiple imaging systems comprising a zone plate |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP27783887A patent/JPH01119800A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0459833A2 (en) * | 1990-06-01 | 1991-12-04 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray microscope |
US5204887A (en) * | 1990-06-01 | 1993-04-20 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray microscope |
WO2000005727A1 (en) * | 1998-07-23 | 2000-02-03 | Bede Scientific Instruments Limited | X-ray focusing apparatus |
WO2003102564A2 (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-11 | Xradia, Inc. | Element-specific x-ray fluorescence microscope using multiple imaging systems comprising a zone plate |
WO2003102564A3 (en) * | 2002-05-29 | 2004-03-18 | Xradia Inc | Element-specific x-ray fluorescence microscope using multiple imaging systems comprising a zone plate |
US7183547B2 (en) | 2002-05-29 | 2007-02-27 | Xradia, Inc. | Element-specific X-ray fluorescence microscope and method of operation |
US7245696B2 (en) | 2002-05-29 | 2007-07-17 | Xradia, Inc. | Element-specific X-ray fluorescence microscope and method of operation |
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