JP2003536081A - X線光学系 - Google Patents

X線光学系

Info

Publication number
JP2003536081A
JP2003536081A JP2002502480A JP2002502480A JP2003536081A JP 2003536081 A JP2003536081 A JP 2003536081A JP 2002502480 A JP2002502480 A JP 2002502480A JP 2002502480 A JP2002502480 A JP 2002502480A JP 2003536081 A JP2003536081 A JP 2003536081A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
optical system
rays
ray optical
reflecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002502480A
Other languages
English (en)
Inventor
トーマス ホルツ
Original Assignee
フラウンホーフェル・ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルンク・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・エー・ファウ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by フラウンホーフェル・ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルンク・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・エー・ファウ filed Critical フラウンホーフェル・ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルンク・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・エー・ファウ
Publication of JP2003536081A publication Critical patent/JP2003536081A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)

Abstract

(57)【要約】 本発明は、高い光子線束密度の小さなビーム断面を有する平行な放射X線を生成するための、X線源、一つのX線集光部、及び一つのX線反射部を備えたX線光学系に関する。この課題を解決するために、X線源の放射X線は、集光部により、反射部の凸状かつ放物面状の反射面に放射され、例えば、X線回折測定、反射測定、及び/又は蛍光分析などのX線分析に有利に使用される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 この発明は、請求項1の前書きに記載のX線光学系に関する。この発明は、例
えば、X線回折測定、反射測定、及び/又は蛍光分析などのX線分析に、特に有
利に利用される。
【0002】 X線分析における多くの利用法では、高い強度、すなわち、特に高い光子線束
密度を有する放射X線を必要とする。これは、X線ビームを集光することにより
実現される。しかしながら、多くの場合、平行な放射X線として最良に利用する
ために、放射X線の分散を非常に小さくすることがより好ましい。
【0003】 しかしながら、X線分析において、特別な分析を実行するためには、単色の放
射X線を供給する必要もある。
【0004】 さらに、X線分析では、分析する表面又は支持担体上の流体試料の表面に関し
て、放射X線の高い表面感度の実現が求められている。このような場合、放射X
線は斜めに入射されるのが好ましい。すなわち、十分の数度から、最大で数度の
比較的小さな入射角、つまり試料表面又は適切な担体表面のそれぞれにおける全
反射の臨界角度に近い角度で入射されるのが好ましい。これにより、放射X線の
放射断面は、1/sinθにしたがって試料表面に投影される。投影面上の表面
ごとの光子線束密度のさらなる増加と、より小さい投影面への集光がそれぞれ求
められている。よく知られるように、平行及び略平行なX線ビームの集光により
表面強度が増加し、ひいては光子線束密度が増加する。この結果、局所的に検出
される試料のそれぞれの測定信号を増加させることができる。特に、測定信号の
空間解像度、すなわち測定点における測定信号の座標の精度は、測定の調整に関
して高い要求を提供する。
【0005】 通常、放射X線の一部のみがシャッターの開口を通過して測定点に放射するよ
うに、適度に小さなシャッターが放射X線のビーム経路に配置される。これによ
り、測定点に対する測定信号の局所的な座標の定義が実現される。もちろん、こ
のようなシャッターの使用は、測定に利用できない放射X線強度の損失をもたら
す。これにより測定精度が悪くなるとともに、必要な測定時間が増加する。これ
は、多くの応用例において好ましくなく、測定が不可能になる場合もある。
【0006】 上述した課題は、例えばDE4443853A1に記載されているような、凹
面の湾曲に沿った周期的な厚みを有する多層系が使用されたX線光学構造によっ
ても、完全には克服されていなかった。また、実のところ、必要なシャッターに
起因する強度の減少は同様に生じることから、放射X線のビーム断面積を減少さ
せることには成功していなかった。
【0007】 特に半導体技術において激しい小型化が進み、マイクロ領域からナノ領域へ進
歩している中、分析すべき特定の要素又は化合物を、高い測定精度で分析すると
同時に、高い空間解像度で短期間に分析する方法が求められる。
【0008】 そのため、本発明の目的は、小さいビーム断面及び高い光子線束密度を有する
、平行又は少なくとも略平行な放射X線を供給することができるX線光学系を提
供することにある。
【0009】 本発明によれば、この目的は、請求項1に記載の特徴により達成される。本発
明のさらなる有利な形態及び改良は、従属項に記載の特徴により達成される。
【0010】 本発明によるX線光学系において、例えば、適当なX線源、X線を集光する部
材、及びX線を反射する部材などの、通常のX線光学系の構成要素が利用される
。そして、X線源の放射X線は、レンズ効果を達成するための部材、さらに好ま
しくはそれぞれの形状の反射物である集光部に放射される。この部材により集光
された放射X線は、凸状かつ放物面状に形成された反射面を有する放射X線反射
部に向けられる。
【0011】 このような反射部の表面形状により、放射X線は、集光(凝縮)されると同時
に、分散が無視できるほど平行な光線に調整され、適切に配置され整列された試
料及び担体のそれぞれの表面に向かう。
【0012】 集光部の形状により、収束した放射X線の断面は、点、楕円、又は線状になる
。もちろん、放射X線を反射する部材の表面の輪郭は、この幾何学的配置に合わ
せてある。線状のビーム断面については、集光部及び反射部は円柱対称性を有し
ていてもよい。
【0013】 多くの応用例では、使用されるシャッターの機能は変わり、散乱光を抑える働
きをする。個々の例において、空間解像度の向上のために従来通りシャッターが
必要であったとしても、適切に凝縮された放射X線の光子線束密度は既知の方法
を用いた場合に比べてかなり高いので、シャッターにより遮断されるX線の強度
は十分に小さくなっている。こうして、2以上の強度利得が達成される。
【0014】 少なくとも反射部の表面は、個々の反射層、又は、多くの場合においてさらに
好ましくは、多層系を備えてもよい。
【0015】 適切な物質からなる一つの反射層又は反射部のみが用いられるときは、集光部
からの放射X線は全反射の臨界角度θ以下の角度で反射部に放射されてもよい
。これにより、所望の効果が達成される。
【0016】 多くの場合、勾配のある多層系を使用するのがさらに好ましい。異なるX線の
入射角を考慮して、多層系の個々の層は、予め定められた放射X線の波長で、そ
れぞれの表面においてそれぞれの入射角θがブラッグ則を満たすように適切に
調整された厚みを有する。勾配層は、長さ方向に異なる厚さの二重層を備える。
【0017】 その結果、光子線束密度のさらなる増加、及び放射X線の単色性の向上が達成
される。多層系の隣接した個々の層は、異なるX線屈折率を有する。
【0018】 最も高い放射X線の凝縮は、集光部及び反射部の焦点Fが互いに一致したとき
に、あるいは、少なくとも互いに近接して配置されたときに達成される。
【0019】 集光部がX線源を線状に集光するときは、線状の平行光線を達成するために、
放物線回転体の形状の反射部を選択するのがさらに有利である。
【0020】 本発明によるX線光学系の上記した有利性に加えて、放射X線の小さい入射角
で、測定信号のより高い空間解像度が達成される。試料の投影面がほぼ同数の光
子で凝縮されるからである。
【0021】 一般に、ビーム経路に反射部とともにさらなる単色光分光器を配置することに
より、信号−ノイズ比が向上する。
【0022】 測定時間の短縮に加え、測定のダイナミックレンジも向上する。これにより、
例えば、バックグラウンドの信号に覆い隠される程度の回折をも検出できるので
、測定されたオシロスコープのパターンの情報量が高まる。
【0023】 集光部及び/又は反射部の特定の距離及び角度についての並進運動及び/又は
水平揺れにより、放射X線は限定された小さな測定点/測定面に向けられる。
【0024】 以下、実施の形態により本発明を説明する。
【0025】 図1は、本発明のX線光学系の実施の形態を概略的に示す。図1において、X
線源の発散性の放射X線は、集光部に向かい、より小さいビーム断面を有する平
行光線に変換される。
【0026】 図2は、平行な放射X線が集光部に向かい、さらにビーム断面の小さい平行な
光線に変換される配置の形態を概略的に示す。
【0027】 図1に示した実施の形態に関して、X線源1の発散性の放射X線は、楕円状又
は放物面状に形成された、放射X線の反射面を有する凹面に向かう。本実施の形
態では、反射面は多層系となっている。放射X線は、そこで反射され、続いて反
射部の放物面状の凸面の反射面に向かう。反射部3から反射された放射X線は、
凝縮されると同時に平行に調整される。平行な放射X線は、こうして集光され、
断面が200μmよりも小さい範囲である放射X線が容易に達成でき、別の方法
のX線分析に利用される。
【0028】 反射部3の反射面は多層系であってもよい。多層系における個々の層の厚さは
、放射X線の入射角の差異に従って局所的に考慮されてもよい。本実施の形態で
は、平行に反射された放射X線は、高い強度を備えるだけでなく、単色になって
いる。
【0029】 図2に示した発明による配置の形態では、小さな分散を有する放射X線及び分
散を有しない放射X線は、それぞれ集光部2の放物面状かつ凹状の反射面に平行
に放射される。放射X線は、この表面により適切に反射されると同時に集光され
、反射部3の表面に向かう。図から明らかなように、反射部3により平行に反射
された放射X線のビーム断面b’は、もとの平行な放射X線のビーム断面bより
もかなり小さくなっている。この結果、(2)及び(3)の十分に高い反射率に
より、反射部3から反射された放射X線の光子線束密度は、もとの平行光線に比
べて増加する。
【0030】 反射部の反射面に多層系が設けられるのが有利である。個々の層の周期的厚み
dは、ブラッグ則λ=2deffsinθ(deffは分散を考慮した有効周期
厚み)を満たす。
【0031】 集光された放射X線の、反射部3の反射面への異なる入射角θは予め定まる
ので、放射X線の適切な波長でのそれぞれの入射角にしたがって、異なる周期的
厚みdを持つ適切な勾配層を使用することが求められる。
【0032】 そのような多層系を形成する方法は、未発行の文書であるDE1993227
5に記述されている。この件に関する完全な範囲の開示がなされている。
【0033】 図1及び図2の双方に示されるように、集光部2及び反射部3のそれぞれの反
射面は、二つの要素2及び3の焦点Fが互いに一致するように配置される。
【0034】 図1及び図2に示した実施の形態では、集光部2の反射面は放物面状の形状(
図2)をしていたが、楕円状の外形(図1)であってもよい。
【0035】 平行及びほぼ平行な出力放射X線がそれぞれ用いられる、図2に示した実施の
形態では、x,x>>p/2と仮定すると、特に次式が成り立つ。
【数1】 これは、放物線型方程式に基づいており、それぞれ、
【数2】
【数3】 である。
【0036】 線方程式及び放物線型方程式を用いてこれを簡略化すると、
【数4】 ここで、p及びp’はそれぞれ集光部2及び反射部3の放物線パラメータであ
る。
【0037】 これより、光子線束密度の増加は、集光部2の平均反射率R(2)と、反射部
3の平均反射率R(3)の積に、ビーム断面積の比を乗算した値が、R(2)*
R(3)*b/b’>1になると達成される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のX線光学系の実施の形態を概略的に示す図である。
【図2】 平行な放射X線が集光部に向かい、さらにビーム断面の小さい平
行な光線に変換される配置の形態を概略的に示す図である。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 X線源、一つのX線集光部、及び一つのX線反射部を備え、
    高い光子線束密度の小さいビーム断面積を有する平行な放射X線を生成するため
    のX線光学系であって、 前記X線源(1)の前記放射X線は、前記集光部(2)により、前記反射部(
    3)の凸状かつ放物面状の反射面に向けて放射されることを特徴とするX線光学
    系。
  2. 【請求項2】 前記反射部(3)の表面に、反射層又は多層系が設けられた
    ことを特徴とする請求項1に記載のX線光学系。
  3. 【請求項3】 多層系の個々の層は、勾配層であることを特徴とする請求項
    1又は2に記載のX線光学系。
  4. 【請求項4】 前記放射X線は前記反射部(3)に全反射の臨界角度θ
    下の角度で放射されることを特徴とする請求項1又は2に記載のX線光学系。
  5. 【請求項5】 入射角θを有する前記放射X線は、予め定められた放射X
    線の波長で反射部(3)のそれぞれの表面においてブラッグ則が満たされるよう
    に、勾配層を有する前記多層系に放射されることを特徴とする請求項1から3の
    いずれかに記載のX線光学系。
  6. 【請求項6】 前記集光部(2)及び前記反射部(3)の焦点Fが一致する
    ことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のX線光学系。
  7. 【請求項7】 前記集光部(2)は、凹状、放物面状、又は楕円状の表面を
    有することを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のX線光学系。
  8. 【請求項8】 前記反射部(3)の前記放物面状の形状は、円柱対称性を有
    することを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のX線光学系。
  9. 【請求項9】 それぞれの多層系の隣接する個々の層は、異なるX線光学屈
    折率を有することを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のX線光学系。
  10. 【請求項10】 請求項1から9のいずれかに記載のX線光学系を、X線回
    折測定、反射測定、及び/又はX線蛍光分析に使用する方法。
JP2002502480A 2000-06-05 2001-05-18 X線光学系 Pending JP2003536081A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10028970.3 2000-06-05
DE10028970A DE10028970C1 (de) 2000-06-05 2000-06-05 Röntgenoptische Anordnung zur Erzeugung einer parallelen Röntgenstrahlung
PCT/DE2001/002043 WO2001094987A2 (de) 2000-06-05 2001-05-18 Röntgenoptische anordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003536081A true JP2003536081A (ja) 2003-12-02

Family

ID=7645490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002502480A Pending JP2003536081A (ja) 2000-06-05 2001-05-18 X線光学系

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6724858B2 (ja)
EP (1) EP1323170B1 (ja)
JP (1) JP2003536081A (ja)
AT (1) ATE301328T1 (ja)
DE (2) DE10028970C1 (ja)
WO (1) WO2001094987A2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7403593B1 (en) * 2004-09-28 2008-07-22 Bruker Axs, Inc. Hybrid x-ray mirrors
US7991116B2 (en) * 2005-08-04 2011-08-02 X-Ray Optical Systems, Inc. Monochromatic x-ray micro beam for trace element mapping
JP2023510321A (ja) * 2020-01-10 2023-03-13 アイピージー フォトニクス コーポレーション X線装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4684565A (en) * 1984-11-20 1987-08-04 Exxon Research And Engineering Company X-ray mirrors made from multi-layered material
FR2630832B1 (fr) * 1988-04-29 1995-06-02 Thomson Csf Systeme de miroirs pour le guidage d'une onde electromagnetique
JP3060624B2 (ja) * 1991-08-09 2000-07-10 株式会社ニコン 多層膜反射鏡
JPH0720293A (ja) * 1993-06-30 1995-01-24 Canon Inc X線ミラー及びこれを用いたx線露光装置とデバイス製造方法
BE1007607A3 (nl) * 1993-10-08 1995-08-22 Philips Electronics Nv Multilaagspiegel met verlopende brekingsindex.
US5646976A (en) * 1994-08-01 1997-07-08 Osmic, Inc. Optical element of multilayered thin film for X-rays and neutrons
JPH08146199A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Nikon Corp 平行x線照射装置
DE4443853A1 (de) * 1994-12-09 1996-06-13 Geesthacht Gkss Forschung Vorrichtung mit einer Röntgenstrahlungsquelle
US5911858A (en) * 1997-02-18 1999-06-15 Sandia Corporation Method for high-precision multi-layered thin film deposition for deep and extreme ultraviolet mirrors
US6049588A (en) * 1997-07-10 2000-04-11 Focused X-Rays X-ray collimator for lithography
JPH1138192A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Nikon Corp 多層膜反射鏡
US6041099A (en) * 1998-02-19 2000-03-21 Osmic, Inc. Single corner kirkpatrick-baez beam conditioning optic assembly
US6295164B1 (en) * 1998-09-08 2001-09-25 Nikon Corporation Multi-layered mirror

Also Published As

Publication number Publication date
EP1323170B1 (de) 2005-08-03
US20020159562A1 (en) 2002-10-31
US6724858B2 (en) 2004-04-20
DE50106990D1 (de) 2005-09-08
DE10028970C1 (de) 2002-01-24
WO2001094987A2 (de) 2001-12-13
EP1323170A2 (de) 2003-07-02
ATE301328T1 (de) 2005-08-15
WO2001094987A3 (de) 2003-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7003075B2 (en) Optical measuring device
US7414787B2 (en) Phase contrast microscope for short wavelength radiation and imaging method
US10153062B2 (en) Illumination and imaging device for high-resolution X-ray microscopy with high photon energy
KR102013083B1 (ko) Euv 이미징을 위한 장치 및 이의 이용 방법
US5204887A (en) X-ray microscope
EP0459833B1 (en) X-ray microscope
JPH10339798A (ja) X線集光用ミラー
JP2022069273A (ja) 結像型x線顕微鏡
JP2004522966A (ja) X線分析装置に適用される配置
JP2003536081A (ja) X線光学系
JP2004333131A (ja) 全反射蛍光xafs測定装置
JP2001281097A (ja) 散乱光測定方法及び装置
JP2727787B2 (ja) X線露光装置
US7298822B2 (en) X-ray optical element
JP3356134B2 (ja) ラジカル計測用光学系
JP2002286414A (ja) 光学変位計
CA2725521C (en) High intensity x-ray beam system
JP2001201599A (ja) X線を案内するための器具
CN217359672U (zh) 一种微区x射线光谱分析系统
JP2002525626A (ja) グレージング出射条件におけるx線解析装置
JP2515893B2 (ja) 結像型x線顕微鏡
JP2001041823A (ja) 放射検出装置
JPH0443998A (ja) X線分析装置,微小部x線回折装置,蛍光x線分析装置及び,x線光電子分析装置
JPH06300897A (ja) X線光学装置
CN114354661A (zh) 一种微区x射线光谱分析系统

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040714

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050105