JPH0443998A - Ｘ線分析装置，微小部ｘ線回折装置，蛍光ｘ線分析装置及び，ｘ線光電子分析装置 - Google Patents
Ｘ線分析装置，微小部ｘ線回折装置，蛍光ｘ線分析装置及び，ｘ線光電子分析装置Info
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- JPH0443998A JPH0443998A JP2150034A JP15003490A JPH0443998A JP H0443998 A JPH0443998 A JP H0443998A JP 2150034 A JP2150034 A JP 2150034A JP 15003490 A JP15003490 A JP 15003490A JP H0443998 A JPH0443998 A JP H0443998A
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野〕
本発明はＸ線分析装置に関するもので、特に試料の微小
領域におけるＸ線回折、蛍光Ｘ線分析やＸ線光電子分析
に関するものである。
領域におけるＸ線回折、蛍光Ｘ線分析やＸ線光電子分析
に関するものである。
近年の微細加工技術、窯業９合金技術の発達にともない
、Ｘ線回折装置、蛍光Ｘ線分析装置、Ｘ線光電子分析装
置などのＸ線分析装置に於て、上記工業材料の微小領域
の計測機能を持たせる試みがなされている。
、Ｘ線回折装置、蛍光Ｘ線分析装置、Ｘ線光電子分析装
置などのＸ線分析装置に於て、上記工業材料の微小領域
の計測機能を持たせる試みがなされている。
第２図は特開昭６２−１５０１４７号公報に記載のよう
に、従来の微小部Ｘ線回折装置を示す構成図である。第
２図に於て、１は入射Ｘ線、２は非対称反射結晶分光器
、１３は入射Ｘ線１のコリメータ、４はＸ線回折測定用
の試料、１４は試料４により回折されたＸ線強度測定の
ための計数管である。
に、従来の微小部Ｘ線回折装置を示す構成図である。第
２図に於て、１は入射Ｘ線、２は非対称反射結晶分光器
、１３は入射Ｘ線１のコリメータ、４はＸ線回折測定用
の試料、１４は試料４により回折されたＸ線強度測定の
ための計数管である。
次に動作について説明する。コリメータ１３により制限
された入射Ｘ線１は、非対称反射結晶分光器２により、
単色化されると共に、その幅は縮小される。縮小された
回折Ｘ線を試料４に照射し、試料４により回折されたＸ
線の強度を計数管１４により測定する。また蛍光Ｘ線分
析装置、Ｘ線光電子分析装置については、それぞれ特開
昭６２−２６１９４４号、特開昭６２−３０９４４号に
おいて報告されている。他のＸ線光学系として、Ｊ、Ｍ
ｏ１．Ｂｉｏ、 ３０（１’９６７）３８３頁において
、湾曲Ｘ線鏡とその後置の湾曲非対称反射結晶分光器に
より発光点の大きさを焦点上で拡大する手法が報告され
ている。
された入射Ｘ線１は、非対称反射結晶分光器２により、
単色化されると共に、その幅は縮小される。縮小された
回折Ｘ線を試料４に照射し、試料４により回折されたＸ
線の強度を計数管１４により測定する。また蛍光Ｘ線分
析装置、Ｘ線光電子分析装置については、それぞれ特開
昭６２−２６１９４４号、特開昭６２−３０９４４号に
おいて報告されている。他のＸ線光学系として、Ｊ、Ｍ
ｏ１．Ｂｉｏ、 ３０（１’９６７）３８３頁において
、湾曲Ｘ線鏡とその後置の湾曲非対称反射結晶分光器に
より発光点の大きさを焦点上で拡大する手法が報告され
ている。
従来の装置は以上のように非対称分光器により、入射Ｘ
線を縮小することにより、試料照射領域の微小化とＸ線
強度の向上を目的としている。しかしこの光学系では、
非対称反射結晶分光器２からの回折Ｘ線の発散角が大き
いため、結晶分光器２と試料４を近づける必要がある。
線を縮小することにより、試料照射領域の微小化とＸ線
強度の向上を目的としている。しかしこの光学系では、
非対称反射結晶分光器２からの回折Ｘ線の発散角が大き
いため、結晶分光器２と試料４を近づける必要がある。
このため試料からの広角度の回折Ｘ線や蛍光Ｘ線を計測
するために、非対称反射結晶分光器と試料を十分な距離
をおいて設置すると試料４に入射するＸ線が広がってし
まい、試料上での照射領域が小さくならないと共に、強
度が向上しないという問題があった。
するために、非対称反射結晶分光器と試料を十分な距離
をおいて設置すると試料４に入射するＸ線が広がってし
まい、試料上での照射領域が小さくならないと共に、強
度が向上しないという問題があった。
第３図に非対称反射結晶分光器による入射Ｘ線の縮小光
学系の原理図を示し、上記問題点を説明する。非対称反
射結晶分光器は、結晶表面と所望の回折面と角度αをな
す結晶分光素子である。入射Ｘ線１は結晶の回折面によ
りブラッグ反射される。
学系の原理図を示し、上記問題点を説明する。非対称反
射結晶分光器は、結晶表面と所望の回折面と角度αをな
す結晶分光素子である。入射Ｘ線１は結晶の回折面によ
りブラッグ反射される。
この時結晶表面に対する入射角（θ０）と反射角（θ、
）が異なるために、入射Ｘ線１は縮小されて反射される
。非対称因子すをｂ ＝ｓｉｎ（θｏ） ／ｓｉｎ （
θｈ）とすると、Ｘ線幅の縮小率はｌｈ／１ｏ＝１／ｂ
で表される。ここで、θ０＝θＢ＋α、θｈ＝θＢ−α
、θＢはブラッグ角である。また結晶分光素子の入射９
反射Ｘ線の角度幅ω０．ωゎは対称反射の結晶分光素子
の角度幅ωＳに対し、ω０＝ωｓ／ｂ” ωｈ＝ ω
ｓ−ｂ” の関係がある。即ち、非対称反射結晶は、対
称反射結晶に比べ、結晶上でＸ線幅を１／ｂに縮小し、
Ｘ線輝度をｂ１′２倍する。しかし反射Ｘ線の発散角は
ｂ 倍となるため、試料上では広がったＸ線となる０
例えば。
）が異なるために、入射Ｘ線１は縮小されて反射される
。非対称因子すをｂ ＝ｓｉｎ（θｏ） ／ｓｉｎ （
θｈ）とすると、Ｘ線幅の縮小率はｌｈ／１ｏ＝１／ｂ
で表される。ここで、θ０＝θＢ＋α、θｈ＝θＢ−α
、θＢはブラッグ角である。また結晶分光素子の入射９
反射Ｘ線の角度幅ω０．ωゎは対称反射の結晶分光素子
の角度幅ωＳに対し、ω０＝ωｓ／ｂ” ωｈ＝ ω
ｓ−ｂ” の関係がある。即ち、非対称反射結晶は、対
称反射結晶に比べ、結晶上でＸ線幅を１／ｂに縮小し、
Ｘ線輝度をｂ１′２倍する。しかし反射Ｘ線の発散角は
ｂ 倍となるため、試料上では広がったＸ線となる０
例えば。
分光波長が０．１２４ｎｍ、５ｉ（１１１）の非対称反
射でｂ＝５００、入射Ｘ線幅（Ｗ）が５−の場合、結晶
上でのＸ線幅は１０μｍとなる。この時５発散角は０
、５５ ｍｒａｄとなり、発散角による広がりが１０μ
ｍとなる分光素子からの距離は約１８■である。この距
離では、試料からの広角度回折Ｘ線や蛍光Ｘ線を検出す
る検出器を設置することは困難である。またこの距離（
Ｌ）を２００閣とした場合、試料上でのＸ線の広がり（
Ｗ／ｂ＋ω１・Ｌ）は約１３０μｍとなり、輝度は対称
反射結晶に比べ約２倍しか向上しない。
射でｂ＝５００、入射Ｘ線幅（Ｗ）が５−の場合、結晶
上でのＸ線幅は１０μｍとなる。この時５発散角は０
、５５ ｍｒａｄとなり、発散角による広がりが１０μ
ｍとなる分光素子からの距離は約１８■である。この距
離では、試料からの広角度回折Ｘ線や蛍光Ｘ線を検出す
る検出器を設置することは困難である。またこの距離（
Ｌ）を２００閣とした場合、試料上でのＸ線の広がり（
Ｗ／ｂ＋ω１・Ｌ）は約１３０μｍとなり、輝度は対称
反射結晶に比べ約２倍しか向上しない。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は試料上での入射Ｘ線の広がりを抑えると共に、
入射Ｘ線の輝度を向上させることにより、試料の微小領
域から出てくる回折Ｘ線。
の目的は試料上での入射Ｘ線の広がりを抑えると共に、
入射Ｘ線の輝度を向上させることにより、試料の微小領
域から出てくる回折Ｘ線。
蛍光Ｘ線、二次電子を測定するＸ線回折装置、蛍光Ｘ線
分析装置、Ｘ線光電子分析装置などのＸ線分析装置を得
ることにある。
分析装置、Ｘ線光電子分析装置などのＸ線分析装置を得
ることにある。
上記目的を達成するために本発明は、非対称反射の結晶
分光器の後置に、水平面内と垂直面内で物点側焦点位置
は異なり、像点側位置は一致するようなＸ線集光鏡を装
置に設けるようにしたものである。
分光器の後置に、水平面内と垂直面内で物点側焦点位置
は異なり、像点側位置は一致するようなＸ線集光鏡を装
置に設けるようにしたものである。
非対称反射結晶分光素子からの反射Ｘ線は、幅が１／ｂ
倍になり１発散角はω 、ｂｌ／２で広がる。
倍になり１発散角はω 、ｂｌ／２で広がる。
これは分光素子からみた発光点の位置を疑似的にｂ倍近
づけることに対応する。即ち非対称反射結晶分光素子に
よりＸ線を縮小させた面内では、分光素子により生じた
疑似発光点を焦点とするＸ線集光鏡を分光素子の下流側
に設けることにより、分光素子からの反射Ｘ線を集光さ
せることが出来る。また非対称反射分光素子による集光
面以外では、最初の発光点を同一位置に集光するＸ線鏡
を設ける。
づけることに対応する。即ち非対称反射結晶分光素子に
よりＸ線を縮小させた面内では、分光素子により生じた
疑似発光点を焦点とするＸ線集光鏡を分光素子の下流側
に設けることにより、分光素子からの反射Ｘ線を集光さ
せることが出来る。また非対称反射分光素子による集光
面以外では、最初の発光点を同一位置に集光するＸ線鏡
を設ける。
第４図に、水平面内のＸ線縮小光学系に非対称反射結晶
を用いた場合の、Ｘ線鏡の集光光学系を示す。第４図に
於て、３はトロイダル鏡、１７は発光点、１８は疑似発
光点、１９は集光点である。
を用いた場合の、Ｘ線鏡の集光光学系を示す。第４図に
於て、３はトロイダル鏡、１７は発光点、１８は疑似発
光点、１９は集光点である。
Ｘ線鏡にトロイダル鏡を用い、ｔａｎｇｅｎｔｉａｌ光
線（ｘ−ｚ面）とｓａｇｉｔｔａｌ光線（ｘ−ｙ面）の
それぞれを、ｘ−ｚ面とｘ−ｙ面内の鏡面を適切な曲率
半径（Ｒ５，Ｒｔ）にすることで、同一位置に集光させ
ることが出来る。また焦点距離（ｆ）は次の条件を満た
す。
線（ｘ−ｚ面）とｓａｇｉｔｔａｌ光線（ｘ−ｙ面）の
それぞれを、ｘ−ｚ面とｘ−ｙ面内の鏡面を適切な曲率
半径（Ｒ５，Ｒｔ）にすることで、同一位置に集光させ
ることが出来る。また焦点距離（ｆ）は次の条件を満た
す。
１ ／ ｆ ＝ ｌ ／ ｄ 、 ＋ １ ／ ｅ ＝
１ ／ ｄ ｓ ＋ １ ／ ｅ＝Ｒｔｓｉｎθ／
２ ＝ Ｒｓ／ ２ｓｉｎθ第５図にｋｉｒｋｐａｔｒ
ｉｃｋ −Ｂａｅｚ型Ｘ線集光光学系を示す。第５図に
於て、２０はｘ−ｚ面内のＸ線を集光する円筒鏡、２１
はｘ−ｙ面のＸ線を集・光する円筒鏡である。この光学
系では、水平面及び、垂直面でのＸ線の集光は独立に出
来るため、上記の発光点と疑似発光点とを同一の位置に
集光することが出来る０例えば、発明を解決しようとす
る課題で一例として述べた水平面内での非対称反射結晶
分光器を用い、この分光器による疑似発光点を結晶上と
し、水平面集光用円筒鏡として、ｄ。
１ ／ ｄ ｓ ＋ １ ／ ｅ＝Ｒｔｓｉｎθ／
２ ＝ Ｒｓ／ ２ｓｉｎθ第５図にｋｉｒｋｐａｔｒ
ｉｃｋ −Ｂａｅｚ型Ｘ線集光光学系を示す。第５図に
於て、２０はｘ−ｚ面内のＸ線を集光する円筒鏡、２１
はｘ−ｙ面のＸ線を集・光する円筒鏡である。この光学
系では、水平面及び、垂直面でのＸ線の集光は独立に出
来るため、上記の発光点と疑似発光点とを同一の位置に
集光することが出来る０例えば、発明を解決しようとす
る課題で一例として述べた水平面内での非対称反射結晶
分光器を用い、この分光器による疑似発光点を結晶上と
し、水平面集光用円筒鏡として、ｄ。
＝４００ｍ、 ｅ ＝ ２００ｍ、θ＝ ７ ｍｒａｄ
の場合、水平面上での試料におけるＸ線の広がりは、球
面収差も含めて約２０μｍとなり、輝度向上は約７倍で
ある。従ってＸ線鏡と試料の間を十分な距離をおき、か
つ高輝度微小Ｘ線束が得られた事により、試料の微小領
域からの回折Ｘ線、蛍光Ｘ線やＸ線光電子を従来より高
強度で計測することが出来る。
の場合、水平面上での試料におけるＸ線の広がりは、球
面収差も含めて約２０μｍとなり、輝度向上は約７倍で
ある。従ってＸ線鏡と試料の間を十分な距離をおき、か
つ高輝度微小Ｘ線束が得られた事により、試料の微小領
域からの回折Ｘ線、蛍光Ｘ線やＸ線光電子を従来より高
強度で計測することが出来る。
以下、本発明によるＸ線分析装置の一種である微小部Ｘ
線回折装置の一実施例を第１図により説明する。装置及
び計測は以下の構成からなっている。シンクロトロン放
射光より放射された入射Ｘ線１は、非対称反射結晶分光
器２により単色化されると共に、水平面内で縮小されて
反射される。
線回折装置の一実施例を第１図により説明する。装置及
び計測は以下の構成からなっている。シンクロトロン放
射光より放射された入射Ｘ線１は、非対称反射結晶分光
器２により単色化されると共に、水平面内で縮小されて
反射される。
分光器２より出射されたＸ線は、後置のＸ線鏡（トロイ
ダル鏡）によりＸ線回折測定用の試料４の表面上に集光
される。試料４からの回折Ｘ線５は二次元Ｘ線検出器６
により計測される。また非対称反射結晶分光器２．Ｘ線
鏡３及び試料４の駆動は、分光器駆動台８．Ｘ線鏡駆動
台９，６軸試料台７により計算機１１から制御される。
ダル鏡）によりＸ線回折測定用の試料４の表面上に集光
される。試料４からの回折Ｘ線５は二次元Ｘ線検出器６
により計測される。また非対称反射結晶分光器２．Ｘ線
鏡３及び試料４の駆動は、分光器駆動台８．Ｘ線鏡駆動
台９，６軸試料台７により計算機１１から制御される。
シーケンサ１０は各駆動台を制御するためのインターフ
ェイスである。二次元Ｘ線検出器６により計測されたデ
ータは計算機１１により処理され、結果が画像表示装置
１２により表示される０分光器２の回折面には５ｉ（１
１１）を用い、非対称因子は分光波長０．１２４ｎｍの
ときに１００とした。連続スペクトルである入射Ｘ線は
コリメータにより１０ｍｍＸ０．２ｍに成型されて非対
称反射結晶分光器２に照射される。非対称反射結晶分光
器２からの反射Ｘ線は分光器上で幅０ 、１ ｍＸ Ｏ
Ｌ ２ ｍ、輝度１０倍となって出射される。出射Ｘ線
は後置の第４図に示したＸ線鏡３（トロイダル鏡）によ
り、試料４の表面上に集光される。これにより。
ェイスである。二次元Ｘ線検出器６により計測されたデ
ータは計算機１１により処理され、結果が画像表示装置
１２により表示される０分光器２の回折面には５ｉ（１
１１）を用い、非対称因子は分光波長０．１２４ｎｍの
ときに１００とした。連続スペクトルである入射Ｘ線は
コリメータにより１０ｍｍＸ０．２ｍに成型されて非対
称反射結晶分光器２に照射される。非対称反射結晶分光
器２からの反射Ｘ線は分光器上で幅０ 、１ ｍＸ Ｏ
Ｌ ２ ｍ、輝度１０倍となって出射される。出射Ｘ線
は後置の第４図に示したＸ線鏡３（トロイダル鏡）によ
り、試料４の表面上に集光される。これにより。
出射Ｘ線の角度広がりによる水平面上でのＸ線幅の広が
りと、輝度減少の影響を無くすことができた。試料４か
らの回折Ｘ線５の強度及び二次元像を写真あるいはイメ
ージングプレート等の二次元Ｘ線検出器６により測定す
ることにより、試料４の微小領域での結晶間隔、相同室
や試料台７の駆動と連動させることより、結晶方位方向
測定等の構造解析が可能となる０本実施例に於て、シン
クロトロン放射光をＸ線光源とすることにより、高強度
、任意波長での微小Ｘ線束が得られるという効果がある
。また、Ｘｌ１１３により水平面と垂直面でＸ線を集光
するために、非対称反射結晶分光器単独の場合よりも、
より高輝度、微小Ｘ線束の生成が可能となる効果がある
。さらに、ｘＩ！鏡にトロイダル鏡を用いることにより
、Ｘ線鏡の駆動機構が簡単になるという効果がある。な
お１本実施例においては、二次元Ｘ線検出器による６軸
型試料台の回折装置を示したが、２軸、３軸、４軸型の
試料台で、計数管による回折装置でも同様の微小部Ｘ線
回折が可能となる。
りと、輝度減少の影響を無くすことができた。試料４か
らの回折Ｘ線５の強度及び二次元像を写真あるいはイメ
ージングプレート等の二次元Ｘ線検出器６により測定す
ることにより、試料４の微小領域での結晶間隔、相同室
や試料台７の駆動と連動させることより、結晶方位方向
測定等の構造解析が可能となる０本実施例に於て、シン
クロトロン放射光をＸ線光源とすることにより、高強度
、任意波長での微小Ｘ線束が得られるという効果がある
。また、Ｘｌ１１３により水平面と垂直面でＸ線を集光
するために、非対称反射結晶分光器単独の場合よりも、
より高輝度、微小Ｘ線束の生成が可能となる効果がある
。さらに、ｘＩ！鏡にトロイダル鏡を用いることにより
、Ｘ線鏡の駆動機構が簡単になるという効果がある。な
お１本実施例においては、二次元Ｘ線検出器による６軸
型試料台の回折装置を示したが、２軸、３軸、４軸型の
試料台で、計数管による回折装置でも同様の微小部Ｘ線
回折が可能となる。
次に、本発明の他の実施例を説明する。装置の構成は、
上記実施例のＸ線鏡を第５図で示したＸ線鏡に置き換え
た集光光学系からなる０本実施例では、非対称反射結晶
分光器２による疑似発光点を水平面集光用円筒鏡で、ま
た最初の発光点を垂直面集光用円筒鏡でそれぞれ独立に
、同一位置にＸ線を集光させることが可能となる０本実
施例においては、Ｘ線鏡を分割することにより、鏡の製
作が容易になるという効果がある。また本実施例に於て
１円筒鏡を楕円筒鏡にすることにより、球面収差がない
集光光学系が可能となる。
上記実施例のＸ線鏡を第５図で示したＸ線鏡に置き換え
た集光光学系からなる０本実施例では、非対称反射結晶
分光器２による疑似発光点を水平面集光用円筒鏡で、ま
た最初の発光点を垂直面集光用円筒鏡でそれぞれ独立に
、同一位置にＸ線を集光させることが可能となる０本実
施例においては、Ｘ線鏡を分割することにより、鏡の製
作が容易になるという効果がある。また本実施例に於て
１円筒鏡を楕円筒鏡にすることにより、球面収差がない
集光光学系が可能となる。
次に、本発明によるＸ線分析装置の一種である蛍光Ｘ線
分析装置の一実施例を第６図により説明する。第６図に
於て第１図と同一部分または相当部分には同一符号が付
けである０本装置の構成は、第５図で示したＸ線集光光
学系と、試料からの蛍光Ｘ線を検出する半導体検出器２
２と、Ｘ線光学素子と試料を駆動する駆動台８，９．７
と、駆動台の制御及び検出器からのデータを取り込むた
めのインターフェイス１ｏと計算機１１とから成る。
分析装置の一実施例を第６図により説明する。第６図に
於て第１図と同一部分または相当部分には同一符号が付
けである０本装置の構成は、第５図で示したＸ線集光光
学系と、試料からの蛍光Ｘ線を検出する半導体検出器２
２と、Ｘ線光学素子と試料を駆動する駆動台８，９．７
と、駆動台の制御及び検出器からのデータを取り込むた
めのインターフェイス１ｏと計算機１１とから成る。
入射Ｘ線１はＳ ｉ（１１１）、非対称因子１００の非
対称反射結晶分光器２により、波長０．０８２ｎｍの水
平面内で縮ｌＪＸされたＸ線が出射される。
対称反射結晶分光器２により、波長０．０８２ｎｍの水
平面内で縮ｌＪＸされたＸ線が出射される。
縮小されたＸ線は、溶融石英上に白金蒸着した円筒鏡２
０．２１により水平面、垂直面内で集光される。試料か
らの蛍光Ｘ線は半導体検出器２２により検出され、Ｘ線
照射部位における遷移金属などの元素分析が可能である
０本実施例においては、試料上でのＸ線照射領域を微小
にするとともに、試料台７により試料４を二次元走査す
ることにより、試料表面上の多重元素の二次元像が計測
できるという効果がある。
０．２１により水平面、垂直面内で集光される。試料か
らの蛍光Ｘ線は半導体検出器２２により検出され、Ｘ線
照射部位における遷移金属などの元素分析が可能である
０本実施例においては、試料上でのＸ線照射領域を微小
にするとともに、試料台７により試料４を二次元走査す
ることにより、試料表面上の多重元素の二次元像が計測
できるという効果がある。
最後に、本発明によるＸ線分析装置の一種であるＸ線光
電子分析装置の一実施例を第７図により説明する。第７
図に於て第１図と同一部分または相当部分には同一符号
が付けである０本装置の構成は、第４図で示したＸ線集
光光学系と、試料からの二次電子を検出する検出器２３
と、Ｘ線光学素子と試料を駆動する駆動台８，９．７と
、駆動台の制御及び検出器からのデータを取り込むため
のインターフェイス１０と計算機１１とから成る。
電子分析装置の一実施例を第７図により説明する。第７
図に於て第１図と同一部分または相当部分には同一符号
が付けである０本装置の構成は、第４図で示したＸ線集
光光学系と、試料からの二次電子を検出する検出器２３
と、Ｘ線光学素子と試料を駆動する駆動台８，９．７と
、駆動台の制御及び検出器からのデータを取り込むため
のインターフェイス１０と計算機１１とから成る。
シンクロトロン放射光からの入射Ｘ線１は、Ｉ ｎ５ｂ
（１１１）、非対称因子１００の非対称反射結晶分光器
２とトロイダル鏡３により、波長０．８３４ｎｍ のＸ
ｉＢが試料表面上に集光される。
（１１１）、非対称因子１００の非対称反射結晶分光器
２とトロイダル鏡３により、波長０．８３４ｎｍ のＸ
ｉＢが試料表面上に集光される。
試料からの二次電子は検出器２３により検出され、試料
の微小領域での化学結合状態の分析が可能である。本実
施例においては、入射Ｘ線の大気による吸収を少なくす
るために、Ｘ線光路上及び試料近傍は高真空下にした。
の微小領域での化学結合状態の分析が可能である。本実
施例においては、入射Ｘ線の大気による吸収を少なくす
るために、Ｘ線光路上及び試料近傍は高真空下にした。
本発明によれば、非対称反射結晶分゛光器による疑似発
光点と、最初の発光点からのＸ線をそれぞれ同一位置に
集光するＸ線鏡を設けることにより、非対称反射結晶分
光器のみによる縮小光学系に比べ、より高輝度微小Ｘ線
束の生成が可能となり、試料上でのより微小な領域での
結晶構造解析２組成分析、化学結合状態の解析などが可
能となる効果がある。
光点と、最初の発光点からのＸ線をそれぞれ同一位置に
集光するＸ線鏡を設けることにより、非対称反射結晶分
光器のみによる縮小光学系に比べ、より高輝度微小Ｘ線
束の生成が可能となり、試料上でのより微小な領域での
結晶構造解析２組成分析、化学結合状態の解析などが可
能となる効果がある。
第１図は本発明に係わる微小部ＸＳ回折装置の一実施例
を示す構成図、第２図は従来の微小部Ｘ線回折装置を示
す構成図、第３図は非対称反射結晶分光器による入射Ｘ
線を縮小するための説明図、第４図、第５図はＸ線鏡に
より疑似発光点及び、最初の発光点を同一位置に集光さ
せるＸ線光学系の説明図、第６図は本発明に係わる蛍光
Ｘ線分析装置の一実施例を示す構成図、第７図は本発明
に係わるＸ線光電子分析装置の一実施例を示す構成図で
ある。 １・・・入射Ｘ線、２・・・非対称反射結晶分光器、３
・・・Ｘ線鏡、４・・・試料、５・・・回折Ｘ線、６・
・・二次元Ｘ線検出器、７・・・発光点、１８・・・疑
似発光点、２０第 図 第 図 第 図 第 図
を示す構成図、第２図は従来の微小部Ｘ線回折装置を示
す構成図、第３図は非対称反射結晶分光器による入射Ｘ
線を縮小するための説明図、第４図、第５図はＸ線鏡に
より疑似発光点及び、最初の発光点を同一位置に集光さ
せるＸ線光学系の説明図、第６図は本発明に係わる蛍光
Ｘ線分析装置の一実施例を示す構成図、第７図は本発明
に係わるＸ線光電子分析装置の一実施例を示す構成図で
ある。 １・・・入射Ｘ線、２・・・非対称反射結晶分光器、３
・・・Ｘ線鏡、４・・・試料、５・・・回折Ｘ線、６・
・・二次元Ｘ線検出器、７・・・発光点、１８・・・疑
似発光点、２０第 図 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、所定の試料に入射する一次線にＸ線を使用するＸ線
光学系と、試料を固定及び駆動する試料台と、試料から
の二次線を検出する検出器とからなるＸ線分析装置にお
いて、試料に入射するＸ線の光路上に非対称反射の結晶
分光器と、該結晶分光器による疑似発光点と最初の発光
点からのＸ線を同一位置に集光するＸ線鏡をそれぞれ一
個以上設けたＸ線集光光学系を備えたことを特徴とする
Ｘ線分析装置。 ２、所定の試料に入射するＸ線の光路上に非対称反射の
結晶分光器と、該結晶分光器による疑似発光点と最初の
発光点からのＸ線を同一位置に集光するＸ線鏡をそれぞ
れ一個以上設けたＸ線集光光学系と試料からの回折Ｘ線
を検出する検出器を備えたことを特徴とする微小部Ｘ線
回折装置。 ３、所定の試料に入射するＸ線の光路上に非対称反射の
結晶分光器と、該結晶分光器による疑似発光点と最初の
発光点からのＸ線を同一位置に集光するＸ線鏡をそれぞ
れ一個以上設けたＸ線集光光学系と試料からの蛍光Ｘ線
を検出する検出器を備えたことを特徴とする蛍光Ｘ線分
析装置。 ４、所定の試料に入射するＸ線の光路上に非対称反射の
結晶分光器と、該結晶分光器による疑似発光点と最初の
発光点からのＸ線を同一位置に集光するＸ線鏡をそれぞ
れ一個以上設けたＸ線集光光学系と試料からの二次電子
を検出する検出器を備えたことを特徴とするＸ線光電子
分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150034A JPH0443998A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | Ｘ線分析装置，微小部ｘ線回折装置，蛍光ｘ線分析装置及び，ｘ線光電子分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150034A JPH0443998A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | Ｘ線分析装置，微小部ｘ線回折装置，蛍光ｘ線分析装置及び，ｘ線光電子分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443998A true JPH0443998A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15488053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150034A Pending JPH0443998A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | Ｘ線分析装置，微小部ｘ線回折装置，蛍光ｘ線分析装置及び，ｘ線光電子分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443998A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2754102A1 (fr) * | 1996-09-27 | 1998-04-03 | Nec Corp | Procede de generation d'un microfaisceau de rayons x et dispositif pour celui-ci |
| EP0858664A1 (en) * | 1995-08-11 | 1998-08-19 | Oryx Instruments and Materials Corporation | X-ray thickness gauge |
| JP2002168997A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | New Industry Research Organization | Ｘ線マイクロビーム生成装置 |
| KR20180041224A (ko) * | 2015-09-25 | 2018-04-23 | 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸 | X선 현미경 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2150034A patent/JPH0443998A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0858664A1 (en) * | 1995-08-11 | 1998-08-19 | Oryx Instruments and Materials Corporation | X-ray thickness gauge |
| EP0858664A4 (en) * | 1995-08-11 | 2002-04-10 | Therma Wave Inc | X-RAY Thickness Gauge |
| FR2754102A1 (fr) * | 1996-09-27 | 1998-04-03 | Nec Corp | Procede de generation d'un microfaisceau de rayons x et dispositif pour celui-ci |
| NL1007118C2 (nl) * | 1996-09-27 | 1998-05-08 | Nec Corp | Werkwijze voor het opwekken van een röntgenstralenmicrobundel en inrchting daarvoor. |
| FR2756449A1 (fr) * | 1996-09-27 | 1998-05-29 | Nec Corp | Procede de generation d'un microfaisceau de rayons x et dispositif pour celui-ci |
| JP2002168997A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | New Industry Research Organization | Ｘ線マイクロビーム生成装置 |
| KR20180041224A (ko) * | 2015-09-25 | 2018-04-23 | 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸 | X선 현미경 |
| US11189392B2 (en) | 2015-09-25 | 2021-11-30 | Osaka University | X-ray microscope |
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