JPH03144421A - 液晶表示装置用電極板およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置用電極板およびその製造方法Info
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- JPH03144421A JPH03144421A JP1282619A JP28261989A JPH03144421A JP H03144421 A JPH03144421 A JP H03144421A JP 1282619 A JP1282619 A JP 1282619A JP 28261989 A JP28261989 A JP 28261989A JP H03144421 A JPH03144421 A JP H03144421A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、カラー液晶デイスプレィのカラーフィルター
に用いられる液晶表示装置用電極板およびその製造方法
に関する。
に用いられる液晶表示装置用電極板およびその製造方法
に関する。
〈従来技術〉
近時、スーパーツイストネマティ７り（以下ＳＴＮと略
称）、ホメオトロピック、強誘電とよばれる単純マトリ
クス（あるいはＸ−Ｙ方式ともいう）タイプの液晶デイ
スプレィが注目されている。
称）、ホメオトロピック、強誘電とよばれる単純マトリ
クス（あるいはＸ−Ｙ方式ともいう）タイプの液晶デイ
スプレィが注目されている。
また、液晶デイスプレィの軽ＩＩ型化の目的で、駆動用
ＩＣを直接基板に実装するＣＯＧとよばれる手法が注目
されている。また、液晶デイスプレィのコントラストを
向上させるため、ブラックマトリクスを採用することが
多い。ブランクマトリクスの材料は突起異物や色ムラ発
生の少ない金属クロムの薄膜（以下Ｃｒと略称）を用い
ることが多くなってきている。また、表示高密度化に伴
い透明電極（以下ＩＴＯと略称）のパターン間のキャッ
プやパターンピッチがきわめて小さくなってきている。
ＩＣを直接基板に実装するＣＯＧとよばれる手法が注目
されている。また、液晶デイスプレィのコントラストを
向上させるため、ブラックマトリクスを採用することが
多い。ブランクマトリクスの材料は突起異物や色ムラ発
生の少ない金属クロムの薄膜（以下Ｃｒと略称）を用い
ることが多くなってきている。また、表示高密度化に伴
い透明電極（以下ＩＴＯと略称）のパターン間のキャッ
プやパターンピッチがきわめて小さくなってきている。
ギャップは２０〜５μｍ程度、パターンピンチも１００
〜４０μｍ程度要求されるようになってきている。
〜４０μｍ程度要求されるようになってきている。
〈発明が解決しようとする課題〉
ＩＴＯのパターンの微細化に伴い、端子部や基板上の配
線の引回し部の配線抵抗値が増大し、駆ｖＪ電圧の低下
即ち液晶デイスプレィの表示品位の低下につながってし
まう問題があった。ＩＴＯの抵抗値を下げれば良いが、
実生産を考慮したＩＴＯの面積抵抗値は８Ω／ｃｍ”が
限界であり、駆動電圧の改善には限度があった。また、
ＩＴＯのパターンの微細化は実装の精度面にも問題が出
てきた。微細な上にＩＴＯが透明で観察しづらいため実
装の精度が低下し易い。
線の引回し部の配線抵抗値が増大し、駆ｖＪ電圧の低下
即ち液晶デイスプレィの表示品位の低下につながってし
まう問題があった。ＩＴＯの抵抗値を下げれば良いが、
実生産を考慮したＩＴＯの面積抵抗値は８Ω／ｃｍ”が
限界であり、駆動電圧の改善には限度があった。また、
ＩＴＯのパターンの微細化は実装の精度面にも問題が出
てきた。微細な上にＩＴＯが透明で観察しづらいため実
装の精度が低下し易い。
しかし、ブラックマトリクスパターンと端子部の金属薄
膜を別々の工程で設けると、フォトリソ工程が増加し、
コストが増加するばかりではなく、収率も大幅に低下す
る。
膜を別々の工程で設けると、フォトリソ工程が増加し、
コストが増加するばかりではなく、収率も大幅に低下す
る。
く課題を解決するための手段〉
本発明は透明な基板上に、金属薄膜による、ブラックマ
トリクスパターンと電気的に独立した端子部のパターン
が載置され、該ブラックマトリクスパターン上に順にカ
ラーフィルター層とオーバーコートパターンが積層して
あり、該端子部のパターンの一部に重畳しかつオーバー
コートパターン上に積層するように透明電極が形成され
た構成である液晶表示装置用電極板である。
トリクスパターンと電気的に独立した端子部のパターン
が載置され、該ブラックマトリクスパターン上に順にカ
ラーフィルター層とオーバーコートパターンが積層して
あり、該端子部のパターンの一部に重畳しかつオーバー
コートパターン上に積層するように透明電極が形成され
た構成である液晶表示装置用電極板である。
本発明による金属薄膜は基板であるガラスとの密着力が
高い材料が好しく、アルミニウム、チタン、タングステ
ン、モリブデン、タンタル、クロム及びこれらの金属の
化合物や合金、これら金属の酸化物と金属の２層や３層
の構成等が適切である。
高い材料が好しく、アルミニウム、チタン、タングステ
ン、モリブデン、タンタル、クロム及びこれらの金属の
化合物や合金、これら金属の酸化物と金属の２層や３層
の構成等が適切である。
く作用〉
本発明は、端子部のパターンをあらかじめ抵抗値の低い
金属薄膜で形成しておくため、端子部及び引回し部の配
線抵抗を大幅に下げ得る。このため駆動電圧の低下を少
くし液晶の表示品位を劣化させない０本発明はブラック
マトリクスパターンと端子部のパターンを同じプロセス
で同時に形成できる省プロセスのメリットがある。
金属薄膜で形成しておくため、端子部及び引回し部の配
線抵抗を大幅に下げ得る。このため駆動電圧の低下を少
くし液晶の表示品位を劣化させない０本発明はブラック
マトリクスパターンと端子部のパターンを同じプロセス
で同時に形成できる省プロセスのメリットがある。
〈実施例〉
大きさ３００Ｘ３２０ｍｍ、、厚さ１．１ｍｍのフロー
トガラスの基板（１）に厚さ０．１μｍのＣｒのパター
ン（２）を設け、ブラックマトリクスパターンとしであ
る。ブラックマトリクスパターン上にはカラーフィルタ
ー層（３）とオーバーコートパターン（４）が積層され
ている。カラーフィルター層は印刷にて約２μｍ厚みに
、オーバーコートパターンは感光性のエポキシ樹脂にて
約１μｍ厚みに形成したものである。Ｃｒのパターン（
２゛）上に一部重畳するように０．２４μｍＷ−みのＩ
ＴＯのパターンが透明電極（５）として積層しである。
トガラスの基板（１）に厚さ０．１μｍのＣｒのパター
ン（２）を設け、ブラックマトリクスパターンとしであ
る。ブラックマトリクスパターン上にはカラーフィルタ
ー層（３）とオーバーコートパターン（４）が積層され
ている。カラーフィルター層は印刷にて約２μｍ厚みに
、オーバーコートパターンは感光性のエポキシ樹脂にて
約１μｍ厚みに形成したものである。Ｃｒのパターン（
２゛）上に一部重畳するように０．２４μｍＷ−みのＩ
ＴＯのパターンが透明電極（５）として積層しである。
本発明は以上の実施例に示した各層の厚みやサイズ、材
料に制限するものでない。カラーフィルター層はフォト
リソグラフィの手法で形成しても良い、カラーフィルタ
ー層やオーバーコートパターンの材料はアクリル、ポリ
イミド、ポリアミドの他、耐熱性あり透明性のある樹脂
の適用が可能である。Ｃｒの端子部のパターンの幅とＩ
ＴＯの端子部のパターン幅は同程度で良いが、アライメ
ンート精度を考慮して隣接するパターンと接触しないよ
うにする必要がある。
料に制限するものでない。カラーフィルター層はフォト
リソグラフィの手法で形成しても良い、カラーフィルタ
ー層やオーバーコートパターンの材料はアクリル、ポリ
イミド、ポリアミドの他、耐熱性あり透明性のある樹脂
の適用が可能である。Ｃｒの端子部のパターンの幅とＩ
ＴＯの端子部のパターン幅は同程度で良いが、アライメ
ンート精度を考慮して隣接するパターンと接触しないよ
うにする必要がある。
本発明は端子部のパターンをあらかじめ金属薄膜で形成
しておくため、配線抵抗をＩＴＯ単体の場合と比較して
１ｈ〜１ハ以下に下げ得る。このため液晶の駆動電圧の
低下を少くし液晶の応答の改善に効果がある６本発明は
ブラックマトリクスパターンと端子部のパターンを同時
に形成できるのでコスト面でのメリットがある。
しておくため、配線抵抗をＩＴＯ単体の場合と比較して
１ｈ〜１ハ以下に下げ得る。このため液晶の駆動電圧の
低下を少くし液晶の応答の改善に効果がある６本発明は
ブラックマトリクスパターンと端子部のパターンを同時
に形成できるのでコスト面でのメリットがある。
また、工程数が減るので損品発生率を低下する働きもあ
る。
る。
加えて、端子部が金属薄膜で形成されているため透明電
極と相違して実装の状態が観察し易く、結果として実装
の収率向上に役立つ。
極と相違して実装の状態が観察し易く、結果として実装
の収率向上に役立つ。
第１図は、本発明による表示装置用電極板の模式断面図
である。 １ ・・・・基板 ２，２°・・・・ Ｃｒのパターン
３ ・・・・ カラーフィルター層 ４ ・・・・オーバーコートパターン ５ 透明電極 端子部 特 許 出 願 人 凸 版 印 刷 株 式
である。 １ ・・・・基板 ２，２°・・・・ Ｃｒのパターン
３ ・・・・ カラーフィルター層 ４ ・・・・オーバーコートパターン ５ 透明電極 端子部 特 許 出 願 人 凸 版 印 刷 株 式
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）透明な基板上に、金属薄膜による、ブラックマトリ
クスパターンと端子部が載置され、該ブラックマトリク
スパターン上に順にカラーフィルター層とオーバーコー
トパターンが積層してあり、端子部のパターンの一部に
重畳しかつオーバーコートパターン上に積層するように
透明電極が形成された液晶表示装置用電極板。 ２）透明な基板上に金属薄膜を全面形成したのちフォト
リソ法によりパターン形成してブラックマトリクスパタ
ーンと端子部を形成し、次にカラーフィルター層をオー
バーコートパターンと透明電極を順にパターン形成する
事を特徴とする液晶表示装置用電極板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1282619A JPH087345B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 液晶表示装置用電極板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1282619A JPH087345B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 液晶表示装置用電極板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03144421A true JPH03144421A (ja) | 1991-06-19 |
| JPH087345B2 JPH087345B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=17654881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1282619A Expired - Fee Related JPH087345B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 液晶表示装置用電極板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087345B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4340780A1 (de) * | 1993-02-05 | 1994-08-11 | Samsung Display Devices Co Ltd | Farbfiltersubstrat für Flüssigkristallanzeige |
| US6768533B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-07-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, manufacturing method therefor, and electronic apparatus |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP1282619A patent/JPH087345B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4340780A1 (de) * | 1993-02-05 | 1994-08-11 | Samsung Display Devices Co Ltd | Farbfiltersubstrat für Flüssigkristallanzeige |
| JPH06250226A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-09-09 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 液晶表示素子 |
| US6768533B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-07-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, manufacturing method therefor, and electronic apparatus |
| US7092050B2 (en) | 2000-05-25 | 2006-08-15 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, manufacturing method therefor, and electronic apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH087345B2 (ja) | 1996-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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