JP2007155990A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】非線形素子の電気的特性のばらつきが発生せず、コントラストのムラを抑えた電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に複数の非線形素子を備えてなる電気光学装置の製造方法であって、基板上に、非線形素子を形成するための複数の導電パターン５０と、幹線５５ａと、当該幹線５５ａから分岐して所定の方向に延在する第１の支線５５ｂ，当該第１の支線５５ｂから分岐するとともに所定の方向とは交差する方向に延在して複数の導電パターン５０に電気的に接続する第２の支線５５ｃを有する給電パターン５５とを形成する工程と、給電パターン５５を介して導電パターン５０に給電し、当該導電パターン５０の表面に酸化膜を形成することにより、非線形素子の絶縁層を形成する陽極酸化工程とを有し、給電パターン５５の少なくとも第１の支線５５ｂ及び第２の支線５５ｃの幅を同一に形成することを特徴とする。
【選択図】図５

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。

近年、携帯電話機器、ビデオカメラ等の電子機器の表示部として、液晶装置等の電気光学装置が広く用いられている。この電気光学装置に用いるスイッチング素子としては、二端子型非線形素子が知られている（例えば、特許文献１参照。）。この特許文献１に記載の二端子型非線形素子は、まず、ガラス基板にタンタル薄膜により下部電極を形成した後、この下部電極の一部を覆うように、信号配線を形成する。そして、下部電極の表面と信号線の表面とを陽極酸化し絶縁膜を形成するものである。ここで、すべての信号線は、陽極酸化配線により電気的に接続されており、また、信号配線に比べ、陽極酸化配線の幅の方が広く形成されている。
特開平１０−７０３２６号公報

しかしながら、このような陽極酸化工程により液晶装置を組み立てた場合、液晶装置の幹線から分岐した給電パターン近傍において、コントラストのムラが生じるという問題がある。そこで、本願発明者らは、非線形素子の電気的特性を測定したところ、幹線から分岐した給電パターン近傍の非線形素子が、給電パターンから離れた非線形素子に比べてＩ／Ｖ値（電流−電圧特性）に変動があるという新たな知見を得た。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、非線形素子の電気的特性のばらつきが発生せず、コントラストのムラを抑えた電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に複数の非線形素子を備えてなる電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に、前記非線形素子を形成するための複数の導電パターンと、幹線と、当該幹線から分岐して所定の方向に延在する第１の支線，当該第１の支線から分岐するとともに前記所定の方向とは交差する方向に延在して前記複数の導電パターンに電気的に接続する第２の支線を有する給電パターンとを形成する工程と、前記給電パターンを介して前記導電パターンに給電し、当該導電パターンの表面に酸化膜を形成することにより、前記非線形素子の絶縁層を形成する陽極酸化工程とを有し、前記給電パターンの少なくとも前記第１の支線及び前記第２の支線の幅を同一に形成することを特徴とする。

本発明に係る電気光学装置の製造方法では、給電パターンの少なくとも第１、第２の支線の幅が同一であるため、各導電パターンにおいて、給電パターンの第１の支線近傍の領域と給電パターンの第１の支線から離れた領域とを一定の条件で陽極酸化することができる。すなわち、従来のように、陽極酸化配線（給電パターンの第１の支線）が信号配線（給電パターンの第２の支線）の幅に比べ大きい場合では、幅の大きい給電パターンの第１の支線近傍の導電パターンに電流が多く流れ、陽極酸化速度が速くなってしまう。したがって、素子抵抗は陽極酸化速度が速いほど抵抗が低くなってしまうが、本発明では、一定の条件ですべての導電パターンに電流を流し、陽極酸化することができるので、非線形素子の電気的特性のばらつきを抑えることができる。したがって、コントラストのムラを抑えた電気光学装置を得ることが可能となる。

また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記給電パターンの前記第１の支線及び前記第２の支線の幅を前記導電パターンの幅と同一に形成することが好ましい。
本発明に係る電気光学装置の製造方法では、給電パターンの第１、第２の支線の幅を導電パターンの幅と同一にすることで、第１、第２の支線及び導電パターンを均一に給電することができる。

また、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に複数の非線形素子を備えてなる電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に、前記非線形素子を形成するための複数の導電パターンと、幹線と、当該幹線から分岐して所定の方向に延在する第１の支線と、当該第１の支線から分岐するとともに前記所定の方向とは交差する方向に延在して前記複数の導電パターンに電気的に接続する第２の支線を有する給電パターンとを形成する工程と、前記給電パターンを介して前記導電パターンに給電し、当該導電パターンの表面に酸化膜を形成することにより、前記非線形素子の絶縁層を形成する陽極酸化工程とを有し、前記導電パターン及び前記給電パターンを形成するに際して、前記導電パターンが形成された領域を含む所定の領域内の前記導電パターンと前記給電パターンとを含むパターン密度を所定値以内にすることを特徴とする。

本発明に係る電気光学装置の製造方法では、導電パターンが形成された領域を含む所定の領域内の導電パターンと給電パターンとを含むパターン密度が所定値以内であるため、導電パターンの陽極酸化のばらつきを所定範囲内に収めることができる。したがって、陽極酸化される導電パターンの電気的特性のばらつきを所定範囲内に収めることができるので、一定の条件ですべての導電パターンを陽極酸化することが可能となる。

また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記所定値とは、前記パターン密度のうち最も高いパターン密度と、最も低いパターン密度との差が２倍以内であることが好ましい。
本発明に係る電気光学装置の製造方法では、最も高いパターン密度が、最も低いパターン密度の２倍以内であるため、非線形素子の電気的特性のばらつきを最小限に収めることができるので、簡易な方法で導電パターン及び給電パターンを形成することが可能となる。

また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記基板の有効表示領域の周縁部に、前記導電パターンと同じ材質からなるとともに、前記導電パターンと電気的に切断した遮光膜を形成することが好ましい。

本発明に係る電気光学装置の製造方法では、遮光膜と導電パターンとを同じ材質で形成することにより、同一工程で形成ができるため、製造が容易になる。また、材質として、例えば、タンタル（Ｔａ）で形成することにより、基板周辺の非表示領域が白く光ることを防止でき、表示の視認性を高めることができる。さらに、遮光膜を導電パターンと電気的に切断して形成することにより、遮光膜近傍の導電パターンに影響を及ぼすことがないので、非線形素子の電気的特性のばらつきを抑えることが可能となる。

以下、本発明の実施の形態を図面に参照して説明する。本実施形態では、電気光学装置として液晶表示装置を例に挙げて説明する。
＜液晶表示装置＞
まず、本実施形態で製造する液晶表示装置１の構成について簡単に説明する。図１は、本実施形態で製造する液晶表示装置１の全体構成を示す斜視図である。
液晶表示装置１は、スイッチング素子として二端子型非線形素子、ここではＴＦＤ（Thin Film Diode）素子２２を用いたアクティブマトリクス型であり、液晶パネル２と、バックライト３とを主体として構成されている。
液晶パネル２は、ＴＦＤアレイ基板（基板）４と、当該ＴＦＤアレイ基板４に対向配置されたカラーフィルタ基板５とが、例えばスペーサを兼ねる導電性粒子（図示しない）の混入されたシール材７によって一定の間隙を保って貼り合わされているとともに、シール材７によって区画された領域に例えばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶６が封入された構成となっている。

シール材７は液晶注入口７ａを有しており、当該液晶注入口７ａは封止材７ｂにより封止されている。シール材７の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）８が形成されている。遮光膜８の内側の領域は、画像や動画等を表示する有効表示領域９になっている。表示領域９には、複数のドット領域１０がマトリクス状に設けられている。

ＴＦＤアレイ基板４の図中右辺側及び下辺側は、カラーフィルタ基板５から張り出した張出領域になっている。この張出領域のうち図中右辺側には、ＴＦＤアレイ基板４側に形成された走査線への走査信号を生成する走査線駆動ドライバ１１が設けられている。図中下辺側には、カラーフィルタ基板５側に形成された信号線への電気信号を生成する信号線駆動ドライバ１２と、例えば駆動素子等の外部回路を有するフレキシブル基板２０に接続された端子を有する接続部１４とが設けられている。信号線駆動ドライバ１２からの信号は、例えばシール材７に混入された導電性粒子を介して、信号線に供給される構成になっている。
走査線駆動ドライバ１１と接続部１４との間の領域には、両者を接続する配線１５が形成されている。信号線駆動ドライバ１２と接続部１４とは、配線１８によって接続されている。

次に、液晶パネル２の構成について説明する。
液晶パネル２は、ＴＦＤアレイ基板４の内側表面には、図２に示すように、複数本のデータ線２１と、それらのデータ線２１に接続される複数のＴＦＤ素子２２と、それらのＴＦＤ素子２２と１対１に接続される画素電極２３とが形成されている。データ線２１は、図２において紙面に対して垂直方向に延在して形成される。一方、ＴＦＤ素子２２および画素電極２３は、ドットマトリクス状に配列している。そして、画素電極２３などの表面には、一軸配向処理、例えばラビング処理が施された配向膜２４が形成されている。
また、ＴＦＤ素子２２は、図３に示すように、画素電極２３に走査信号を選択して供給する二端子型のスイッチング素子であり、上部電極２７，２８と、下部電極２６とを主体に構成されている。上部電極２７，２８は、例えば、クロムやアルミニウム等の金属によって形成されている。下部電極２６は、例えば、タンタル（Ｔａ）等によって形成されている。また、下部電極２６の表面には、陽極酸化膜（タンタル酸化物）からなる絶縁膜４５が形成されている。

一方、カラーフィルタ基板５の内側表面には、図２に示すように、カラーフィルタ３１が形成されており、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」の３色の着色層を構成している。なお、これら３色の着色層の隙間には、ブラックマトリクス３２が形成されて、着色層の隙間からの入射光を遮蔽する構成となっている。カラーフィルタ３１およびブラックマトリクス３２の表面にはオーバーコート層３３が形成され、さらにその表面には、走査線として機能する対向電極３４が、データ線２１と直交する方向に形成されている。なお、オーバーコート層３３は、カラーフィルタ３１およびブラックマトリクス３２の平滑性を高めて、対向電極３４の断線を防止する目的などのために設けられる。さらに、対向電極３４の表面には、ラビング処理が施された配向膜３５が形成されている。なお、配向膜２４、３５は、一般にポリイミド等から形成される。
ＴＦＤアレイ基板４とカラーフィルタ基板５とは、スペーサ（図示省略）を含むシール材７によって一定の間隙を保って接合され、この間隙に、液晶６が封入された構成となっている。

＜液晶表示装置の製造方法＞
以下、上記構成を備えた液晶表示装置（電気光学装置）の製造方法を図４から図７を参照して説明する。本実施形態では、一枚のガラス基板（マザー基板）４１から複数の液晶パネルを製造する、いわゆる多面取りを行う場合を例に挙げて説明する。
図６は、ガラス基板４１に形成された導電パターン及び給電パターンを示す全体図であり、図４は、液晶表示装置１を構成するＴＦＤアレイ基板４の製造工程を示す断面工程図であり、図５は、図４に示す工程のうち、陽極酸化処理工程を説明するための拡大平面図である。
なお、図４に示す断面工程図は、図３のＡ−Ａ’線に沿う断面構造に相当するものである。

まず、図４（ａ）に示すように、ＴＦＤアレイ基板４が複数個取りされるガラス基板４１を用意し、このガラス基板４１の全面に下地絶縁膜４２を形成する。下地絶縁膜４２は、例えば、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）からなり、高周波スパッタリング法等により形成することができる。次いで、下地絶縁膜４２上に、例えば、タンタル（Ｔａ）からなる第１金属膜４３を、１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度の膜厚にて形成する。

次に、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて、図４（ｂ）に示すように、第１金属膜４３をパターニングし、図５に示すようなＴＦＤ素子２２を形成するための複数の導電パターン５０と、各導電パターン５０と電気的に接続された給電パターン５５とを形成する。
導電パターン５０は、図５に示すように、第２の支線部分５５ｃの中途から分岐された平面視略鈎状（Ｌ字状）となっている。

また、給電パターン５５は、図６に示すように、ガラス基板４１の外周部及び中央領域に形成された幹線部分（幹線）５５ａと、幹線部分５５ａから分岐して所定の方向（幹線部分５５ａに対して略垂直方向）に延在する第１支線部分（第１支線）５５ｂと、第１支線部分から分岐するとともに所定の方向とは交差する方向（幹線部分４４ａに対して略平行方向）に延在して導電パターン５０に電気的に接続する第２支線部分（第２支線）５５ｃとから構成されている。この第２支線部分５５ｃは、後段の工程で形成されるデータ線２１と略平行に延びて形成されている。
なお、図中に示す一点鎖線は、各液晶パネル２に切断するための切断予定線Ｌ１である。
また、幹線部分５５ａには、ガラス基板の上辺部４１ａに設けられるとともに、クリップ６０が接続される給電位置５９が設けられている。また、第１の支線部分５５ｂは、幹線部分５５ａの幅より狭く形成されているとともに、給電パターン５５の各第２の支線部分５５ｃと電気的に接続されている。ここで、図５に示すように、給電パターン５５の第２の支線部分５５ｃの幅Ｌ及び給電パターン５５の第１の支線部分５５ｂの幅Ｍは等しく、本実施形態では、２０μｍとなっている。

次に、図７に示すように、クリップ６０を介して給電パターン５５の幹線部分５５ａに対して電源Ｅを接続し、電解槽６１で電解液中に浸漬した状態で、導電パターン５０に対して電圧を印加することにより、導電パターン５０を陽極酸化処理し、第２の支線部分５５ｃ及び導電パターン５０表面に陽極酸化膜（タンタル酸化物）からなる絶縁膜（酸化膜）４５を形成する。絶縁膜４５は、図４（ｃ）に示すように、第２の支線部分５５ｃ及び導電パターン５０の表面にほぼ均一な膜厚で形成される。
この絶縁膜４５の膜厚は、画素の精細度（液晶容量）及びそれに伴うＴＦＤ素子２２の要求特性に応じて適宜選択されるが、例えば１０ｎｍ〜３５ｎｍ程度である。陽極酸化処理に供する電解液としては、例えば０．０１〜０．１重量％程度のクエン酸水溶液が適用できる。
次いで、絶縁膜４５のピンホール除去や膜質の安定化を目的として熱処理を施す。熱処理条件は、例えば、３２０℃、３０分間とすればよい。

次に、図４（ｄ）に示すように、下地絶縁膜４２上、給電パターン５５の第２の支線部分５５ｃ，導電パターン５０及び絶縁膜４５を含む領域に、例えばクロム（Ｃｒ）からなる第２金属膜４６を、６０ｎｍ〜３００ｎｍ程度の膜厚にて形成する。この第２金属膜４６は、図３に示したデータ線２１及び上部電極２７，２８を構成するものである。
次いで、図４（ｅ）に示すように、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて第２金属膜４６をパターニングし、データ線２１及び上部電極２７，２８をパターン形成する。

次に、図４（ｆ）に示すように、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて導電パターン５０を部分的に除去し、残部により下部電極２６を構成する。このとき、給電パターン５５の第２の支線部分５５ｃは全て除去され、導電パターン５０は、その先端部を除く部分が除去される（図５参照。）。すなわち、ＴＦＤ素子２２を構成する下部電極２６は、導電パターン５０の先端部に形成されることとなる。本実施形態では、このように導電パターン５０の基端部側のみを切断して先端側を残すようにすることで、良好な素子特性を具備したＴＦＤ素子２２を作製することができる。

本実施形態に係る電気光学装置１の製造方法では、給電パターン５５の第２の支線部分５５ｃと給電パターン５５の第１の支線部分５５ｂとの幅が同一であるため、各導電パターン５０において、給電パターン５５近傍の領域と給電パターン５５から離れた領域とを一定の条件で陽極酸化することができる。すなわち、従来のように給電パターン５５が導電パターン５０の幅に比べ大きい場合では、幅の大きい給電パターン５５近傍の導電パターンの陽極酸化速度が速くなり、素子抵抗が低くなってしまうが、本発明では、一定の条件ですべての導電パターン５０を陽極酸化することができるので、ＴＦＤ素子２２の電気的特性のばらつきを抑えることが可能となる。

なお、本実施形態において、給電パターン５５の第２の支線部分５５ｃの幅Ｌ及び給電パターン５５の第１の支線部分５５ｂの幅Ｍは等しくしたが、少なくとも導電パターン５０及び給電パターン５５の第１の支線部分５５ｂの一方が配置されている所定の領域Ａ内のパターン密度が所定値以内であれば良い。例えば、所定値は、パターン密度のうち最も高いパターン密度と、最も低いパターン密度との差が２倍以内と設定され、導電パターン５０及び給電パターン５５が形成されている。
具体的には、図８に示すように、各導電パターン５０を含む半径４ｍｍの円（すなわち、領域Ａ）内の陽極酸化されるパターンの総面積を算出し、領域Ａ内におけるパターン密度を求める。このとき、異なる場所に設定した複数の領域Ａ内におけるパターン密度の最大値と最小値との差が２倍以内になるように、導電パターン５０及び給電パターン５５を設計して形成する。場所によっては給電パターン５５の支線部５５ｂも領域Ａ内の陽極酸化されるパターンの総面積に含まれるが、その場合であっても領域Ａ内におけるパターン密度の最大値と最小値の差が２倍以内になるように設計する。
この構成により、ＴＦＤ素子２２の電気的特性のばらつきを最小限に収めることができるので、簡易な方法で導電パターン５０及び給電パターン５５を形成することが可能となる。

次に、本発明に係る第２実施形態について、図９を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１実施形態に係る液晶表示装置１と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る液晶表示装置７０では、基板の有効表示領域９の周縁部に、遮光膜パッド７１を設けている点で第１実施形態と異なる。

＜液晶表示装置の製造方法＞
以下、上記構成を備えた液晶表示装置（電気光学装置）７０の製造方法を参照して説明する。
まず、第１実施形態と同様にして、図４（ａ）に示すように、ガラス基板４１上に第１金属膜４３を形成する。そして、第１金属膜４３をパターニングし、各導電パターン５０と電気的に接続された給電パターン５５とを形成する。
導電パターン５０は、図５に示すように、第１実施形態と同様に給電パターン５５の第２の支線部分５５ｃの幅Ｌ及び給電パターン５５の第１の支線部分５５ｂの幅Ｍは等しく２０μｍとなっている。そして、給電パターン５５の第１の支線部分５５ｂを挟んで導電パターン５０と対向する位置には、導電パターン５０と同じ材質からなるタンタル（Ｔａ）からなるとともに、遮光膜８の一部である遮光膜パッド（遮光膜）７１が形成されている。この遮光膜パッド７１は、導電パターン５０とは電気的に切断されている。なお、遮光膜パッド７１は、導電パターン５０及び給電パターン５５と同一工程で形成される。

本実施形態に係る電気光学装置７０の製造方法では、遮光膜パッド７１と導電パターン５０とを同じ材質で形成することにより、同一工程で形成することができるため、製造が容易になる。また、材質として、タンタル（Ｔａ）で形成することにより、ＴＦＤアレイ基板４周辺の非表示領域が白く光ってしまうのを防止することができ、表示の視認性を高めることができる。さらに、遮光膜パッド７１を導電パターン５０と電気的に切断して形成することにより、遮光膜パッド７１近傍の導電パターン５０に影響を及ぼすことがないので、ＴＦＤ素子２２の電気的特性のばらつきを抑えることが可能となる。

＜実施例１＞
次に、実施例について説明する。
本発明者らは、第１実施形態に示した製造方法により製造された液晶表示装置１のＴＦＤ素子と、従来の製造方法により製造された液晶表示装置のＴＦＤ素子のＩ／Ｖ特性との比較を行った。
本実施例１では、給電パターンの第２の支線部分の幅Ｌ及び給電パターンの第１の支線部分の幅Ｍが２０μｍの液晶表示装置１と、給電パターンの第２の支線部分の幅が３μｍ，給電パターンの第１の支線部分の幅が２００μｍの液晶表示装置とのＩ／Ｖ特性の比較を行った。
ここで、横軸を給電パターンの第１の支線部分から離れた（フレキシブル基板）側から数えた第１の支線部分（液晶注入口）側のＴＦＤ素子の位置とし、縦軸をＴＦＤ素子に１０Ｖ印加したときのＴＦＤ素子の抵抗値とし、その測定結果を図１０に示す。

図１０から分かるように、従来の液晶表示装置では、第１の支線部分側で抵抗値の変動が大きいが、本発明の液晶表示装置１では、第１の支線部分側での抵抗値の変動はほとんどなく、ＴＦＤ素子のＩ／Ｖ特性は全体的にほぼ均一となっている。したがって、本発明の液晶表示装置１の製造方法は、給電パターンの第２の支線部分の幅と給電パターンの第１の支線部分の幅とを等しくすることにより、Ｉ／Ｖ特性のばらつきがなく、ＴＦＤ素子の特性が優れた液晶表示装置１を製造することが可能となる。

＜実施例２＞
次に、第２実施形態に示した製造方法により製造された液晶表示装置７０のＴＦＤ素子と、従来の製造方法により製造された液晶表示装置のＴＦＤ素子のＩ／Ｖ特性との比較を行った。
本実施例２では、給電パターンの第１の支線部分の幅が２０μｍであり、給電パターンの第２の支線部分の幅が２０μｍの液晶表示装置７０と、給電パターンの第２の支線部分が３μｍの液晶表示装置８０と、実施例１で用いた従来の液晶装置とでＴＦＤ素子のＩ／Ｖ特性との比較を行った。
ここで、横軸を給電パターンの第１の支線部分から離れた（フレキシブル基板）側から数えた第１の支線部分（液晶注入口）側のＴＦＤ素子の位置とし、縦軸をＴＦＤ素子に１０Ｖ印加したときのＴＦＤ素子の抵抗値とし、その測定結果を図１１に示す。

図１１から分かるように、給電パターンの第２の支線部分の幅が３μｍの液晶表示装置８０でも従来例よりかなり改善されているものの、第１の支線部分近傍及び第１の支線部分から離れた側のＴＦＤ素子のＩ／Ｖ特性にばらつきが生じる。しかしながら、給電パターンの第２の支線部分の幅が２０μｍの液晶表示装置７０では、第１の支線部分近傍及び第１の支線部分から離れた側ともにＴＦＤ素子の抵抗値の変動はほとんどなく、ＴＦＤ素子のＩ／Ｖ特性は全体的にほぼ均一となっている。したがって、本発明の液晶表示装置７０の製造方法では、遮光膜パッドを設けるとともに、給電パターンの第２の支線部分の幅と給電パターンの第１の支線部分の幅とを等しくすることにより、表示の視認性を高めるとともに、Ｉ／Ｖ特性のばらつきがなく、実施例１で示した液晶表示装置１のＴＦＤ素子の特性と同等の優れた液晶表示装置７０を製造することが可能となる。

なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、少なくとも給電パターン５５の第１の支線部分５５ｂと第２の支線部分５５ｃとの幅が同一であれば良いが、導電パターン５０の幅が、第１の支線部分５５ｂ及び第２の支線部分５５ｃの幅と同一であっても良い。
また、給電パターン５５の第２の支線部分５５ｃの幅Ｌ及び給電パターン５５の第１の支線部分５５ｂの幅Ｍの太さは等しく２０μｍとしたが、２μｍ〜３０μ程度であれば、上記と同様に、全体的に均一なＴＦＤ素子２２の電気的特性を得ることが可能となる。
また、液晶表示装置１，７０においては、液晶６はＴＮ（Twisted Nematic）モードのものを採用しているが、垂直配向モード（ＶＡＮモード）のものを採用することもできる。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置を示す斜視図である。 図１の電気光学装置を示す断面図である。 図１の電気光学装置のＴＦＤ素子を示す斜視図である。 本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法の工程図を示す要部断面図である。 図１の電気光学装置の導電パターン及び給電パターンを示す拡大図である。 図４の電気光学装置の製造方法の陽極酸化工程を行う際の説明図である。 図４の電気光学装置の製造方法の陽極酸化工程を行う際の説明図である。 図１の電気光学装置の導電パターン及び給電パターンの形成方法を示す説明図である。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置を示す平面図である。 本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法により製造されたＴＦＤ素子と、従来の方法により製造されたＴＦＤ素子とのＩ／Ｖ特性を比較したグラフである。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の製造方法により製造されたＴＦＤ素子と、従来の方法により製造されたＴＦＤ素子とのＩ／Ｖ特性を比較したグラフである。

符号の説明

１，７０…液晶表示装置（電気光学装置）、４…ＴＦＤアレイ基板（基板）、２２…ＴＦＤ素子（非線形素子）、４５…絶縁膜（酸化膜）、５０…導電パターン、５５…給電パターン、５５ａ…幹線部分（幹線）、５５ｂ…第１の支線部分（第１の支線）、５５ｃ…第２の支線部分（第２の支線）

Claims (5)

1. 基板上に複数の非線形素子を備えてなる電気光学装置の製造方法であって、
   前記基板上に、前記非線形素子を形成するための複数の導電パターンと、幹線と、当該幹線から分岐して所定の方向に延在する第１の支線，当該第１の支線から分岐するとともに前記所定の方向とは交差する方向に延在して前記複数の導電パターンに電気的に接続する第２の支線を有する給電パターンとを形成する工程と、
   前記給電パターンを介して前記導電パターンに給電し、当該導電パターンの表面に酸化膜を形成することにより、前記非線形素子の絶縁層を形成する陽極酸化工程とを有し、
   前記給電パターンの少なくとも前記第１の支線及び前記第２の支線の幅を同一に形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記給電パターンの前記第１の支線及び前記第２の支線の幅を前記導電パターンの幅と同一に形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 基板上に複数の非線形素子を備えてなる電気光学装置の製造方法であって、
   前記基板上に、前記非線形素子を形成するための複数の導電パターンと、幹線と、当該幹線から分岐して所定の方向に延在する第１の支線と、当該第１の支線から分岐するとともに前記所定の方向とは交差する方向に延在して前記複数の導電パターンに電気的に接続する第２の支線を有する給電パターンとを形成する工程と、
   前記給電パターンを介して前記導電パターンに給電し、当該導電パターンの表面に酸化膜を形成することにより、前記非線形素子の絶縁層を形成する陽極酸化工程とを有し、
   前記導電パターン及び前記給電パターンを形成するに際して、
   前記導電パターンが形成された領域を含む所定の領域内の前記導電パターンと前記給電パターンとを含むパターン密度を所定値以内にすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
4. 前記所定値とは、前記パターン密度のうち最も高いパターン密度と、最も低いパターン密度との差が２倍以内であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
5. 前記基板の有効表示領域の周縁部に、前記導電パターンと同じ材質からなるとともに、前記導電パターンと電気的に切断した遮光膜を形成することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
   
   
   
   

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