JPH03143857A - 高分子基板の加工方法及び加工装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高分子基板フィルムを皺なく搬送しつつ加工す
るための加工方法及びこれを実現するための加工装置に
関する。

従来の技術 高分子基板フィルムの工業的利用分野が装飾用包装紙、
コンデンサ、プリント基板、磁気テープなどに広がって
いる。これらの工業製品の製造はロール状に巻かれた長
尺の高分子基板を用い、基板が巻き出されたのち搬送系
を通過中に必要な加工を施すのが通例であり、加工を施
された高分子基板は必要に応じて再び巻き取られて次の
加工工程に送られる。従って高分子基板フィルムを用い
た工業製品の性能は搬送系を含む加工工程の精度にかな
り左右される。また一方では製品性能及び生産性を高め
るために、基板フィルムの薄膜化・平滑化、あるいは基
板搬送速度の高速化が要求され、搬送系の高性能化がま
すます重要となりつつある。

発明が解決しようとする課題 基板フィルム搬送加工の際の基本的な課題の一つに搬送
ローラ上で基板に発生する皺が挙げられる。基板の厚さ
が小さくなり、基板表面の平滑性が高くなるにつれてこ
のローラ酸は発生し易い。

課題を解決するための手段 本発明は、長尺の高分子基板を複数のローラに沿って搬
送しつつ加工する際に、前記ローラの一部または全部が
、連続して前記高分子基板に接触しないことを特徴とす
る高分子基板の加工方法、及びこれを実現するための長
尺の高分子基板を複数のローラに沿って搬送する機構を
含む高分子基板の加工装置であって、前記ローラが少な
くとも２群に分かれ少な（とも１群のローラが径方向に
移動することにより少なくとも２群のローラが交互に前
記高分子基板に接触する構造を有することを特徴とする
高分子基板の加工装置である。

作用 ローラ上で発生する皺の発生はローラ・基板間の摩擦力
と基板フィルムの剛性の関係で決まる。

即ち基板走行中のローラ上では常に基板に微小な歪を生
じるような力が働いている。基板・ローラ間の滑りによ
ってこの歪が解消されると皺は発生しないが、歪が基板
の剛性を越えるほどに蓄積されると皺が発生する。本発
明によれば搬送ローラは基板フィルムに連続的に接触し
ないので、高分子基板の皺の発生原因となる前記歪が時
々開放されるので皺の発生にいたる歪の蓄積は起こらな
い。

実施例 以下に本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。

第１図は本発明の一実施例を示し、高分子基板のは送装
置の一部を示す図である。第１図で高分子基板１は搬送
ローラ１．１゛、２．２′、３．３°、４．４°によっ
て搬送される。搬送ローラの回転は駆動軸を用いた強制
回転、高分子基板の摩擦力による自由回転、もしくは両
者の組合せが用いられる。搬送ローラは２本−組の対（
ｌ、１゛）、（２，２°）、（３，３′）、（４，４”
）をなし、揺動中心７を中心として揺動している揺動体
６及び搬送ローラ駆動体５によって往復運動を行い、搬
送ローラ群（ｌ、２．３．４）による基板搬送（第１図
（ロ））と、搬送ローラ群（１’、２”３１’、４”）
による基板搬送（第１図（ａ））が交互に行なわれる。

従って同一のローラが高分子基板に触れ続けることがな
（、搬送ローラ上における高分子基板の皺は発生しない
。厚さ４μｍ、平均表面表面粗さＲａが２０ｎｍのポリ
エチレンテレフタレート基板を毎分１００　ｍ″７：！
搬送しながら切断（スリット）する工程において、本発
明の加工装置を用いると基板が多少帯電した状態であっ
てもローラ上での皺なく搬送力Ｕ工が可能であった。こ
れに対して搬送ローラの往復運動を停止した状態では基
板が帯電すると搬送ローラ上で基板に皺が発生した。第
２図は本発明の別の実施例を示す図で、第１図と異なる
点は搬送ローラの径方向の断面が略楕円形をなしている
ことである。各搬送ローラは強制駆動されており、時間
経過にともなって搬送に関与するローラが変化、する（
第２図（ａ）。

（ロ）、（Ｃ））、ローラ周面上での搬送速度を一定と
する必要のある場合には、搬送ローラの角速度を時間変
化させる必要があるが、基板張力精度の条件が緩やかで
、基板とローラ間の摩擦係数が小さい場合には搬送ロー
ラの角速度は一定でもよい。搬送ローラの断面形状とし
てはこの他に、楕円の一部を切り欠いた形、円の一部を
切り欠いた形のもの等も使用できる。

発明の効果 以上の様に本発明の高分子基板の加工方法及び加工装置
によれば薄く表面性のよい高分子基板を皺なく良好に加
工することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明の高分子基板の加工装置の主要
部分を示す概略図である。 １．１°、２．２゛、３．３”、４．４゛、９．９’、
１０．１０’　、１１．１１”　・・・・・・搬送ロー
ラ、５・・・・・・搬送ローラ駆動体、６・・・・・・
揺動体、７・・・・・・揺動中心、８・・・・・・高分
子基板、１２・・・・・・回転方向。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）長尺の高分子基板を複数のローラに沿って搬送し
   つつ加工する際に、前記ローラの一部または全部が、連
   続して前記高分子基板に接触しないことを特徴とする高
   分子基板の加工方法。
2. （２）長尺の高分子基板を複数のローラに沿って搬送す
   る機構を含む高分子基板の加工装置であって、前記ロー
   ラが少なくとも２群に分かれ少なくとも１群のローラが
   径方向に移動することにより少なくとも２群のローラが
   交互に前記高分子基板に接触する構造を有することを特
   徴とする高分子基板の加工装置。
3. （３）前記ローラの少なくとも一部の径方向に断面が略
   楕円形もしくは、円または楕円を切り欠いた形をなすこ
   とを特徴とする請求項（２）記載の高分子基板の加工装
   置。