JPH03142932A - 半導体ウェハのエッチング方法およびエッチング装置 - Google Patents
半導体ウェハのエッチング方法およびエッチング装置Info
- Publication number
- JPH03142932A JPH03142932A JP28327589A JP28327589A JPH03142932A JP H03142932 A JPH03142932 A JP H03142932A JP 28327589 A JP28327589 A JP 28327589A JP 28327589 A JP28327589 A JP 28327589A JP H03142932 A JPH03142932 A JP H03142932A
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- Japan
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- wafer
- etching
- wafers
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- semiconductor wafer
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 64
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はエツチング残りのない半導体ウエノ＼のエツチ
ング方法およびエツチング装置に関する。
ング方法およびエツチング装置に関する。
従来の技術
半導体ウェハは、年々大口径化され、現在シリコンウェ
ハでは６インチが主流となっている。ウェハキャリアに
半導体ウェハを搭載してエツチング溶液を満たしていた
エツチング槽内に浸漬し、ウニＩ＼上の所望部分または
全部をエツチングするウェットエツチング方法において
は、ウェハの大口径化によりエツチング溶液中にウェハ
を浸漬しただけではウェハ面全体において均一なエツチ
ング速度を得ることが困難になっている。
ハでは６インチが主流となっている。ウェハキャリアに
半導体ウェハを搭載してエツチング溶液を満たしていた
エツチング槽内に浸漬し、ウニＩ＼上の所望部分または
全部をエツチングするウェットエツチング方法において
は、ウェハの大口径化によりエツチング溶液中にウェハ
を浸漬しただけではウェハ面全体において均一なエツチ
ング速度を得ることが困難になっている。
そのため、従来より行われている方法は第２（＝示すよ
うなものである。半導体ウェハ１を搭載したウェハキャ
リア２をエツチング槽３内に浸漬する。キャリアハンガ
ー５によりウェハキャリア２を固定あるいは保持し、こ
のキャリアハンガー５をハンガー駆動系６により上下に
駆動させる。以上の動作により半導体ウェハ１を所要時
間上下に活動し、エツチング速度のウェハ面内均一性を
向上させている。
うなものである。半導体ウェハ１を搭載したウェハキャ
リア２をエツチング槽３内に浸漬する。キャリアハンガ
ー５によりウェハキャリア２を固定あるいは保持し、こ
のキャリアハンガー５をハンガー駆動系６により上下に
駆動させる。以上の動作により半導体ウェハ１を所要時
間上下に活動し、エツチング速度のウェハ面内均一性を
向上させている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来の方法によるエツチングでは次のよ
うな課題がある。半導体ウェハとこれらを支持している
ウェハキャリアとは常時同一部分が接触しているため、
半導体ウェハとそのウェハキャリアとの接触部分にエツ
チング液が浸透せず、半導体ウェハ上の接触部分におい
てエツチング残りが生じる。
うな課題がある。半導体ウェハとこれらを支持している
ウェハキャリアとは常時同一部分が接触しているため、
半導体ウェハとそのウェハキャリアとの接触部分にエツ
チング液が浸透せず、半導体ウェハ上の接触部分におい
てエツチング残りが生じる。
半導体ウェハが大口径化されるに従い、同ウェハとその
ウェハキャリアとの接触面積は大きくなり、エツチング
残りも多くなる。
ウェハキャリアとの接触面積は大きくなり、エツチング
残りも多くなる。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明による半導体ウェハ
のエツチング方法およびエツチング装置は次のような手
段をとる。
のエツチング方法およびエツチング装置は次のような手
段をとる。
エツチング槽底部に、半導体ウェハを支持して上下に駆
動可能なウェハ支持体を有し、このウェハ支持体の上下
動により、ウェハキャリアを動かすことなく、ウェハの
みを上下に揺動するものである。
動可能なウェハ支持体を有し、このウェハ支持体の上下
動により、ウェハキャリアを動かすことなく、ウェハの
みを上下に揺動するものである。
作用
この方法および装置によるエツチングによりエツチング
残りのない完全な半導体ウエノ１のエツチングが可能と
なる。
残りのない完全な半導体ウエノ１のエツチングが可能と
なる。
実施例
以下、本発明の一実施例について第１図を用いて詳述す
る。
る。
半導体ウェハｌを搭載したウェハキャリア２をエツチン
グ溶液を満たしたエツチング４￥ｙ３内に浸漬する。エ
ツチング槽３の底部には半導体ウニ・＼１のみを上下に
駆動可能なウェハ支持体４が設けられており、このウェ
ハ支持体４は動作の最下限においては半導体ウェハ１と
接触せず、最上限においては半導体ウェハ１を持ち上げ
るように設定されている。また上下駆動中にウェハキャ
リア２とは接触せずウェハキャリア２を動かすことはな
い、。
グ溶液を満たしたエツチング４￥ｙ３内に浸漬する。エ
ツチング槽３の底部には半導体ウニ・＼１のみを上下に
駆動可能なウェハ支持体４が設けられており、このウェ
ハ支持体４は動作の最下限においては半導体ウェハ１と
接触せず、最上限においては半導体ウェハ１を持ち上げ
るように設定されている。また上下駆動中にウェハキャ
リア２とは接触せずウェハキャリア２を動かすことはな
い、。
また、このウェハ支持体４は、ウェハキャリア２を′エ
ツチング槽３内に浸漬する際、ウェハ支持体４は最下限
の位置にあり、浸漬後所要時間上下駆動を繰り返し、半
導体ウェハ１を揺動するものである。
ツチング槽３内に浸漬する際、ウェハ支持体４は最下限
の位置にあり、浸漬後所要時間上下駆動を繰り返し、半
導体ウェハ１を揺動するものである。
この方法および装置による半導体ウェハのエツチングに
よれば、半導体１クエハ１とウェハキャリア２との接触
部分が一定でないため、エツチング液が半導体ウェハ上
の全面に浸透し、同ウェハーＥにエツチング残りの生じ
ることがない。
よれば、半導体１クエハ１とウェハキャリア２との接触
部分が一定でないため、エツチング液が半導体ウェハ上
の全面に浸透し、同ウェハーＥにエツチング残りの生じ
ることがない。
また、半導体ウェハがエツチング槽内で揺動されるため
、エツチング速度のウェハ面内均一性もよい。
、エツチング速度のウェハ面内均一性もよい。
発明の効果
本発明による半導体ウェハのエツチング方法わよび装置
によれば、エツチング残りが全くなくエツチング速度の
均一なエツチングが可能となる。
によれば、エツチング残りが全くなくエツチング速度の
均一なエツチングが可能となる。
第１図は本発明による半導体ウェハのエツチング装置の
概略を示すＳ′ｌ視図、第２図は従来の半導体ウェハの
エツチング装置の概略を示す斜視図である。 １・・・・・・半導体ウェハ ２・・・・・・ウェハキ
ャリ３・・・・・・エツチング槽、４・・・・・・ウェ
ハ支持体、・・・キャリアハンガー ６・・・・・・駆
動系。
概略を示すＳ′ｌ視図、第２図は従来の半導体ウェハの
エツチング装置の概略を示す斜視図である。 １・・・・・・半導体ウェハ ２・・・・・・ウェハキ
ャリ３・・・・・・エツチング槽、４・・・・・・ウェ
ハ支持体、・・・キャリアハンガー ６・・・・・・駆
動系。
Claims (2)
- （１）エッチング溶液を満たしたエッチング槽内に半導
体ウェハを搭載したウェハキャリアを浸漬し、エッチン
グ槽の底部のウェハ支持体の上下動によって、前記ウェ
ハキャリアを揺動することなく、前記半導体ウェハのみ
を上下に揺動することを特徴とする半導体ウェハのエッ
チング方法。 - （２）エッチング槽の底部に、ウェハキャリアに接触す
ることなく、同ウェハキャリア内の半導体ウェハを支持
して上下に駆動するウェハ支持体を有することを特徴と
する半導体ウェハのエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28327589A JPH03142932A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体ウェハのエッチング方法およびエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28327589A JPH03142932A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体ウェハのエッチング方法およびエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03142932A true JPH03142932A (ja) | 1991-06-18 |
Family
ID=17663350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28327589A Pending JPH03142932A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体ウェハのエッチング方法およびエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03142932A (ja) |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP28327589A patent/JPH03142932A/ja active Pending
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