JPH0851095A - ウエット処理装置 - Google Patents

ウエット処理装置

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JPH0851095A
JPH0851095A JP18470894A JP18470894A JPH0851095A JP H0851095 A JPH0851095 A JP H0851095A JP 18470894 A JP18470894 A JP 18470894A JP 18470894 A JP18470894 A JP 18470894A JP H0851095 A JPH0851095 A JP H0851095A
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JP
Japan
Prior art keywords
carrier
mounting table
wet
processed
semiconductor wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP18470894A
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English (en)
Inventor
Chikau Kamikaya
矢 上假屋
Norio Hashimoto
規生 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0851095A publication Critical patent/JPH0851095A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハ状被処理物に付着する気泡を完全に除
去し、被処理物の表面全面が均一に処理されうるウエッ
ト処理装置を提供する。 【構成】 内部に仕切板を有し、半導体ウエハ1を1枚
ごとに立て掛けられるキャリア2と、該キャリアを上下
運動させるためのロボットアーム3と、該キャリアを載
置する載置台8と、処理液が充填される処理槽7とから
なり、前記載置台は前記キャリアの仕切板6の並ぶ方向
に傾斜しているとともに該載置台および前記キャリアが
前記処理槽内に浸漬されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はウエット処理装置に関す
る。さらに詳しくは、ウエハ状被処理物にエッチング、
化学処理、洗浄処理などを施す装置であって、被処理物
の表面を均一に処理できるウエット処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ウエハ状の被処理物、たとえば半導体ウ
エハの製造工程において、ラッピングなどの加工歪を除
去するためのエッチング工程や研磨後のウエハ表面を清
浄化するための清浄工程など、液体を用いるウエット処
理工程が随所に行われる。
【0003】従来のウエット処理装置は、たとえばエッ
チング工程であれば図3に示されるように、フッ酸、界
面活性剤入りフッ酸などのエッチング液の入ったポリテ
トラフルオロエチレンなどの耐薬品性を有する材料から
なる処理槽7の中にキャリア2の各仕切板6に半導体ウ
エハが1枚ごとに立て掛けられたキャリア2が浸漬さ
れ、処理槽7の底部に設けられた平らな載置台4上に載
置され被処理物の上部までエッチング液などの処理液に
浸漬されている。そして、キャリア2がたとえばロボッ
トアーム3のような上下運動させる移動手段により把持
されて、たとえば2分間で30回程度上下に振られ、処
理液が被処理物の表面全面に均等に接触するように試み
られている。
【0004】その処理方法をさらに詳細に説明すると、
まず図3(a)に示されるように、キャリア2に立て掛
けられた半導体ウエハ1はキャリア2が処理液中に浸漬
されると、仕切板6とのあいだに気泡5を生じる。つぎ
に、ロボットアーム3で上に持ち上げ(図3(b)参
照)、さらに浸漬する上下運動を、たとえば2分間程度
で30回程度繰返している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のウエット処
理装置では、半導体ウエハ1の処理槽7の上部側表面に
付着する気泡は上下運動による振動で消滅するが、半導
体ウエハ1の裏側に付着した気泡5は半導体ウエハ1と
仕切板6とにより密閉状態となるため、キャリア2の上
下運動では半導体ウエハ1と仕切板6との接触部が離れ
ず、気泡5が抜け切らない。そのため、半導体ウエハ1
のうち気泡5の部分は処理液に触れず処理が不完全とな
り、チップの不良品の発生原因になるという問題があ
る。
【0006】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、ウエハ状被処理物に付着する気泡を完
全に除去し、被処理物の表面全面が均一に処理されうる
ウエット処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のウエット装置
は、内部に仕切板を有し、ウエハ状被処理物を1枚ごと
立て掛けられるキャリアと、該キャリアを上下運動させ
るための移動手段と、該キャリアを載置する載置台と、
処理液が充填される処理槽とからなり、前記載置台は前
記キャリアの仕切板の並ぶ方向に傾斜しているとともに
該載置台および前記キャリアが前記処理槽内に浸漬され
ている。
【0008】前記載置台に前記キャリアが載置されたと
き被処理物を突き上げる突上手段が前記載置台に設けら
れていることが、気泡を確実に逃すことができるため好
ましい。
【0009】
【作用】本発明のウエット処理装置によれば、被処理物
を立て掛けたキャリアを上下運動する移動手段が設けら
れているのみではなく、キャリアの載置台を傾斜させて
いるため、載置台におかれた状態では傾斜して被処理物
が倒れているが、持ち上げられて水平状態になるときウ
エハ状の被処理物に回転力が加わり、一瞬仕切板と被処
理物とのあいだに間隙が生じる。その結果、被処理物の
裏側に付着していた気泡が逃げ再度載置台上に載せられ
たとき、被処理物は全面が処理液に浸漬され均一な処理
をすることができる。
【0010】
【実施例】つぎに添付図面を参照しつつ本発明のウエッ
ト処理装置を説明する。
【0011】図1は本発明のウエット処理装置の一実施
例の断面説明図である。ここでは例としてエッチング処
理の装置について説明するが、他の化学処理や洗浄処理
などに用いられるウエット処理装置についても同様の装
置を用いることができる。図1において、処理槽7は、
たとえばフッ酸などのエッチング液およびウエハ状被処
理物を立て掛けたキャリア2を入れるためのもので、ポ
リテトラフルオロエチレンなどの耐薬品性を有する材料
などからなる従来のものでよい。キャリア2は、従来と
同様にウエハ状被処理物を1枚づつ立て掛けるための仕
切板6が設けられており、処理槽7の底部に浸漬された
載置台8上に載置されるようになっている。キャリア2
および載置台8は処理槽と同様の耐薬品性を有する材料
のものが用いられる。
【0012】本発明では、図1に示されるように載置台
8にその上に載せられるキャリア2の仕切板6が並ぶ方
向に傾斜する傾斜面8aが形成されていることに特徴が
ある。
【0013】この傾斜角θは10〜30°程度が好まし
い。角度が10°より小さいと、傾斜から水平に移動さ
せる際の被処理物の動きが小さく気泡を抜くという作用
がなくなり、30°より大きいとキャリア2を載置台8
上に載置したとき滑り易く、不安定となるためである。
キャリア2は従来と同様にキャリア2の上下運動の移動
手段である、たとえばロボットアーム3などにより把持
され、図1(b)に示されるように水平方向になるよう
持ち上げられる。ロボットアーム3による持ち上げの距
離は5cm程度であるが、傾斜していたキャリア2が水
平方向になるように持ち上げられることにより、被処理
物である、たとえば半導体ウエハ1に回転力が加わり、
半導体ウエハ1が仕切板6またはキャリア2の側面から
浮く形で離れ、その間隙から半導体ウエハ1の裏側に密
封されていた気泡5が消散する。
【0014】この例のように最初にキャリア2を処理液
内に浸漬するときから載置台の傾斜面により倒れる側と
同じ向きに半導体ウエハ1を倒しておいても、前述のよ
うに傾斜面8aへの載置と、水平方向にする持ち上げを
繰り返すことにより裏側の気泡も消去することができる
が、最初のキャリア2内への半導体ウエハ1のセッティ
ングを載置台の傾斜面と逆側に立て掛けておくことによ
り、最初に裏面側として残留した気泡が傾斜面を有する
載置台8に載置されることにより傾き方向が逆向きにな
るため、半導体ウエハの表裏が逆転し、浸漬当初に生じ
易い気泡を確実に除去することができる。
【0015】図2は本発明のウエット処理装置の他の実
施例を正面から見た断面図である。
【0016】本実施例のウエット処理装置では、載置台
8に突上手段9が設けられていることのほかは、前述の
ウエット処理装置と同様の構造である。前述と同様に、
ロボットアーム3によるキャリア2の持ち上げ運動によ
り、傾斜状態から水平方向への運動により半導体ウエハ
1が動いて気泡が逃げ易くなることに加えて、本実施例
では載置台8に半導体ウエハ1を突き上げる、たとえば
突起からなる突上手段9が設けられているため、ロボッ
トアーム3によりキャリア2を下げられて載置台8上に
載せられるときに、突上手段9により被処理物である半
導体ウエハ1が上に突上げられる。そのため半導体ウエ
ハ1と仕切板6とのあいだに閉じ込められた気泡5が残
っていてもキャリア2が載置台8に載置されたときの突
上げの衝撃により気泡が抜け、より確実に気泡を抜くこ
とができる。
【0017】
【発明の効果】本発明のウエット処理装置は、エッチン
グ工程や洗浄工程など処理液を使用するウエハプロセス
において、ウエハ状の被処理物に気泡が付着しないた
め、エッチングや洗浄のムラがなく、均質なウエット処
理をすることができ、ウエハなどから分離される半導体
チップなどの電子部品の歩留りが向上するとともに、信
頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のウエット処理装置の一実施例を示す断
面説明図である。
【図2】本発明のウエット処理装置の他の実施例を示す
断面説明図である。
【図3】従来のウエット処理装置の一例を示す断面説明
図である。
【符号の説明】
1 半導体ウエハ 2 キャリア 3 ロボットアーム 6 仕切板 7 処理槽 8 載置台 9 突上手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 T

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部に仕切板を有し、ウエハ状被処理物
    を1枚ごと立て掛けられるキャリアと、該キャリアを上
    下運動させるための移動手段と、該キャリアを載置する
    載置台と、処理液が充填される処理槽とからなり、前記
    載置台は前記キャリアの仕切板の並ぶ方向に傾斜してい
    るとともに該載置台および前記キャリアが前記処理槽内
    に浸漬されてなるウエット処理装置。
  2. 【請求項2】 前記載置台に前記キャリアが載置された
    とき被処理物を突き上げる突上手段が前記載置台に設け
    られてなる請求項1記載のウエット処理装置。
JP18470894A 1994-08-05 1994-08-05 ウエット処理装置 Pending JPH0851095A (ja)

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JP18470894A JPH0851095A (ja) 1994-08-05 1994-08-05 ウエット処理装置

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012178458A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体基板の洗浄方法
CN102709172A (zh) * 2012-06-01 2012-10-03 吉林华微电子股份有限公司 硅片向背面倾斜腐蚀方法
CN104593773A (zh) * 2015-02-06 2015-05-06 晶科能源有限公司 一种物料清洗装置和物料清洗方法
CN109243970A (zh) * 2018-09-04 2019-01-18 杭州中芯晶圆半导体股份有限公司 一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法
CN110010534A (zh) * 2019-04-18 2019-07-12 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 晶圆片盒提篮

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