JPH08330270A - 化合物半導体基板のエッチング方法 - Google Patents
化合物半導体基板のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH08330270A JPH08330270A JP7157194A JP15719495A JPH08330270A JP H08330270 A JPH08330270 A JP H08330270A JP 7157194 A JP7157194 A JP 7157194A JP 15719495 A JP15719495 A JP 15719495A JP H08330270 A JPH08330270 A JP H08330270A
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- JP
- Japan
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- compound semiconductor
- semiconductor substrate
- etching
- container
- etching solution
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 湿式のエッチング液を使用して化合物半導体
基板をエッチングする際、均一なエッチング厚を得るこ
とができるエッチング方法を提供する。 【構成】 硫酸、過酸化水素水、水の混合液からなるエ
ッチング液等を充填した容器内に化合物半導体基板を固
定し、容器を傾斜あるいはスライドさせることによっ
て、エッチング液を移動させ、化合物半導体基板がエッ
チング液に浸漬する工程と、雰囲気に露出する工程とを
繰り返し行うことによって、エッチングを行う。
基板をエッチングする際、均一なエッチング厚を得るこ
とができるエッチング方法を提供する。 【構成】 硫酸、過酸化水素水、水の混合液からなるエ
ッチング液等を充填した容器内に化合物半導体基板を固
定し、容器を傾斜あるいはスライドさせることによっ
て、エッチング液を移動させ、化合物半導体基板がエッ
チング液に浸漬する工程と、雰囲気に露出する工程とを
繰り返し行うことによって、エッチングを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体基板の湿
式エッチング方法に関する。
式エッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガリウム砒素高電力電界効果トランジス
タでは、動作時に発生する熱を、半導体チップ裏面に接
触させた放熱体に発散させる。そのため、半導体チップ
自体の厚さも、通常１００ミクロン程度の厚さに薄膜化
する。この薄膜化の工程は、硫酸、過酸化水素水、水の
混合液などを用いた湿式エッチングにより行われる。
タでは、動作時に発生する熱を、半導体チップ裏面に接
触させた放熱体に発散させる。そのため、半導体チップ
自体の厚さも、通常１００ミクロン程度の厚さに薄膜化
する。この薄膜化の工程は、硫酸、過酸化水素水、水の
混合液などを用いた湿式エッチングにより行われる。
【０００３】従来の薄膜化工程は、図３に示すように、
表面に高電力電界効果トランジスタが形成された化合物
半導体基板１の表面を保護するため、耐薬品性ワックス
２により支持板３に接着させ、被エッチング面を露出さ
せる（図３Ａ）。この状態で、容器４内に充填した硫
酸、過酸化水素水、水を体積比３：１：１の割合で混合
したエッチング液５に浸漬し、露出している化合物半導
体基板１の裏面側をエッチング除去する。このときエッ
チング液は、３０℃程度に加温しておき、静止状態でエ
ッチングを行う（図３Ｂ）。
表面に高電力電界効果トランジスタが形成された化合物
半導体基板１の表面を保護するため、耐薬品性ワックス
２により支持板３に接着させ、被エッチング面を露出さ
せる（図３Ａ）。この状態で、容器４内に充填した硫
酸、過酸化水素水、水を体積比３：１：１の割合で混合
したエッチング液５に浸漬し、露出している化合物半導
体基板１の裏面側をエッチング除去する。このときエッ
チング液は、３０℃程度に加温しておき、静止状態でエ
ッチングを行う（図３Ｂ）。
【０００４】このような従来のエッチング方法では、エ
ッチング液を静止状態で行うため、化合物半導体基板と
エッチング液との化学反応により生ずる反応熱によっ
て、エッチング液の対流が不均一におこり、エッチング
液の置換にムラが生じ、エッチング厚さのばらつきが生
じていた。通常４００ミクロン程度の厚さの化合物半導
体基板１を、１００ミクロン程度の厚さまでエッチング
する場合、化合物半導体基板面内で、エッチング後の厚
さが、±２０〜２５％の範囲でばらついていた。このよ
うなエッチングを行った場合、半導体チップの厚さにば
らつきが生じ、組立工程の不良の原因となったり、素子
動作時の動作温度のばらつきが発生し、歩留まり低下の
原因となっていた。
ッチング液を静止状態で行うため、化合物半導体基板と
エッチング液との化学反応により生ずる反応熱によっ
て、エッチング液の対流が不均一におこり、エッチング
液の置換にムラが生じ、エッチング厚さのばらつきが生
じていた。通常４００ミクロン程度の厚さの化合物半導
体基板１を、１００ミクロン程度の厚さまでエッチング
する場合、化合物半導体基板面内で、エッチング後の厚
さが、±２０〜２５％の範囲でばらついていた。このよ
うなエッチングを行った場合、半導体チップの厚さにば
らつきが生じ、組立工程の不良の原因となったり、素子
動作時の動作温度のばらつきが発生し、歩留まり低下の
原因となっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のエッチング方法
では、静止状態でエッチングを行うため、エッチング厚
さのばらつきが生じていた。本発明は上記問題点を解決
するため、エッチング厚さが均一となるエッチング方法
を提供することを目的とする。
では、静止状態でエッチングを行うため、エッチング厚
さのばらつきが生じていた。本発明は上記問題点を解決
するため、エッチング厚さが均一となるエッチング方法
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、化合物半導体基板を湿式のエッチング液を用
いてエッチングするに際し、前記エッチング液を充填し
た容器内に前記化合物半導体基板を配置し、前記エッチ
ング液を移動させることにより、前記エッチング液に前
記化合物半導体基板を浸漬する工程と、該化合物半導体
基板を雰囲気に露出する工程とを繰り返し行うことを特
徴とするものである。
するため、化合物半導体基板を湿式のエッチング液を用
いてエッチングするに際し、前記エッチング液を充填し
た容器内に前記化合物半導体基板を配置し、前記エッチ
ング液を移動させることにより、前記エッチング液に前
記化合物半導体基板を浸漬する工程と、該化合物半導体
基板を雰囲気に露出する工程とを繰り返し行うことを特
徴とするものである。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例を、図１により
説明する。図３に示した従来例同様、表面に形成した高
電力電界効果トランジスタ等の半導体装置を保護するた
め支持板上に耐薬品性ワックスによって接着された化合
物半導体基板１を、容器４内に固定する。容器内には、
硫酸、過酸化水素水、水を体積比３：１：１の割合で混
合したエッチング液５が充填されている。ここで、エッ
チングを開始する前は、化合物半導体基板１がエッチン
グ液５と接触しないように、容器を傾けておく（図１
Ａ）。
説明する。図３に示した従来例同様、表面に形成した高
電力電界効果トランジスタ等の半導体装置を保護するた
め支持板上に耐薬品性ワックスによって接着された化合
物半導体基板１を、容器４内に固定する。容器内には、
硫酸、過酸化水素水、水を体積比３：１：１の割合で混
合したエッチング液５が充填されている。ここで、エッ
チングを開始する前は、化合物半導体基板１がエッチン
グ液５と接触しないように、容器を傾けておく（図１
Ａ）。
【０００８】容器４を反対側に傾けることにより、化合
物半導体基板１をエッチング液５に浸漬させ、エッチン
グを開始する（図１Ｂ）。その後、さらに容器を反対側
に傾けることによって、化合物半導体基板１を雰囲気に
露出させる（図１Ｃ）。ここで雰囲気に露出させること
によって、化合物半導体基板１のエッチングに使用され
たエッチング液５を、化合物半導体基板１上から完全に
除去することができる。また、エッチング液が容器４内
で、化合物半導体基板１が固定されている側の反対側に
移動することによって、エッチング液が十分に攪拌され
る。この浸漬、露出は、１秒間に１回ずつ浸漬と露出が
繰り返される程度の速さで行った。なお、この速さは、
化合物半導体基板の大きさ、容器の大きさ、エッチング
液の量等に応じ、適宜選択することができる。
物半導体基板１をエッチング液５に浸漬させ、エッチン
グを開始する（図１Ｂ）。その後、さらに容器を反対側
に傾けることによって、化合物半導体基板１を雰囲気に
露出させる（図１Ｃ）。ここで雰囲気に露出させること
によって、化合物半導体基板１のエッチングに使用され
たエッチング液５を、化合物半導体基板１上から完全に
除去することができる。また、エッチング液が容器４内
で、化合物半導体基板１が固定されている側の反対側に
移動することによって、エッチング液が十分に攪拌され
る。この浸漬、露出は、１秒間に１回ずつ浸漬と露出が
繰り返される程度の速さで行った。なお、この速さは、
化合物半導体基板の大きさ、容器の大きさ、エッチング
液の量等に応じ、適宜選択することができる。
【０００９】容器４を動かし、それに従いエッチング液
５を移動させる方法は、図１に示す方法に限らない。図
２に第２の実施例を示す。図２に示す方法は、容器を左
右に傾斜させる代わりに、容器４を水平のまま、左右に
スライドさせる方法である。この方法でも、容器内４に
化合物半導体基板１を固定する際には、容器４を傾斜さ
せておき、化合物半導体基板１を固定した後（図２
Ａ）、容器を水平に戻し、左右にスライドさせれば良
い。図２Ｂに示すように、容器４を矢印方向にスライド
させることによって、エッチング液５を化合物半導体基
板１上に移動させる。次に、図２Ｃの矢印方向に容器４
をスライドさせることによって、エッチング液５を化合
物半導体基板１上から移動させ、化合物半導体基板１を
雰囲気に露出させることができる。このような方法を採
用する場合も、第１の実施例同様、エッチング液５の攪
拌を十分に行うことができる。さらに、容器４を左右に
スライドさせる代わりに、容器４を円軌道あるいは楕円
軌道を描きながら、傾斜あるいはスライドさせることに
よって、エッチング液を移動させることも可能である。
また、化合物半導体基板１は、容器４の底部に平行に固
定する必要はなく、垂直に固定する方法を採用すること
も可能である。
５を移動させる方法は、図１に示す方法に限らない。図
２に第２の実施例を示す。図２に示す方法は、容器を左
右に傾斜させる代わりに、容器４を水平のまま、左右に
スライドさせる方法である。この方法でも、容器内４に
化合物半導体基板１を固定する際には、容器４を傾斜さ
せておき、化合物半導体基板１を固定した後（図２
Ａ）、容器を水平に戻し、左右にスライドさせれば良
い。図２Ｂに示すように、容器４を矢印方向にスライド
させることによって、エッチング液５を化合物半導体基
板１上に移動させる。次に、図２Ｃの矢印方向に容器４
をスライドさせることによって、エッチング液５を化合
物半導体基板１上から移動させ、化合物半導体基板１を
雰囲気に露出させることができる。このような方法を採
用する場合も、第１の実施例同様、エッチング液５の攪
拌を十分に行うことができる。さらに、容器４を左右に
スライドさせる代わりに、容器４を円軌道あるいは楕円
軌道を描きながら、傾斜あるいはスライドさせることに
よって、エッチング液を移動させることも可能である。
また、化合物半導体基板１は、容器４の底部に平行に固
定する必要はなく、垂直に固定する方法を採用すること
も可能である。
【００１０】以上の方法によりエッチングを行った結
果、従来方法では±２０〜２５％のエッチング厚さのば
らつきがあったものが、±５％以内のばらつきに抑える
ことができた。これは、本発明は、化合物半導体基板１
のエッチングに関与したエッチング液５を速やかに除去
することができ、エッチング液の攪拌を十分に行うこと
ができること、また、エッチングが間欠的に行われるた
め、エッチング液の昇温が抑えられ、エッチング速度が
部分的に速くなることがないためと考えられる。
果、従来方法では±２０〜２５％のエッチング厚さのば
らつきがあったものが、±５％以内のばらつきに抑える
ことができた。これは、本発明は、化合物半導体基板１
のエッチングに関与したエッチング液５を速やかに除去
することができ、エッチング液の攪拌を十分に行うこと
ができること、また、エッチングが間欠的に行われるた
め、エッチング液の昇温が抑えられ、エッチング速度が
部分的に速くなることがないためと考えられる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエッチン
グ方法によれば、エッチング厚さのばらつきを、従来の
４分の１から５分の１に抑えることができた。これによ
り、半導体チップの厚さを均一に形成することができ、
ガリウム砒素高電力電界効果トランジスタの製造工程に
採用した際には、歩留まり良く製造することができる。
グ方法によれば、エッチング厚さのばらつきを、従来の
４分の１から５分の１に抑えることができた。これによ
り、半導体チップの厚さを均一に形成することができ、
ガリウム砒素高電力電界効果トランジスタの製造工程に
採用した際には、歩留まり良く製造することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を説明する説明図であ
る。
る。
【図２】本発明の第２の実施例を説明する説明図であ
る。
る。
【図３】従来のエッチング方法を説明する説明図であ
る。
る。
１ 化合物半導体基板 ２ 耐薬品性ワックス ３ 支持板 ４ 容器 ５ エッチング液
Claims (1)
- 【請求項１】 化合物半導体基板を湿式のエッチング液
を用いてエッチングするに際し、前記エッチング液を充
填した容器内に前記化合物半導体基板を配置し、前記エ
ッチング液を移動させることにより、前記エッチング液
に前記化合物半導体基板を浸漬する工程と、該化合物半
導体基板を雰囲気に露出する工程とを繰り返し行うこと
を特徴とする化合物半導体ウエハのエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7157194A JPH08330270A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 化合物半導体基板のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7157194A JPH08330270A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 化合物半導体基板のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330270A true JPH08330270A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15644262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7157194A Pending JPH08330270A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 化合物半導体基板のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08330270A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030056691A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 경사식각 장치 및 방법 |
| CN102315092A (zh) * | 2011-09-09 | 2012-01-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 湿蚀刻装置及方法 |
| CN103811373A (zh) * | 2012-11-06 | 2014-05-21 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种单片湿法处理模块的工艺杯 |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP7157194A patent/JPH08330270A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030056691A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 경사식각 장치 및 방법 |
| CN102315092A (zh) * | 2011-09-09 | 2012-01-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 湿蚀刻装置及方法 |
| CN103811373A (zh) * | 2012-11-06 | 2014-05-21 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种单片湿法处理模块的工艺杯 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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