JPH0273632A - 化合物半導体基板こエッチング方法 - Google Patents
化合物半導体基板こエッチング方法Info
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- JPH0273632A JPH0273632A JP22540988A JP22540988A JPH0273632A JP H0273632 A JPH0273632 A JP H0273632A JP 22540988 A JP22540988 A JP 22540988A JP 22540988 A JP22540988 A JP 22540988A JP H0273632 A JPH0273632 A JP H0273632A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は砒化ガリウム（ＧａＡｓ）半導体基板のエツチ
ング方法に関する。
ング方法に関する。
従来、ＧａＡｓ基板にイオン注入層を形成し、或いはエ
ピタキシャル成長を行う場合には、この基板の前処理と
して基板表面のエツチングを行っている。即ち、一般に
提供されているＧａＡｓ基板は、ＭＣ（Ｍｅｃｈａｎｏ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ）研磨によるミラー仕上げ加工を施
しているため、基板表面に加工歪が残されたままであり
、この加工歪層を除去するために硫酸、過酸化水素系の
エツチング液を用いた基板のエツチングを行っている。
ピタキシャル成長を行う場合には、この基板の前処理と
して基板表面のエツチングを行っている。即ち、一般に
提供されているＧａＡｓ基板は、ＭＣ（Ｍｅｃｈａｎｏ
Ｃｈｅｍｉｃａｌ）研磨によるミラー仕上げ加工を施
しているため、基板表面に加工歪が残されたままであり
、この加工歪層を除去するために硫酸、過酸化水素系の
エツチング液を用いた基板のエツチングを行っている。
この場合、エツチング液の液温を５０℃以上に保持し、
その中に室温に保持された基板を浸し、液を撹拌してエ
ツチングを行っている。
その中に室温に保持された基板を浸し、液を撹拌してエ
ツチングを行っている。
〔発明が解決しようとする課題］
上述した従来のエツチング方法では、比較的高温のエツ
チング液の中に、これに比べて低温の室温の基板を浸す
ため、液温度と基板との温度差が大きく、エツチングの
初期に基板の表面に気泡が付着し易い。このため、この
気泡がエツチング液と基板表面との接触を妨害し、エツ
チング後の基板表面に直径２０〜３０μｍ程度のエツチ
ングされない突起状部分が発生する。この突起状部分が
生じたまま、基板にエピタキシャル成長を行うと、膜厚
不均一性や異常成長が生じ、これが原因となって半導体
装置の特性の劣化をまね（という問題がある。
チング液の中に、これに比べて低温の室温の基板を浸す
ため、液温度と基板との温度差が大きく、エツチングの
初期に基板の表面に気泡が付着し易い。このため、この
気泡がエツチング液と基板表面との接触を妨害し、エツ
チング後の基板表面に直径２０〜３０μｍ程度のエツチ
ングされない突起状部分が発生する。この突起状部分が
生じたまま、基板にエピタキシャル成長を行うと、膜厚
不均一性や異常成長が生じ、これが原因となって半導体
装置の特性の劣化をまね（という問題がある。
本発明はエツチングに際しての気泡の発生を防止して、
好適なエツチングを可能としたエツチング方法を堤供す
ることを目的とする。
好適なエツチングを可能としたエツチング方法を堤供す
ることを目的とする。
本発明のエツチング方法は、エツチングする化合物半導
体基板を、エツチング液の温度に対して１５℃以内の温
度差となるように加熱した上でエツチング液に浸漬して
エツチングを実行する。
体基板を、エツチング液の温度に対して１５℃以内の温
度差となるように加熱した上でエツチング液に浸漬して
エツチングを実行する。
（作用）
上述した方法では、エツチング液と半導体基板との温度
差が小さいため、両者の温度差が原因とされる半導体基
板の表面への気泡の付着が発生せず、半導体基板におけ
る突起状部分の発生を防止する。
差が小さいため、両者の温度差が原因とされる半導体基
板の表面への気泡の付着が発生せず、半導体基板におけ
る突起状部分の発生を防止する。
〔実施例］
次に、本発明を図面を参照して説明する。
硫酸、過酸化水素系のエツチング液は、硫酸：過酸化水
素：水を１０：１：１の組成比で作製し、液温を少なく
とも５０℃以上、ここでは７０±２℃に制御しておく。
素：水を１０：１：１の組成比で作製し、液温を少なく
とも５０℃以上、ここでは７０±２℃に制御しておく。
一方、第１図に示すように、ＣａＡｓ基板１はホットプ
レート２上に載せ、前記エツチング液と１５℃以下の温
度差となる温度、ここで７５〜８０℃に加熱する。そし
て、第２図のように、容器３内に前記エツチング液４を
入れ、このエツチング液４内に前記加熱されたＧａＡｓ
基板１を浸漬する。
レート２上に載せ、前記エツチング液と１５℃以下の温
度差となる温度、ここで７５〜８０℃に加熱する。そし
て、第２図のように、容器３内に前記エツチング液４を
入れ、このエツチング液４内に前記加熱されたＧａＡｓ
基板１を浸漬する。
このとき、エツチング液４を十分に撹拌しなから略９０
秒間エツチングを行う。
秒間エツチングを行う。
その後、ＧａＡｓ基板１を容器３から取出し、純水で十
分な洗浄を行う。
分な洗浄を行う。
したがって、このエツチング方法では、ＧａＡｓ基板１
を予めエツチング液４と略等しい温度にまで加熱した上
でエツチング液に浸漬させるため、両者の温度差が小さ
くなり、ＧａＡｓ基板１の表面に気泡が付着することは
ない。エツチング液中の気泡はエツチング液の表面に浮
上し、消滅される。これにより、ＧａＡｓ基板１の表面
に気泡によるエツチング不能部分が生じることがなく、
突起状部分が形成されることもない。したがって、後工
程のエピタキシャル層の成長を好適に行い、特性劣化の
ない半導体装置の製造が可能となる。
を予めエツチング液４と略等しい温度にまで加熱した上
でエツチング液に浸漬させるため、両者の温度差が小さ
くなり、ＧａＡｓ基板１の表面に気泡が付着することは
ない。エツチング液中の気泡はエツチング液の表面に浮
上し、消滅される。これにより、ＧａＡｓ基板１の表面
に気泡によるエツチング不能部分が生じることがなく、
突起状部分が形成されることもない。したがって、後工
程のエピタキシャル層の成長を好適に行い、特性劣化の
ない半導体装置の製造が可能となる。
ここで、インジウムドープＧａＡｓ基板をエツチングす
る際には、硫酸：過酸化水素：水を１０：１：１の組成
比で構成したエツチング液を７０±２℃に設定し、かつ
該ＧａＡｓ基板を６０〜７０℃に加熱した上でエツチン
グ液に浸漬させて約９０秒間のエツチングを行えばよい
。これにより、インジウムドープＧａＡｓ基板の表面に
突起状部分が生じることなく好適なエツチングを実現で
きる。
る際には、硫酸：過酸化水素：水を１０：１：１の組成
比で構成したエツチング液を７０±２℃に設定し、かつ
該ＧａＡｓ基板を６０〜７０℃に加熱した上でエツチン
グ液に浸漬させて約９０秒間のエツチングを行えばよい
。これにより、インジウムドープＧａＡｓ基板の表面に
突起状部分が生じることなく好適なエツチングを実現で
きる。
以上説明したように本発明は、化合物半導体基板を、エ
ツチング液の温度に対して１５℃以内の温度差となるよ
うに加熱してエツチング液に浸漬しているので、エツチ
ング液と半導体基板との温度差が小さくなり、両者の温
度差が原因とされる半導体基板の表面への気泡の付着が
発生せず、半導体基板における突起状部分の発生を防止
する。これにより、後工程のエピタキシャル層を好適に
成長でき、製造する半導体装置の特性劣化を未然に防止
できる効果がある。
ツチング液の温度に対して１５℃以内の温度差となるよ
うに加熱してエツチング液に浸漬しているので、エツチ
ング液と半導体基板との温度差が小さくなり、両者の温
度差が原因とされる半導体基板の表面への気泡の付着が
発生せず、半導体基板における突起状部分の発生を防止
する。これにより、後工程のエピタキシャル層を好適に
成長でき、製造する半導体装置の特性劣化を未然に防止
できる効果がある。
第１図は本発明方法におけるＣｒａＡｓ基板を加熱する
工程を示す斜視図、第２図は本発明方法におけるエツチ
ング工程を示す一部破断斜視図である。 １・・・ＧａＡｓ基板、２・・・ホットプレート、３・
・・容器、４・・・エツチング液。
工程を示す斜視図、第２図は本発明方法におけるエツチ
ング工程を示す一部破断斜視図である。 １・・・ＧａＡｓ基板、２・・・ホットプレート、３・
・・容器、４・・・エツチング液。
Claims (1)
- １、化合物半導体基板を硫酸、過酸化水素系のエッチン
グ液を用いて表面エッチングするに際し、前記エッチン
グ液を５０℃以上の温度に設定するとともに、前記化合
物半導体基板はエッチング液の温度に対して１５℃以内
の温度差となるように加熱してエッチング液に浸漬する
ことを特徴とする化合物半導体基板のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22540988A JPH0273632A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 化合物半導体基板こエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22540988A JPH0273632A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 化合物半導体基板こエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273632A true JPH0273632A (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=16828918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22540988A Pending JPH0273632A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 化合物半導体基板こエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0273632A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228486A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | エッチング方法 |
| US7097784B2 (en) | 2002-12-27 | 2006-08-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching method and apparatus for semiconductor wafers |
| JP2009004675A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハのエッチング方法及び装置 |
| CN101943868A (zh) * | 2010-08-03 | 2011-01-12 | 无锡科硅电子技术有限公司 | 去除光刻胶的方法与装置 |
-
1988
- 1988-09-08 JP JP22540988A patent/JPH0273632A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228486A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | エッチング方法 |
| US7097784B2 (en) | 2002-12-27 | 2006-08-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching method and apparatus for semiconductor wafers |
| JP2009004675A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハのエッチング方法及び装置 |
| CN101943868A (zh) * | 2010-08-03 | 2011-01-12 | 无锡科硅电子技术有限公司 | 去除光刻胶的方法与装置 |
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