JPH0313734B2 - - Google Patents
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- JPH0313734B2 JPH0313734B2 JP57059236A JP5923682A JPH0313734B2 JP H0313734 B2 JPH0313734 B2 JP H0313734B2 JP 57059236 A JP57059236 A JP 57059236A JP 5923682 A JP5923682 A JP 5923682A JP H0313734 B2 JPH0313734 B2 JP H0313734B2
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- cooling
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は加熱されたウエハ又はマスク基板の温
度を所望の温度まで短時間で下げることが可能な
基板冷却方法に関する。
度を所望の温度まで短時間で下げることが可能な
基板冷却方法に関する。
(2) 技術の背景
通常、レジストがコーテイングされたウエハ又
はマスク基板は乾燥ベーキングされた後、熱歪に
よる位置合わせ精度の低下を防ぐため、その温度
を一定温度まで降温してから露光が行われる。
はマスク基板は乾燥ベーキングされた後、熱歪に
よる位置合わせ精度の低下を防ぐため、その温度
を一定温度まで降温してから露光が行われる。
(3) 従来技術と問題点
従来、上記の様な基板の冷却は、加熱され膨張
した基板をクリーンベンチに放置して行われてい
た。しかしながら、この様な方法では、乾燥ベー
キングで100℃程度に加熱された基板の温度を室
温（約22〜24℃）まで降温するため30分程度を要
し、生産効率の低下の原因となつている。またこ
の様な方法では、基板を一旦クリーンベンチへ移
すためレジストコート工程からエツチング、洗浄
工程までインライン化することが困難であつた。
した基板をクリーンベンチに放置して行われてい
た。しかしながら、この様な方法では、乾燥ベー
キングで100℃程度に加熱された基板の温度を室
温（約22〜24℃）まで降温するため30分程度を要
し、生産効率の低下の原因となつている。またこ
の様な方法では、基板を一旦クリーンベンチへ移
すためレジストコート工程からエツチング、洗浄
工程までインライン化することが困難であつた。
(4) 発明の目的
本発明は上述の問題を解消し、短時間で加熱さ
れたウエハ又はマスク基板の温度を下げることが
可能でかつ、インライン化の容易な基板冷却方法
を提供することを目的とするものである。
れたウエハ又はマスク基板の温度を下げることが
可能でかつ、インライン化の容易な基板冷却方法
を提供することを目的とするものである。
(5) 発明の構成
すなわち本発明は、レジストがコーテイングさ
れた基板を乾燥ベーキング後、該レジストを露光
するに先立つて、流体によつて温度制御された固
体ブロツク上に該基板を密着載置して該基板を冷
却することを特徴とするものである。
れた基板を乾燥ベーキング後、該レジストを露光
するに先立つて、流体によつて温度制御された固
体ブロツク上に該基板を密着載置して該基板を冷
却することを特徴とするものである。
(6) 発明の実施例
以下、図に用いて本発明の一実施例につき詳細
に説明する。第１図は本発明を実施した露光シス
テムの一例を示すブロツク図、第２図は降温プレ
ート部の要部断面図、図中１はレジストコート
部、２は搬送部、３，６はホツトプレート部、
４，７は降温プレート部、８は現像エツチング処
理部、９はフイードバツクループ、１０は基板、
１１は固体ブロツク、１２は恒温装置、１３は温
度センサ、１４は真空吸引路、１５は流路、１６
はポンプである。
に説明する。第１図は本発明を実施した露光シス
テムの一例を示すブロツク図、第２図は降温プレ
ート部の要部断面図、図中１はレジストコート
部、２は搬送部、３，６はホツトプレート部、
４，７は降温プレート部、８は現像エツチング処
理部、９はフイードバツクループ、１０は基板、
１１は固体ブロツク、１２は恒温装置、１３は温
度センサ、１４は真空吸引路、１５は流路、１６
はポンプである。
本実施例においては、レジストコート部１でレ
ジストが塗布されホツトプレート部３で乾燥ベー
キングされた基板１０は、従来の様に一旦、クリ
ーンベンチ等に放置されることなく、搬送部２を
介して降温プレート部４へ搬送される。降温プレ
ート部４は、第２図の様な構成を有し、搬送され
てきた基板１０は、一定の温度制御された固体ブ
ロツク１１に真空吸引され密着載置される。固体
ブロツク１１は、内容に一定温度の水、油等が循
環し、かつアルミニウム、銅等の熱伝導性の良い
材料で作られているため基板１０は短時間で冷却
される。例えば、フオトマスク基板を従来の冷却
方法で100℃から22〜24℃に冷却するためには30
分程度必要であつたのに対し、本発明によれば１
分程度が十分である。
ジストが塗布されホツトプレート部３で乾燥ベー
キングされた基板１０は、従来の様に一旦、クリ
ーンベンチ等に放置されることなく、搬送部２を
介して降温プレート部４へ搬送される。降温プレ
ート部４は、第２図の様な構成を有し、搬送され
てきた基板１０は、一定の温度制御された固体ブ
ロツク１１に真空吸引され密着載置される。固体
ブロツク１１は、内容に一定温度の水、油等が循
環し、かつアルミニウム、銅等の熱伝導性の良い
材料で作られているため基板１０は短時間で冷却
される。例えば、フオトマスク基板を従来の冷却
方法で100℃から22〜24℃に冷却するためには30
分程度必要であつたのに対し、本発明によれば１
分程度が十分である。
尚、固体ブロツク１１の温度は、基板１０とコ
ンタクトプリント用のマスターマスクの温度が等
しくなる様に制御することがパターン精度向上の
うえで望ましい。そのため本実施例では、コンタ
クトプリンタ部５の温度を検出し、フイードバツ
クループ９を介して恒温装置１２にフイードバツ
クすると共にセンサ１３で固定ブロツク１１の温
度を検知して、両者が一致する様に液温を制御し
ている。
ンタクトプリント用のマスターマスクの温度が等
しくなる様に制御することがパターン精度向上の
うえで望ましい。そのため本実施例では、コンタ
クトプリンタ部５の温度を検出し、フイードバツ
クループ９を介して恒温装置１２にフイードバツ
クすると共にセンサ１３で固定ブロツク１１の温
度を検知して、両者が一致する様に液温を制御し
ている。
この様にして冷却された基板１０はコンタクト
プリンタ部へ搬送されてコンタクト露光される。
露光された基板１０は、露光の際にレジストに発
生した定在波の影響を少なくするため、再びホツ
トプレート部６でベーキングされる。次いで基板
１０は降温プレート部７で、現像、エツチング処
理時に基板１０が薬品と異常反応しない様に冷却
される。この時も本発明によれば前述と同様に短
時間で基板１０の温度を下げることが可能であ
る。次いで基板１０は現像、エツチングされ、所
望のパターンが形成される。
プリンタ部へ搬送されてコンタクト露光される。
露光された基板１０は、露光の際にレジストに発
生した定在波の影響を少なくするため、再びホツ
トプレート部６でベーキングされる。次いで基板
１０は降温プレート部７で、現像、エツチング処
理時に基板１０が薬品と異常反応しない様に冷却
される。この時も本発明によれば前述と同様に短
時間で基板１０の温度を下げることが可能であ
る。次いで基板１０は現像、エツチングされ、所
望のパターンが形成される。
この様に本発明によれば短時間で基板の温度を
下げることが可能であるため、第１図の如くレジ
ストコートの工程から洗浄工程までを容易にイン
ライン化することが可能である。尚、本発明は第
１図に示したシステムの他にも、ウエハマスク基
板等の冷却のために適用できることは言うまでも
ない。
下げることが可能であるため、第１図の如くレジ
ストコートの工程から洗浄工程までを容易にイン
ライン化することが可能である。尚、本発明は第
１図に示したシステムの他にも、ウエハマスク基
板等の冷却のために適用できることは言うまでも
ない。
(7) 発明の効果
以上説明した様に本発明によれば、短時間で加
熱された基板を冷却できるので、生産効率は大幅
に向上する。また露光システムのインライン化に
も非常に有効である。
熱された基板を冷却できるので、生産効率は大幅
に向上する。また露光システムのインライン化に
も非常に有効である。
第１図は本発明を実施した露光システムの一
例、第２図は降温プレート部の要部断面図であ
る。 １はレジストコート部、２は搬送部、３はホツ
トプレート部、４，７は降温プレート部、８は現
像・エツチング処理部、９はフイードバツクルー
プ、１０は基板、１１は固体ブロツク、１２は恒
温装置、１３は温度センサ、１４は真空吸引路、
１５は流路、１６はポンプ。
例、第２図は降温プレート部の要部断面図であ
る。 １はレジストコート部、２は搬送部、３はホツ
トプレート部、４，７は降温プレート部、８は現
像・エツチング処理部、９はフイードバツクルー
プ、１０は基板、１１は固体ブロツク、１２は恒
温装置、１３は温度センサ、１４は真空吸引路、
１５は流路、１６はポンプ。
Claims (1)
- １ レジストがコーテイングされた基板を乾燥ベ
ーキング後、該レジストを露光するに先立つて、
流体によつて温度制御された固体ブロツク上に該
基板を密着載置して該基板を冷却することを特徴
とする基板冷却方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57059236A JPS58176936A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 基板冷却方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57059236A JPS58176936A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 基板冷却方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58176936A JPS58176936A (ja) | 1983-10-17 |
| JPH0313734B2 true JPH0313734B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=13107542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57059236A Granted JPS58176936A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 基板冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58176936A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715873B2 (ja) * | 1983-11-30 | 1995-02-22 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
| JPS60117627A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPH0715872B2 (ja) * | 1983-11-30 | 1995-02-22 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
| JPH0746676B2 (ja) * | 1984-02-24 | 1995-05-17 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
| JPS62172150U (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-31 | ||
| JPH062262Y2 (ja) * | 1986-09-10 | 1994-01-19 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 基板の冷却装置 |
| JP7325706B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2023-08-15 | マックス株式会社 | 結束用テープ、結束方法、テープ巻き付け体及びリール |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52142972A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-29 | Toshiba Corp | Semiconductor production device |
| JPS5425671A (en) * | 1977-07-29 | 1979-02-26 | Nec Corp | Burning and tightening unit for photo resist |
| JPS5473578A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Pattern exposure method of semiconductor substrate and pattern exposure apparatus |
| JPS54125978A (en) * | 1978-03-24 | 1979-09-29 | Toshiba Corp | Drying device of photo resist film |
| JPS5532022A (en) * | 1978-08-26 | 1980-03-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Correcting method of elongation or contraction quantity of wafer |
-
1982
- 1982-04-09 JP JP57059236A patent/JPS58176936A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52142972A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-29 | Toshiba Corp | Semiconductor production device |
| JPS5425671A (en) * | 1977-07-29 | 1979-02-26 | Nec Corp | Burning and tightening unit for photo resist |
| JPS5473578A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Pattern exposure method of semiconductor substrate and pattern exposure apparatus |
| JPS54125978A (en) * | 1978-03-24 | 1979-09-29 | Toshiba Corp | Drying device of photo resist film |
| JPS5532022A (en) * | 1978-08-26 | 1980-03-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Correcting method of elongation or contraction quantity of wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58176936A (ja) | 1983-10-17 |
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